SFE

收到钱后，金额比较小，一下子就入帐提现成功了，当天收到这个平台审核通过的短信，第二到收到的钱。

你入账了吗？入账后换汇就行

俄罗斯、乌克兰、黎巴嫩这种，本来就是高风险国家。

账号申请完成之后，在收款账号菜单中可以选择开通账号，选择本地账户。

很好用。使用XTransfer到现在一年多，大大小小的收款上百笔，主要有几点使用感受跟大家分享一下。第一，账户注册便捷快速，提交资料第二天就可以拿到账户。第二，款到账时效性很快，支持的币种也比较多。第三，也是我们最看重的一点，就是合法合规结汇。还有就是它的本地化服务做得比较到位，在使用过程中，XTransfer高效专业的服务给我留下了深刻的印象。安全合规1、资金安全XTransfer采取严格的资金安全保障措施，金融解决方案获得合作银行与机构的合规检验与认可。客户资金存放于合作银行的备付金账户内，就客户资金做专属的资金托管，受到相关国家和地区监管机构和银行的保护。2、交易安全所有资金操作严格按照客户的指令进行。未经授权和直接指令，任何第三方不能对资金进行操作。XTransfer的安全防护将确保授权的真实性，任何异常情况将被及时识别并阻止。3、隐私安全信息和隐私受到XTransfer隐私与安全政策的保护，严格按照相应条款履行责任和义务。未经授权，XTransfer绝不会将信息透露给无关的第三方。4、系统安全所有信息均保存在安全服务器中，任何数据传输均采用SSL技术加密，数据的访问权限受到严格的物理控制。

这个平台还是不错的，虽然是第三方外贸收款平台，但在安全方面还是相当可靠的。它是由招商局集团领投，账户安全稳定，并且开户行是花旗银行、星展银行、美国欧洲的本地银行等，使用起来安全放心，除此之外，它还有7*16小时快速响应服务，很多人大都知道，有什么不清楚的都可以直接咨询客服。

1进入界面，找到“手机管家”图标，点击进入。2找到“锁屏清理应用”，点击进入。3找到“微信”选项，把开关关掉就可以（右侧开关显示为灰色）。希望对楼主有帮助。

尼日利亚客户可以付奈拉到xtransfer。尼日利亚奈拉是尼日利亚的一种货币，代收代付业务奈拉是合法的，主要看是否符合法律规定的合法经营范围。

将音量电位器音量调到最低也就是无声，这时应该没有声音，如果有嗡嗡声，则是功放机滤波电路电解电容器容量改变、太小所致；看看有无脱焊接触不良现象。如果开大声音，有很大的嗡嗡声，是功放机音频输入屏蔽不好所致，检查并排除屏蔽故障。或者嗡嗡声来自于前级及音源本身

需要的，可以是店铺网址。

可以的。国内外供货商都行。手续费不同。

不复杂的主要是要提交资料 资质够了自然就很快通过啦

具体方法如下：xtransfer收款信息可以通过登录xtransfer账户，点击查看转账历史记录，在汇款记录中查看汇款人信息，用户可以查看汇款人的姓名、手机号及汇款金额等信息。xtransfer还支持系统批量转账功能，用户可以一次性批量转账，并可以自定义汇款金额和转账时间，让您更加高效的完成转账任务，极大的提升您的工作效率。xtransfer还支持汇款记录的搜索功能，用户可以根据汇款人的姓名或手机号来搜索相关记录，可以更加方便快捷的查询到相关信息。

XT 指的就是 XTransfer 呀 ！

可以的。跨境金融服务公司XTransfer，已于2022年4月完成1000万美元的A轮融资，本轮由招商局集团领投，零一创投、云启资本和高榕资本跟投。

正常他们的回复就是3-10个工作日内，但是主要还是要看银行退款的路径了，如果是一些大行的话基本还是快一些，正常时效内，头疼的就是一些中东那边的买家小银行，要么就是找代付的，真的是山路十八弯，各种幺蛾子，不是卡在总行没入账，就是卡在中间行被调单，遥遥无期，最长有一次离了谱，中间行卡了1个月，没有人处理，一直无尽的等待，索性后面总归还是到了，吓得买家都要bj了，后面就找了另一个付款公司，就一直没出现过问题了，咱就是说，还是具体情况具体分析，银行不一样处理时间也不一样

可以。xtransfer只要不涉及洗钱、欺诈一般都没问题。XTransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，致力于帮助中小微企业大幅降低全球展业的门槛和成本，提升全球竞争力。

埃克斯川斯佛儿

xtransfer在2018年2月上市。根据查询相关资料信息显示，自2018年上线至今，XTransfer服务客户数量快速增长，目前已超过20万家中小微外贸企业。

是可以用这个平台的，作为五年外贸人来说，我觉得XT收款挺不错的，挺适合中小微企业的，开户0开户费，后面也没有维护费的，这点真的很不错，而且还可以无限额结汇人民币到公司账户或者法人个人账户，安全风控也做挺好的，不用担心账户容易受到风险款项被冻结，既然你朋友推荐了，你也可以多多了解一下。

我用过xtransfer收款，感觉没有泛付PanPay方便。收费的方案就是比免费的好用，毕竟还是一分钱一分货啊。xtransfer结汇必须有PI，网站，和物流单据（国内的不算，必须是境外的物流单据）。泛付PanPay结汇材料更简单，可以去泛付vip网站了解下。

使用了几次感觉还可以，他们只收真实贸易货款。

你是想问如何搜索xtransfer官网吗？搜索xtransfer官网步骤如下：1、打开浏览器，在搜索引擎输入xtransfer官网；2、官方网站一般会有xtransfer样标记，注意区分；3、选择正版官方网站进入；3、网页工具栏上方即可获取xtransfer官网；这样就可以收索xtransfer官网。

优势还是挺多的，xtransfer外贸收款服务平台开通外贸收款账户支持合法无限额结汇人民币到公司账户或者法人个人账户，也支持转账美金给全球客户，目前除了制裁国家和地区，都能收款，而且是由招商局集团领投，账户安全稳定等等，还有不少优势，只能说是个靠谱的平台，想要了解更多可以去官网看看。

不要钱。XTransfer专注为跨境B2B电商中小企业提供跨境金融和风控服务，通过建立数据化、自动化、互联网化和智能化的风控基础设施，搭建通达全球的财资管理平台。xtransfer是一个免费软件接了xtransfer的电话不要钱。提供开立全球和本地收款账户、外汇兑换、海外外汇管制国家申报等多种跨境金融服务的综合解决方案。

您好，XTransfer客户服务热线电话为400-998-9930

XTransfer销售工资，高不高都是看能力，不能够一概而论的，一般根据业绩基本四五千块钱还是有的。

结汇提现他们都是千分之四的费用的

只要有银行卡号。用Xtransfer申请到的离岸账户收款后，需在官网上创建订单，订单中填写相关贸易材料，然后关联到收到的款项上，进行换汇后，可以操作结汇提现。

与Xtransfer客服联系。可以通过Xtransfer官网上的客服通道，联系Xtransfer客服了解资金冻结的原因和解冻流程。

就是来自于xtransfer公司的电话。XTransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司,致力于帮助中小微企业大幅降低全球展业的门槛和成本,提升全球竞争力

xtransfer竞品有PingPong，两家公司的业务重合度较高，所以形成了竞争关系。XTransfer专注为跨境B2B电商中小企业提供跨境金融和风控服务 ，通过建立数据化、自动化、互联网化和智能化的风控基础设施，搭建通达全球的财资管理平台，提供开立全球和本地收款账户、外汇兑换、海外外汇管制国家申报等多种跨境金融服务的综合解决方案。 XTransfer获得香港Money Service Operator牌照和英国Authorized Payment Institution牌照，并在美国FINCEN、加拿大FINTRAC和澳大利亚AUSTRAC完成备案

现在增加了收款账户 花旗和渣打，知名大银行哎

网络的问题。xtransfer登陆不了是网络连接异常导致。1、首先打开电脑检查网络。2、其次打开xtransfer进行测试网络连接是否异常。3、最后点击xtransfer重新登录即可。

不是。XTransfer专注为跨境B2B电商中小企业提供跨境金融和风控服务，通过建立数据化、自动化、互联网化和智能化的风控基础设施，搭建通达全球的财资管理平台，提供开立全球和本地收款账户、外汇兑换、海外外汇管制国家申报等多种跨境金融服务的综合解决方案。 XTransfer获得香港Money Service Operator牌照和英国Authorized Payment Institution牌照，并在美国FINCEN、加拿大FINTRAC和澳大利亚AUSTRAC完成备案。Xtransfer的优势：开户免费，开户门槛低；传统香港银行找中介开户得要一万左右了。在线开户，不用跑香港，1~3天就可以下户。没有账户管理费。制裁国家和高危国家比较少。账户维护简单，不考核流水。香港别的银行账户，开户后3个月没有流水，可能就直接关户了。

协助外贸企业收货款，方便提现

1、政企合作，助力中小微外贸企业更合规，更便捷地走出去。2、XTransfer跨境金融和风控服务，为江苏外贸企业出海保驾护航。3、以上为xtransfer的上市前景。

我看官网上开户都是免费的，应该是提人民币要千分之四，还算便宜了

xtransfer期权可以换钱。xtransfer只要不涉及洗钱、欺诈一般都没问题。XTransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，致力于帮助中小微企业大幅降低全球展业的门槛和成本，提升全球竞争力。

可以的呀，我都是美金转给供货商一部分，利润部分我就直接提现提到法人对私了，棒棒哒。

可以的亚马逊开店有两种方式，一种是全球开店，通过亚马逊招商经理发链接入驻美国亚马逊，用国内的营业执照就OK了；另外一种是自注册，这里就需要用到美国的公司，运用美国公司营业执照自己入驻美国亚马逊。简单来说就是可以用中国公司的营业执照和美国公司的注册证书来入驻亚马逊。自注册比亚马逊全球开店会更具有优势：美国政府及亚马逊平台都会更加倾向于保护本土卖家，对美国公司注册的账号在封号、促销等方面会有一定照顾，亚马逊平台消费者也会更加信赖美国本土产品，程序更加简单，美国公司入驻亚马逊还可以做一些中国公司不能做的类目

去问客服呀 拿报关单或者物流单提交上去，还要有自己的网站

没什么风险 你是担心汇率变动会亏？

不高。XTransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，该公司内的工作内容和环境相对稳定，离职人数屈指可数，且工资高，是一份不错的工作。

您要问的是xtransfer风控面试会打电话问什么吗。问一些行业相关和基本信息。根据看准网查询得知，xtransfer风控面试时，HR通过电话了解情况，问一些行业相关和基本信息。询问时HR语气非常柔和，没有压迫感。XTransfer是B2B数字化跨境支付和风控平台，致力于为中国全产业链全球竞争提供有力支持。

中国工商银行。根据查询xtransfer集团官网得知，为了方便统一管理与工资的发放，xtransfer工资卡统一使用中国工商银行储蓄卡。XTransfer是一家专注为外贸企业提供一站式跨境金融服务的金融科技公司，公司总部设立在上海，并在香港、深圳、英国、美国、加拿大、日本均设有分支机构。

上海XTransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，在中国香港地区、英国、美国、加拿大、澳大利亚获得当地支付牌照，能帮助外贸人解决开户难、开户贵、收款慢、成本高等问题，非常适合中小微外贸企业使用。

一般是按净利润计算。1、也有可能是按销售额计算提成计算公式：销售绩效奖金=（销售回款-支出费用）×提成比例提成比例：1-3%。2、也可能是按毛利计算按毛利计算的话，提成计算公式：销售绩效奖金=（收入-支出）×提成比例提成比例：4%~10%。3、按净利润计算净利润计算提成，这个是一些大型的跨境电商企业，也主要是计算销售部门的绩效提成的,常用公式：绩效奖金=（收入-支出）×提成比例提成比例：10%+。

不支持_Transfer只支持T/T付款_T付款方式是以外汇现金方式结算，由您的客户将款项汇至贵公司指定的外汇银行账号内，可以要求货到后一定期限内汇款。_Transfer专注为跨境B2B电商中小企业提供跨境金融和风控服务，通过建立数据化、自动化、互联网化和智能化的风控基础设施，搭建通达全球的财资管理平台，提供开立全球和本地收款账户、外汇兑换、海外外汇管制国家申报等多种跨境金融服务的综合解决方案

千分之四人民币包含所有渠道费用，扣除了千分之四手续费就是全额到账了

400电话通常是企业客服电话，但要警惕是骗子或推销者假冒，可用另一电话打过去核实。

paypal好。1、Paypal被称为PP，类似于支付宝国际，但比国际支付更老，在世界上更受欢迎，是全球最大的在线支付提供商。2、xtransfer具有局限性，且流程麻烦。

就是帮你避免，汇率波动带来的损失

用户刷新、分享原因。xtransfer工资区间：8k-50k，最多人拿：15k-20k，图表数据是根据统计找工易网企业发布的职位信息数据所得，xtransfer具有强大的渲染度，工资的数据受用户刷新、分享等多种原因影响，底薪变得就非常高。

关于xtransfer为什么电销流动这么大原因如下：电销行业对人才的需求非常大，但离职率确非常高。并且电销行业有一种现象非常明显，贫富差距大，高的买房买车，低的无法解决温饱问题，温饱问题都无法解决那肯定就得换工作了。当然还有其他很多原因共同导致电销流动大。

合法的。他们有执照。

您好，xtransfer可以转稠州银行。转账就是将您在XTransfer资金汇至您绑定的第三方企业的银行账户。XTransfer支持转账到关联公司、出口代理、供货商、物流服务商、其他服务商的对公银行账户，可转账至多个国家或地区，支持美元和境外人民币转账，须自行结汇，暂不支持转至XTransfer收款账户。

千分之四人民币包含所有渠道费用，扣除了千分之四手续费就是全额到账了

答：第一，可以通过离岸帐户网上银行操作转账到个人外币账户后结汇，每个个人账户每年只能结汇usd5万美金等值的人民币，但是可以建议阁下以亲友的名义多开几个个人外币账户配合操作即可。第二，尽量以外币的形式支付供应商货款，货代运费。即将离岸帐户的外币直接转到供应商公司账户（前提，供应商需具备进出口权并开立外币公司账户）第三，将货款直接支付工厂老板的个人外币账户。第四，通过外贸代理结汇（此项肯定会有手续费）

xtransfer面试完五天内给通知。根据查询相关信息显示，XTransfer作为一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，为从事跨境电商B2B的中小微出口企业提供跨境收款平台服务，该公司面试完是五天内给通知。

xtransfer花旗账户能收的币种有：美元、港币、欧元、日元、英镑、澳大利亚元、新西兰元、加拿大元、新加坡元、瑞士法郎。最近新增了日本、韩国的本地账户。

XTransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司。致力于帮助中小微企业大幅降低全球展业的门槛和成本，提升全球竞争力。公司总部设立在上海，并在中国香港地区、深圳等主要外贸城市，以及英国、美国、加拿大、日本、澳大利亚、新加坡等地设有分支机构。目前，XTransfer已在中国香港地区、英国、美国、加拿大、澳大利亚获得当地支付牌照。通过与知名跨国银行及金融机构合作，XTransfer建设全球多币种统一清算网络，并打造了以中小微企业为中心的，数据化、自动化、互联网化和智能化的反洗钱风控基础设施。XTransfer以科技为桥梁，链接全球大型金融机构和中小微企业，让中小微企业享受到和大型跨国集团企业同等水平的跨境金融服务。

xtransfer电话接了不要钱。xtransfer是一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，公司总部设立在上海，并不是国外的公司，那么电话也是国内的，国内打电话是打电话的一方是要钱的，而接电话的一方是不要钱的。

查询收款记录。xtransfer在途收款是指查询收款记录。xtransfer是一家专注为外贸企业提供一站式跨境金融服务的金融科技公司。

用Xtransfer申请到的离岸账户收款后，款入账以后，需在官网上创建订单，订单中填写相关贸易材料，然后关联到收到的款项上，进行换汇后，可以操作结汇提现。目前仅支持大陆公司使用，并只可提现至法人私人账户。拓展资料:一、企业简介 XTransfer是一家一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，成立于2017年5月。XTransfer通过与知名跨国银行及金融机构合作，建设全球多币种统一清算网络，并打造了以中小企业为中心的，数据化、自动化、互联网化和智能化的反洗钱风控基础设施。XTransfer以科技为桥梁，连接全球大型金融机构和中小企业，助力中小企业在展业过程中，享受到和大型跨国集团企业同等水平的跨境金融服务。作为一站式外贸企业跨境金融和风控服务公司，XTransfer通过与知名跨国银行及金融机构合作，建设全球多币种统一清算网络，并打造了以中小企业为中心的，数据化、自动化、互联网化和智能化的反洗钱风控基础设施。XTransfer以科技为桥梁，连接全球大型金融机构和中小企业，助力中小企业在展业过程中，享受到和大型跨国集团企业同等水平的跨境金融服务。二、企业合作企业融资2018年10月，获得1000万美元的A轮融资，由招商局集团领投，零一创投、云启资本和高榕资本跟投。2019年10月，XTransfer宣布完成1500万美金B1轮融资，本轮由eWTP基金领投，招商局创投、零一创投、云启资本和高榕资本跟投，浅月资本担任独家财务顾问。2021年9月，XTransfer宣布完成D轮融资，由D1 Capital Partners领投，老股东跟投，光源资本担任独家财务顾问。三、XTransfer有哪些优点XTransfer全球收款账户：0开户费、0维护费、0入账费;统统免费，无隐形费用;最快1个工作日开立;提交企业基本材料，最快当日完成开户;支持多币种收款;支持美元、英镑等14个主流币种本地收款账户：XTransfer到账快一步，通过当地清算网络收款，极速到账。信任多一份;买家向其当地银行付款，为您赢得更多信任。买家更便捷，买家仅需支付当地货币，降低交易成本。XTransfer多币种现金管理解决方案：随心转换，支持多个主流币种在线转换，资金增值，保障您的资金稳健增值触手可及，低门槛享有银行VIP服务。XTransfer跨境供应链资金监管解决方案赋能创新，创新服务为跨境供应链赋能;全程可控资金流向全程自主可控。专属的XTransfer定制化解决方案。

有啊，我身边很多做外贸的伙伴都在用xtransfer收款，我们一开始没有用，但是随着公司业务的发展，为了提高资金使用率，在同行的推荐下选择了xtransfer，它很好的一点就是开户免费，入账费、管理费终身免费，而且结汇提现次数无限制！必须承认XTransfer对于我们这种中小型的外贸公司来说很划算。

字母是代表和银行的一个vip标识 也可以不用 这样入账时间会稍微慢点

安全是最明显的优势了，快捷，高效，服务意识高，客服小姐姐耐心，声音好听，态度也好。

xtransfer离职率不高，xtransfer为中小微企业灵活展业打造了一套高效、低成本的外贸数字化金融基础设施。xtransfer不仅是跨境金融服务平台,更是中小微外贸企业的风控服务平台。人事部公告显示，面试通过到岗率在80%以上，试岗入职率在60%以上，季度平均离职率控制在15%以内，这个离职率在同行内比较低。

xtransfer离岸账户合法，资金往来，都是一样受到外管局监管的。账户信息向人民银行和外管局汇报。XTransfer账户也是金融账户，开户时同样要向银行填报账户持有人或公司实际控制人的税号。税务居民所属地等所有CRS背景下要求提供的信息，也同样存在着消极非金融和积极非金融的属性，并不能帮你规避境外离岸账户要被交换这一事实。可为国内公司开立境外账户，快速收款，保证交易周期和安全性；同时可以将国内公司在境外收的美金直接结汇到法人个人账户；可为香港公司开立账户，用于外币收款，也可以直接将公司账户里的外币结汇到国内个人账户，不用再经其他周折。XTransfer与普通银行账户有一定区别，通过XTransfer开立的离岸账户，账号位号当前为合作银行DBS提供的13位后续其他合作银行的账号位号或有不同，不能使用银行柜台提供的服务，且您离岸账户中的资金不会产生利息；但通过XTransfer，您能享受免开户费、免账户管理费、免入账费，以及更优的外汇汇率等服务。

Xtransfer是一家定位于外贸B2B领域的科技金融公司。提供海外开户、锁汇（外汇价格锁定）结汇等金融服务。Xtransfer成立于2017年5月，已获批香港MSO牌照，预计2018年年中将获批英国支付牌照。经过一年的拓展，目前已搭建了国际金融网络基础设施的基本雏形。XTransfer提供了一个“组团”撮合平台，与银行做系统对接，标准化和数据化，将众多中小外贸企业的交易量汇聚起来，以使中小外贸商享受与大型外贸企业同样的汇率金融产品。品牌历史2018年7月11日，XTransfer完成500万美元天使轮融资，投资方为云启资本、高榕资本。2018年10月15日，XTransfer完成1000万美元A轮融资，投资方为招商局资本、零一创投、云启资本、高榕资本。2019年8月22日，中国贸促会贸易促进中心与XTransfer宣布达成战略合作。2019年10月11日，XTransfer完成1500万美金B1轮融资，由eWTP基金领投，招商局创投、零一创投、云启资本和高榕资本跟投。以上内容参考：百度百科-XTransfer

感觉挺靠谱的。第一，账户注册便捷快速，提交资料第二天就可以拿到账户；第二，款到账时效性很快，支持的币种也比较多；第三，也是我们最看重的一点，就是合法合规结汇。还有就是它的本地化服务做得比较到位，在使用过程中，XTransfer高效专业的服务给我留下了深刻的印象。拓展资料：一、XTransfer介绍：XTransfer专注为跨境B2B电商中小企业提供跨境金融和风控服务，通过建立数据化、自动化、互联网化和智能化的风控基础设施，搭建通达全球的财资管理平台，提供开立全球和本地收款账户、外汇兑换、海外外汇管制国家申报等多种跨境金融服务的综合解决方案。XTransfer获得香港Money Service Operator牌照和英国Authorized Payment Institution牌照，并在美国FINCEN、加拿大FINTRAC和澳大利亚AUSTRAC完成备案。二、产品服务1.全球收款账户与国际大行合作，收取全球款项;收取全球买家汇款;支持14个主流币种;0维护费0入账费。2.本地收款账户像国内收款一样收取国际汇款;买家支付当地货币，降低换汇成本;本地清算网络快速收款;0中间行手续费。3.结汇提现阳光结汇，极速到账;合规申报，100%入账成功;支持极速增值服务。4.普通提现对公账户，支持退税;提现至中国大陆对公账户，可退税;无金额限制;可选极速到账。5.转账能全球收，也能全球付;支持全球转账可转账至供应商等对公账户;无金额限制。三、核心功能核心功能涵盖邮箱绑定、客户管理、商机管理、产品管理、订单管理、子账号管理、名片扫描等。四、资金安全XTransfer采取严格的资金安全保障措施，金融解决方案获得合作银行与机构的合规检验与认可。客户资金存放于合作银行的备付金账户内，就客户资金做专属的资金托管，受到相关国家和地区监管机构和银行的保护。

MOSFET核：金属—氧化层—半导体电容　　电压施加MOS电容两端半导体电荷布跟着改变考虑p-type半导体（电洞浓度NA）形MOS电容电压VGB施加栅极与基极端（图）电洞浓度减少电浓度增加VGB够强接近栅极端电浓度超电洞p-type半导体电浓度（带负电荷）超电洞（带电荷）浓度区域便所谓反转层（inversion layer）　　MOS电容特性决定MOSFET操作特性完整MOSFET结构需要提供数载（majority carrier）源极及接受些数载漏极MOSFET结构前所述MOSFET核位于央MOS电容左右两侧则源极与漏极源极与漏极特性必须同n-type（即NMOS）或同p-type（即PMOS）左图NMOS源极与漏极标示N+代表着两意义：(1)N代表掺杂（doped）源极与漏极区域杂质极性N；（2）+代表区域高掺杂浓度区域（heavily doped region）区电浓度远高于其区域源极与漏极间极性相反区域隔所谓基极（或称基体）区域NMOS其基体区掺杂p-type反PMOS言基体应该n-type源极与漏极则p-type（且重掺杂P+）基体掺杂浓度需要源极或漏极高故左图没+　　NMOS言真用作通道、让载通MOS电容半导体表面区域电压施加栅极带负电电吸引至表面形通道让n-type半导体数载—电源极流向漏极电压移除或放负电压通道形载源极与漏极间流　　假设操作象换PMOS源极与漏极p-type、基体则n-typePMOS栅极施加负电压则半导体电洞吸引表面形通道半导体数载—电洞则源极流向漏极假设负电压移除或加电压通道形让载源极漏极间流　　特别要说明源极MOSFET意思提供数载源NMOS言数载电；PMOS言数载电洞相漏极接受数载端点　　MOSFET操作模式　　NMOS漏极电流与漏极电压间同VGS ? Vth关系　　MOSFET线性区操作截面图　　MOSFET饱区操作截面图依照MOSFET栅极、源极与漏极等三端点施加偏压（bias）同见加强型（enhancement mode）n-type MOSFET列三种操作区间：　　线性区（三极区）（linear or triode region）　　VGS>Vth、且VDS　　μn载迁移率（carrier mobility）、WMOSFET栅极宽度、LMOSFET栅极度Cox则栅极氧化层单位电容区域内MOSFET电流—电压关系线性程式称线性区　　饱区（saturation region）　　VGS>Vth、且VDS>VGS-Vth颗MOSFET导通状况形通道让电流通随着漏极电压增加超栅极电压使接近漏极区反转层电荷零处通道消失（图）种状况称夹止（pinch-off）种状况由源极发载经由通道达夹止点注入漏极周围空间电荷区（space charge region）再电场扫入漏极通MOSFET电流与其漏极—源极间电压且VDS关与栅极电压关关系式：　　述公式理想状况MOSFET饱区操作电流与电压关系式事实饱区MOSFET漏极电流通道度调变效应（channel length modulation effect）改变并非与且VDS全关考虑通道度调变效应饱区电流—电压关系式：　　关于通道度调变效应与影响面叙述　　截止区（临界区）（cut-off or sub-threshold region）　　栅极源极间电压VGS（G代表栅极S代表源极）于称临界电压（threshold voltage, Vth）值MOSFET处截止（cut-off）状态电流流MOSFETMOSFET导通　　事实VGS些拥量MOSFET集电路产品DRAM临限电流往往造额外能量或功率消耗　　基板效应　　集电路MOSFET组件能现基极与源极并直接相连状况种状况造副作用称基板效应（body effect）MOSFET受基板效应影响临界电压所改变公式：　　,　　VTO基极与源极间电位差临界电压γ基板效应参数2φ则与半导体能阶相关参数　　[编辑] MOSFET电电路应用优势　　MOSFET1960由贝尔实验室（Bell Lab.）D. Kahng Martin Atalla首实现功种组件操作原理1947萧克利（William Shockley）等发明双载接面晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截同且制造本低廉与使用面积较、高集度优势型集电路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或超型集电路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）领域重要性远超BJT　　近由于MOSFET组件性能逐渐提升除传统应用于诸微处理器、单片机等数字信号处理场合越越模拟信号处理集电路用MOSFET实现别介绍些应用　　[编辑] 数字电路　　数字科技进步微处理器运算效能断提升带给深入研发新代MOSFET更力使MOSFET本身操作速度越越快几乎各种半导体主组件快种MOSFET数字信号处理主要功自CMOS逻辑电路发明种结构处理论静态功率损耗逻辑门（logic gate）切换作才电流通CMOS逻辑门基本员CMOS反相器（inverter）所CMOS逻辑门基本操作都同反相器同间内必定种晶体管（NMOS或PMOS）处导通状态另种必定截止状态使电源端接端直接导通路径量节省电流或功率消耗降低集电路发热量　　MOSFET数字电路应用另外优势直流（DC）信号言MOSFET栅极端阻抗限（等效于路）理论电流MOSFET栅极端流向电路接点完全由电压控制栅极形式让MOSFET主要竞争手BJT相较更省电且更易于驱CMOS逻辑电路除负责驱芯片外负载（off-chip load）驱器（driver）外每级逻辑门都要面同MOSFET栅极较需考虑逻辑门本身驱力相较BJT逻辑电路（例见TTL）没些优势MOSFET栅极输入电阻限于电路设计工程师言亦其优点例较需考虑逻辑门输端负载效应（loading effect）　　[编辑] 模拟电路　　段间MOSFET并非模拟电路设计工程师首选模拟电路设计重视性能参数晶体管转导（transconductance）或电流驱力MOSFETBJT适合模拟电路需求随着MOSFET技术断演进今CMOS技术已经符合模拟电路规格需求再加MOSFET结构关系没BJT些致命缺点热破坏（thermal runaway）另外MOSFET线性区压控电阻特性亦集电路用取代传统晶硅电阻（poly resistor）或MOS电容本身用取代用晶硅—绝缘体—晶硅电容（PIP capacitor）甚至适电路控制表现电（inductor）特性些处都BJT难提供说MOSFET除扮演原本晶体管角色外用作模拟电路量使用组件（passive device）优点让采用MOSFET实现模拟电路满足规格需求效缩芯片面积降低产本　　随着半导体制造技术进步于集更功能至单芯片需求跟着幅提升用MOSFET设计模拟电路另外优点随浮现减少印刷电路板（Printed Circuit Board, PCB）使用集电路数量、减少封装本与缩系统体积原本独立模拟芯片与数字芯片集至同芯片内MOSFET原本数字集电路竞争优势模拟集电路量采用MOSFET两种同功能电路集起困难度显著降另外像某些混合信号电路（Mixed-signal circuits）模拟/数字转换器（Analog-to-Digital Converter, ADC）利用MOSFET技术设计效能更产品　　近种集MOSFET与BJT各自优点制程技术：BiCMOS（Bipolar-CMOS）越越受欢迎BJT组件驱电流能力仍比般CMOS优异靠度面些优势例容易静电放电（ESD）破坏所同需要复噪声号处理及强电流驱能力集电路产品使用BiCMOS技术制作　　[编辑] MOSFET尺寸缩放　　数十MOSFET尺寸断变早期集电路MOSFET制程通道度约几微米（micrometer）等级今集电路制程参数已经缩几十倍甚至超百倍2008初Intel始45纳米（nanometer）技术制造新代微处理器实际组件通道度能比数字些至90代末MOSFET尺寸断缩让集电路效能提升历史角度看些技术突破半导体制程进步着密关系　　[编辑] 何要MOSFET尺寸缩　　基于几理由我希望MOSFET尺寸能越越　　越MOSFET象征其通道度减少让通道等效电阻减少让更电流通虽通道宽度能跟着变让通道等效电阻变能降低单位电阻问题解决　　MOSFET尺寸变意味着栅极面积减少降低等效栅极电容外越栅极通更薄栅极氧化层让前面提通道单位电阻值降低改变同让栅极电容反变较减少通道电阻相比获处仍坏处MOSFET尺寸缩切换速度面两素加总变快　　MOSFET面积越制造芯片本降低同封装装更高密度芯片片集电路制程使用晶圆尺寸固定所芯片面积越同晶圆产更芯片于本变更低　　虽MOSFET尺寸缩带处同负面效应伴随　　[编辑] MOSFET尺寸缩现困难　　MOSFET尺寸缩微米于半导体制程言挑战现新挑战半自尺寸越越MOSFET组件所带曾现物理效应　　[编辑] 临限传导　　由于MOSFET栅极氧化层厚度断减少所栅极电压限随变少免电压造栅极氧化层崩溃（breakdown）维持同性能MOSFET临界电压必须降低造MOSFET越越难完全关闭说足造MOSFET通道区发弱反转栅极电压比前更低于所谓临限电流（subthreshold current）造问题比更严重特别今集电路芯片所含晶体管数量剧增某些VLSI芯片临限传导造功率消耗竟占总功率消耗半　　反说些电路设计MOSFET临限传导处例需要较高转导/电流转换比（transconductance-to-current ratio）电路利用临限传导MOSFET达目设计颇见　　[编辑] 芯片内部连接导线寄电容效应　　传统CMOS逻辑门切换速度与其组件栅极电容关栅极电容随着MOSFET尺寸变减少同芯片容纳更晶体管连接些晶体管金属导线间产寄电容效应始主宰逻辑门切换速度何减少些寄电容芯片效率能否向突破关键　　[编辑] 芯片发热量增加　　芯片晶体管数量幅增加避免问题跟着发芯片发热量幅增加般集电路组件高温操作能导致切换速度受影响或导致靠度与寿命问题些发热量非高集电路芯片微处理器目前需要使用外加散热系统缓问题　　功率晶体管（Power MOSFET）领域通道电阻温度升高跟着增加使组件pn-接面（pn-junction）导致功率损耗增加假设外置散热系统让功率晶体管温度保持够低水平能让些功率晶体管遭热破坏（thermal runaway）命运　　[编辑] 栅极氧化层漏电流增加　　栅极氧化层随着MOSFET尺寸变越越薄目前主流半导体制程甚至已经做厚度仅1.2纳米栅极氧化层约等于5原叠起厚度已种尺度所物理现象都量力所规范世界内例电穿隧效应（tunneling effect）穿隧效应些电机越氧化层所形位能障壁（potential barrier）产漏电流今集电路芯片功耗源　　解决问题些介电数比二氧化硅更高物质用栅极氧化层例铪（hafnium）锆（Zirconium）金属氧化物（二氧化铪、二氧化锆）等高介电数物质均能效降低栅极漏电流栅极氧化层介电数增加栅极厚度便能增加维持电容较厚栅极氧化层降低电通穿隧效应穿氧化层机率进降低漏电流利用新材料制作栅极氧化层必须考虑其位能障壁高度些新材料传导带（conduction band）价带（valenceband）半导体传导带与价带差距比二氧化硅（二氧化硅传导带硅间高度差约8ev）所仍能导致栅极漏电流现　　[编辑] 制程变异更难掌控　　现代半导体制程工序复杂繁任何道制程都能造集电路芯片组件产些微变异MOSFET等组件越做越些变异所占比例能幅提升进影响电路设计者所预期效能变异让电路设计者工作变更困难　　[编辑] MOSFET栅极材料　　理论MOSFET栅极应该尽能选择电性良导体晶硅经重掺杂导电性用MOSFET栅极并非完美选择目前MOSFET使用晶硅作理由：　　1. MOSFET临界电压（threshold voltage）主要由栅极与通道材料功函数（work function）间差异决定晶硅本质半导体所借由掺杂同极性杂质改变其功函数更重要晶硅底作通道硅间能隙（bandgap）相同降低PMOS或NMOS临界电压借由直接调整晶硅功函数达需求反说金属材料功函数并像半导体易于改变要降低MOSFET临界电压变比较困难且想要同降低PMOSNMOS临界电压需要两种同金属别做其栅极材料于制程变量　　2. 硅—二氧化硅接面经研究已经证实两种材料间缺陷（defect）相言比较少反金属—绝缘体接面缺陷容易两者间形表面能阶影响组件特性　　3. 晶硅融点比数金属高现代半导体制程习惯高温沉积栅极材料增进组件效能金属融点低影响制程所能使用温度限　　晶硅虽二十制造MOSFET栅极标准若干缺点使未仍部份MOSFET能使用金属栅极些缺点：　　1. 晶硅导电性金属限制信号传递速度虽利用掺杂式改善其导电性效仍限目前些融点比较高金属材料：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或镍（Nickel）用晶硅制合金类混合材料通称金属硅化物（silicide）加金属硅化物晶硅栅极着比较导电特性且能够耐受高温制程外金属硅化物位置栅极表面离通道区较远所MOSFET临界电压造太影响　　栅极、源极与漏极都镀金属硅化物制程称自我准金属硅化物制程（Self-Aligned Silicide）通简称salicide制程　　2. MOSFET尺寸缩非、栅极氧化层变非薄例现制程氧化层缩纳米左右厚度种没发现现象随产种现象称晶硅空乏MOSFET反转层形晶硅空乏现象MOSFET栅极晶硅靠近氧化层处现空乏层（depletion layer）影响MOSFET导通特性要解决种问题金属栅极案目前行材料包括钽（tantalum）、钨、氮化钽（Tantalum Nitride）或氮化钛（Titalium Nitride）些金属栅极通高介电数物质形氧化层起构MOS电容另外种解决案晶硅完全合金化称FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程　　[编辑] 各种见MOSFET技术　　[编辑] 双栅极MOSFET　　双栅极（dual-gate）MOSFET通用射频（Radio Frequency, RF）集电路种MOSFET两栅极都控制电流射频电路应用双栅极MOSFET第二栅极数用做增益、混频器或频率转换控制　　[编辑] 耗尽型MOSFET　　般言耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述增强型（enhancement mode）MOSFET少见耗尽型MOSFET制造程改变掺杂通道杂质浓度使种MOSFET栅极算没加电压通道仍存想要关闭通道则必须栅极施加负电压（NMOS言）耗尽型MOSFET属于闭型（normally-closed）（ON）关相增强型MOSFET则属于断型（normally-open）（OFF）关　　[编辑] NMOS逻辑　　同驱能力NMOS通比PMOS所占用面积逻辑门设计使用NMOS能缩芯片面积NMOS逻辑虽占面积却像CMOS逻辑做消耗静态功率1980代期已经渐渐退市场　　[编辑] 功率MOSFET　　功率晶体管单元截面图通市售功率晶体管都包含数千单元主条目：功率晶体管　　功率MOSFET前述MOSFET组件结构着显著差异般集电路MOSFET都平面式（planar）结构晶体管内各端点都离芯片表面几微米距离所功率组件都垂直式（vertical）结构让组件同承受高电压与高电流工作环境功率MOSFET能耐受电压杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度函数能通电流则组件通道宽度关通道越宽则能容纳越电流于平面结构MOSFET言能承受电流及崩溃电压寡都其通道宽关垂直结构MOSFET说组件面积其能容纳电流约比磊晶层厚度则其崩溃电压比　　建议查下资料.感觉这样的提问没有意义

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 位置在主板供电附近，有正方形的像片片状的黑色原件，它就是MOSFET是用来管理电脑电源的一个芯片 更多与之相关问题可以登录百度知道网址是 http://baike.baidu.com/view/509184.htm

MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容　　当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。　　MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。MOSFET的结构如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义：(1)N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；（2）“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在左图中没有“+”。　　对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让n-type半导体的多数载子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载子也无法在源极与漏极之间流动。　　假设操作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为p-type、基体则是n-type。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的电洞会被吸引到表面形成通道，半导体的多数载子—电洞则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载子在源极和漏极间流动。　　特别要说明的是，源极在MOSFET里的意思是“提供多数载子的来源”。对NMOS而言，多数载子是电子；对PMOS而言，多数载子是电洞。相对的，漏极就是接受多数载子的端点。　　MOSFET的操作模式　　NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGS − Vth的关系　　MOSFET在线性区操作的截面图　　MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：　　线性区（三极区）（linear or triode region）　　当VGS>Vth、且VDS　　μn是载子迁移率（carrier mobility）、W是MOSFET的栅极宽度、L是MOSFET的栅极长度，而Cox则是栅极氧化层的单位电容大小。在这个区域内，MOSFET的电流—电压关系有如一个线性方程式，因而称为线性区。　　饱和区（saturation region）　　当VGS>Vth、且VDS>VGS-Vth，这颗MOSFET为导通的状况，也形成了通道让电流通过。但是随着漏极电压增加，超过栅极电压时，会使得接近漏极区的反转层电荷为零，此处的通道消失（如图），这种状况称之为“夹止”（pinch-off）。在这种状况下，由源极出发的载子经由通道到达夹止点时，会被注入漏极周围的空间电荷区（space charge region），再被电场扫入漏极。此时通过MOSFET的电流与其漏极—源极间的电压且VDS无关，只与栅极电压有关，关系式如下：　　上述的公式也是理想状况下，MOSFET在饱和区操作的电流与电压关系式。事实上在饱和区的MOSFET漏极电流会因为通道长度调变效应（channel length modulation effect）而改变，并非与且VDS全然无关。考虑通道长度调变效应之后的饱和区电流—电压关系式如下：　　关于通道长度调变效应的成因与影响将在后面叙述。　　截止区（次临界区）（cut-off or sub-threshold region）　　当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage, Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。　　但事实上当VGS在一些拥有大量MOSFET的集成电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。　　基板效应　　在集成电路中的MOSFET组件可能会出现基极与源极并不直接相连的状况，这种状况造成的副作用称为基板效应（body effect）。MOSFET受到基板效应的影响，临界电压会有所改变，公式如下：　　,　　VTO是基极与源极之间无电位差时的临界电压，γ是基板效应参数，2φ则是与半导体能阶相关的参数。　　[编辑] MOSFET在电子电路上应用的优势　　MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实现成功，这种组件的操作原理和1947年萧克利（William Shockley）等人发明的双载子接面晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高集成度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。　　近年来由于MOSFET组件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、单片机等数字信号处理的场合上，也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现，以下分别介绍这些应用。　　[编辑] 数字电路　　数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动组件中最快的一种。MOSFET在数字信号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。　　MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如最常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。　　[编辑] 模拟电路　　有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随着MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly resistor），或是MOS电容本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容（PIP capacitor），甚至在适当的电路控制下可以表现出电感（inductor）的特性，这些好处都是BJT很难提供的。也就是说，MOSFET除了扮演原本晶体管的角色外，也可以用来作为模拟电路中大量使用的被动组件（passive device）。这样的优点让采用MOSFET实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。　　随着半导体制造技术的进步，对于集成更多功能至单一芯片的需求也跟着大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board, PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的模拟芯片与数字芯片被集成至同一个芯片内。MOSFET原本在数字集成电路上就有很大的竞争优势，在模拟集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路集成起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如模拟/数字转换器（Analog-to-Digital Converter, ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。　　近年来还有一种集成MOSFET与BJT各自优点的制程技术：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越来越受欢迎。BJT组件在驱动大电流的能力上仍然比一般的CMOS优异，在可靠度方面也有一些优势，例如不容易被“静电放电”（ESD）破坏。所以很多同时需要复噪声号处理以及强大电流驱动能力的集成电路产品会使用BiCMOS技术来制作。　　[编辑] MOSFET的尺寸缩放　　过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的集成电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米（micrometer）的等级。但是到了今日的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2008年初，Intel开始以45纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，实际的组件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有着密不可分的关系。　　[编辑] 为何要把MOSFET的尺寸缩小　　基于以下几个理由，我们希望MOSFET的尺寸能越小越好。　　越小的MOSFET象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让更多电流通过。虽然通道宽度也可能跟着变小而让通道等效电阻变大，但是如果能降低单位电阻的大小，那么这个问题就可以解决。　　MOSFET的尺寸变小意味着栅极面积减少，如此可以降低等效的栅极电容。此外，越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层，这可以让前面提到的通道单位电阻值降低。不过这样的改变同时会让栅极电容反而变得较大，但是和减少的通道电阻相比，获得的好处仍然多过坏处，而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度也会因为上面两个因素加总而变快。　　MOSFET的面积越小，制造芯片的成本就可以降低，在同样的封装里可以装下更高密度的芯片。一片集成电路制程使用的晶圆尺寸是固定的，所以如果芯片面积越小，同样大小的晶圆就可以产出更多的芯片，于是成本就变得更低了。　　虽然MOSFET尺寸缩小可以带来很多好处，但同时也有很多负面效应伴随而来。　　[编辑] MOSFET的尺寸缩小后出现的困难　　把MOSFET的尺寸缩小到一微米以下对于半导体制程而言是个挑战，不过现在的新挑战多半来自尺寸越来越小的MOSFET组件所带来过去不曾出现的物理效应。　　[编辑] 次临限传导　　由于MOSFET栅极氧化层的厚度也不断减少，所以栅极电压的上限也随之变少，以免过大的电压造成栅极氧化层崩溃（breakdown）。为了维持同样的性能，MOSFET的临界电压也必须降低，但是这也造成了MOSFET越来越难以完全关闭。也就是说，足以造成MOSFET通道区发生弱反转的栅极电压会比从前更低，于是所谓的次临限电流（subthreshold current）造成的问题会比过去更严重，特别是今日的集成电路芯片所含有的晶体管数量剧增，在某些VLSI的芯片，次临限传导造成的功率消耗竟然占了总功率消耗的一半以上。　　不过反过来说，也有些电路设计会因为MOSFET的次临限传导得到好处，例如需要较高的转导/电流转换比（transconductance-to-current ratio）的电路里，利用次临限传导的MOSFET来达成目的的设计也颇为常见。　　[编辑] 芯片内部连接导线的寄生电容效应　　传统上，CMOS逻辑门的切换速度与其组件的栅极电容有关。但是当栅极电容随着MOSFET尺寸变小而减少，同样大小的芯片上可容纳更多晶体管时，连接这些晶体管的金属导线间产生的寄生电容效应就开始主宰逻辑门的切换速度。如何减少这些寄生电容，成了芯片效率能否向上突破的关键之一。　　[编辑] 芯片发热量增加　　当芯片上的晶体管数量大幅增加后，有一个无法避免的问题也跟着发生了，那就是芯片的发热量也大幅增加。一般的集成电路组件在高温下操作可能会导致切换速度受到影响，或是导致可靠度与寿命的问题。在一些发热量非常高的集成电路芯片如微处理器，目前需要使用外加的散热系统来缓和这个问题。　　在功率晶体管（Power MOSFET）的领域里，通道电阻常常会因为温度升高而跟着增加，这样也使得在组件中pn-接面（pn-junction）导致的功率损耗增加。假设外置的散热系统无法让功率晶体管的温度保持在够低的水平，很有可能让这些功率晶体管遭到热破坏（thermal runaway）的命运。　　[编辑] 栅极氧化层漏电流增加　　栅极氧化层随着MOSFET尺寸变小而越来越薄，目前主流的半导体制程中，甚至已经做出厚度仅有1.2纳米的栅极氧化层，大约等于5个原子叠在一起的厚度而已。在这种尺度下，所有的物理现象都在量子力学所规范的世界内，例如电子的穿隧效应（tunneling effect）。因为穿隧效应，有些电子有机会越过氧化层所形成的位能障壁（potential barrier）而产生漏电流，这也是今日集成电路芯片功耗的来源之一。　　为了解决这个问题，有一些介电常数比二氧化硅更高的物质被用在栅极氧化层中。例如铪（hafnium）和锆（Zirconium）的金属氧化物（二氧化铪、二氧化锆）等高介电常数的物质均能有效降低栅极漏电流。栅极氧化层的介电常数增加后，栅极的厚度便能增加而维持一样的电容大小。而较厚的栅极氧化层又可以降低电子通过穿隧效应穿过氧化层的机率，进而降低漏电流。不过利用新材料制作的栅极氧化层也必须考虑其位能障壁的高度，因为这些新材料的传导带（conduction band）和价带（valenceband）和半导体的传导带与价带的差距比二氧化硅小（二氧化硅的传导带和硅之间的高度差约为8ev），所以仍然有可能导致栅极漏电流出现。　　[编辑] 制程变异更难掌控　　现代的半导体制程工序复杂而繁多，任何一道制程都有可能造成集成电路芯片上的组件产生些微变异。当MOSFET等组件越做越小，这些变异所占的比例就可能大幅提升，进而影响电路设计者所预期的效能，这样的变异让电路设计者的工作变得更为困难。　　[编辑] MOSFET的栅极材料　　理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。目前MOSFET使用多晶硅作为的理由如下：　　1. MOSFET的临界电压（threshold voltage）主要由栅极与通道材料的功函数（work function）之间的差异来决定，而因为多晶硅本质上是半导体，所以可以借由掺杂不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是，因为多晶硅和底下作为通道的硅之间能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以借由直接调整多晶硅的功函数来达成需求。反过来说，金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFET的临界电压就变得比较困难。而且如果想要同时降低PMOS和NMOS的临界电压，将需要两种不同的金属分别做其栅极材料，对于制程又是一个很大的变量。　　2. 硅—二氧化硅接面经过多年的研究，已经证实这两种材料之间的缺陷（defect）是相对而言比较少的。反之，金属—绝缘体接面的缺陷多，容易在两者之间形成很多表面能阶，大为影响组件的特性。　　3. 多晶硅的融点比大多数的金属高，而在现代的半导体制程中习惯在高温下沉积栅极材料以增进组件效能。金属的融点低，将会影响制程所能使用的温度上限。　　不过多晶硅虽然在过去二十年是制造MOSFET栅极的标准，但也有若干缺点使得未来仍然有部份MOSFET可能使用金属栅极，这些缺点如下：　　1. 多晶硅导电性不如金属，限制了信号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。目前有些融点比较高的金属材料如：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物（silicide）。加上了金属硅化物的多晶硅栅极有着比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。　　在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物的制程称为“自我对准金属硅化物制程”（Self-Aligned Silicide），通常简称salicide制程。　　2. 当MOSFET的尺寸缩的非常小、栅极氧化层也变得非常薄时，例如现在的制程可以把氧化层缩到一纳米左右的厚度，一种过去没有发现的现象也随之产生，这种现象称为“多晶硅空乏”。当MOSFET的反转层形成时，有多晶硅空乏现象的MOSFET栅极多晶硅靠近氧化层处，会出现一个空乏层（depletion layer），影响MOSFET导通的特性。要解决这种问题，金属栅极是最好的方案。目前可行的材料包括钽（tantalum）、钨、氮化钽（Tantalum Nitride），或是氮化钛（Titalium Nitride）。这些金属栅极通常和高介电常数物质形成的氧化层一起构成MOS电容。另外一种解决方案是将多晶硅完全的合金化，称为FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。　　[编辑] 各种常见的MOSFET技术　　[编辑] 双栅极MOSFET　　双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency, RF）集成电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。　　[编辑] 耗尽型MOSFET　　一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压（对NMOS而言）。耗尽型MOSFET是属于“常闭型”（normally-closed）（ON）的开关，而相对的，增强型MOSFET则属于“常断型”（normally-open）（OFF）的开关。　　[编辑] NMOS逻辑　　同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。　　[编辑] 功率MOSFET　　功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。主条目：功率晶体管　　功率MOSFET和前述的MOSFET组件在结构上就有着显著的差异。一般集成电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率组件都是垂直式（vertical）的结构，让组件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度的函数，而能通过的电流则和组件的通道宽度有关，通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言，能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说，组件的面积和其能容纳的电流成大约成正比，磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。　　

O(∩_∩)O~ 谢谢 2 楼的朋友，您的回答对我的帮助很大 ，太有权威了 , 不错 !蔡军时刻想念杜美美，打电话得知，为了建设文明社区，清理社区环境，杜美美被派到街上捡烟头，蔡军很是心疼。大冷天的，蔡军跑到街上，在地上一根根的找着烟头，找了半天，找了一小袋，给美美送去了。美美看见烟头，看见蔡军手都冻僵了，很是心疼，俩人偷溜出来，去吃饭去了。俩人在公园吃着盒饭，很是甜蜜，看见萧淑云在参见相亲活动，举着大牌子，在给何小君相亲，杜美美在旁边监视，马上打电话给何小君。何小君急忙来到公园，把萧淑云拽到家，大吵了一架。一向神气的萧淑云，常常向人夸耀女儿，居然给女儿相亲，邻居知道后，都笑话她。萧淑云都是为了女儿好，这样一闹，心里不甘心，赌气就把相亲牌子，摆在客厅正中间，时刻提醒何小君

correspond 作为 vi. 指1. 相符合, 相一致2. 相当, 相类似 还有“通信”的意思.相应地,correspondence 作为 n. 也有“通信, 通信联系”的意思.所以transfer correspondence 译成“中转处；中转柜台”的意思.另外,在...

域名停止解析，咨询你的域名注册商

极限参数 ID @ Tc=25C° Vgs@10V 17A mosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时，芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A 如果芯片case温度上升到100C°，则漏极电流下降为12A 一般这个参数绝对是达不到的，因为给出的TC是芯片case温度，而不是封

连接不上数据库