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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 　　1 ．静态特性　　IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 　　IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 　　IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 　　IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 　　Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 　　式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。 　　通态电流Ids 可用下式表示： 　　Ids=(1+Bpnp)Imos 　　式中Imos ——流过MOSFET 的电流。 　　由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 　　2 ．动态特性　　IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 　　IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 　　IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 　　t(off)=td(off)+trv十t(f) 　　式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 　　IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 　　正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1ｕm以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

绝缘栅双极型功率管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高，而前级由于使用vmos所以驱动功耗小，不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢。^_^

整流

IGBT参数中的最大电流一般指的正常工作的有效值。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

晶闸管又叫闸流管，它可以像开关一样通断电流，像闸门一样关停水流，它的核心作用就是一个字----“闸”；所以晶闸管有两个状态，一个是导通状态，一个是截至状态；晶闸管的状态怎么改变，它有一个控制极，又叫触发极，给触发极加控制电压，就可使晶闸管的状态反转；不同材料、不同结构的晶闸管，控制极的控制电压的性质、幅度、宽度、作用都不一样；1、比如，SCR晶闸管，它的控制电压相对阴极为正极性脉冲，脉冲宽度大约5μs ，幅度5v--10v； 2、SCR晶闸管只能触发导通，不能触发关断，称之为半控器件； 3、IGBT晶闸管，其结构为绝缘栅双极场效应晶体管，可以触发导通，也可以触发管断，所以称为全控器件； 4、IGBT晶闸管优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。简单点说就是大功率的开关器件具体可以参考百度百科：http://baike.baidu.com/view/115175.html?wtp=tt主要作用是：变频器，光伏逆变器，风电变流器等1，工业方面：电焊机，工业加热，电镀电源等。2，电器方面：电磁炉，商用电磁炉，变频空调，变频冰箱等。3，新能源方面：风力发电，电动汽车等。总之，IGBT已经应用到生活的各个方面了，只要牵扯到电力，与开关的地方就能用到它 主要应用领域：

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 此图所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

静态参数：饱和压降（VCEsat）1~3V，主极漏流（ICESS） 1~7mA，门槛电压（VGEth） 3~6V，门极漏流（VGESS）100~400nA，续流二极管压降（VF） 1~3V。动态参数：开启时间 （ton） 400nS，关断时间（toff） 400ns，。

作为使用者，知道它的外特性就够了。

1、名称不同：晶闸管简称为SCR，IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。2、材料不同：IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。3、控制方式不同：SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。4、开关频率不同：SCR的开关时间较长，所以频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。5、市场前景不同：IGBT在逐步替代晶闸管，晶闸管在市场上的份额越来越少。扩展资料晶闸管和IGBT的应用：1、IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。2、晶闸管被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。参考资料百度百科-晶闸管百度百科-IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT也是高铁的最核心的部件之一。IGBT可以直接控制电流的转换，决定了驱动系统的扭矩以及最大输出功率，几乎和高铁的运行息息相关。而IGBT的成本也很昂贵，一个芯片系统占据整辆车的5%，是除了电池之外，成本最高的部件。中车株洲的IGBT芯片技术彻底打破了日本垄断行业的局面，国产高铁也开始进入到了自主可控，没有了外界的压力，以后的中车株洲还将继续为国内的高铁行业带来更多技术贡献。

IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。向左转|向右转扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流)；一个空穴电流(双极)。关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致。因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。避免方法就是在E极和C极之间加一个RC缓冲电路。

电磁炉的主电路是一个AC一DC一AC(交流一直流一交流)变换器,由桥式整流器和电压谐振变换器构成,如图2.1所示。市电的交流电源经桥式整流器变换为直流电,再经电压谐振变换器变换成频率为20一40KHz的交流电。这个高频交流电通过在圆形平面上绕制的线圈盘藕合到锅具的底部,在锅具底部产生旋涡状电流,使锅具快速生热。电压谐振变换器是主电路的核心,其作用是使直流电逆变为高频交流电,以满足感应加热的要求。电压谐振变换器是低开关损耗的零电压.型(ZVS)变换器,主开关元件是功率晶体管,常称为功率开关管。目前,采用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率开关管的开关动作是由图2.1所示的主控制器控制，并通过为满足功率开关管驱动条件的驱动电路而完成的。

二极管不用说了吧，单向导通，可以实现整流；可控硅也叫晶闸管，分双向和单向，单向可控硅也是单向导通，可以实现整流，但它通过控制导通角可以实现可控整流程IGBT:绝缘栅场效应晶体管，作用类似三极管，但在这里当开关管用（不能用于放大状态），通过控制G极可以实现C,E两端的通断。一般可用在逆变回路中。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

IGBT工作原理：采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流，50Hz交流电经全桥整流变成直流，由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波，经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制（PWM）的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制，对输出电流、电压做多参数、多信息提取与分析，达到提前对输出补偿和调整，使输出的电流、电压始终处于饱和状态，解决了以往线绕变压器，因电流、电压不稳定，输出功率不足的难题。

IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。向左转|向右转扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流)；一个空穴电流(双极)。关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

igbt工作原理和作用是：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

BigBang-uca54uc5b4(ZUTTER) （GD&T.O.P）歌词翻译中韩文对照作曲 : Teddy/G-Dragon/T.O.P作词 : G-Dragon/Teddy/T.O.Puc624ub298 ubc24 uc6b0ub9ac freaky freaky ud574 yea今天晚上我们梦幻一般Baby give me some give me give me some yeaub108uc640 ub098 ub458uc774 ucc0cub9bfucc0cub9bfud574 yea你和我两个人酥酥麻麻的Can U give me some give me give me some yeauc624ub298 ubc24 uc6b0ub9ac freaky freaky ud574 yea今天晚上我们梦幻一般Baby give me some give me give me some yeaub108uc640 ub098 ub458uc774 ucc0cub9bfucc0cub9bfud574 yea你和我两个人酥酥麻麻的Can U give me some give me give me someuc774 ub178ub798 uca54uc5b4 ub0b4 ub7a9 uca54uc5b4 ub0b4 uc2a4ud0c0uc77c uca54uc5b4 ub0b4uac00 uc880 uca54uc5b4这首歌绝了 我的rap绝了 我的Style绝了 我帅爆了ub2e4ub9ac ub5a8uc5b4 ub3c8 ubc8cuc5b4 ud558ub298 uac78uc5b4 ay do you wanna抖着双脚 赚着大钱 在天空行走 ay do you wannaGD ud558uba74 uc624ud574 Call me GODGD的话是误解 Call me GODub124uac00 uc6d0ud558uba74 ub09c ub4a4uc9d1uc5b4 DOG你希望的话 我就颠倒过来DOGuc4f8ub370uc5c6ub294 uacf5uc2dd ub9d0uace0 uc774uac83ub9cc uae30uc5b5ud574不要记没用的公式 记住这个就行I"m ILL ub354ud558uae30 1 uc9c0uc6a9uc774I"m ILL 加1 就是志龙ub0b4 ub098uc778 2uc640 7uc744 ud569ud574 natural我的年纪是2和7合在一起 naturalI never loose ub51cub7ecub4e4uc740 u11c7 6;ucd9cud608I never loose 商人们都脑出血uc131uacf5ud558uace0 uc2f6uc5b4? Yes I"m the manual想要获得成功吗? Yes I"m the manualub0a0 uacbdud5d8ud558uace0 uc2f6uc5b4? Then keep it sexual想听我的经验吗? Then keep it sexualSchool of hard knocks ub10c uc870ud1f4 uca54uc5b4School for hard knocks 你的早退绝了uc9c0ub8e8ud55c ub7a9uc5d0ub294 uc0acuc815uc5c6uc774 uc695ud574尽情骂无聊的rap吧ub09c uc774ub984ube68ub3c4 ud68cuc0acube68ub3c4 uad73uc774 ube68 ud544uc694 uc5c6uc774我不需要名声 不需要公司背景ub9c9 ub625uc744 uc2f8ub3c4 ubc15uc218uac08ucc44ub97c ubc1buc9c0 (Guess I"m famous)随便大便也会得到掌声(Guess I"m famous)uc774uac74 uae30ub9c9ud78c uadf8ub300uc758 uc785ub355uc744 ud658uc601ud558ub294 uc785ud559uc2dd这是盛大的欢迎你入坑的入学式ub10c ub9e4uc77c uc785ub9cc ub098ubd88ub300 ub3c8uc774 ub108ubb34 ub9ceuc544?你每天只会用嘴说话 钱太多了吗？ub0b4 ud1b5uc7a5uc740 ub2f9uad6cub300 uacf5uc774 ub108ubb34 ub9ceuc544我的账户有太多桌球的球了uc774 ub178ub798 uca54uc5b4 ub0b4 ub7a9 uca54uc5b4 ub0b4 uc2a4ud0c0uc77c uca54uc5b4 ub0b4uac00 uc880 uca54uc5b4这首歌绝了 我的rap绝了 我的Style绝了 我帅爆了ub2e4ub9ac ub5a8uc5b4 ub3c8 ubc8cuc5b4 ud558ub298 uac78uc5b4 ay do you wanna抖着双脚 赚着大钱 在天空行走 ay do you wannauc774 ub178ub798 uca54uc5b4 ub0b4 ucda4 uca54uc5b4 ub0b4 uc2a4ud0c0uc77c uca54uc5b4 ub0b4uac00 uc880 uca54uc5b4这首歌绝了 我的舞绝了 我的Style绝了 我帅爆了ub2e4ub9ac ub5a8uc5b4 ub3c8 ubc8cuc5b4 ud558ub298 uac78uc5b4 ay do you wanna抖着双脚 赚着大钱 在天空行走 ay do you wannaT.O.P uc0acub78cub4e4uc774 uadc0uc2e0uc774ub77c ud574T.O.P 人们叫他是鬼Da Vinci uac00 ud658uc0ddud588uc9c0 yea my brain说是Da Vinci 复活了 yea my brainub124 uc74cuc545uc740 uc7a0uc774 uc640 decaffein你的音乐让人打瞌睡decaffeinub0a0 ub3d9uacbdud574? uc5b4uc11c uc62cub77cud0c0 uc2e0uce78uc13c崇拜我？快点搭上新干线Francis Bacon in ma Kitchen ud55c ucf20Francis Bacon in ma Kitchen的一边ub09c ub9c8uce58 ub2c8 uba38ub9ac uc704uc5d0 ucda4uc744 ucd94ub294 Calder我就如在你头上跳舞的Calderuc9c4uc9c0 ube60ub294 ube44ud3c9uac00 ub2c8ub4e4uc774 ubb34uc5bcuc54cuc5b4?装正经的批判家你懂什么？ub098ub294 uc5b4ub9b4 uc801uc5d0 uc0b4uca84ubd10uc11c ub3c8(豚) ub9dbuc744 uc54cuc544我小时候长过肉知道钱(豚)的味道Romauc5d0 uac00uba74 Romauc758 ubc95uc744 ub530ub77c去了Roma就要遵守Roma的法则uaf2cub9c8ub294 uc800uae30 uc5c4ub9c8uc758 ud488uc5d0 uac00ub834小孩就去你妈的怀里吧uacbduc9c0ub97c ubcf4uba74 ub124 ud604uc2e4uc744 uae68ub2ecuc544看着景色 自知你的现实吧uc791uc740 uaf2cub9c8uc57c uc5b4uc11c uc5c4ub9c8uc758 ud488uc5d0 uac00ub834小孩呀快去你妈的怀里吧ube5buc774 ub098ub294 ub118uccd0ub098ub294发光的 溢出的uc904uc904 ud750ub974uc9c0 uc601uac10uc758 uc6d0ucc9c ud558ub098ub294源源不断的灵感的出处只有一个ub098ub294 ub204uac00 ubd10ub3c4 ubab9uc2dc uca54uc5b4不管谁看都说我帅爆了uc220uc5d0 uca54uc5b4 they tell me uc608 uc220uc774uc57c uca54uc5b4

IGBT是将直流电通过SPWM波 把直流直接变成正玄波交流电 这是他的主要用途 比如 逆变器 变频器。它是个MOS管和三极管复合元件 ，因为MOS是恒阻 元件所以在 小功率电路里来说自身损耗比三极管有明显优势，在大功率由于导通损耗 P=电流的平方XR， 所以 损耗大的惊人， 而三极管是P=0.2V左右X电流，所以在大功率来说自身损耗 就比MOS多的多， 比如内阻50毫欧的一个MOS管 如果流过100A电流损耗是500W 三极管则是20W ，另外由于MOS管是电压方式驱动 三极管是电流方式驱动 为了应用方便 因此 IGBT的驱动三极管 在其内部 加了个MOS管来驱动三极管 这样驱动的时候就变成了电压驱动。使得IGBT驱动上非常方便。

IGBT——Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管的简称，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，所需的驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。　　GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；　　IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见； 　　IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

他就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12v（大于6v，一般取12v到15v）时igbt导通，栅源极不加电压或者是加负压时，igbt关断，加负压就是为了可靠关断。他没有放大袱珐递貉郛股店瘫锭凯电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。igbt有三个端子，分别是g，d，s，在g和s两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在gs两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。参考资料：baike.baidu.com/view/115175.htm

IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。　　IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。　　IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。　　IGBT是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。

IGBT工作原理：采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流，50Hz交流电经全桥整流变成直流，由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波，经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制（PWM）的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制，对输出电流、电压做多参数、多信息提取与分析，达到提前对输出补偿和调整，使输出的电流、电压始终处于饱和状态，解决了以往线绕变压器，因电流、电压不稳定，输出功率不足的难题。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。简单点说就是大功率的开关器件具体可以参考百度百科：http://baike.baidu.com/view/115175.html?wtp=tt主要作用是：变频器，光伏逆变器，风电变流器等主要应用领域为：1，工业方面：电焊机，工业加热，电镀电源等。2，电器方面：电磁炉，商用电磁炉，变频空调，变频冰箱等。3，新能源方面：风力发电，电动汽车等。总之，IGBT已经应用到生活的各个方面了，只要牵扯到电力，与开关的地方就能用到它

电磁炉工作一段时间后停止加热,间隔5秒发出四长三短报警声,响两次转入待机(数显型机种显示e0)。分析:此现象为cpu检测到igbt超。另一种是送至igbtg极的脉冲关断速度慢(脉冲的下降沿时间过长),造成igbt功耗过大而产生高温。处理方法:先检查风扇运转是否。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“InsulatedGateBipolarTransistor”。IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘三双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 结构相当于一个由MOSFET驱动的GTR，因而他综合了GTR和MOSFET的优点，即它既有MOSFET输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、驱动电路简单的驱动功率小等优点。也具有GTR通态压降低、通流能力强的优点。 是一个三端器件、具有栅极G、集电极C和发射极E，目前多为N沟道型。相当于一个由MOSFET驱动厚基区PNP晶体管。 为场控器件，其开通与关断是有GE电压决定的。GE电压大于开启电压时，MOSEFET内形成沟道，并未晶体管提供基极电流，进而使IGBT导通。

楼上说的基本对。但是对于内部结构，不仅仅是加电压产生导电沟道这么简单，但是这么说也对，就不是很全面。应该把IGBT由mos和晶体管的等效组合说原理比较合理些。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT模块介绍：IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

开关

　　IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。　　GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；　　IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见； 　　IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。向左转|向右转扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流)；一个空穴电流(双极)。关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

是场效应功率管

英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协基于尖端技术的IGBT功率模块分为多种电压等级、额定电流和拓扑结构，被广泛应用于众多应用场景。英飞凌产品的功率范围很广——从几百瓦到数兆瓦。通用驱动器、伺服单元以及太阳能逆变器或风能设备等可再生能源应用，均受益于这些高可靠产品的杰出性能、高效性和超长寿命。网页链接

场效应管,一般应用于大电流控制场合

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。扩展资料：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

是字体替换，两个文件中使用的字体不同。你检查一下合并后的图形中字体都是什么。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。相关内容：左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

igbt是：绝缘栅双极型晶体管。igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。igbt模块是由igbt（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的igbt也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。igbt的特性igbt的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。以上内容参考百度百科-IGBT

可以按封装和芯片不同分类：关继防(Kevin Guan)H/P:135 8924 1111***********************************************WESTPAC BEIJING OFFICE 香港威柏北京营业公司北京市马家堡西路36号东亚三环中心1号楼2112室

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

小功率用场管

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的 “双芯”，是影响电动车性能的关键技术。 IGBT的源头——单晶硅，需要电子纯化，99.999999999%高纯度多晶硅；基于金刚石的线切割法将硅锭切成一片片晶圆，同一块硅锭产出晶圆越薄，产生的数量越多，生产成本将会下降，于是晶圆厂不懈追求着晶圆片的薄度；在晶圆这个地基上，层层叠叠堆积电路，逐层构建芯片的梁和柱。 IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT具有以下特点：高输入阻抗，可采用通用低成本的驱动线路；高速开关特性；导通状态低损耗。 IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，在综合性能方面占有明显优势，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上；空心塑壳封装，与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂，以及其他可能的软性绝缘材料；同一个制造商、同一技术系列的产品，IGBT模块的技术特性与同等规格的IGBT 单管基本相同。 ——多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。 ——多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。 ——多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。 ——一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。 ——模块中多个IGBT芯片之间的连接与多个分立形式的单管进行外部连接相比，电路布局更好，引线电感更小。 ——模块的外部引线端子更适合高压和大电流连接。同一制造商的同系列产品，模块的最高电压等级一般会比IGBT 单管高1-2个等级，如果单管产品的最高电压规格为1700V，则模块有2500V、3300V 乃至更高电压规格的产品。 晶圆上的一个最小全功能单元称为Cell，晶圆分割后的最小单元，构成IGBT 单管或者模块的一个单元的芯片单元，合称为IGBT的管芯。一个IGBT管芯称为模块的一个单元，也称为模块单元、模块的管芯。模块单元与IGBT管芯的区别在最终产品，模块单元没有独立的封装，而管芯都有独立的封装，成为一个IGBT管。 近来还有一种叫IPM的模块，把门级驱动和保护电路也封装进IGBT模块内部，这是给那些最懒的工程师用的，不过工作频率自然不能太高咯。 单管的价格要远低于模块，但是单管的可靠性远不及模块。全球除特斯拉和那些低速电动车外，全部都是使用模块。 擅长小功率作战的MOS管芯片，虽然为手机、电脑带来更快的运行速度，但其 耐压低，在高电压、大电流应用中损耗大的弱点，使之无法投入到大功率作战中 。 导通压降小、耐压高、输出功率高的IGBT芯片 此时露出它锋利的武器，吞噬着MOS的份额。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。 不仅电机驱动要用IGBT，新能源的发电机和空调部分一般也需要IGBT。不仅是新能源车，直流充电桩和机车（高铁）的核心也是IGBT管，直流充电桩30%的原材料成本就是IGBT。电力机车一般需要 500 个IGBT 模块，动车组需要超过100个IGBT模块，一节地铁需要50-80个 IGBT 模块。IGBT本身是一个非通即断的开关，导通时可以看作导线，断开时可以看作开路。在电机驱动控制器中， IGBT主要负责将动力电池传输的直流电转化为交流电。 电流从上而下垂直穿过IGBT，直至抵达驱动电机。芯片越薄，电流所上面流过的路径就越短，损耗在芯片上的能量也就随之降低。有人说，IGBT并不是一个理想开关，原因在于它在导通之时有 饱和电压——Vcesat，造成导通损耗 ；在开关时也有开关能 耗——Eon和Eoff。 IGBT在它们的打击下性能减弱。若IGBT受到的损耗降低，整车电耗也将明显降低。 概括说来， 为了降低整车电耗，必须有意将Vcesat和开关损耗降到更低。 Vcesat和Eoff是一对矛盾体，对同一代的IGBT技术来讲，Vcesat做小，Eoff就高了，反之亦然。它们必须相互妥协，相互折衷。这一点就比较考验制造商的能力了。 基于场终止技术设计的IGBT芯片（又被称为软穿通或者轻穿通IGBT），在NPT基础上增加了复合场终止层，将芯片厚度减薄。 如比亚迪4.0代IGBT，从原来的180um减薄至120um（约两根头发丝直径）。为了减少能耗，比亚迪的解决方案是， 增加复合场终止层，减薄N-漂移区（漂移区的正向压降与厚度密切相关） 。 场终止层是为了能够截止电场。 “通过一个 多层的场终止结构 ，优化电阻分布”。N-漂移区更薄， 电阻越小，Vcesat损耗更低 ；更薄N-层导通时存储的 过剩载流子总量更少 ，缩短关断时间，减少关断损耗。最终达到一个整体电耗的降低。 比如比亚迪4.0IGBT，与2.5代相比，比亚迪IGBT 4.0代Eoff降低了30%，而且Vcesat也从2.25V降至2.05V。与主流产品相比，它在Vcesat和Eoff之间的平衡能力也更优异。通过精细化平面栅设计，将IGBT元胞的面积缩小 51%（元胞的功能是降低导通压降、增加输出功率）。通常，一个IGBT芯片在结构上是由数十万个元胞组成。于是，元胞面积缩小后，同样的芯片中可包含更多的元胞， 电流密度也由此提升2 0%。 与此同时，驱动门极（电压高低，决定门极给出开还是关的信号）启动的功率更低，并且加快开关速度，同样有利于降低整车能耗和系统干扰。 功率半导体企业业已预见到，IGBT的硅基材料性能可能无法满足未来更高的需求。现在，它们已开始寻求更低芯片损耗、更强电流输出能力、更耐高温的全新半导体材料。如半导体材料SiC（高纯碳化硅粉）。 SiC能将新能源车的效率再提高10%，这是新能源车提高效率最有效的技术。 目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的6倍。其次是电磁干扰。 SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，回路寄生参数已经大到无法忽略。对日本厂家来说，SiC基板都没有丝毫难度，三菱、丰田、罗姆、富士电机、日立、瑞萨、东芝都有能力自己制造，全部是内部开发的技术。意法半导体技术也不错。车用IGBT的散热效率要求比工业级要高得多，逆变器内温度最高可达大20度，同时还要考虑强振动条件，车规级的IGBT远在工业级之上。 工业级IGBT与车规级IGBT对比：解决散热的第一点，就是 提高 IGBT模块内部的导热导电性能、 耐受功率循环的能力， IGBT模块内部引线技术经历了粗铝线键合、 铝带键合再到铜线键合的过程，提高了载流密度。第二点，新的焊接工艺，传统焊料为锡铅合金， 成本低廉、工艺简单， 但存在环境污染问题， 且车用功率模块的芯片温度已经接近锡铅焊料熔点（220℃）。解决该问题的新技术主要有： 低温银烧结技术和瞬态液相扩散焊接 。与传统工艺相比， 银烧结技术的导热性、耐热性更好， 具有更高的可靠性。瞬态液相扩散焊接通过特殊工艺形成金属合金层， 熔点比传统焊料高， 机械性能更好。三菱则使用超声波焊接。第三点，改进DBC和模块底板，降低散热热阻， 提高热可靠性， 减小体积，降低成本等。以 AlN 和 AlSiC 等材料取代 DBC 中的Al2O3和Si3N4等常规陶瓷，热导率更高，与Si 材料的热膨胀系数匹配更好。 此外，新型的散热结构，如 Pin Fin结构 和 Shower Power结构， 能够显著降低模块的整体热阻，提高散热效率。第四就是扩大模块与散热底板间的连接面积，如端子压接技术。 IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS没区别，区别在背面，背面工艺有几点： 首先是 减薄 ，大约需要减薄6-8毫米，减得太多容易碎片，减得太少没有效果。接下来是 离子注入 ，注入一层薄磷做缓冲层，第四代需要两次注入磷，本来硅片就很薄了，两次注入很容易碎片。然后是 清洗 ，接下来 金属化 ，在背面蒸镀一层钛或银，最后是 Alloy ，因为硅片太薄，很容易翘曲或碎片。英飞凌特别擅长减薄技术。 IGBT关断时容易在过压、过流条件下出现动态雪崩电流丝化问题，若发展为二度动态雪崩 （标志是集电极—发射极电压关断波形出现 负阻凹陷区 ）则会把器件引入具有失效危险的工作区。而工业生产中通常采用 减薄芯片结合提高基区电阻率（降低掺杂浓度）的方法来改善IGBT关断能耗Eoff 与通态压降VCE（on）的折中关系，很容易诱发动态雪崩现象，直接影响器件的坚固性和安全工作区（SOA）面积。 通过对器件内部动态雪崩电流成丝信息的提取和分析，可以分析不同漂移区厚度d和掺杂浓度ND对动态雪崩电流成丝程度的影响，在ND　－　d平面上定量确定了漂移区设计中的二度动态雪崩临界线，明确区分了二度动态雪崩区与安全区。 背面设计方面， 降低背P区掺杂浓度和降低场终止层掺杂浓度这两种方案都有利于临界线向扩张安全区的方向变动 ，让原处于二度动态雪崩区的危险设计点变得安全；前者改善电流分布均匀性的效果更明显，但在应用条件需要避免高换相dv／dt时，采用后一种方案更为合适。 门极驱动电路的作用：放大输出功率，以达到驱动IGBT功率器件的目的。 降低门极电量能减少驱动电路带来的能耗，提高开关速度，更小的门极振荡。 最小门极电阻确定了最大门极峰值电流。增大门极峰值电流能减小开关时间，从而降低开关损耗。 但最大的门极峰值电流又受限于驱动的输出能力。驱动的规格书中一般会定义最大门极电流输出能力，即定义了最小允许的门极电阻，应用中应考虑这个因素避免驱动过载失效。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。如果提高开通门极电压+VGE，开通速度会上升，开通损耗会下降。相反，开通时的噪声干扰会增加。同样，如果提高关断门极电压-VGE，关断速度会上升，关断损耗会下降。相反，关断时的浪涌电压及噪声干扰会增加。丰田19，国内只有8，差距很大。

IGBT的主要优点有：1、IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。3、较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。6、与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。IGBT也具有若干重大的的缺点：1、因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。2、所以IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命，但是这将会引起正向压降的增大等弊病。3、IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。

深圳众达安科技有限公司，TEL:0755-27858661 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

绝缘栅双极性晶体管,大功率模块

晶闸管又叫闸流管，它可以像开关一样通断电流，像闸门一样关停水流，它的核心作用就是一个字----“闸”；所以晶闸管有两个状态，一个是导通状态，一个是截至状态；晶闸管的状态怎么改变，它有一个控制极，又叫触发极，给触发极加控制电压，就可使晶闸管的状态反转；不同材料、不同结构的晶闸管，控制极的控制电压的性质、幅度、宽度、作用都不一样；1、比如，SCR晶闸管，它的控制电压相对阴极为正极性脉冲，脉冲宽度大约5μs，幅度5v--10v；2、SCR晶闸管只能触发导通，不能触发关断，称之为半控器件；3、IGBT晶闸管，其结构为绝缘栅双极场效应晶体管，可以触发导通，也可以触发管断，所以称为全控器件；4、IGBT晶闸管优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。

IGBT按照要求使用的话，寿命应该了十年以上，如果使用环境粉尘多，震动大，潮湿，有腐蚀性气体，都会大大的影响使用寿命

IGBT模块是几个单元的IGBT综合在一起，比如3单元的，就等于三个单管IGBT，这样的好处可以节约空间。一般在10KW以上的设备基本都是用模块才可以，而低功率的用单管IGBT，成本低很多。

IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。 IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。 PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变 IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

(1)小功率的IGBT驱动220VAC采用自举IGBT驱动

IGBT模块：从功能上简单说就是实现逆变 ， 把直流电转换成可用的交流电。现在好多节能减排的产品都有用到，像变频器，逆变电源等！

二极管请看http://baike.baidu.com/view/1016.htm可控硅请看http://baike.baidu.com/view/685100.htm?fr=ala0IGBT请看http://baike.baidu.com/view/115175.htm这两去写得非常清楚，如有不懂得请留言，我帮您解决，这两样，我基本上天天都在用

栅极、集电极、发射极。根据公开信息查询得知：igbt的三个极分别是栅极、集电极、发射极。

标有IGBT 字样是说那机器逆变开关管是由IGBT做的，以前逆变焊机都是用MOS管做的，IGBT就算是MOS管的升级版.

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT工作原理：采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流，50Hz交流电经全桥整流变成直流，由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波，经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制（PWM）的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制，对输出电流、电压做多参数、多信息提取与分析，达到提前对输出补偿和调整，使输出的电流、电压始终处于饱和状态，解决了以往线绕变压器，因电流、电压不稳定，输出功率不足的难题。

简单点说就是一三极管

2018年12月，比亚迪在车规领域发布了IGBT4.0技术，基本被国外公司垄断。该技术发布后，比亚迪成为国内第一家实现整车规格IGBT大规模量产的车企，也是唯一一家IGBT产业链完整的车企。今天我们来谈谈IGBT和相关的事情。■什么是IGBT？它是做什么的？IGBT的中文名绝缘栅双极晶体管及其他；你可以把它想象成一个开关，在电压几十到几百伏，电流几十到几百安培的高压下使用。这时，你可能会认为这个电压和电流的大小不是我们日常家庭用电的大小。但是家里的电灯开关是由物理按钮控制的，IGBT是由电脑而不是机械按钮控制的。在日常生活中，我们使用交流电，发电厂发出交流电。但是

　　　　IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。　　普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。　　大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。　　将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。　　IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。　　常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。　　测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。　　

IGBT就是门控三极管（三只脚，固定在铝散热片上）；IGBT温度传感器固定在门控管表面，两只脚，外形像二极管IN4148，监测门控管温度，经传导至运算处理器，过热时，停机保护，具有场效应管输入电流小的特点，同时又具有双极性晶体管电流密度高电压降比较小的特点，常用于电磁炉 变频器等场合。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT本质是电压控制电流型器件，用作开关调制时，通过调整占空比来调整负载的电压。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给NPN晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。扩展资料IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间。

IGBT的工作原理是是通过加正栅电压形成沟道，作用是为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。工作特性：1、静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性，IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似，也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。2、动态特性动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分，一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间，另一个是开关过程中的损耗。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系，IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。以上内容参考：百度百科—IGBT

1、igbt的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。 2、从功能方面来说，igbt电路开关，最大的优点就是能稳定的控制住电压，耐压性强，因此经常用在电压几十到几百伏的强电流上，且它不是用机械按钮控制的，而是由计算机控制的。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

是个电子开关，绝缘栅双极型晶体管。

igbt是什么电子元件？IGBT是一种绝缘栅双极晶体管电子元件。IGBT(绝缘栅双极晶体管)，绝缘栅双极晶体管，由双极晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(金属氧化物半导体，MOS)组成，具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和巨晶体管(GTR)的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分产品都是这样的模块化产品。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越普遍。IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。IGBT作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备等领域。

IGBT就是门控三极管（三只脚，固定在铝散热片上）；IGBT温度传感器固定在门控管表面，两只脚，外形像二极管IN4148，监测门控管温度，经传导至运算处理器，过热时，停机保护，具有场效应管输入电流小的特点，同时又具有双极性晶体管电流密度高电压降比较小的特点，常用于电磁炉 变频器等场合。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

igbt是绝缘栅双极型晶体管。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。igbt保管注意事项一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿；尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物。IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。