SFE

MOSFET DS极不分，它允许电流流动方向的正面和负面的。因此，只要用合适的控制电压G极，一个开放的实际应用电路的控制开关，考虑的控制电路和保护电路。

mosfet开关原理MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)开关原理是基于在MOSFET的晶体管中控制门电流来控制通过源极和汇极之间的电流。当门电流增加时，源极和汇极之间的电流也会增加，这样MOSFET就会被“打开”。当门电流减少时，源极和汇极之间的电流也会减少，这样MOSFET就会被“关闭”。这种方式的控制使得MOSFET具有高电阻和高电流能力，是现在广泛使用的开关元器件。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。扩展资料：主要参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。对比Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。参考资料：百度百科-MOSFET

MOSFET全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。

什么是MOSFET，MOSFET介绍 MOSFET： 金属-氧化物半导体场效应电晶体，简称金氧半场效电晶体（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效电晶体（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种型别，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。 什么是MOSFET MOSFET 全称是“金氧半导体场效电晶体”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极体上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极体 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。 金属 - 氧化物 - 半导体场效应电晶体金属 - 氧化物半导体场效应电晶体，金氧半导体场效应effecttransistor [E]金氧半导体场效应电晶体 场效电晶体，一般用作开关元件。质量都差不多，似乎英飞凌的好一点。 什么是MOSFET继电器 MOSFET： 全称Metal-Oxide Field-Effect Transistor金氧半导体场效电晶体 M: Metal 金属 O: Oxide 氧化物 S: Semiconductor 半导体 F: Field 场 E: Effect 效应 T: Transistor 电晶体 它是LED+MOSFET晶片=继电器功能 实现继电器功能的。 什么是mosfet的sr和scs模型 S-R 即开关--电阻 模型； S-CS 即 开关--电流源 模型； Switch 开关 Resistance 电阻 Current Source 电流源 什么是功率mosfet的雪崩耐量 MOSFET的雪崩特性是在外加电压大于V(BR)DSS时MOSFET也不会遭到破坏的最大漏源间的能量，用漏极电流的值来表示。当负载为电感时．在管子截止时加在漏源间的冲击电压常常会大+V(BR)DSS。 mosfet是什么管 金属－氧化物场效电晶体。 MOSFET管是什么? 高压金属氧化物矽场效应电晶体(MOSFET) 它的热阻低，针对马达驱动器、负载开关及液晶显示器（lcd）背光反向照明器应用，它能够帮助设计师减少损耗，提高电路效率 MOSFET器件是什么 金属-氧化层-半导体-场效电晶体，简称金氧半场效电晶体（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效电晶体（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 详细见百科:baike.baidu./view/509184.?wtp=tt

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。首先你要确认是否是MOSFET短路，去下mosfet，看看线路的GS和DS是否短路，如果PCB不短路说明MOSFET短路，这就可能是你的电流过大导致MOSFET短路，这有可能是你后端电路短路引起的，如果PCB都短路了,那就一定是后端电路引起的，你就要好好检查电路了

mesfet是由PN结场效应管改进得到的，原理基本相同，PN结场效应管是利用两边为P型高掺杂半导体、中间为N型掺杂半导体作为导电沟道得到的，当所加栅源电压不同时，两个相对的PN结的空间电荷区宽度不一样，所以以此控制中间的导电沟道区宽度，导电沟道区宽度改变相当于电阻改变，从而电流改变（以N型jeft为例）。mesfet原理基本一样，只不过它不是通过PN的空间电荷区来改变导电沟道的，而是上层为金属，中间同样为N型半导体作为导电沟道，下层一般为GaAs（衬底），这时候要求金属（一般用Al）的费米能级比N型半导体的要低，所以N型半导体的电子流向金属，这样N型半导体就形成了空间电荷区（耗尽层，没有电离电子），同样的可以通过栅源电压改变这个空间电荷区的宽度，以此来控制导电沟道的宽度。而mosfet就不一样了，它的上层为金属，接着为氧化层（SiO2），接着为P型半导体（衬底），两侧为N型高掺杂半导体分别作为源极和漏极，通过改变栅源电压，可以改变P型衬底表面的载流子类型，例如所加电压为负时，表面积累空穴，没有形成N型导电沟道，应为两侧为N型高掺杂半导体，所以要积累电子才能导电；当栅源电压为正时（要大于开启电压），表面将会积累电子，我们知道P型半导体的多子为空穴，当积累的电子多与空穴时，便会形成N型导电沟道，从而导通，所加的栅源电压、漏源电压不同，则电流也不同。最后说说两者的电流电压特性，当栅源电压一定时，漏源电压达到一定时，导电沟道会发生夹断，此后电流饱和，不随漏源电压而变化；当漏源电压大于击穿电压时，会发生击穿，电流剧增；当漏源电压比较小时，电流与电压呈线性关系。当栅源电压小于开启电压时，处于截止，没有导电沟道，电流只有很小的反向扩散电流。至于高频特型，这涉及到电容的问题，比较复杂，我只大略说说mosfet的，在高频时，P型衬底的表面电荷（反型层）跟不上变化，所以存在，耗尽层电容与氧化层电容，所以高频特性不是很好。更详细的内容我觉得你可以参考《微电子器件与IC设计基础》 刘刚等著，里面内容非常好，解析的很清楚。

电力MOS场效应管通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器件。特点——用栅极电压来控制漏极电流输入阻抗高驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。电力MOSFET的结构小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。电力MOSFET的基本特性(1)静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。(2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。(3)动态特性开通过程开通延迟时间td(on)上升时间tr开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断延迟时间td(off)下降时间tf关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。电力MOSFET的主要参数除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGSuf0bd>20V将导致绝缘层击穿 。(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS另一种介绍说明：场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成PN结过程中，由于P 区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大 。二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。1．栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS=0）在图Z0123所示电路中，UGS <0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID=0。2．漏源电压UGS对漏极电流ID的影响（设UGS=0）当UGS=0时，显然ID=0；当UDS>0且尚小对，P N结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS成线性规律变化（如图Z0124曲线OA段）；若UGS再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了（如图曲线AB段），当UDS增大到等于|VP|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS （这种情况如曲线B点）：当UDS>|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线BC段）。但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象（如曲线CD段）。由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。三、特性曲线1．输出特性曲线输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，如图Z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。◆可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0<UDS<|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。◆恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当UDS>|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。◆击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDS>BUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。2．转移特性曲线当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS>|VP|后，即恒流区内，ID 受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp)式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS=0时的漏极饱和电流。

MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管；P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。N沟道耗尽型管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在一、四象限。P沟道增强型管：删源间需要加一定反向电压才能管子才能开启，电流随反向电压增大而增大，转移特性曲线与N沟道增强型相反，在第四象限。P沟道耗尽型管：与N沟道耗尽型类似，漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为正值，随反向电压增大而增大。转移特性曲线在二、三象限。

　功率场效应管开关电路图：向左转|向右转　　场效应管导通时，漏沟道电阻有几千MΩ。所以，场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增大了响应时间，限制了最高工作频率。　　功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

fet场效应管mos是金属—氧化物—半导体mosfet是金属—氧化物—半导体场效应管mos结构就是采用金属—氧化物—半导体场效应管构成的mos电容是通过一定接法把mos管用作电容。主要是在集成电路设计中使用。

单管是只有一个管芯的igbt或mosfet；单管的电流一般比较小，50a以下；模块是在内部并联了若干个管芯的igbt或mosfet；模块的电流可以做得很大，可以达到数百甚至上千a。快恢复管也是同样。至于可控硅则不用模块技术，因为可控硅单管关心就可以做到很大的电流。

一、指代不同1、耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。2、增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。二、特点不同1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。2、增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。三、原理不同1、耗尽型：当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。2、增强型：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。参考资料来源：百度百科-增强型场效应晶体管参考资料来源：百度百科-fet参考资料来源：百度百科-MOSFET

一、场效应管的分类 　　按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的参数 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM.

MOSFET是场效应管1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。

MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为： N沟道增强型管 ， N沟道耗尽型 管； P沟道增强型管 、 P沟道耗尽型管。 【特点】 N沟道增强型管： 删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。 N沟道耗尽型 管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在一、四象限。 P沟道增强型管： 删源间需要加一定反向电压才能管子才能开启，电流随反向电压增大而增大，转移特性曲线与N沟道增强型相反，在第四象限。 P沟道耗尽型管： 与N沟道耗尽型类似，漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为正值，随反向电压增大而增大。转移特性曲线在二、三象限。

MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。能以极低的（几乎为零）的电能控制大功率负荷的通断，接合光电耦合器和适当的MOSFET组合可达到隔离、双向导通的控制效果，等效于继电器，在开关速度以及耐压、抗震方面高于电磁继电器指标。同等负载功率下，成本也远低于继电器。缺点是比电磁继电器容易随坏，需要更多的保护电路来配合使用才能提高稳定性。另外，电磁继电器可轻而易举达到多组触点隔离联动、常开常闭功能，一只（或一对）MOSFET只能实现一个触点，要想实现多组以及三点开关（常开常闭）这些功能，工程可就大了。

MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但 结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

看情况，理论上说，它可以代替继电器，实现电路的开关，具有功耗低，开关速度快，电路简单、成本低等优点。不过在实际使用时，MOSFET的关断比较麻烦，比开启麻烦多了，有些人嫌麻烦会直接用继电器。另外，在直流控制交流的时候，比如用5VDC控制220VAC时，继电器也比MOSFET要方便得多。常用的MOSFET以N沟道增强型的为主，比如IRF公司出的很多产品，比如IRF530，IRF540，IRF1405，IRF3205，IRF840，IRFZ44N，IRFP460，IRFP150等等，以上都是N沟道增强型，P沟道增强型有IRF9530，IRF9540等等，还有诸如2N7002等贴片封装的增强型NMOS。耗尽型我没用过。种类很多很多，具体要看你的电流，工作要求定。

mosfet和igbt的区别如下：1、结构以及应用区别从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题。从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右。2、工作原理的区别对于MOSFET来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，所以很容易实现极端的开关时间。PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀，所以可以用在高频场和，在低电压工作状态下，开关管动作损耗远低于其他组件，但是缺点是在高压状态下，压降高，并且随着电压等级的增大，导通电阻也变大。因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合。IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w,IGBT开关频率在40-50k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。3、驱动电路区别IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ,而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。简介MOS管即MOSFET，中文全称是金属－氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

mosfet工作原理MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)是一种电子元件，是一种开关晶体管，广泛用于电子学和电力电子学中。MOSFET工作原理如下：1.门极控制：门极连接到一块p或n型半导体材料，当门极电压为正时，MOSFET处于开启状态；当门极电压为负时，MOSFET处于关闭状态。2.门电容：门极与源极、汇极之间的绝缘层上存在一层电容，该电容会影响MOSFET的开关速度。3.栅极控制：栅极连接到一块n或p型半导体材料，当栅极电压为正时，MOSFET处于开启状态；当栅极电压为负时，MOSFET处于关闭状态。4.场效应：MOSFET的场效应原理在于栅极对源极和汇极之间的通道区域产生电场，当电场的强度足够时，通道区域内的电子将不再被困住，从而形成一条电子通道，使得源极与汇极之间的电流通过。因此，MOSFET的工作原理可以简要地概括为：利用栅极对源极和汇极之间通道区域产生的电场控制电流的流动。

mosfet的工作原理可以分为两种模式：增强型和耗尽型。1、增强型mosfet的工作原理：增强型mosfet的栅极电压为正值时，会在n型衬底和p型沟道之间形成一个反向耗尽区，并阻挡电荷载流子的运动，此时mosfet处于关断状态；而当栅极电压为正值时，能够使n型衬底中的自由电子向p型沟道移动，同时形成p型沟道中的自由电子和栅极之间的电场，使得沟道导电，从而mosfet处于导通状态。2、耗尽型mosfet的工作原理：耗尽型mosfet的栅极电压为负值时，会在n型衬底和p型沟道之间形成强反向耗尽区，从而使mosfet处于关断状态；而当栅极电压为正值时，能在沟道中形成大量的自由电子，使得mosfet处于导通状态。无论是增强型还是耗尽型mosfet，其导通时主要取决于栅极的极性和电压值。同时，mosfet的电阻值和电流带宽也可能因为栅极电压值的不同而发生改变，因此mosfet在各种电子设备中具有重要的应用价值。mosfet简介：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管；P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。N沟道耗尽型管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在一、四象限。P沟道增强型管：删源间需要加一定反向电压才能管子才能开启，电流随反向电压增大而增大，转移特性曲线与N沟道增强型相反，在第四象限。P沟道耗尽型管：与N沟道耗尽型类似，漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为正值，随反向电压增大而增大。转移特性曲线在二、三象限。

IGBT单管和MOS管的区别：1、从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。2、从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。3、从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。MOS就是MOSFET的简称扩展资料：首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。参考资料：百度百科——mos管

mosfet是金属-氧化物半导体场效应晶体管。mosfet是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。 演示机型：Iphone 13&&华为P50&&小米11 系统版本：iOS 15&&HarmonyOS 2&&MIUI 12.5 mosfet是金属-氧化物半导体场效应晶体管。mosfet是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

MOSFET，即金属－氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。工作原理金氧半场效晶体管在结构上以一个金属—氧化物层—半导体的电容为核心（金氧半场效晶体管多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样的结构正好等于一个电容器，氧化层为电容器中介电质，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电系数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。

“MOSFET的全称为:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常称之为,金属氧化物半导体场效应晶体管。扩展知识：效应管金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但由于多晶硅在制造工艺中更耐高温等特点，许多金氧半场效晶体管栅极采用后者而非前者金属。然而，随着半导体特征尺寸的不断缩小，金属作为栅极材料最近又再次得到了研究人员的关注。金氧半场效晶体管在概念上属于绝缘栅极场效晶体管（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET）。而绝缘栅极场效晶体管的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。

MOSFET是场效应管FET的一种，也就是金属氧化物半导体的场效应管。

mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。MOSFET，全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，还可以称作MOS、MOS管，中文是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种通过场效应控制电流的半导体器件，用金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应去控制半导体(S)的场效应晶体管，是最基础的电子器件。特点是导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好，非常适用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS电源等电源控制领域。根据工作电压的不同，功率MOSFET可分为工作电压小于100V中低压MOSFET和大于500V的高压MOSFET，其中中低压MOSFET多用于手机、数码相机和电动自行车等产品，而高压领域则包括风力发电、电焊机、高压变频器和发电设备等。沟槽型功率MOSFET(Trench MOSFET)：电压范围12V到250V，适用领域MID、移动电源、手机数据线、LED电源、HID灯、金牌PC电源、TV电源板、电脑显卡、UPS电源等，优势是易于驱动，工作频率高，热稳定性好，损耗低，但耐压低，由于要开沟槽，工艺复杂，单元的一致性，跨导的特性和雪崩能量比相对较差。

MOSFET全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。

SFE岗位是：销售队伍效力，全称是：Sales Force Effectiveness。重点词汇：Sales。［＇seu026alz］n.（菲、美）萨莱斯（人名）；销售额（sales）。adj.销售的，售货的（sales）。短语：Sales Tax消费税；［税收］销售税；营业税；主营业务税金及附加。例句：用作形容词（adj）The sales manager wants to open up new markets in the Far East.销售经理想在远东开辟新市场。On the basis of our sales forecasts，we may begin to make a profit next year.基于我们销售情况的预测，我们明年将开始赚钱。

①英文全称为：Sales Force Effectiveness（销售队伍效力） 解释：即“销售队伍的效率和效能”，它是一项涉及“企业制定完市场策略后，销售队伍如何实现最 佳销售业绩，最大化销售队伍的效率和生产力”的管理实践活动，其焦点在于如何建立一支高绩效 的销售队伍。②英文全称为：Store Forward Equitment（存储转发处理服务器） 解释：位于短信中心。在短信中心内部根据短信流量的大小，一般包括若干SFE服务器，进行短 信的调度处理、信令转换、短信存储等。③英文全称为：Supercritical Fluid Extraction（超临界流体萃取） 解释：化学中使用色谱时对样品进行前处理的一种方法

n. 投降；提交（物）；服从；（向法官提出的）意见；谦恭n. 呼叫转移；已转运 adj. 转移的（transfer过去式）；转让的；调动的

不是。Submissiontransfer是转投到其他周刊的意思，期间会等待作者的同意。如果作者同意该文章会被转投到其他的期刊上。期刊发表也会很可能面临拒稿的现象，审稿拒稿理由无外乎是文章本身有问题，如文章缺乏创新，研究有问题、引用的文献不严谨等等问题，所以，想要顺利通过期刊审稿就必须保证文章的高水平了。

progressivetooling是级进模transfertooling是多工位模区别在于前者是讲所有冲压工序按顺序复合在一起成为一个多工步单工序的模具，料带直接经过多个工步，到最后才分离成为成品件，也就是只有一套模具。后者是多套模具安装在多工位压机上，也有些也是做成一套模具，也相当于级进模，通过transfer进行工序间的冲压半成品、成品传递，原材料不是带材而是矩形料或者落好的形状料，由于此类零件形状复杂，拉深较深，无法实现像级进模似的带材到最后一个工步再分离所以两者最大的区别在于原材料。前者一般适合于生产一些超小和小型零件，如LED，电机转子，通常工序简单，即使拉深也很浅，后者一般用于生产中小型零件，如汽车上的一些小梁类零件。--------------tooling也有端拾器的意思，transfertooling也可以理解成transfer的端拾器，即夹头

动画片 《变形金刚》

MCT应该为MOS Controlled thyristor。楼下错误翻译：光电晶体管光耦合器

MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

mosfet 一般用来当做开关， 所以用来说switch on and switch offon就是可导电off 就是不能只要， 有住够的电流经过mosfet， 它就会导电。所以， 它和open close 没有关系。。。fet 是 field effect transistor, MOSFET = metal oxide semiconductor field effect transistor. MOSFET 是 FET 的其中一种。 the charge fet will be opened if it is closed你能不能多打两句啊。。。 原话你也没有打对 应该是 the charge[d] fet will be opened if 【it】 is closed.it 指的是什么啊？

Departure-transfer 出发-转机

bankwiretransfer翻译bankwiretransfer银行电汇;[例句]partybankfeesoftenpopupinwiretransferpayments.第三方银行费用经常会在转帐时发生。

bank transfe,翻译过来就是银行转帐bank wire就是银行电汇银行转帐　意思就是把资金从一个银行帐户转到另一个银行帐户上。银行电汇　意思就是将资金汇往异地或境外的一种方式，是以电报（CABLE）、电传（TELEX）或环球银行间金融电讯网络（SWIFT）方式指示代理行将款项支付给指定收款人的汇款方式。电汇收款较快、费用较高。

5812位粉丝bank transfer和银行电汇主要有以下几个区别：1、第三方区别。电汇是汇款人将一定款项交存汇款银行，汇款银行通过电报或电传给目的地的分行或代理行，指示汇入行向收款人支付一定金额的一种汇款方式； 转账是银行直接转划到银行账户。2、银行内外区别。电汇也是当日到账，如果通过小额支付系统的电汇在下午4点后则是次日收款了；一般说来，转帐当日可以到账。3、场所区别。柜台上办理的叫汇款；有些银行ATM机上资金划转叫转账。4、城市区别。电汇是异地业务，与支付系统运行时间有关。 转帐一般用于同城业务，与票据交换场次有关。5、手续费。转账同城无手续费，异地手续费较电汇高。 电汇一般用于异地，手续费比转账要低；同城的话，用转账，因为到账快。银证转账（bank transfer）是指将股民在银行开立的个人结算存款账户(或借记卡)与证券公司的资金账户建立对应关系，通过银行的电话银行、网上银行、网点自助设备和证券公司的电话、网上交易系统及证券公司营业部的自助设备将资金在银行和证券公司之间划转，为股民存取款提供便利。银证转账业务是券商电子商务发展的前提和基础，银证转账业务的开展大大促进了券商电子商务的发展。银行转账具有以下几个优点1.快捷：一笔资金转账业务只需几秒钟时间就可完成，使证券买卖操作更快、更轻松；2. 安全：不必随身携带大量现金进出证券交易场所，免除假钞烦恼；大大减少保证金被证券公司挪用的风险。3. 方便：客户可在银行的各营业网点存取资金。银行电汇（bank wire）也被称为电汇，是一种将资金从一家金融机构转移到另一家金融机构的一种方式。电汇通常涉及一定数量的资金，并应银行客户的要求发起。通常，收款行出具某种形式的转账成功的确认书，虽然情况并非总是如此，但大多数情况下，这种类型的转账是在同一个工作日完成的，尽管收款行的收据过账可能会延迟到下一个营业日。许多银行和其他金融机构向其客户提供国内电汇服务银行电汇是快速、安全地转移资金的一种更有效的方式，只需提供收款人的银行账户信息，例如路由代码和银行帐号。有了这些信息，就可以启动电汇，并在几分钟内将资金交付。与银行电汇相关的速度使其在紧急情况下非常有用，例如在装运前必须全额付款的货物或服务，或者立即向所爱的人提供所需资金。回答于 2021-11-04赞同1想看什么随便搜，无弹窗广告，下载还能领取新人红包奖励！00:42YY版本8.17.1广州津虹网络传媒有限公司隐私权限立即下载YY广告你没听错！12月14日大牌轮胎终于降价，第二条半价，赶紧买！00:27途虎养车版本6.38.5上海阑途信息技术有限公司隐私权限立即下载途虎养车广告bank transfer 和bank wire有什么不同？bank transfer和bank wire主要在第三方、银行内外、场所、城市、手续费这五个方面有区别：1、第三方区别。电汇是汇款人将一定款项交存汇款银行，汇款银行通过电报或电传给目的地的分行或代理行，指示汇入行向收款人支付一定金额的一种汇款方式； 转账是银行直接转划到银行账户。2、银行内外区别。电汇也是当日到账，如果通过小额支付系统的电汇在下午4点后则是次日收款了；一般说来，转帐当日可以到账。3、场所区别。柜台上办理的叫汇款；有些银行ATM机上资金划转叫转账。4、城市区别。电汇是异地业务，与支付系统运行时间有关。 转帐一般用于同城业务，与票据交换场次有关。5、手续费。转账同城无手续费，异地手续费较电汇高。 电汇一般用于异地，手续费比转账要低；同城的话，用转账，因为到账快。银证转账（bank transfer）是指将股民在银行开立的个人结算存款账户(或借记卡)与证券公司的资金账户建立对应关系，通过银行的电话银行、网上银行、网点自助设备和证券公司的电话、网上交易系统及证券公司营业部的自助设备将资金在银行和证券公司之间划转，为股民存取款提供便利。银证转账业务是券商电子商务发展的前提和基础，银证转账业务的开展大大促进了券商电子商务的发展。银行转账具有以下几个优点1.快捷：一笔资金转账业务只需几秒钟时间就可完成，使证券买卖操作更快、更轻松；2. 安全：不必随身携带大量现金进出证券交易场所，免除假钞烦恼；大大减少保证金被证券公司挪用的风险。3. 方便：客户可在银行的各营业网点存取资金。银行电汇（bank wire）也被称为电汇，是一种将资金从一家金融机构转移到另一家金融机构的一种方式。电汇通常涉及一定数量的资金，并应银行客户的要求发起。通常，收款行出具某种形式的转账成功的确认书，虽然情况并非总是如此，但大多数情况下，这种类型的转账是在同一个工作日完成的，尽管收款行的收据过账可能会延迟到下一个营业日。许多银行和其他金融机构向其客户提供国内电汇服务银行电汇是快速、安全地转移资金的一种更有效的方式，只需提供收款人的银行账户信息，例如路由代码和银行帐号。有了这些信息，就可以启动电汇，并在几分钟内将资金交付。与银行电汇相关的速度使其在紧急情况下非常有用，例如在装运前必须全额付款的货物或服务，或者立即向所爱的人提供所需资金。财经布谷6134浏览banktransfer和bankwire有什么不同bank transfe,翻译过来就是银行转帐bank wire就是银行电汇银行转帐　意思就是把资金从一个银行帐户转到另一个银行帐户上。银行电汇　意思就是将资金汇往异地或境外的一种方式，是以电报（CABLE）、电传（TELEX）或环球银行间金融电讯网络（SWIFT）方式指示代理行将款项支付给指定收款人的汇款方式。电汇收款较快、费用较高。匿名用户3点赞3432浏览更多专家Bank Transfer 和 银行电汇啥区别？专家1对1在线解答问题5分钟内响应 | 万名专业答主马上提问最美的花火 咨询一个金融问题，并发表了好评lanqiuwangzi 咨询一个金融问题，并发表了好评garlic 咨询一个金融问题，并发表了好评188****8493 咨询一个金融问题，并发表了好评篮球大图 咨询一个金融问题，并发表了好评动物乐园 咨询一个金融问题，并发表了好评AKA 咨询一个金融问题，并发表了好评全部4

解答:wire money:线的钱chase globle transfer:追逐全球转移

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wire transfer information电汇信息双语例句1Pay by Wire Transfer and verify your company bank information.用银行电汇方式支付，并确认贵公司的银行资料。

都是电汇的意思，美国人习惯说WIRE TRANSFER，而在英国普遍说T/T。1、电汇(T/T)，指汇出行应汇款人的申请，采取电报或SWIFT形式给汇入行指示向收款人解付一定金额资金。2、国际货款结算的基本方式有三种，即信用证、汇付（remittance）和托收。电汇（telegraphic transfer,T/T）属于汇付的一种。3、T/T属于商业信用，也就是说付款的最终决定权在于客户。T/T分预付，即期和远期。现在用的最多的是30%预付和70%即期。这一种对第一次做且货量不大时可以用此种付款方式。但对于有些国家，请尽量不要用到此种付款方式，只能用L/C即期。扩展资料：在采用电汇收款时要注意：1、约定付款期限。签订合同时，一等要在合同中注明付款期限。如“签订合同后5日内支付定金”；或者收尾款时，约定“见提单传真件/扫描件3日内支付”等等。虽然这类约定在执行起来没有多大的约束力，但一旦出现纠纷或仲裁，那么此类约束就显得重要了。2、付款水单不可信。有时候货物到港了，客户着急提货，但提单还在出口商手中，于是客户会去银行付款后给出口商扫描个付款水单，然后催出口商电放或邮递提单正本。如果有遇到这类情况的企业需要注意了：老外的付款水单上一般都会有一个日期，叫“起息日”(value date)，该日期一般会晚于付款日期2-3天，甚至有一些晚于5天。这表示虽然客户把钱支付给了银行，但银行并未把资金支付出去，而是要等到起息日这天才会支付。如果此时出口商直接见到水单就放货的话，很可能客户会提货后去银行把该笔付款撤销，因此一定要等资金安全到账才可以放货3、货款要到公司账户才算收到。这个问题在实务中也经常遇到，客户付款时，有时候会写错出口商公司的名称，或者账号，这时付款报文虽然到了收款银行，但由于银行信息是错误的，银行不可能给出口商解付入账，必须要等付款方重新发更正报文更正信息后才能入账。4、美国/联合国制裁国家。尤其是美国制裁，OFAC法案下的SDN名单，如果你的客户所在国家或客户被列入了SDN名单，那么你是没法收汇的，因为银行不给这些SDN名单内遭受制裁的国家或客户操作结算。参考资料来源：百度百科—T/T参考资料来源：百度百科—信用证

按笔扣

下面的解释，很对！哈哈

指的是电汇，和TT没有区别。

LZ你好我是paypal公司的客户顾问我这有各种支付方式的对比表你可以百度Hi我或者点我名字加我，我发你希望可以帮到你

完全搞不懂状况 sorry 飘过

国外公对国内私不能汇款！------------------------------关键还是在客户那边，最好和他说明你们这边的难处，一定要跟他说我们国家外汇管制很严格，货款用途不能收款的！让他那边和银行交涉！否则没有别的颁发了！中国银行是按照国家规定来办事的，没有活动的余地！

outgoing-wire-transfer词典结果outgoing-wire-transfer输出导线传输

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我做任务，要发帖，借过借过

ABA电汇

bank wire transfer翻译bank wire transfer 银行电汇; [例句]PARTY BANK FEES often pop up in wire transfer payments.第三方银行费用经常会在转帐时发生。

wire transfer information电汇信息例句：1、The future communications are featured by a digital mixture of wire and radio media to transfer various types of traffic information.未来通信的特征是传送各种业务信息的有、无线介质的数字混合体。2、When entering your wire information there are two very important pieces of information that will ensure that your wire transfer is successful, the routing code and the bank address.在您输入电汇信息过程中，有两项关系到您的电汇是否成功的非常重要信息&银行代码和银行地址。3、The transfer medium between the host and slave processors is twisted-pair wire, and the information exchange is accomplished according to the RS-485 serial bus standard and the interface technology.主、从机之间传输介质为双绞线，按RS-485串行总线标准及接口技术实现信息交换。

wire transfer(T/T) 全称为telegraphic transfer,电汇，动词有对方的帐号吗，拿着帐号和你的证件，直接去银行办理就可以了，如果你不在中国，办起来更容易（比如在欧洲和北美国家）。你的截图中根本没有对方的帐号，你怎么付款？

美国银行是可以用wire transfer。是一种从某个人或某个实体（公司）通过电子线上转账的方式转给另外某个人或某个实体的转账方式。在交易中，没有实体的现金流动，汇款方向机构支付汇款金额以及收款人信息，收款机构收到交易信息之后，直接存入收款人的银行账户或者通知收款人取现。电汇主要适用于大额境内汇款和境外汇款，时效性高。电汇既可以由银行发起，也可以由非银行机构。

隔天到。一般时间不确定，短的2-5小时，长的一般需要3-7个工作日。国外银行转账到交行的时间是有一下两方面因素决定的：国外汇款银行，他们什么时候转出直接决定到账时间。中央银行，国外银行转账到我国需要央行审核，什么时候审核通过，什么时候划账到转入行。

Because a wire transfer requires the individual bank to bank process, it is usually more expensive than an automated clearing house, which requires minimal involvement by individuals at financial institutions. Many ACH transactions come with only a small fee, or even no fee at all, since they are run with more efficiency. However, if you want a better guarantee that your money will arrive on time, it might be worth it to pay the wire transfer fee.With both cases, it is possible for errors to be made. However, since you often get to review the information before it is sent with a wire transfer, the method is a little more secure. Also, because identities are verified with wire transfers that take place between bank accounts, there is less chance of fraud. Wire transfers that take place between financial institutions are generally considered quite secure.

一般常用的是wire transfer，也就是电汇，基本所有的银行都有此类境外汇款业务，去你常用的银行就可以。中行当然也可以。需要只要收款人姓名、收款人地址、收款人账号、开户行名称和地址以及SWIFT CODE.

电报翻译者

wire transfer on receipt收货的电汇receipt 英[ru026au02c8si:t]美[ru026au02c8sit]n. 收据，发票; 收入;vt. 开收据; [美国英语] 给…开收据，承认收到;[网络] 收据; 收到; 发票;[例句]I wrote her a receipt for the money.我给她写了一张收钱的收条。[其他] 复数：receipts 形近词： receive

其实是一个意思，都是指电汇；一个是指wire transfer，另一个是指telegraph transfer。

你现在可以把余款过账给XF（应该是个收款人名字），他们已经付款给鞋底厂了。（fty是factory的缩写）

收据单，公司名称账号等。收款肯定要拿到已经付款的证据，以及转到哪里，这样不怕对方敲诈你，说你没交，所以收款一定要有收据单和公司名称账号。

如果自己公司需要退款，可以美金提到公司对公美金，支持退税的，还是很方便的

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入账以后，需在官网上创建订单，订单中填写相关贸易材料，然后关联到收到的款项上，进行换汇后，可以操作结汇提现。

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要对于离岸公司来说，通常是在哪里注册就在哪里交税，并且进行每年一次的报税工作。如果业务没有在注册地发生，离岸公司只需要报税，但不需要交税

不能。Transfer只支持付款付款方式是以外汇现金方式结算，由您的客户将款项汇至贵公司指定的外汇银行账号内，可以要求货到后一定期限内汇款。

这是属于非银行收款汇路，可以用。银行收款是用的Swift系统。就像一个民营医院和一个公立医院。

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不支持的。。没有办法验证贸易真实性的，他们风控好严的