SFE

不是。Insulin-Transferrin-Selenium-X（ITS-x）是做细胞实验用来配制培养基的。

嗯 这个好麻烦啊

铁离子参与多种细胞内氧化还原反应，包括诱导细胞内氧自由基反应。胞内氧自由基刺激前列腺素的合成和分泌。1.Apo-transferrin和Holo-transferrin影响胞内铁离子状态。Apo-trans-ferrin显著抑制前脂细胞PGE的合成与分泌，而Holo-transferrin则刺激PGE的合成与分泌2.Apo-transferrin和Holo-transferrin对前脂细胞的增殖和分化产生多方面的影响。低浓度的Apo-transferrin即明显刺激细胞的增殖。高浓度Apo-transferrin刺激前脂细胞增殖能力反而降低，可能与它竞争性抑制含铁转铁蛋白与受体的结合，降低细胞铁离子的吸收有关。低浓度Holo-transferrin刺激前脂细胞增殖，而高浓度Holo-transferin可能导致细胞铁离子超载，从而抑制细胞增殖。3.Apo-transferrin和Holo-transferrin都能抑制Insulin诱导的前脂细胞的分化。其作用方式不尽相同。Holo-transferrin抑制效应较Holo-transferrin更为明显。4.脱铁转铁蛋白（Apo-transferrin）能激活前脂细胞Na/H交换系统。全铁转铁蛋白（Holo-transferrin）能快速诱导胞内pH升高约0.2pH单位。看明白了吗？以上4点都源于我给你找的一个博士论文的摘要：细胞质膜Na+/H+交换系统和氧化还原系统与前脂细胞的增殖和分化 通过看这论文，我个人认为 1.在对于前脂细胞的增殖和分化问题上apo-Transferrin 和 holo-Transferrin的作用效果是一样的，但是作用的方式不同，他们都是通过调节细胞内铁离子浓度来实现对前脂细胞的增殖和分化影响的，低浓度明显刺激细胞的增殖。高浓度抑制前脂细胞增殖。作用方式不同见上文的1.Apo-transferrin和Holo-transferrin都能抑制Insulin诱导的前脂细胞的分化。其作用方式不尽相同。2.他们各自的其他作用现学现卖，呵呵，不好意思，仅供参考

你好，ENGINE FAILSAFE PROG 发动机管理系统功能故障 ，请速到维修店用电脑检测故障码进行维修。

这首歌是GotThisFeeling。是1822191Reco唱片公司发行，Shaun2hott演唱的嘻哈歌曲。在qq音乐，酷我音乐，咪咕音乐均可收听。

goddess festival女神的节日

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想要知道你所说的这一个欧米茄背后的字母代表什么意思？你需要知道具体是哪些字母？

要先格盘，再试，有的电脑是装一些ghost版本的xp系统是装不了，再此你最少要准备三个xp的ghost版本的系统以防万一。

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JamesFergusonJamesFerguson是一名编剧，代表作品有《勇猛小巨人》。外文名：JamesFerguson职业：编剧代表作品：《勇猛小巨人》合作人物：杜维图·邓纳姆电影作品

flesh单词音标英式：[fleʃ]美式：[flɛʃ]中文翻译n.肉；肉体；人类v.充实；变胖单词例句用作名词 (n.)The knife cut the flesh of his arm. 小刀把他胳膊上的肉割破了。The pain was almost more than flesh could take. 疼痛几乎使肉体受不了。We are made from flesh and soul. 我们是肉体与灵魂结合的产物。His life was devoted to the pleasure of the flesh. 他一生贪图肉体上的舒适享受。Humans and animals resorted to eating flesh to survive. 人类和动物们靠食肉幸存。用作动词 (v.)Examples were used to flesh out the skeleton of the argument. 通过例证使干巴巴的论点充实起来。This essay if far too short; I"ll have to think of some way to flesh it out. 这篇文章太短了，我得想个办法充实它。Good meals can make you flesh out. 佳肴可使你长胖。扩展学习fleshyadj.肉的；多肉的fleshedn.肉；肉体；人类v.充实；变胖fleshpotsn.奢侈的生活；暖衣饱食；豪华的餐厅fleshless xueci.cn提供翻译adj.瘦的；消瘦的fleshpotn.煮肉锅fleshern. 屠夫； 肉畜

黏着性调动磁带就是胶带，上面那是专用术语

过继性转移

exchange是临时交换，transfer是永久转学，很多大学不接受国内来的交换生的，真的喜欢uc berkeley介意transfer吧！

外面只需要MOSFET和必要的电阻电容组件。

一个时提货费，有可能发生的，看客户有没有要求。一个是机场转运费，属于机场的地面费用，是肯定发生的

Gabriel Clark / Darius Fradynand

热转换/热转移Thermal Transfer Ribbon就是热转移印刷色带_______________________________，就是俗称的碳带，Thermal Transfer Ribbon，一般由基膜、耐热涂层、油墨涂层等三部分组成。可以看http://zhidao.baidu.com/question/56764219.html?si=3

是的，一般来说需要认证到30个学分

MOSFET属于场效应管,放大原理与双极型晶体管有非常大的区别. BJT属于电流放大器件,以NPN为例,其IC= β * IB MOSFET属于电压控制放大器件,基本不消耗驱动电流,只与栅极电压相关,放大能力的指标叫跨导.也就是 漏极电流/栅极电压.

相比于IGBT和BJT耐冲击性好，故障率低。由于电导率负温度系数，MOSFET可扩展性很好。大功率应用时，如成本不敏感，如军用、工业、高端消费产品，MOSFET是最优选择。低压大电流领域是MOSFET的强项。IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件，IGBT的优点在于做大功率时成本低，堪称“穷人的法拉利”，耐压比MOSFET容易做高。相比于BJT，更少被二次击穿而失效。常用于高压（600V)应用领域。以及低端大功率（2000W)设备，如电磁炉、逆变器等。BJT是最老的开关器件，目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产，仍然活跃于低端市场。低压BJT开关频率可以较高，但由于饱和CE压降高达0.4V以上而远逊于MOSFET，只被用在最低端领域。高压BJT驱动麻烦，需使用低压大电流的电流源驱动，一般使用变压器驱动。在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效。适合中功率(50~1000W)，对成本极度敏感的市场。BJT有两种驱动方式，一种是基极开关，一种是射极开关。射极开关的效率和开关速度都优于基极开关，是BJT应用的潮流。答：MOSFET是稳定性最好的器件，不容易损坏。MOSFET常见的失效模式有：栅极击穿。即栅极和源极之间的绝缘层破坏。此时的MOSFET（此处均指增强型MOSFET）无法开启。封装破裂。这是由瞬间高热引起的。在瞬间产热过大，散热不良的情形下，树脂封装材料部分分解气化并膨胀，把封装撑裂。漏源极之间击穿。这是MOSFET最严重的一种失效模式，通常不易发生。发生后会导致短路而非断路。会导致强电源灌进弱电部分，如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路。通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差，但仍强过BJT。除了MOSFET的失效模式外，还有二次击穿的失效模式。当IGBT持续超过安全工作区工作时，会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象，这种击穿称为二次击穿。IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多，但仍有可能出现。BJT常见的失效模式有：二次击穿：最常见的失效模式，表现为芯片并未大面积发热，但CE之间持续低阻。此时BJT已经损坏。如果是用在电源上没有保护，则会进一步发展为整管熔毁。CB间绝缘破坏：比较少见，通常发生在整管熔毁时，或CB间承受的电压高于VCBO时击穿。热击穿：在高温下管子热失效。通常不易发生，因二次击穿发生更加容易，先发生二次击穿。MOSFET开关极快，而且是多子导电器件，没有拖尾电流，损耗主要是开通时的输出电容放电损耗。计算公式为:Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,V是MOSFET开通前一瞬间承受的电压。IGBT开关速度较快，没有存储时间，但存在拖尾电流。拖尾电流，就是在VCE已经升高的情况下，CE之间仍然有一股小电流流通一段时间，拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗。BJT开关速度慢，而且是少子器件，存在存储时间。存储时间就是基极电流已经切断甚至反向，而集极和射极仍然保持完全导通的时间。在存储时间后进入下降时间。下降时间是电压、电流交叉的时间，交叉损耗发生在下降时间。低压BJT由于β值高，下降时间比较短，存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小，因此主要损耗在于导通损耗，开关损耗不太大。高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制，下降时间也较长，主要损耗包括电流--电压交叉损耗。但必须注意，采用射极开关的BJT没有存储时间，下降时间也很短，开关损耗可以达到MOSFET的水准。答：从损耗分析上来看，MOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗，因此需要实现零电压开通，即开通前一瞬间DS电压为0.电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器，如移相全桥ZVS，准谐振反激。IGBT的主要损耗来自拖尾电流，因此需要实现零电流关断，消除拖尾电流，即关断前一瞬间CE电流为0.电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥。BJT的主要损耗和IGBT相仿，主要在关断时有电流--电压交叉损耗，因此也应实行零电流关断。

GTO（Gate-Turn-Off Thyristor）门极可关断晶闸管BJT（Bipolar Junction Transistor ）双极结型三极管Power-MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)集成门极换流晶闸管MCT看参考资料，有很多解释百度百科里都有

MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。x0dx0a这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。x0dx0aD、S极与三极管略同。x0dx0a相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择.低压大电流领域是MOSFET的强项.x0dx0aIGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高.相比于BJT,更少被二次击穿而失效.常用于高压（600V)应用领域.以及低端大功率（2000W)设备,如电磁炉、逆变器等.x0dx0aBJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场.低压BJT开关频率可以较高,但由于饱和CE压降高达0.4V以上而远逊于MOSFET,只被用在最低端领域.高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动.在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效.适合中功率(50~1000W),对成本极度敏感的市场.x0dx0aBJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关.射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流.x0dx0a答：MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏.MOSFET常见的失效模式有：x0dx0a栅极击穿.即栅极和源极之间的绝缘层破坏.此时的MOSFET（此处均指增强型MOSFET）无法开启.x0dx0a封装破裂.这是由瞬间高热引起的.在瞬间产热过大,散热不良的情形下,树脂封装材料部分分解气化并膨胀,把封装撑裂.x0dx0a漏源极之间击穿.这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生.发生后会导致短路而非断路.会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路.通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT.除了MOSFET的失效模式外,还有二次击穿的失效模式.x0dx0a当IGBT持续超过安全工作区工作时,会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象,这种击穿称为二次击穿.IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出现.x0dx0aBJT常见的失效模式有：x0dx0a二次击穿：最常见的失效模式,表现为芯片并未大面积发热,但CE之间持续低阻.此时BJT已经损坏.如果是用在电源上没有保护,则会进一步发展为整管熔毁.CB间绝缘破坏：比较少见,通常发生在整管熔毁时,或CB间承受的电压高于VCBO时击穿.x0dx0a热击穿：在高温下管子热失效.通常不易发生,因二次击穿发生更加容易,先发生二次击穿.x0dx0aMOSFET开关极快,而且是多子导电器件,没有拖尾电流,损耗主要是开通时的输出电容放电损耗.计算公式为:x0dx0aPloss=f*0.5*Coss*V^2,x0dx0aV是MOSFET开通前一瞬间承受的电压.x0dx0aIGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流.拖尾电流,就是在VCE已经升高的情况下,CE之间仍然有一股小电流流通一段时间,拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗.x0dx0aBJT开关速度慢,而且是少子器件,存在存储时间.存储时间就是基极电流已经切断甚至反向,而集极和射极仍然保持完全导通的时间.在存储时间后进入下降时间.下降时间是电压、电流交叉的时间,交叉损耗发生在下降时间.低压BJT由于β值高,下降时间比较短,存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小,因此主要损耗在于导通损耗,开关损耗不太大.高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制,下降时间也较长,主要损耗包括电流--电压交叉损耗.x0dx0a但必须注意,采用射极开关的BJT没有存储时间,下降时间也很短,开关损耗可以达到MOSFET的水准.x0dx0a答：从损耗分析上来看,x0dx0aMOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0.x0dx0a电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器,如移相全桥ZVS,准谐振反激.x0dx0aIGBT的主要损耗来自拖尾电流,因此需要实现零电流关断,消除拖尾电流,即关断前一瞬间CE电流为0.x0dx0a电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥.x0dx0aBJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断.

MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。D、S极与三极管略同。

1、打开simulink，拖出一个传递函数框TransferFcn。2、写入自己想画的传递函数，右键传递函数。3、选择LinearAnalysis，选择LinearizeBlock。4、点击右上方的bode选项即可。

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GROSSFELD像是德文，意思是广角你的望远镜的镀膜是什么颜色的？如果是很亮的红色，那基本上可以判断是杂牌货了

Power56封装正确的称呼是DFN5×6，JEDECMO-240规定了该封装的外形尺寸，厂商可以自行命名，例如Power56就是Farichild的称呼。目前DFN5×6是除DPAK之外最流行的功率半导体封装规格，因为封装面积跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封装又节约元件净空高度，底部Thermal-Pad设计降低了热阻，因此基本上很多功率器件厂商都部署了DFN5×6，细数下来就很多了：infineon的PG-T(S)DSON-8，Fairchild的Power56，Vishay的PowerPAK，意法半导体的PowerFLAT，ONSemi的SO8-FL，NECEL的HVSON8，Renesas的WPAK，ANPEC的KPAK，AOSemi的DFN5×6，APEC的PMPAK，MagnaChip的PowerFLAT，UBIQ的DFN5×6DFN5×6跟另一种薄型封装LFPAK外形上很相似，焊盘多数也“兼容”所以经常会被搞混，实际上DFN5×6跟LFPAK的内连接工艺是不同的。目前还在坚守LFPAK的就只有NXP和Renesas了。此答案如果满意请给分谢谢。

HyperText Transfer Protocol

迪威公司，其各自的继承人和被许可人的所有权利，所有权和利益在全球的工作和所有的专有权利。包括，但不限于，所有版权及所有合同和特许权及所有索赔和任何上述行动方面的原因，无论是现在已知或以后成为已知

按payments 然后按fastcheque 就好了~

transferor 让卖人/transferee 受让人assignor 委托者/assignee 受托人如果是委托别人的应该用assignor 委托者/assignee 受托人如果卖东西的话就用transferor 让卖人/transferee 受让人

assignee 是动词 assign (赋予/给予) 的派生词，指受托人、代理人或被指定人。transferee 是动词 transfer (转让) 的派生词，指财产、权利等的承让人或被转让人。

没有resfeber的单词，应是:Refresh，意思是刷新。QQ幸运字符就是一种互动标识，有非常多的类型，当我们聊天越多，就越大概率获得我们想要的幸运符。下面和大家分享一些幸运字符标识。两人无亲密关系时：两人无亲密关系时，可以获得的幸运字符有flipped、matey、freunde、minded、match、bff、amigo等等。两人绑定基友关系时：两人 绑定就关系后，可以获得的幸运字符有Bro、Bromance、Homie、Matey、Amigo、Freunde、Minded、Guys、Buddy、Friend等等。两人绑定闺蜜关系时：两人绑定闺蜜关系后，可以获得的幸运字符有Beaute、Matey、Freunde、Minded、Senoritas、Girls、Aroma、Sweet、Enioy、Friendship等等。两人绑定情侣关系时：两人绑定情侣关系后，可以获得的幸运字符种类就很多了，目前已知的有Destiny、Cupid、N3^07、Matey、Crush、Deja、Shmily、Imissu!、Minded、Amour、Darling、Honey等等。

1.ChineseTelegraphicCode就是收汇人姓名代码可以以下网址输入你的姓名，然后4位数的代码就出来了，告诉客人。http://www.bioinfo.tsinghua.edu.cn/~zhengjsh/cgi-bin/getCode.cgi网上查到的，不知道对不对查看原帖>>

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA 分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5% DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接” 第一部分：规格&环境 1.1、 产品信息 产品型号：DCT2000 产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统 1.2、 物理规格 主机尺寸：深660*宽430*高210(mm) 主机重量：＜35kg 1.3、 电气环境 主机功耗：＜300W 海拔高度：海拔不超过4000m； 环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）； 相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)； 大气压力：86Kpa～106Kpa； 防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等； 电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz； 工作时间：连续； 第二部分：应用场景和产品特点 一、应用场景 1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪） 2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案） 3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） 4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） 5、 量产测试 （可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） 6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品） 二、产品特点 1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配； 2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配； 3、驱动电压10mV~40V 4、控制极电流10uA~10mA； 5、16位ADC，100K/S采样速率； 6、自动识别器件极性NPN/PNP 7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确 8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验 9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等） 10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）； 11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ） 12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss； 13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置； 14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个； 15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用； 第三部分：产品介绍 3.1、产品介绍 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。 3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统） 第四部分：功能配置 4.1、 配置选项 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下 4.2、 适配器选型 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下4.3、 测试种类及参数 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下 (1)二极管类：二极管  Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）； (2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode） Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode） Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka； (4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode） Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）； (5)二极管类：瞬态二极管  TVS Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6)二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka； (7)二极管类：三相整流桥堆 Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka； (8)三极管类：三极管 Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm； (10)三极管类：单向可控硅 Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm； (11)三极管类：MOSFET Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss； (13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBT Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss； (15)三极管类：三端开关功率驱动器 Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关 Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻 Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ; (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器 Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准IC（TL431） Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压 Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf； (27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位IC（选配）； 曲线追踪仪 第五部分：性能指标 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下 5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元 （1）加压(FV) 量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV 量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV 量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV 量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV 量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV （2）加流(FI) 量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA 量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA 量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA 量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA 量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA 量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA 量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA 说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调 （3）电流测量(MI) 量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA 量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA 量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA 量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA 量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA 量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA 量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA （4）电压测量(MV) 量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV 量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV 量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV 量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV 5. 2 、 数据采集部分 （ VM ） 16位ADC，100K/S采样速率 （1）电压测量(MV) 量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV 量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV 量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV 量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV 量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV 量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV （2）漏电流测量(MI) 量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA 量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA 量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA 量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA 量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA 量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA 量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA （3）电容容量测量(MC) 量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF 量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF 5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC （1）加压(FV) 量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV 量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV 量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV （2）加流(FI)： 量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA 量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA 量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA 量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA 量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....

IGBT既不是MOSFET也不是diodes，而是MOSFET管与三极管BJT结合的集成功率开关器件，既然是MOSFET和BJT的集成器件，当然也会集合了两者的优势。 IGBT的门极驱动与MOSFET的一致，需要适当的驱动电流，集合了MOSFET的开关速度快的优点；而IGBT的集电极和发射极和普通的三极管BJT的发射极和集电极结构原理是一样的，稳定的导通饱和压降可以保证IGBT相对稳定的功耗和发热特性，使IGBT用在大功率电源上更有优势。