光刻机

大功率EUV光源的突破对于EUV光刻机进一步的应用和发展至关重要。清华新成果基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

2纳米还是构想（或许在先进实验室有原理能实现它），市面上并无能够商用的“光刻机”。目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用（所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世）。

光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备

光刻机AF报错是扫描异响错误代码。光刻机（Mask Aligner），又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机（stepper）或扫描式光刻机（scanner），获得比模板更小的曝光图样。

可能就是因为里面的技术太复杂了，而且也是需要很多的电路，有的人如果不会连电的话就可能制造不了。

是的。因为中国的光刻机技术正在不断的进步，而且领先很多国家，所以中国开始慢慢迈入芯片强国。

我相信我国可以自己造出光刻机，但由于现在技术还不是很全面，在短时间内无法完成，但我相信，在未来肯定会造出光刻机。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀

刻蚀机和光刻机的区别有工艺不同、难度不同两点。工艺不同：刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上；难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。光刻是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。刻蚀是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶)，晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。

区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上，然后在进行下一步，而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面，并要避免在硅片表面留下痕迹，需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此，光刻胶是光刻机研发的重要材料，而且它不止应用于芯片，在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

首先，荷兰ASM 公司在光刻机领域是无可争议的世界霸主。荷兰这么小的一个国家为什么可以拥有这么顶级的企业呢，不拘一格降人才，对核心技术的掌握， 独特的合作模式。

中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两年搞不出来。光刻机是一台机器，你可以不断分解这台机器，一直到各独立原件，尤其那些关键是几个部件，你会发现，做这个部件，要列出一大堆工艺设备技术，如同一棵树散出无数枝条和树叶，叶脉你就不要纠结了，就完善这些树枝和树叶就能把一万人累死！现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成了样机制造，现在也是在调试阶段，相信要不了多久就能听到好消息了。还有3nm的制程我们也参与研制，我们是主要出资方，看看这些谁能说我们未来不是光明的？中国在光刻机制造方面是单干，荷兰阿斯麦光刻机是集中了很多发达国家的技术精华，也不是荷兰一个国家所能，所以中国能自主生产90纳米的光刻机，我认为中国很了不起了，中国加油！作为中国人，感觉真的不容易，所以的高科技，都要自己发展，中国需要的核心零件西方国家就都会限制，唯有靠中国人自己，别无他法，虽然处境这么恶劣，我依然庆幸自己是中国人，我骄傲，若干年以后，世界上就会只剩下中国和外国啦，时间应该不会太久，加油自己，加油中国人。目前我国能生产光刻机的企业有5家，最先进的是上海微电子装备有限公司，光刻机量产的芯片工艺是90纳米，目前正在向65纳米迈进，而国外最先进的是5纳米，正在向3纳米迈进，这中间差了整整9个台阶，按每个台阶4～5年的差距，尚需40年的追赶。建议我们国家还是要坚持以经济发展为主，经济投入以基础设施、教育、高科技为首。别人有的我们一定要有并且还比别人更先进，别人没有的我们要真起有。别国的事情在没有对我国大的利益损失的情况下最好不管或少管。在保证国家安全情况下千万不要搞军备竞赛、更不要搞什么抗美援朝抗美援越。只要国民还忍耐25年，静心发展经济，我国国民产值达到年/50万亿(美元)，超过美、欧总产值，那我国家就是大哥大，到时我们国家想怎么样调控世界就是我们说了算。术业有专攻，我们很多年前就开始了自研，花了大量钱和精力，但很多方面从基础教育等等都好像做不好这个，足球一样，西方高科技科技人员很淡定，很精致，他们个人综合素质也很好，很多人是在听着古典音乐时思考的，不一样思维模式。美国这种玩法不对。现在都是全球大分工大合作，而它是逆天行事，要逼中国的一个企业，要逼中国一个国家，从最基础的材料，从最基础的零件开始，做到包括高精密测量、高精度控制，以及各个高技术领域所有的事情，一个企业一个国家匹敌整个世界，超级大国如它自己也做不到，我们怎么做得到。这是赤裸裸的霸凌。中国应该强力反击，不惜付出任何代价。光刻机的牛逼之处在于这家企业的匠心精神，经历了几代人的千锤百炼和技术上不断的沉淀，一步一步的形成今天的核心技术，不是一蹴而就，更不是砸钱砸出来的，一个基本的逻辑，如果砸钱可以，我们是不是能砸出个宇宙电梯？我们上百年的企业几乎空白，企业的平均寿命又是多少？光刻机我没看过原理，但是难度也就说如何做出那么细的光，光敏胶跪求日本好了。那么细的光只有聚焦而成，而且考虑步进的问题，必须有大光学镜头配合光源和步进电机，步进电机可以跪求美国和日本，还有德国。有电机就得有传动啊，导轨啊，传动和导轨能做吧，不能做去上吊好了，我也救不了中国。砸钱是能够砸出高端光刻机的，事实并不是这样的，高端光刻机和高端航空发动机、高端极精密数控机床等，涉及的领域很多，设计、材料、加工、工艺、检测、标准等等，这些都是靠人才、靠研究、技术积累，靠时间的投入，当然也要大量的资金。有人说的好：“钱不是万能的，但没有钱是万万不能的”，但是还有人说的一句话更有道理：“有钱能解决的问题都不是问题”，而芯片等领域恰恰是光有钱也不一定能解决问题的，否则为什么我们要花那么多钱钱去买，为什么华为宁可被罚了那么多钱也要美国的芯片，不会把这些钱投入自己造啊，关键是有钱也造不出啊！有些领域一不能逆向模仿，二不能弯道超车，三不是喊“口号”喊出来的，抓紧追赶才是正道。中国只要不计成本，搞出高端光刻机是早晚的事，如果高端芯片也搞出来，自己的光刻机给自己的芯片厂商用，不用再进囗，国外芯片厂商卖不动芯片，自然不再买光刻机，逼迫荷兰光刻机厂商大亏损，甚至垮台，中国在世界就是真正的巨人了。赚钱就是自然的了。这事全世界只有中国能做。

smee光刻机是同兴达公司的。2月1日，昆山同兴达首台SMEE光刻机顺利搬入仪式落幕。昆山同兴达公司成立于2021年12月，主营半导体/芯片先进封装测试相关之生产、销售及服务，是同兴达集团最年轻的子公司、集团产业新赛道。公司将于今年3月完成设备调试及开始样品试制，规划于今年5月完成量产1000片/月，明年8月将完成一期满产（2W片/月）。前段时间，同兴达首台“SMEE光刻机”进机仪式在江苏省昆山市千灯镇举行。该设备是昆山首台金凸块封测光刻机，具有较强延展性，可实现与先进制程芯片相似功能，对缩短国内与国外产品代差具有重要意义。光刻机的工作原理介绍：光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此，世界上只有少数厂家掌握。简单点来说，光刻机就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形。

前几天，i奇趣儿的文章介绍了荷兰公司ASML发明5nm光刻机的历程。 5nm光刻机来之不易，ASML耗时20年，华为芯片困局难解 当下，华为遭遇芯片困局，缺少的正是光刻机。 如果我们自研光刻机，需要攻克多个难题。 这个时候，我们不妨主动打破这个局面，换道超车。于是，有人想到了碳基芯片。 提到碳基芯片，必须要先说一下现在的硅基芯片。 当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片，可是，这已经接近物理极限。 想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。 虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。 需要强调的是，在20nm以后，芯片漏电情况很严重。 华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。 不过，胡正明教授认为，5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。 当下的5nm芯片，已经出现此类问题。比如高通骁龙888、苹果A14和华为海思麒麟9000，在功耗方面都有“翻车”的迹象。 台积电的2nm工艺，必须要继续改良，或许要用上GAAFET技术。 同时，受制于摩尔定律，硅基芯片是有终点的。 芯片是由晶体管组成的，晶体管的核心部件是COMS管。 COMS管的构造包括：源极、栅极和漏极。 我们提到的芯片工艺，7nm、5nm指的是栅极的最小线宽（可以理解为COMS管长度）。 芯片是通过纯净的硅制造而来，硅原子之间的距离大概是0.6nm。 举例说明，12nm的芯片沟道上，大约有20个硅原子。 而工艺误差和硅元素的不稳定性，会导致原子丢失（大数定律），这会影响芯片的实际性能表现。 这个时候，量子隧穿会导致漏电效应和短沟道效应。 通俗来说，芯片制程越先进，沟道越短，那么这种影响就会越大。 最终，晶体管数量没法再增加，摩尔定律失效。 从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。 我们刚提到的FinFET和GAAFET技术，可以改善栅极对电流的控制能力，从而提升了芯片工艺制程。 这种方法是有终点的。 所以呢，科学家正在想别的办法：寻找硅之外的新材料，比如石墨烯，以此为基础，打造碳基芯片。 碳基芯片有两个方向：“碳纳米管芯片”和“石墨烯芯片”。 北大在碳纳米管方向有所突破，已经研制出单片光电集成芯片。 中科院的团队已经制造出8英寸的石墨烯晶圆。 我们重点说石墨烯，与硅对比，石墨烯有这些亮点。 石墨烯是最薄的纳米材料，厚度只有0.335nm；它也足够硬，比钢铁的强度高200倍。 同时，石墨烯的导电性是硅的100倍，导热性比铜强10倍。 我们可以得出结论，石墨烯这种材料是可靠的。 石墨烯芯片可以做到1nm以下，同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。 目前，中芯国际已经可以生产14nm芯片，假设我们可以量产石墨烯芯片。在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。 石墨烯芯片看来是个不错的方向呢，问题来了，制造这玩意难度大吗？ 首先，我们要提炼纯净的石墨烯，这是难点之一。目前来看，成本相当高，提纯1克需要5000元。 其次，纯净的石墨烯没法做成逻辑电路，需要改良形态，或者加入新的材料，制造出有功能的结构，这是难点之二。 比如，我们提到过的碳纳米管芯片，原理是把石墨烯改造成碳纳米管，以此来充当半导体，石墨烯充当导电沟道。 现在的硅基芯片则不同，我们只需做提纯工作，地球上的硅元素太丰富了，成本也不高。纯净的硅晶片就是制造芯片的绝佳材料。 第三呢，碳基芯片或许不需要光刻机，直接在石墨烯晶圆上切片、刻蚀和注入离子。虽然绕过了5nm光刻机，可碳基芯片的量产落地，肯定也需要用到类似的高精度设备。 解决以上问题，至少需要我们的科学家努力5-10年。 除此之外，还有其它的问题要解决吗？笔者认为肯定是有的。 可是，在硅基芯片终点即将到来的时候。利益集团为了巩固自己的红利，封锁华为。 这个时候，我们不得不自强，从其它方向突破。 笔者认为，碳基芯片是未来的一个方向。我们现在的努力，不管有没有结果，对未来都是有好处的。 首先，石墨烯是一种有用的材料，它不仅仅可以做芯片，还有更大的用处。 我们早一天行动，就多一分胜算。 现在我们说碳基芯片，说石墨烯，在很多人看来，可能只是一个笑话。 甚至有人调侃：“石墨烯最大的贡献是造就了无数的硕士、博士”。 毫无疑问，现在的石墨烯研究，还停留在理论水平。 可是， 科技 的发展进步需要一个过程，我们不能轻易放弃。 很多人都知道华为缺少光刻机，其实，华为设计芯片用的EDA软件也遭到了封锁。 当年，我们也有自己的芯片设计工具EDA熊猫系统。 1993年，EDA熊猫系统问世，1994年，国外巨头Cadence进入中国市场。随后，其它巨头也解除对我们的封锁，合力围剿熊猫EDA。 1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，与世界最先进的水平差距不到4年。 1985年，机电部45所研制的分步光刻机样机，与国际最高水平对比，差距不超过7年。 随后，我们开始引入外国设备，差距开始加大。 而外国巨头对我们的封堵也越发的丧心病狂。 2015年，上海微电子即将启动90 nm光刻设备量产。《瓦森纳协议》马上解除限制，荷兰ASML的64nm光刻机进入中国市场。 套路很清晰，当我们有突破的时候，对方就取消封锁，用价格战来瓦解我们。 我们现在研究碳基芯片，国外的科学家也在努力，这是未来的方向。 在碳基芯片领域，道阻且长，我们有可能弯道超车。早一点行动，多一分努力，就有希望。 短时间内，华为无法依靠碳基芯片 来打破困局。 我们要做的就是正视差距，努力追赶，同时，更不能妄自菲薄，放弃自己的核心成果。

佳能光刻机22纳米，光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。光刻机可以分钟两种，分别是模板和图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴芯片；第二是类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。国内目前做光刻机的主要有上海微电子装备有限公司、中子科技集团公司第四十五研究所国电、合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技、无锡影速半导体科技。其中，上海微电子装备有限公司已经量产的是90纳米，这是在中国最领先的技术。其国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项“的65nm光刻机研制，目前正在进行整机考核。对于光刻机技术来说，90纳米是一个技术台阶；45纳米是一个技术台阶；22纳米是一个技术台阶……90 纳米的技术升级到65纳米不难，但是45纳米要比65纳米难多了。路要一步一步走，中国16个重大专项中的02专项提出光刻机到2020年出22纳米的。目前主流的是45纳米，而32纳米和28纳米的都需要深紫外光刻机上面改进升级。

很多材料都需要进口，中国的光刻机技术还是有些落后的

光刻机是制造芯片的必要设备，众所周知，光刻机的技术集结了人类顶尖的智慧，我国主要有下面几个短板：材料的加工技术，高标准的零部件，以及顶级的光学设备。以上这些以我国现在的科研实力，都达不到制造光刻机的标准，所以瑞典光刻机厂商说，即便给我们设计图纸，我们也很难造出光刻机

不需要，光刻机的原理：利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、 notch。12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

没有。芯片高精密光刻机项目亚威股份没有未涉及，LIS公司掌握的激光蚀刻技术可以应用在包括但不限于面板显示、半导体等领域。光刻机是一个制造芯片的机器，芯片上的图形模板（微电路）需要用机器来雕刻。这就是光刻机的基本原理，利用高级技术去制造芯片。

光刻机由于其工作原理需要最后形成面光源，而实际上通过单一透镜很难将光源形成面光源。他的焦距不会是固定的应该根据光源来设计。而且光刻机要求高，也不会使用单一的球面镜，用非球面镜的可能性更大。

目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv光刻机和euv光刻机区别是是什么呢？　　duv光刻机和euv光刻机区别　　1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。　　2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空操作。　　以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机。

光刻机已经交付了。光刻机是芯片制造的关键设备，其工作原理基于光学技术和化学技术，光刻机通过紫外线光来投影图像，并通过光学系统将图像转移到特定的基板表面上。高端光刻机的制造难度丝毫不亚于原子弹，放眼全球，也只有ASML、Canon、Nikon、SMEE等几家公司具备生产光刻机的能力。值得注意的是，SMEE是一家来自中国的光刻机制造商，该公司成立于2002年。2012年，SMEE公司生产的SSB500系列光刻机首次实现海外销售，2018年，SMEE 90nm光刻机项目通过正式验收。就在近日，SMEE向昆山同兴达交付了2台光刻机。从SMEE官方资料来看，该公司目前生产的光刻机最高分辨率只能达到90nm。英特尔于2004年发布的奔腾4处理器就采用90nm制程工艺制造，也就是说，在光刻机领域，我国和西方国家还有20年左右的差距，全球半导体市场仍然以美国、日本、韩国等国家为主导，中国半导体产业的发展还有很大潜力。光刻机的工作原理：在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。

摘要：光刻机被誉为“现代光学工业之花”，号称比研制原子弹还困难！全球只有3个国家能造。在全球高端光刻机市场，荷兰达到全球领先水平，除了荷兰，日本、中国也可以制造光刻机。但我国一直被西方国家牢牢“卡脖子”，至今都没能突破尖端技术。那么，研制光刻机的难度在哪里？一、光刻机哪个国家能造光刻机作为芯片产业制造中不可缺少的设备，也是工时和成本占比最高的设备，更是全球顶尖技术和人类智慧的结晶。那么目前有哪些国家可以制造出光刻机呢？目前在制造光刻机领域中，荷兰已经达到了领先全球的水平，荷兰的ASML公司占据了全球市场份额的80%。除了荷兰以外，日本和中国也可以制造出光刻机。日本代表的企业是佳能和尼康，中国的代表企业是上海微电子。虽然我国目前只能制造出90纳米的光刻机，但是我国已经加大了科研投入和人才培养，相信在不久的将来，就能制造出属于自己的光刻机。二、光刻机的难度在哪里1、光源问题光刻机以光为媒介，刻画微纳于方寸之间，实现各种微米甚至纳米级别的图形加工。目前，世界上最先进的光刻机已经能够加工13纳米线条。而我们人类的头发丝直径大约是50~70微米，也就是说，光刻可以刻画出只有头发丝直径1/5000的线条。前面提到的荷兰ASML公司的极紫外光刻机（EUV）是现在全球最顶尖的光刻机设备，相较于DUV，它把193nm的短波紫外线替换成了13.5nm的极紫外线，能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer，这个13.5nm的极紫外线其实是从193nm的短波紫外线多次反射之后得到的。简单来说，就是用功率为250的二氧化碳激光去不断轰击滴落下来的金属锡滴液，在进行连续轰击之后，就能激发出EUV等离子体，从而获得波长更短的光。在这个过程中，每秒大约要攻击5万个滴液，而一个金属锡滴液，其实只有20微米的大小。这是个什么概念？就是相当于从地球上发射出了一束手电光。足以可见其精密程度。光源的问题，就是光刻机制造的难点问题之一。2、反射镜光刻机的第二个难点，是用来调整光路和聚焦的反射镜。普通光刻机的物镜是透镜，高端光刻机的物镜是反射镜，反射镜还得利用Bragg反射的原理添加涂层。反射镜的作用是把模板上的电路图等比例缩小，在硅片上以电路图的形式呈现出来，这是制造芯片的关键元件。ASML公司EUV的光学元件都来自于以做光学器件出名德国的蔡司，当然其中也包括光刻机的反射镜。EUV多层膜反射镜作为光学系统的重要元件，成为了EUV光源的一项关键技术，需实现EUV波段的高反射率。近年来，科研人员们通过研究发现，采用Mo/Si多层膜制备出的反射镜对中心波长为13.5nm、光谱带宽，在2%以内EUV光的反射率可达70%。通过将Mo原子和si原子交替排列，可使13.5nm的EUV光在其中发生干涉，从而得到较高的反射效率。一句话来感受一下EUV反射镜精度到底有多高？假设差不多半米直径的镜面是德国国土面积那么大，那么其局部的凹凸不能超过1mm。光刻机上面反射镜的制造，也是光刻机技术的一个难点。3、工作台光刻机的工作台控制了芯片在制造生产中的纹路刻蚀，工作台的移动精度越高，所加工的芯片精度就越高。这对于国家的硬件能力和软件能力都是考验，即使是科技实力十分强大的美国也无法做到垄断光刻机移动工作台。ASML公司的EUV光刻机工作台采用的是一种高精度的激光干涉仪，以此进行微动台的位移测量，构建出一个闭环的控制系统，进而实现纳米级的超精密同步运动。光刻机分辨率的日益提高对光刻机工作台提出了更高的要求，在工作台运行过程中，需要花费更多的时间对准以保证光刻机的工作精度。也就是说，怎样在保证不浪费太多时间的同时确保工件的精度？这是个问题。在芯片制造过程中，并不是一次曝光就可以完成的，在制造过程中要经历多次曝光，这也就意味着，在芯片制作过程中要进行多次对准操作（每一次曝光都要更换不同的掩膜，掩膜与硅晶圆之间每次都要对准操作）。芯片的每个元件之间都只有几纳米的间隔，在这种情况下，掩膜与硅晶圆之间的对准误差都必须控制在几纳米范围内。一次对准可能相对来说比较容易，但芯片的制造需要多次曝光多次对准，在曝光完一个区域之后，放置硅晶圆的曝光台就必须快速进行移动，接着曝光下一个需要曝光的区域，想要在多次快速移动中实现纳米级别的对准，这个难度相当大。就相当于端着一碗汤做蛙跳，还得保证跳了几十次之后一滴汤都没洒出来。工作台技术不论是从精度还是时间效率上来说，均是光刻机技术上的一个难点。4、耗电问题光刻机要在工作过程中稳定地输出高功率的光线，以支持其在晶圆上的持续刻蚀。为了实现芯片的工业化量产，光刻机在耗电能力上也有极致的追求。最关键的还是，EUV光刻机还非常费电，它需要消耗电量把整个工作环境都抽成真空以避免灰尘，同时也可以通过更高的功率来弥补自身能源转换效率低下的问题，一般设备运行之后每小时就会损耗至少150度的电力。这种极度耗电的问题，也是光刻机制造中的一个难点。除此之外，次级电子对光刻胶的曝光、光化学反应释放气体，EUV对光罩的侵蚀等种种难题都要一一解决。这种情况就导致很长一段时间内EUV的产量极低，甚至日均产量只有1500片。当然，除了上面提到的几点之外，光刻机的研发还面临着很多难点，光刻机对工作环境的要求极高，它必须要在超洁净的环境下才能够运行，一点点小灰尘落在光罩上就会带来严重的良品率问题，并对材料技术、流程控制等都有更高的要求。最致命的一点，就是光刻机的研发成本极高。结语：光刻机制造在光源、物镜、工作台、研发投入、工作环境等领域都面临着不小的难点，也正因如此，光刻机技术久久都未取得明显突破，我国在芯片制造上依旧面临被卡脖子的困境。但目前我国在光刻机技术上已经取得了一些小小的突破，国产光刻机未来可期！期待中国光刻机打破垄断，走向世界的一刻。

光刻机是芯片制造的核心设备之一。可以制造不同用途的芯片。目前光刻机只有荷兰的企业能生产，属于垄断设备，制造技术很复杂，属于高尖端技术。我国目前正在大力发展电子技术，计算机，手机，各种电子设备都是需要芯片应用的。所以光刻机非常重要。

荷兰花在上面的时间长，资金大。

我觉得根据现在的华为发现情况来看，最起码需要一年才可以。

我个人认为，西方欧美国家在高科技方面抱团对我国及俄国的技术封锁。才造成今天俄罗斯，在高科技电子方面的落后，看看苏30战机内部显示屏，一目了然。今天我国和俄国在大飞机及华为芯片的合作，一定会突破西方的封锁！目前最先进的光刻机已经不是透镜式，因为波长极短的紫外线会被玻璃吸收，要用反射式镜面，难度更高。我们差的不是一点半点。ASML的光刻机，也离不开蔡司的镜头，美国的光学仪器，也是组装嘛。那么，我们也可以分几步走：暂时搞不好的，可以先买。等将来突破了，再用自己的。如此一来，岂不两全其美。当然，持续研发，需要持续投入，这就离不开国家支持。自中兴事件以来较少看到有关芯片的好消息，这个消息无疑给国人些许安慰。相信中华民族是强大的民族，国外的技术封锁是阻止不了中国的前进步伐，经过国人艰苦卓绝的努力，一定会在不远的将来突破芯片技术瓶颈独步于天下。当芯片物理尺寸区别不是很大，功效都是一样时，没有什么值得去纠结的了，在功效一样情况下，他国小尺寸芯片与我国尺寸稍大芯片比较起来，这个尺寸大小完全可以忽略不计了，中国完全没有必要心慌于人，倒是我觉得媒体过度炒作了，中国根本不用慌。“整个机器需要三万余个零件，每一个零件都不能有丝毫偏差，一丝一毫的偏差都不能使千万的电路一丝不乱，毫无偏差的分布在指甲盖大小的芯片上面，我国在上面要走的路还很长。”，还好，我们是文盲，要不还真让你们这些文科生就给懵了！我们知道有公差配合，配合有标准，有偏差不怕，怕的是公差带设计计算不合理，公差带要求低了，产品不达标，高了产品生产成本高昂，也是浪费。这是常识，用违反常识的言论堆砌的文章，小了被人耻笑，大了那就是误国误民。奉劝不懂理科工科的文科生，以后尽量不要去写理工科的文章。 中国现在有很多领域很落后，原因挺简单：1、没有市场；2、没人去做；3、没有做过。就拿汽车发动机来说，国内的市场就很小或没有，（别跳脚），试问：两辆外观一样的轿车，一辆用吉利发动机一辆用丰田的，价格等都一样，买车时你选哪一个？你的答案就是中国品牌发动机难于打开市场的原因。没关系的，让他们封锁就是，他们用7nm也好5nm也好，我们就用我们的90nm不就是芯片大点功耗高点么，同样的芯片人家做出来的cpu一点点大我们做出来的一个桌子大也没关系，不就是多耗点电体积大点么我们能用就行，大不了今后扛着手机出门，多洋气。现在国外对我们光刻机禁运。那就想想别的方法。不能用和平方式取得得东西就用别的方式。自己造出这样的设备就先别希望去抢市场了。还是先满足自己使用再说。许多电子原件技术是80年代后落下的，70年代我们的晶体管质量相当过硬，亲身经历，70年代5安培晶闸管可以长时间工作在10安培！80年代也还可以，算正常吧，90年代就变烂了，直至现在，功放的2SA1216与2SC2922都造不好了！竟然没有真正能代换的国产品，耐压与最大电流都垃圾的不行，只能达到额定量的一半，非得买东芝原厂的才能行！这个早就没有什么技术含量了，但就是造不好，怎么回事？相信有朝一日，不久将来，终有一日，弯道超车。尽是些无谓说话。今天世界，讲的是全球化，没有任何一个国家可以独霸全球所有科技及制造，军备竞赛，科技竞赛只会极容易使经济崩溃。。尊重世界的游戏规则，尊重契约。融入世界之中，各自发挥优势，扬自己所长，以别人之长补自己所短才是正路。乱呼口号只会误国！国内各大科技公司肯定一窝风的研发光刻机、之类的高科技产品、设备、是不是能有另辟稀径研发新材料、易加工、等等吧！目前的产品、肯定费心费力、费钱。这样才是弯道超车。干了也就那么回事！十几年前，有人说中国研发不了新车型，外国开发一个新车型要多少百亿美金，什么模具，什么发动机，什么工厂，什么供应链管理，好像要什么没什么。看看现在，去做了，除开不争气的一汽闹个笑话几百亿之外，大家不都在开发新车型吗？大家不都赚钱了吗？光刻机也就那么回事，别人说个数字吓吓你，你也信？当外国人不给芯片中国的时候，自己做出来的那怕是90纳米也可以用啊，感觉低纳米的东西主要也是电脑和手机这些高端产品用啊，90纳米的做出来，也有很多不追求高性能的地方可以用上啊，比如监控，汽车，电视，路由器，交换机，各种低端智能设备什么的，用得上有很多啊，这些东西，只要做开了，后面就出来了。我国28nm已经量产了。14nm已经在走量化过成了。国际上从14到现在10用了几年。没那么邪乎。芯片生产有它的特点是高投入高产出它受市场经济影响很大。人家开发早都已抢占了市场。我们后发得不到市场就难以为继。因为投入太高。国家太跟流氓国家讲市场经济了。现在好了美国的流氓手段做到面上了。我国就可以以国家利益手段占领市场了。自主研发追赶要好过拾人牙慧放弃不追赶，别人高价丢给你现成的不如自己创造机遇生产，那还不如个满大街收破烂的，他还知道卖巧钱挣差价不实诚的他不收还不够他出力拉车的辛苦钱，国家核心技术国之重器岂可以受制于狼子野心的外国？分分钟坑到你倾家荡产，国运岂可以是区区金钱可以衡量的，房子再挣钱能换几个原子弹。中国已经有独立自主知识产权的光刻机，包括最难的光源设备。只是没有达到荷兰阿斯麦那么先进而已。毕竟中国光刻机起晚，并不是像你们这些自卑心严重的人想的那么困难。达到世界领先水平，相信用不了多长时间。很大的难度在于精密加工，中国制造业目前还是处于低端，少数高端的，而光刻机要求所有零部件都必须是最顶级的。我只能说，中国会造出来光刻机，但需要时间，毕竟就算懂原理，制造业跟不上也不行，所以目前中国可能造不出顶级光刻机，因为制造业跟不上，但我相信未来一定可以造出光刻机，毕竟中国是全球唯一一个拥有全工业门类的国家！ASML卖了DUV光刻机给中芯国际，已经卖了EUV光刻机，应该去年底交货。去年初不知道为什么厂房大火，阻碍了交货日期，当今年交货时，因为出口批文过期，再申请后，荷兰政府被川普压迫，不批准出口而已。中芯国际可以用DUV光刻机做7nm芯片，麻烦一些而已。日本的佳能及力康都产光刻机，但没有EUⅤ光刻机。光刻机零件不是军用物品，好像不是对中国禁运。美国可能因为川普之故禁运，但其他国家不好说，尤其是德国。中国也有跟日本购买光刻机。光刻机是人造的，再过几年便可以知道中国人可不可以做。不做的原因是因为市场太细，是缝隙产品，用户又少，养不活太多厂家而已。集大成说得好，中国现在是制造业大国，但是中国很多制造企业缺少一个精益求精的企业管理精神。量虽然上来了，但是和德国，日本，法国，意大利这样的国家相比，差距很大。可能是中国的工业时代起步较晚，但是工业理念需要一起转变，然后还有一系列的事情要做！信息时代的来临，在大潮中我们受益良多，但是我们是在别人创造出来的基础上延伸，没有做到在基础中抓牢稳固。一个光刻机不难，难得是对每个附件了解透策运用自如。所以说，中国从小学到大学在到科学家，要重视人才，重视品质，重视科学，现在老师都是看学生家长住什么房子，开什么车子，在什么单位，开什么公司，本质上还是没有做到人人平等，所以中国有些东西是真的没法跟国外比的，为什么国外要封锁中国进口的，高，精，端，产品，主要还是不重视素质教育和人人平等，有钱，有权，有关系的孩子到最后学习不怎么好但最后成了人才，中国就是这点问题。都是已经成熟的产品，只要世界上有厂家做，就算美国的我们不买，其它国家的未必不卖，相信只要有钱，就算买不到那几家的，其它同类产品也一样能替代，精度也不会差多远！但这样看谁来运作，华为肯定可以做到！国企肯定不行！别问我为何？说难听点，最后的办法可能就是战争。从宏观角度考虑，世界是动态平衡的，如果谁要刻意让一部分人活不下去，那么结果只能是战争。为什么经济危机会引发世界大战，因为没有哪个民族会坐以待毙。国家现在重点培养的都是，本科生，研究生，博士生，什么工厂的一线技工，根本就是一个屁，屁也不是。随时都有下岗的危险，国外有三代人学一个技术，在一个岗位，干一种活。在中国根本不可能实现。基础技术的延续性根本达不到，何谈机械制品的精度和装配工艺。光刻机制造瓶颈在克刻的精度要求，所以要以要求定精度，主要是机械制造上要严要，首先是制造的母机精度再谈的上制造精度，再就是制造的人才，精度一高装配就要用热胀冷缩的办法，不光是尺寸合格直线度、平行度、圆柱度都要严，要不装上去动不了。再就是光柱的控制，我认为挡板螺旋挡调光柱是一个可操作的办法。至于放缩电路图、数控不是问题。这就是我的观点。原子的直径约0.1nm（1埃）或更小，气体分子间距大约1nm（标准状态），直径大约也近似这个大小。制造误差只能以材料分子的大小为单位。分子或原子是不能取小数的。所以，从物质的分子结构看，透镜磨制最小误差（不平整度）应该是半个分子大小，实际可能是一个分子大小，约100pm。美国也不是买荷兰的光刻机，全世界就这一家造，但是中国就是要样样第一，比如圆珠笔芯全世界也只有瑞士在生产，美国也不行，现在中国也可以生产圆珠笔芯了，要不然喷子又要喷。就象国际空间站一样不带中国玩，最后中国自己搞一个，虽然过程艰苦但还是挺过来了。可控核聚变西方看到中国的实力就拉中国入伙，中国承接的部分进度领先，同时中国自己也独立打造一个自己的，即要合作也要独立。再过二十年，相信中国会在每一个重要领域都站在第一方阵。

光刻机在芯片制造工序中是最核心的设备，光刻机的生产在现在不亚于生产原子弹，这台可以卖到上亿欧元的精密设备，光刻机主要是通过紫外光作为 " 画笔 "，把预先设计好的芯片电子线路书写到硅晶圆旋涂的光刻胶上，精度可以达到头发丝的千分之一，对于技术的把握有很大的要求，目前在全球没有几家公司能够做到。

集成电路芯片主要生产流程有涉设计、代工、封装、测试等步骤，其中华为、高通、苹果等公司的处理器芯片主要处于芯片设计这一过程，最终想要拿到芯片成品需要由台积电、中芯国际这样的公司来完成代工生产。芯片代工生产无法离开光刻机，高端光刻机市场几乎被荷兰ASML公司所垄断。因为美国的关系，光刻机也将成为制约我国芯片发展的因素之一。

我觉得应该不太可能，因为这个东西真的很复杂，只凭一张图纸不太可能会完成。

光刻机芯片与封测芯片区别是，光刻机是前道工序，封装光刻机是后道工序，光刻机技术含量和售价远高于封装光刻机。半导体芯片生产主要分为芯片设计、制造、封测三大环节。芯片制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能，包括光刻机、刻蚀机、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。封装光刻机是对芯片封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。等于是光刻机制造的是功能，封装光刻机是加开关。

光刻机涉及到的知识有光学、机械加工、电子电路、化学等多个学科知识。可学电子技术类专业，比如微电子与固体电子专业

步进光刻机移动的方式会依据具体的型号而有所不同。然而，基本上，步进光刻机通过机架上的导轨系统进行定位，再通过电机或气缸驱动，进行不同方向轴的移动。在正常操作时，用户可以使用电脑软件或者光刻机本身的控制器面板来指示光刻机的移动方向和距离。目前，光刻机的移动精度已经达到了亚微米级别，可以满足绝大部分半导体制造的需要。总体上来说，步进光刻机的移动需要严格按照操作规程进行，以防损坏光刻机和加工质量不佳。在移动过程中，也需要加强维护保养，确保每次加工的高品质和生产效率。

不用模板 用的是紫外线刻蚀“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

我们国内确实是既难买又难造高端的光刻机，包括7纳米的和5纳米的，当前就是在这最后的一个端上陷入了现实的两难处境，短期内不可能脱离，是个长期性的现实。 只要成功研发出了高端的制造技术，难造就会变成易造了；只要即将成功制造出高端的光刻机产品，难买就会变成易买了 。处境变成两易的了！而到了两易的时候， 只要不受国内已经易买国外高端产品这个“外部干扰”，坚持不懈地自主制造即将成功的高端光刻机，直至下线、量产、上市，就完全彻底脱离出两难处境了 ，再买高端的，多了一个好的选择，头一回能来个货比两家，关键是个更好的选择，因为是本国自主可控的；再造更高端的，有了一个高的基础，关键在于更高端的不过是同一端上的，即便是顶级的。 这就是造与买的关系在我们中国的样子，连造与买低端和中端光刻机的关系也是这个样，与在美国及其盟国盟友那里的大不相同，已经被 历史 上的正和反事实反反复复地证明了。 造与买的关系在今后的中国只会是这个样！ 与美国及其盟国盟友大不相同，我们国内不造高端以及顶级光刻机就根本买不到，将造出就买得到，已造出就会被国内和国外买，造出高端光刻机的企业也能赚来大钱，特别是，让本国的高端芯片制造企业在核心工艺设备上不可能再被美国和荷兰联合起来卡脖子了，在其它工艺设备以及材料上也就不可能再被美国单独卡脖子了，从而让本国的高端芯片设计企业在高端芯片代工上也不可能再被卡脖子，还让本国的高端封测企业将其拥有的高端技术用在高端国产芯片封测上，终结一连串本国企业的一大段无奈、尴尬甚至有的屈辱、有的耻辱的 历史 ；关键是，让本国断在高端光刻机技术和产品上的高端技术链产业链供应链建起了、强起了，整个雄起，尽管高端光刻机很可能是最后补上的一强，接着，高端自主的国产芯片就有了！再接着，就会有、还会相对快地有更为高端直至顶级的自主芯片！在达到了7纳米高端自主的时候，在整个的中国这里，买国外芯片花大钱的 历史 就终结了，卖国产芯片赚大钱的 历史 就开启了，看看吧、想想吧， 造不如买？！ 为什么陷入了两难处境？ 从现象上看，难买外国的是因为国内没有制造出来高端光刻机产品，难造本国的是因为国内没有研发出来高端光刻机技术，技术和产品都被国外垄断着，由此可知， 从实质上看，国内没有研发出来高端技术既是难买又是难造高端产品的实质性原因，也就是陷入两难处境的实质原因，正确处理造与买的关系就成为了摆脱两难处境的实质性办法 。 历史 事实表明， “造不如买”的实质就是“研不如买”。 自己研发出来高端自主制造技术包括整机集成的和部件制作的固然也是难的，不仅是最前面的难，还是最难的， 而到如今仍是难买又难造，与自主研发技术曾经是人为造成的最难大有关系 。 光刻机被誉为半导体产业皇冠上的明珠。光刻机的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，在某种程度上来说，光刻工艺的决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能与功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工艺也越先进。 “工欲善其事，必先利其器”，光刻机就是芯片制造中的那一把“利器”，也被誉为半导体产业皇冠上的明珠。光刻机的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，在某种程度上来说，光刻工艺的决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能与功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工艺也越先进。 大家都知道，芯片很重要，离开了芯片，几乎所有电子设备都会失去作用。但要是离开光刻机，自然也就制造不出芯片，同样也不可能有手机、电脑等电子设备的产生。 光刻机的关键技术：以光为媒，刻化微纳于方寸之间 指甲盖大小的一枚芯片，内部却包含了上千万个晶体管，犹如一座超级城市，线路错综复杂，这跟光刻机的工作原理相关，其中涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进学科。因此光刻机是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，具备极高的单台价值。 如果单纯从工作原理的角度来解析，光刻机并不复杂。“以光为媒，刻化微纳于方寸之间”，光刻机是通过串联的光源能力以及形状控制手段，将光束透射过画着线路图的校正，经过物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法进行显影、刻蚀处理，最终得到刻在硅片上的电路图。 但是它最难的在于，需要在极小的空间内完成超精细的纳米级雕刻工艺，为具备这项能力。需要掌握的关键技术有很多，主要包括以下几种： 1、“微缩投影系统”即所谓的“光刻机镜头”。这种镜头不是一般的镜头，其尺寸可以达到高2米直径1米甚至更大。光刻机的整个曝光光学系统，可能需要20多块锅底大的镜片串联组成，将光学零件精度控制在纳米级别。每块镜片都由高纯度透光材料制成，还包括高质量抛光处理等过程，一块镜头的成本在数万美元上下; 2、既然叫做“光刻机”，所以“光源”也是光刻机的核心之一，要求光源必须发出能量稳定且光谱很窄很窄的紫外光，这样才能保证加工精度和精度的稳定性。按照光源的发展轨迹，光刻机从最初的紫外光源(UV)发展到深紫外光(DUV)，再到如今的极紫外光(EUV)，三者最大的不同在于波长，波长越短，曝光的特征尺寸就越小。 (资料源自上海微电子官网、东兴证券研究所，OFweek电子工程网制图) 最早的光刻机采用汞灯产生的紫外光源，从g-line一直发展到i-line，波长从436nm缩短到365nm。随后，业界利用电子束激发惰性气体和卤素气体结合形成的气体分子， 向基态跃迁时所产生准分子激光的深紫外光源，将波长进一步缩短至193nm，由于在此过程中遇到了技术障碍，因此采用浸没式(immersion)等技术进行矫正后，光刻机的极限光刻工艺节点可达28nm。 如今，业界最先进的光刻机是EUV光刻机，将准分子激光照射在锡等靶材上，激发出波长13.5nm的光子作为光刻机光源。EUV光刻机大幅度提升了半导体工艺水平，能够实现7nm及以下工艺，为摩尔定律的延续提供了更好地方向。而业界也只有ASML一家能够提供EUV设备，处于产业金字塔顶端; 3、分辨率，对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面都有关系，总体来说，分辨率和光源波长的关系可以用公式“R(分辨率)=K1(工艺参数)λ(光源波长)/NA(光学镜头的数值孔径)”; 4、工艺节点，是反映芯片技术工艺水平最直接的参数。工艺节点的尺寸数值基本上和晶体管的长宽成正比关系，每一个节点基本上是前一个节点的0.7倍，0.7X0.7=0.49，所以每一代工艺节点上晶体管的面积都比上一代小大约一半，因此单位面积上的晶体管数量将翻番，这就是著名的摩尔定律。一般18 24个月，工艺节点就会发展一代。 工艺节点发展以28nm为分水岭，虽然依然按照0.7倍的规律前进，但实际上晶体管的面积以及电性能的提升远落后于节点数值变化。比如英特尔当时统计数据显示，他们20nm工艺的实际性能已经相当于三星14nm和台积电的16nm工艺。更麻烦的是，不同厂商工艺节点换算方法不一，导致了很多理解上的混乱。因此，只有对芯片有很高要求的产品才会采用28nm及以下先进工艺。当然，发展到现在，台积电已经开发出了更为先进的5nm工艺并实现量产，今年下半年就会有搭载相关芯片的产品面世。 高端光刻机为什么难买又难造? 一般来说，一条芯片生产线上需要好几台光刻机，而一台光刻机的造价也非常高，其中成像系统和定位系统最贵，整台设备算下来造价三千万到五亿美元不等。此外，光刻机上的零部件还包括来自瑞典的轴承、德国的镜头、美国的光栅、法国的阀件等等，都属于各个国家的高端工艺产品。 光刻机的折旧速度非常快，每天大概就要花费3 9万人民币，将其称为“印钞机”也不为过。正是因为光刻机昂贵的造价和上文中提到的各项高先进技术，ASML一年也只能制造出20多台EUV光刻机。 这么昂贵的设备，ASML公司一年卖出几台就够养活整个公司了，中国市场一直以来都是ASML看好的重点业务区域，但是却偏偏不能向中国出售高端光刻机，为什么呢?这里就要提到《瓦森纳协定》。比如中芯国际苦苦等待的EUV光刻机，虽然设备一直没到，但是也没有因此停止研发进程，已经在14nm的基础上研发出“N+1”、“N+2”工艺，等同于7nm工艺，公司联合首席执行官兼执行董事梁孟松也透露出，现阶段哪怕不用EUV光刻机，也可以实现7nm工艺。但想要大规模成熟量产，依然离不开EUV光刻机。 中国又被誉为“制造大国”，既然买不着，那自己造如何? 在过去，搜狐能 copy 雅虎，淘宝能 copy eBay，滴滴 copy Uber，那咱们能不能 copy 一个ASML出来自己造光刻机?要知道，ASML可谓是当前光刻机领域的“一哥”，尽管尼康和佳能与之并称“光刻机三巨头”，但在支持14nm及以下的光刻机上，唯有ASML一家独大。 “光刻机之王”ASML的成功难以复制。ASML出身名门，由原本荷兰著名的电器制造商飞利浦公司半导体部门独立拆分出来，于2001年更名为 ASML。 在ASML背后，还有英特尔、三星、台积电、SK海力士等半导体巨头为其撑腰，只有投资了ASML，才能成为其客户，拿到光刻机产品的优先供货权。多方资本注入下，ASML也有了更多强化自身实力的机会： 2001年，ASML收购美国光刻机厂商硅谷集团获得反射技术，市场份额反超佳能，直追尼康; 2007年，ASML收购美国 Brion 公司，成为ASML整体光刻产品战略的基石; 2012年，ASML收购全球知名准分子激光器厂商Cymer，加强光刻机光源设备及技术; 2016年，ASML收购台湾半导体设备厂商汉微科，引入先进的电子束晶圆检测设备及技术; 2016年，ASML收购德国卡尔蔡司子公司24.9%股份，加强自身微影镜头技术; 2019年，ASML宣布收购其竞争对手光刻机制造商Mapper知识产权资产。 在上文中提到，光刻机设备融合了多门复杂学科，不仅种类繁多，还要求是当前该领域最先进的技术，放眼当下没有任何一家公司敢说自己能在这些领域都做到最好。也就只有ASML能够不断通过自研、收购等方式，一步步走上神坛。 说出来很多人可能不信，我国最早研发光刻机的时候，ASML还没有出现。资料记载，1977年也就是中国恢复高考那年，我国最早的光刻机-GK-3型半自动接近式光刻机诞生，由上海光学机械厂试制。 80年代其实开了个好头，1981年，中国科学院半导体所成功研制出JK-1型半自动接近式光刻机样机。1982年国产KHA-75-1光刻机的诞生，估计跟当时最先进的佳能相比也就相差4年。1985年中国第一台分步投影式光刻机诞生，跟美国造出分布式光刻机的时间差距不超过7年。这些都说明当时中国其实已经注意到了投影光刻技术的重要性，只是苦于国内生产工艺尚不成熟，所以很难实现量产。 80年代末期，“造不如买”的思想席卷了大批制造企业，我国半导体产业研发进程出现了脱节，光刻机产业也未能幸免。 虽然后续一直在追赶国外列强的脚步，但产业环境的落后加上本来就与世界先进企业有差距，使得中国终究没有在高端光刻机领域留下属于自己的痕迹。 “眼看他起朱楼，眼看他楼塌了”，80年代初期奠定的中国光刻机产业基础就这样被轻视了。这也是为什么我国光刻机产业一直赶不上国外的原因，再加上光刻机制造所需要的各种零部件，也都受到不同程度的管制，如今想再追回来，实在太难。 中国高端光刻机正在路上 2001年， 科技 部和上海市于2002年共同推动成立上海微电子装备公司，承担国家“863计划”项目研发100nm高端光刻机。据悉，中电科四十五所当时将其从事分步投影光刻机团队整体迁至上海参与其中; 2008年， 科技 部召开国家 科技 重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"推进会，将EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向。中国企业也将EUV光刻机列为了集成电路制造领域的发展重点对象。 如今，国内从事光刻机及相关研究生产的除了上海微电子装备、合肥芯硕半导体、江苏影速集成电路装备以外，还有清华大学精密仪器系、中科院光电技术研究所、中电科四十五所等高校/科研单位。 在研发成果上，2016年，清华大学“光刻机双工件台系统样机研发”项目成功通过验收;2016年，清华大学“光刻机双工件台系统样机研发”项目成功通过验收;2018年，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备”通过验收，也是世界上首台用紫外光源实现22nm分辨率的光刻机，意义在于用便宜的光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景。 可以看到，在光刻机的自主研发进程上，中国也取得了很大的进步。但相对来说比较缓慢，要想真正研发出高端光刻机，需保证多个学科和领域的技术水平达到或者超过世界先进水平，任何一环节落下都会影响产品的性能。 这是美国的精准打击，有本事查查这个馊点子是如何出笼？我觉得正是我们50年代人掌舵时缺乏几乎所有科学知识，被自己权力切割，连同40后与60后的纽带一同切掉，30后已失能，40后除做房地产的尖子，其余趋向失能，50后是鸿沟的分界，权力中心做自然科学的极少，人才都是做买卖的，买不到自然只有造，说造，得创新，虽然少，但不乏有能做光学化学电学，机电一体化的，光电的组织能力，基本都要退休能要吗？后来60，70都是40，50教的，他们都缺乏系统边缘渗透交融能力，天天喊隔行如隔山，各霸一方，搞这种综合高 科技 设备既缺乏专业精通，又少有隔行合作的气量，包括航空发动机也一样，他瞄准了不打这，那打什么？ 高端光刻机难买是因为以美国为首的西方国家对中国进行严密的技术封锁，难造是因为光刻机是高 科技 的集成产品，在我国基础如此薄弱的情况下还能取得如此成绩本身就是一个奇迹，假以时日，光刻机也会象盾构机一样被攻克。 因为世界上的高端光刻机只有荷兰在生产，产量有限所以难买。光刻机融合了工业制造的几乎各个方面的高精技术所以也难造。 难买是别个不想让你超越自己！难造是因为之前有配套设施没把它当回事！接下来重视起来了就不难造了！

摘要：光刻机和芯片有什么关系？在芯片制造过程中是离不开光刻机的，光刻机是制造芯片的核心装备，芯片的集成水平取决于光刻机的精度。光刻机和芯片哪个更难？都很难的，不过光刻机难度最大，目前我国只能自主量产90纳米光刻机，与荷兰的差距还很大。一、光刻机和芯片有什么关系光刻机又被称为掩膜对准曝光机，在芯片生产中用于光刻工艺，而光刻工艺又是生产流程中最关键的一步，所以光刻机又是芯片生产中不可缺少的设备，总得来说光刻机是用来制造芯片的。光刻机是光刻技术的载体，而光刻技术是芯片技术的重要部分，光刻机的原理就是用光把图案投射到硅片上。如果想要自主生产芯片，光刻机是必要的，就像工业中的机床一样。光刻机与芯片存在着密不可分的关系。芯片与光刻机的关系，就好比是鱼和水。没了光刻机，再高端的芯片技术也只能停留在理想层面。目前，世界最高端的光刻机来自荷兰，相信不久之后中国也能拥有独立自主的光刻机技术。二、光刻机和芯片哪个更难都很难的。因为芯片从设计到生产制造都是一个复杂工艺，目前国内，芯片设计软件和生产核心光刻机都是国外的。不过光刻机难度最大，因为再好的设计也需要做出来才能算成功，而且还要保持良品率。以我们掌握程度为难易判断标准，我们掌握了就不算难，没掌握的就算难。芯片设计，手机通信我们有华为，中兴，展锐等。通用桌面服务器有龙芯，华为，申威等。我们已经具有完整的正向设计能力，部分芯片设计已经接近顶尖水平，差距一代不到。芯片制造，中芯国际量产14纳米，有望突破7纳米。华虹半导体也已经初步量产14纳米。跟最先进的台积电和三星半导体比还有很大的差距，差距一代多。光刻机，我们可以完全自主量产90纳米光刻机。现在最先进的极紫外光刻机只有荷兰ASML能够供货，我们跟ASML差了三代。根据公开信息，我们28纳米光刻机关键部件已经全部完成攻关，今年底有望出整机样机，两年内量产。28纳米现在世界上有两个国家量产，荷兰和日本。我们今年如果能够踏入这个阵营，差距缩小到一代。综合起来，光刻机差距现在最大，是最难的。但不管什么技术，只要持续不断的投入，不被眼前的困难吓倒，培养人才梯队，追赶和超越是迟早的。

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀

光刻机的制造难度相当大，为何荷兰这个国家却能掌握光刻机的制造技术？在科技领域，光刻机一直是顶尖的神话，许多科学家和工程师都能参与到高端光刻机的设计和制造中，已经代表了其在业界的顶尖水平。一台光刻机的制造，需要10万个零件，各种精密仪器至关重要。业内工程师透露，高端光刻机一个零件的调试需要10年时间，核心子系统需要各国顶级大公司提供。比如比较重要的光学技术，几乎都是由日本公司控制。说起光刻机的原理其实很简单，就像照相机一样，通过曝光的方式把设计好的芯片电路图放在硅片上，最后用光刻出芯片电路图。因此，在光学技术上有丛弯亮很大优势的闹乎日本，在光刻机领域有很大的发言权。例如，日本的佳能和尼康是光刻机市场的大玩家，而曾经是荷兰公司的ASML在它们面前则是小角色。尼康和佳能也是行业中突出的相机巨头，因为光刻胶和相机的工作原理是一样的。但如果没有荷兰提供的光刻机，美国和韩国的很多芯片制造商也就凉了，因为光刻机在芯片制造过程中的作用非常明显，可以说是芯片制造过程中的核心，因为光刻机直接决定了芯片制造过程。例如，如果你想做一个7纳米的芯片，前提是光刻机能够支持7纳米芯片的生产，否则你渗宽就无法设计出7纳米的芯片。因此，即使像美国和韩国这样的芯片制造商也要听从荷兰的摆布。如果荷兰不向他们提供高端光刻机，他们的芯片就会陷入瘫痪。看来这个估计很多人都有疑问，像美国这么发达的国家，科技实力都在世界前列，难道他也能生产高端光刻机？为什么荷兰这么一个小国却掌握了光刻机的核心技术？客观地说，美国确实没有掌握高端光学技术的核心技术。目前，世界上最高端的光刻机基本被荷兰ASML公司垄断。例如，世界上14纳米以上的光刻机基本被荷兰ASML垄断，而7纳米的EUV光刻机只有荷兰ASML能提供。 如果我的回答可以帮到您，请采纳哦！

1、asml什么意思？2、2022年荷兰ASML公司卖出62台光刻机，中国买走多少设备？3、asml是哪个国家的？4、asml是哪个国家的5、ASML是什么意思asml什么意思？asmlasml的意思是asml：1、荷兰ASML公司 (全称： Advanced Semiconductor Material Lithographyasml，目前该全称已经不作为公司标识使用asml，公司的注册标识为ASML Holding N.V)asml，中文名称为阿斯麦（中国大陆）、艾司摩尔（中国台湾）。2、光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻机工作原理在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。2022年荷兰ASML公司卖出62台光刻机，中国买走多少设备？荷兰的ASML是目前全球最顶尖的光刻机提供商，尤其是在高端光刻机领域，几乎占据了全球100%份额。一、 最近几年，ASML销售业绩增速非常快。因为在高端光刻机拥有绝对的优势，所以asml的光刻机一直供不应求，最近2年时间虽然受到疫情的影响，但因为全球芯片普遍供不应求，所以ASML的光刻机也供不应求，因此asml的业绩也有了快速的增长。2021财年，ASML营业收入为186.11亿欧元，同比上涨33.14%；归属于母公司普通股股东净利润为58.83亿欧元，同比增长更是高达65.55%；不过进入2022年之后，asml业绩貌似有所下降，从第一季度的财报来看，其营收只有39.6亿美元，同比下降24.57%，利润更是只有7.8亿美元，同比下降51.36%。但是第1季度的财报并不能反映asml真实的销售情况，原因是当前各大厂家对光刻机的需求非常迫切，所以有部分光刻机订单尚未获得工厂准入测试就向客户出货，这些订单收入需要在未来多个季度中才能得以确认。从实际情况来看，目前asml的订单已经排到2024年，所以可以预计未来几年时间asml的光刻机仍然会保持快速的增长。二、 ASML有多少光刻机卖往中国？2022年第1季度，asml总共卖出了62台光刻机，包括59部新系统和3部二手系统。至于在这62台光刻机当中有多少卖到中国，asml并没有给出准确的数据。但是我们可以从asml销售业绩的构成当中大概推断一下。根据asml2022年第一季度的财报数据显示，其收入构成当中有，34%来源于中国大陆，这个比重相对于2021年第4季度的22%，有了大幅度的提升。另外中国台湾贡献了其中22%的收入。相当于整个中国给asml贡献了56%的收入。据此推算，中国2022年第1季度从asml购买的光刻机金额大约是22.2亿美元，其中大陆购买的金额大约是13.5亿美元，台湾购买的金额大约是8.7亿美元。只不过大陆所购买的光刻机基本上都是一些中低端光刻机，不可能是EUV光刻机，因为目前欧美并不允许asml向中国出口EUV光刻机，比如前几年中芯国际向ASML定购的一台EUV光刻机至今仍然没有交货。至于asml普通光刻机售价是多少，我们没有掌握具体的数据，但是根据2021年asml的财报数据来看，他们全年共出货286台光刻机，总营收186亿欧元。其中EUV光刻机出货是42台，贡献的营收是63亿欧元左右，相当于每台EUV光刻机售价高达1.5亿欧元左右。这意味着剩余的244台光刻机累计销售额大约是123亿欧元左右，平均下来每台光刻机的售价大约是5,000万欧元左右。按照这个价格来计算，2022年第一季度中国大陆购买的金额大约是13.5亿欧元，对应的数量大约是27台左右。当然，这些光刻机当中有很多可能是比较低端的光刻机，那么13.5亿欧元对应的数量有可能更多，所以中国大陆第一季度购买的ASML光刻机就可能达到27台到35台之间。另外第一季度台湾总共进口了8.7亿欧元左右的光刻机，这里面有一部分很有可能是EUV光刻机，剩余的可能是其他普通的光刻机，对应的光刻机数量应该是在11台到17台之间。所以综合算下来，2022年第一季度中国总共购买的ASML光刻机有可能是36台到42台之间。三、解决高端光刻机的问题还得靠自己。从asml业绩的来源可以明显地看出，中国市场对asml来说是多么的重要，其有超过一半的营收来源于中国市场，怪不得前段时间asml一众高管纷纷表示非常重视中国市场的发展。但不管asml有多重视中国的市场，在欧美众多国家的压力之下，他们始终不会向中国出口最顶尖的EUV光刻机，中国只能购买一些中低端光刻机。没有EUV光刻机做后盾，想要生产7纳米以上的芯片基本上不可能，目前一些中低端光刻机最多只能用于生产14纳米的芯片，就算通过多重曝光之后，最多也只能生产10纳米左右的光刻机。虽然中芯国际通过技术工艺上的改进，实现了N+1、N+2工艺，生产出来的芯跟7纳米比较接近，但跟目前世界上最顶尖的5纳米，甚至3纳米芯片相比，仍然有很大的差距。所以想要解决我国芯片问题，光靠进口光刻机是行不通的，西方国家永远不可能把最先进的设备卖给我们，想要缩小我国芯片制造实力跟世界顶尖水平的差距，还得靠自力更生，打铁还需自身硬。asml是哪个国家的？荷兰。阿斯麦（ASML Holding N.V.）是在荷兰费尔德霍芬的半导体设备制造商。公司同时在欧洲和美国NASDAQ上市。有从业员工28,000多名。阿斯麦公司的主要产品是用于生产大规模集成电路的核心设备光刻机。在世界同类产品中有90％的市占率，在14纳米制程以下有100％的市占率。总部位于荷兰埃因霍芬（Eindhoven），欧洲人均科研经费排名第二的高科技公司。ASML在欧洲、亚洲及美国的50多个地区拥有9245名员工，其中固定员工7184，男女比例为9：1。据Bloomberg数据，2018年全球五大半导体设备制造商分别为应用材料（AMAT）、阿斯麦（ASML）、东京威力科创（TEL）、科林研发（Lam Research）、科磊（KLA）。现在市场上提供量产商用的光刻机厂商依照排名，首位阿斯麦、第二名尼康（Nikon）、以及佳能（Canon）共三家，根据2007年的统计数据，在中高端光刻机市场，阿斯麦公司约有60%的市场占有率。而最高端市场（immersion），阿斯麦公司目前约有90%的市场占有率，在14纳米节点以下更获取100%市占率，同业竞争对手已无力追赶。TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生产效率最高，应用最为广泛的高端光刻机型。目前全球绝大多数半导体生产厂商，都向ASML采购TWINSCAN机型，例如英特尔、三星、海力士、台积电、联电、格罗方德及其它台湾十二英寸半导体厂。除了目前致力于开发的TWINSCAN平台外，阿斯麦公司还在积极与IBM等半导体公司合作，继续研发光刻技术，用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。历史发展2008年，阿斯麦公司已超过日商东京威力科创成为世界第二大半导体设备商。2010年，以销售额计算阿斯麦公司高端光刻机市占率已达到将近90%。2011年，阿斯麦公司已超过美商应用材料公司(Applied Materials, Inc)成为世界第一大半导体设备商。2012年7月10日英特尔斥资41亿美元收购荷兰芯片设备制造商阿斯麦公司的15%股权，另出资10亿美元，支持阿斯麦公司加快开发成本高昂的芯片制造科技。2012年10月17日ASML Holding NV（ASML）与Cymer (CYMI)宣布签订合并协议，阿斯麦公司将以19.5亿欧元收购Cymer所有在外流通股票，收购Cymer目的在于加速开发Extreme Ultraviolet半导体蚀微影技术。asml是哪个国家的asml是荷兰的。荷兰ASML公司 (全称： Advanced Semiconductor Material Lithographyasml，目前该全称已经不作为公司标识使用asml，公司的注册标识为ASML Holding N.V)asml，中文名称为阿斯麦尔（中国大陆）、艾司摩尔（中国台湾）。这是一家总部设在荷兰艾恩德霍芬（Veldhoven）的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。扩展资料：公司简介总部位于荷兰艾恩德霍芬（Veldhoven），欧洲人均科研经费排名第二的高科技公司。2010年，其全球净销售收入超过45亿欧元。2011年，卖出222套机器 ，全球净销售收入56.51亿欧元 ，净利润14.67亿欧元。ASML在欧洲、亚洲及美国的50多个地区拥有9245名员工 ，其中固定员工7184 （欧洲4202 ，亚洲1538 ， 美国1444 ），男女比例为9：1 。截止2011年，全球市场占有率75%。中国地区总部地址：上海市张江镇金科路2889号长泰广场A座9楼参考资料来源百度百科-荷兰ASML公司ASML是什么意思ASML (全称: Advanced Semiconductor Material Lithography,目前该全称己不做为公司标识使用，公司的注册标识为ASML Holding N.V)，是总部设在荷兰Veldhoven的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。2006年，其全球净销售收入超过35亿欧元。ASML在欧洲、亚洲及美国的50多个地区拥有6000多名员工（其中欧洲约3500，亚洲约1000， 美国约1500）。在2007年6月，VLSI公布的全球最佳芯片制造设备供应商榜上，ASML排名第二。2007财政年销售收入为56亿美元（38亿欧元），增长了5.9%。同期净收入增长了10.1%，达到了10亿美元。净收益占销售收入的18.1%，而在2006年为17.4%。 51xunhui回答

它的原理是采用纳米技术，非常高科技的一种微观技术。这样的技术可以使信息的保存更加的严密，不会被盗取，同时它的耐用时间也非常的长。

一般来说是用激光。比如说要在玻璃上刻蚀图形，大致步骤为：清洗玻璃、干燥、在玻璃上涂覆光致抗蚀剂（即光刻胶有正性和负性之分）、干燥（固化）、曝光（方式很多，如激光直写、通过掩模板同时曝光等）、去胶（光刻胶曝光后性质发生光化学变化，去胶的方法也很多，如放在刻蚀剂中，用正性胶的话，被光照到的地方就会被溶解，没有光照到的地方光刻胶保留下来，到这里就已经在光刻胶上刻蚀出了所需图形）、清洗、转移（方法更多，如离子束轰击，光刻胶和玻璃同时被轰击，光刻胶被轰击完后，暴露出来的玻璃也被轰击，就把光刻胶上的图形转移到玻璃上）。实际上，光刻的方法和具体步骤相当复杂，对环境要求也非常高，以上只是基本步骤，让你大致了解而已。

和光电电子相关的专业吧，具体专业不用定的太死。你想研发很好没有问题，建议你找一个相近的专业先学着，也许在学习期间你就能找到自己更适合的感兴趣的研究方向。俗话说，热爱是最好的老师。只有对专业的兴趣和热爱，你才能更好的钻研进去，也才能在某一方向研发中作出成绩。祝你好运，心想事成。

芯 东西（ID：aichip001）文 | 董温淑 现在，5nm制程芯片作为目前可量产的最先进芯片，将是顶级手机的标配，也是摩尔定律真正的捍卫者。年内将推出的华为Mate 40采用的麒麟1020芯片、苹果iPhone 12搭载的A14仿生芯片不出意外，都会采用5nm制程。 不少证据正在证实这一点，3月份，有爆料称台积电成功流片麒麟1020；4月份，台积电宣布为苹果代工A14芯片；在近期的中美贸易摩擦中，台积电是否能按时向华为出货Mate 40芯片也着实让人捏了一把汗。这一连串事件之中，为两大手机龙头代工芯片的台积电成为关键角色，举足之间关系着华为手机芯片供应的命运。 然而， 台积电能吃下苹果、华为的5nm订单，背后还少不了一家荷兰厂商的存在 ：芯片制造要想突破10nm以下节点，必须要用到EUV（极紫外线）光刻技术，而 EUV光刻机只有荷兰公司阿斯麦（ASML）能造 。不论是5nm量产赛道第一名台积电，还是第二名三星，想造出产品，就只能先乖乖向阿斯麦订货。 作为全球5nm产线不可或缺的狠角色，阿斯麦到底是一家什么样的公司？ 我们不妨先理解“光刻”这项技术的重要性。如果把芯片比作刻版画。芯片生产的过程就是在硅衬底这张“纸”上，先涂上一层名为光刻胶的“油墨”，再用光线作“笔”，在硅衬底上“拓”出需要的图案，然后用化学物质做“刻刀”，把图案雕刻出来。 其中，以光线为“笔”、拓印图案这一步被称为光刻。在芯片制造几百道工序里，光刻是芯片生产中最重要的步骤之一。图案线条的粗细程度直接影响后续的雕刻步骤。目前市场上主流的光刻技术是DUV（深紫外线）技术，最先进的则是EUV技术。 完成这一步需要用到的设备——光刻机，一台售价从数千万美元高至过亿美元。要知道，美国最先进的第五代战机F-35闪电II式的售价还不到8000万美元。 放眼全球，光刻机市场几乎被3家厂商瓜分：荷兰的阿斯麦（ASML）、日本的尼康（Nikon）和佳能（Canon）。 在这3家中，阿斯麦又是当之无愧的一哥。据中银国际报告， 阿斯麦全球市场市占率高达89% ！其余两家的份额分别是8%和3%，加起来仅有11%。 在EUV光刻机市场中，阿斯麦的市占率则是100% 。 要指出的是，阿斯麦并非生来就含着金汤匙。阿斯麦成立于1984年，入局光刻机市场晚于尼康（1917年成立，1980年发售其首款半导体光刻机）和佳能（1937年成立，1970年推出日本首台半导体光刻机）。成立之初，阿斯麦只有31名员工，还曾面临资金链断裂的窘境。 36年间，这家几近破产的小公司是怎样成长为光刻机一哥的？又是如何在十多年里占据第一宝座屹立不倒的？今天，智东西就来复盘这家荷兰光刻机之星的逆袭之路。 更为重要的一点，在美国狙击华为芯片供应的组合拳里，阿斯麦间接或直接地成为一颗关键棋子，美国人凭什么限制阿斯麦的生意，背后又有怎样的渊源？ 在郁金香国度荷兰的南部，坐落着一个居民人数20余万的市镇，艾恩德霍芬，阿斯麦（Advanced Semiconductor Material Lithography，直译：先进半导体材料光刻技术）总部就位于此。 阿斯麦是一家采用“无工厂模式”的光刻设备生产商，主要产品就是光刻机，还提供服务于光刻系统的计量和检测设备、管理系统等。 翻开全球芯片厂商的光刻机订货单，其中绝大多数都发给了阿斯麦。以2019年为例，阿斯麦共出货229台光刻机，净销售额为118.2亿欧元，净利润为25.2亿欧元。相比之下，尼康出货46台，佳能出货84台。 ▲阿斯麦、尼康、佳能出货量对比 除了出货量占优，阿斯麦（ASML）也代表着全球最顶尖的光刻技术。在阿斯麦2019年卖出的229台光刻机中，有26台是当今最高端的EUV（极紫外线）光刻机。而在EUV光刻市场，阿斯麦是唯一的玩家。 EUV光刻机采用13.5nm波长的光源，是突破10nm芯片制程节点必不可少的工具。也就是说，就算DUV（深紫外线）光刻机能从尼康、佳能那里找到替代，但如果没有阿斯麦的EUV光刻机，芯片巨头台积电、三星、英特尔的5nm产线就无法投产。 时间迈进2020，光刻机市场三分的格局中，阿斯麦已稳居第一10多年。在“光刻机一哥”光环的背后，阿斯麦又有怎样的故事？ 智东西从技术路线选择、先进技术攻关、资金支持、研发投入等方面入手，还原出这个故事真实、立体的脉络。 罗马不是一天建成的，阿斯麦的成功也绝非一蹴而就。今日风头无两的光刻机市场一哥背后，是一个卑微的开始和一段曲折的往事。 故事要从20世纪80年代讲起，那时候距离摩尔定律被正式提出（1975年）不到10年，增加芯片晶体管数目还不是让全球半导体学者挤破头的课题。相应地，对光刻机光源波长的要求较低。当时的光刻机采用干式微影技术，简言之，光源发光，光线在涂有光刻胶的硅基底上“画”就完了。 比如，1980年尼康推出的可商用步进式重复式光刻机（Stepper），光源波长为1微米。连芯片厂家英特尔也自己设了个光刻机部门，用买来的零件组装光刻机。 通俗来说，步进式重复光刻机的工作原理是使涂有光刻胶的硅片与掩膜板对准并聚焦，通过一次性投影，在晶圆片上刻画电路。 ▲尼康1980年推出的光刻机NSR-1010G 在这种背景下，荷兰电子产品公司飞利浦在实验室鼓捣出了步进式扫描光刻技术的雏型，但拿不准这项技术的商业价值。思前想后，它决定拉人入伙，让合作者继续研发，这样既有人分摊成本，也给了自己观望的机会。 步进式扫描光刻技术的原理是，光线透过掩膜板上的狭缝照射，晶圆与掩膜板相对移动。完成当前扫描后，晶圆由工作台承载，步进至下一步扫描位置，进行重复曝光。整个过程经过重复步进、多次扫描曝光。 ▲步进式扫描光刻技术示意图 在飞利浦的设想里，理想的合伙人当然是技术先进、实力雄厚的美国大厂，如IBM、GCA之流。但在美国走了一圈后，飞利浦意识到了现实的骨感：各大厂商纷纷表示拒绝。 但是，并非所有人都不看好飞利浦的光刻项目，就在飞利浦碰壁之际，荷兰小公司ASMI（ASM International，直译为ASM国际）的老板Arthur Del Prado跑来，自荐要接下飞利浦的光刻项目。 ▲Arthur Del Prado ASM International创立于1964年，是一家半导体设备代理商，对制造光刻机并无经验。因此，飞利浦犹豫了1年的时间。最终，1984年，飞利浦选择“屈就”，同意与ASMI公司各自出资210万美元，合资成立阿斯麦，由这才开启了阿斯麦的故事。 阿斯麦首任CEO为Gjalt Smit，任职时间为1984～1988年。据称，由于阿斯麦成立初期知名度较低，Gjalt Smit曾在未经授权的情况下在阿斯麦招聘广告中使用飞利浦的标志。 ▲阿斯麦创始初期CEO Gjalt Smit 2013年至今，阿斯麦总裁兼CEO由Peter Wennink担任。Peter Wennink早在1999年就加入了阿斯麦，曾担任过执行副总裁、首席财务官等职。在加入阿斯麦之前，Peter就职于全球四大会计师事务所之一的德勤会计师事务所。 ▲现任阿斯麦总裁兼CEO Peter Wennink 其实，在与飞利浦合资成立阿斯麦之前约10年的1975年，ASMI就曾在香港开设办公室。最初，ASMI香港办公室只负责销售，随着时间推移，该办公室发展出了生产能力。1988年，ASMI在香港办公室的基础上成立了新公司ASMPT（ASM PACIFIC Technology，直译为ASM太平洋技术）。到今天，ASMPT已成长为全球最大的半导体组装和封装技术供应商之一。 作为站在阿斯麦、ASMI、ASMPT背后的操盘手，Arthur Del Prado成为一代业界传奇，被誉为“欧洲半导体设备行业之父”。2016年，这位传奇人物以85岁高龄逝世，但与他渊源颇深的三家半导体公司仍在创造新故事。Arthur的长子Chuck Del Prado，于2008年接替Arthur继任为ASMI CEO，并于2019年退休。ASMI现任CEO是Benjamin Loh。ASMPT现任CEO是Robin Ng。 回到阿斯麦的故事，飞利浦同意出资210万美元成立阿斯麦，但拒绝提供更多资金和办公场地。成立之初的阿斯麦只有31名员工，由于没有办公室，这31名员工就窝在飞利浦大厦外的简易木板房里办公。当时， 飞利浦绝不会想到，这个几乎被当作“弃子”的项目和退而求其次选择的小公司，孕育出的是能把尼康拉下马的光刻机新星。 ▲垃圾车后面就是阿斯麦成立之初的简易木板屋，其后的大厦是飞利浦大厦 如前所说，20世纪80年代还是光刻机的技术红利期。在干式微影技术的技术路线下，阿斯麦成立的第一年就造出了步进式扫描光刻机PAS 2000。 但是，技术的红利期很快就会过去，之后发生的一切会造就光刻机市场的新格局。 ▲阿斯麦于1984年推出的PAS 2000 进入21世纪，为了延续摩尔定律，人们改进了晶体管架构方式，但光刻机光源波长卡在了193nm上。这造成的后果是光刻“画”出的线条不够细致，阻碍晶体管架构的实现。要解决这个问题，最直接的方式就是把光源波长缩短，比如尼康、SVG等厂商试图采用157nm波长的光线。 实践中，实现157nm波长的光刻机并不容易。首先，157nm波长的光线极易被193nm光刻机使用的镜片吸收；其次，光刻胶也要重新研发；另外，相比于193nm波长，157nm波长进步不到25%，回报率较低。但在当时，这似乎是唯一的办法。 到了2002年，时任台积电研发副经理林本坚提出：为什么非要改变波长？在镜头和光刻胶之间加一层光线折射率更好的介质不就行了？那么什么介质能增加光的折射率呢？林本坚说，水就可以。与干式光刻技术相对，林本坚的技术方案被称为浸没式光刻技术。经过水的折射，光线波长可以由193nm变为132nm。 时间再往回推15年（1987年），林本坚就职于IBM，那时他就有了浸没式光刻技术的想法。2002年芯片制程卡在65nm之际，林本坚看到了浸没式光刻技术的机会。为了解决技术难题、消除厂商疑虑，林本坚花费半年时间带领团队发表3篇论文。 当时，业界质疑水作为一种清洁剂，会把镜头上的脏东西洗出来，还有人担忧水中的气泡、光线明暗等因素会影响折射效果。根据林本坚团队的研究，他们提出了一种曝光机，可以保持水的洁净度和温度，使水不起气泡。虽然这种曝光机并未在实际中被采用，但林本坚的研究证明了技术上的难题是可以被解决的。 他还亲自奔赴美国、日本、德国、荷兰等地，向光刻机厂商介绍浸没式光刻的想法。但是，有能力进行研发的大厂普遍不买账。 ▲林本坚 个中原因也不难理解，自20世纪60年代起，玩家入局光刻机市场，在干式光刻技术上投入了大量财力、人力、物力，好不容易踏出一条可行的技术路线。如果按照林本坚“加水”的想法，各位前辈就得“一夜回到解放前”，从技术到设备重新 探索 。很少有人舍得这么高的沉没成本。但是，“很少有人”不代表“没有人”。 奔波到荷兰后，林本坚终于听到了一个好消息： 阿斯麦愿做这第一个吃螃蟹的勇士 。2003年10月份，ASML和台积电研发出首台浸没式光刻设备——TWINSCAN XT：1150i。2004年，阿斯麦的浸没式光刻机改进成熟。同年，尼康宣布了157nm的干式光刻机和电子束投射产品样机。 但是，一面是改进成熟的132nm波长新技术，一面是157nm波长的样机，胜负不言而喻。 数据显示，在2000年之前的16年里，ASML占据的市场份额不足10%。2000年后，阿斯麦市场份额不断攀升。 到2007年，阿斯麦市场份额已经超过尼康，达到约60%。 当命运之神把浸没式光刻微影的机遇摆放到阿斯麦、尼康等玩家面前，只有阿斯麦勇敢地伸出手，而尼康则是成也干式微影、败也干式微影。 在全球光刻机市场这一回合的较量中，阿斯麦选择了正确的技术路线，从而赢得了后来居上的机会。 ▲首台浸没式光刻设备——TWINSCAN XT：1150i 如果说推出浸没式光刻机让阿斯麦领先尼康一步，那么突破EUV光刻技术则让它成为了名副其实的光刻机一哥。2010年至今，EUV光刻市场中只有阿斯麦一位玩家。 突破10nm节点能够带来的经济效益不必赘述，在众多玩家中，为什么只有阿斯麦掌握了EUV光刻机的核心技术？实际上，这与它集合了美国、欧洲的顶级科研力量有关。 这段故事还要从1997年讲起。 1997年，英特尔认识到跨越193nm波长的困难，渴望通过EUV来另辟蹊径。为了能从其他玩家处借力，英特尔说服了美国政府，二者一起组建了一个名为“EUV LLC（The Extreme Ultraviolet Limited Liability Company，极紫外线有限责任公司）”的组织。EUV LLC里可谓是群英荟萃，商业力量有摩托罗拉、AMD、英特尔等，还汇集了美国三大国家实验室。 EUV LLC里，美国成员构成了主体。在对外国成员的选择上，英特尔和白宫产生了分歧。英特尔看中阿斯麦和尼康在光刻机领域的经验，想拉他们入伙。但白宫认为如此重要的先进技术研发不该邀“外人”入局。 此时，阿斯麦显示出了惊人的前瞻能力，它向美国表示：我愿意出资在美国建工厂和研发中心，并保证55%的原材料都从美国采购，只求你们研究EUV一定要带我玩。 如此诚意让美国难以拒绝，就这样，阿斯麦成为EUV LLC里唯二的两家非美国公司之一，另一家是德国公司英飞凌。 反观尼康，这一次则完全是吃了国籍的亏。1998年发表的文件《合作研发协议和半导体技术：涉及DOE-Intel CRADA的事宜》，写明了尼康被排除在EUV LLC外的终极原因：“……有人担心尼康会成功将技术转移到日本，从而消灭美国的光刻工业。” 1997年到～2003年，阿斯麦和世界顶级的半导体领域玩家聚集在EUV LLC，用了6年时间回答一个问题：EUV有可能实现吗？他们发现答案是肯定的。至此，EUV LLC使命完成，在2003年就地解散，其中各个成员踏上独自研发之路。 其实，其他欧洲、日本、韩国的玩家也曾 探索 过EUV光刻技术。但是，他们的实力始终无法与汇集了美国顶级科研实力的EUV LLC相比，这意味着阿斯麦在EUV研发之路上占得先机。国际光电工程学会（SPIE）官网写出了EUV LLC的重要性：“如果不是EUV LLC对技术的形成和追求，EUV光刻技术就不会成为IC制造领域的未来竞争者。” 6年时间里，EUV LLC证明了用极紫外线作为光源造光刻机是可行的，但却没指出一条明路。到了2005年，EUV光刻机还是连个影子都没有，但巨额的研发资金、难以跨越的技术瓶颈已经足以让大多数玩家望而却步。但是，阿斯麦还是不肯死心，并且决定要牵头欧洲的EUV研发项目。 如果说在EUV LLC中，阿斯麦是蜷缩在角落里等待被其他大玩家“带飞”，那这一次，阿斯麦则是要自己做领头雁。 研发过程面临的困难无非集中在资金和技术两方面，阿斯麦把它们逐个击破。缺钱？那就去找，阿斯麦从欧盟第六框架研发计划中拉来2325万欧元经费。缺技术？阿斯麦集合3所大学、10个研究所、15个公司联合开展了“More Moore”项目，着力攻坚。 终于，2010年，阿斯麦出货了首台EUV光刻机。这台光刻机型号为NXE：3100，被交付给台积电，用于进行研发。 至此，在EUV市场，阿斯麦已经做到了人无我有，接下来的问题就是产品的迭代和进化。2013年，阿斯麦收购了光源提供商Cymer，为公司量产EUV设备打基础。经过几次升级，阿斯麦在2016年推出首台可量产的EUV光刻机NXE：3400B并获得订单。NXE：3400B售价约为1.2亿美元，从2017年第二季度起开始出货。直到今天，产品的迭代还在继续。根据阿斯麦的信息，EXE：5000系列光刻机样机最快在2021年问世。 从1997年到2010年，13年的艰难求索，终于让阿斯麦攻克了EUV的技术高地。辛勤付出终有回报， 目前，阿斯麦仍是唯一掌握EUV光刻技术的厂商。 ▲阿斯麦的最新EUV光刻机TWINSCAN NXE：3400C 根据公开信息，一台EUV光刻机售价约为1.2亿美元，一台DUV光刻机的售价也要数千万美元。在高额售价的背后，是前期研发阶段巨量的资金投入。要支撑对光刻技术的研发，阿斯麦必须找到一条可持续的“财路”，否则就可能陷入困境。 事实上，阿斯麦也的确经历过“财政危机”。1988年，阿斯麦进军台湾市场，还未来得及在新的市场竞争中喘口气，老东家ASMI就因无法获得预期内的回报比作出撤资决定。同时，由于当时全球电子行业市场不乐观，飞利浦也宣布了一项成本削减计划。内外夹击之下，阿斯麦几近破产。好在危机时刻，时任阿斯麦CEO Gjalt Smit联系了飞利浦董事会成员Henk Bodt，后者说服了飞利浦董事会，为阿斯麦拉来一笔约1亿美元的“救命钱”。 这笔资金帮助阿斯麦在进军台湾市场的初期站稳了脚。随后几年，阿斯麦凭借步进式扫描光刻机扭亏为盈，并于1995年3月15日在阿姆斯特丹和纽约证券交易所成功上市，上市首日市值为约1.25亿美元。 ▲Henk Bodt 为了能够获得充足的资金支持，2012年，阿斯麦提出一项 “客户联合投资计划”（CCIP，Customer Co-Investment Program） ，简单来说，就是接受客户的注资，客户成为股东的同时拥有优先订货权。这无疑是一个双赢的举措：把阿斯麦的研发资金压力转移出去，让客户为先进光刻技术的研发买单，这样不仅使阿斯麦无后顾之忧地进行研发，也保证了客户对先进光刻技术的优先使用权。 2012年，芯片制造行业3大龙头英特尔、台积电、三星都推出了22nm芯片产品。CCIP计划一经推出，这3家公司纷纷响应。根据协议，英特尔斥资41亿美元收购荷兰芯片设备制造商阿斯麦公司的15%股权，另出资10亿美元，支持阿斯麦加快开发成本高昂的芯片制造 科技 。台积电投资8.38亿欧元，获取阿斯麦公司约5%股权。三星斥资5.03亿欧元购得3%股权，并额外注资2.75亿欧元合作研发新技术。 最终，阿斯麦以23%的股权共筹得53亿欧元资金。要知道，2012年全年，阿斯麦的净销售额才约为47.3亿欧元。 在 科技 圈，研发、创新能力就是生命力。华为5G、芯片技术为什么强？任正非曾在接受采访时表示，2020年华为将把约200亿美元（约合人民币1420亿元）花在研发上。而在研发方面，阿斯麦与华为一样“疯狂”。 早在2002年，阿斯麦就敢向浸没式光刻技术押注。到了今天，大力投资搞技术研发已经成为阿斯麦的传统。 根据2019年度财报， 阿斯麦全年投入了20亿欧元用于技术研发，占到净销售额（118.2亿欧元）的16.9% 。相比之下，2019年尼康在光刻系统上的投资为3.98亿日元，占到光刻系统营收（2397.28亿日元）的约0.17%。 2007年开始，“时年”13岁的阿斯麦开始以领先的姿态傲然于光刻机市场，至今仍然如此。列出阿斯麦近些年的研发投入，或能解释它这么多年来屹立不倒的原因。 ▲近5年阿斯麦研发投入及营收情况 另外，在专利网站Patentscope上的搜索结果显示， 阿斯麦申请的专利数目已经达到14444项 。阿斯麦虽然是一家商业公司，但支撑它走得更远的，不是对金钱的追求，而是对技术的长远投资。 回顾过去36年，阿斯麦从一个蜷缩在木板房中的小公司成长为一代光刻机巨擘，其中原因少不了 历史 的机遇，如林本坚适时提出了浸没式光刻技术的想法。但是，更具决定性意义的是阿斯麦准确的前瞻和果断的选择，比如，在21世纪初，阿斯麦放弃干式微影，转投浸没式光刻技术；再比如，早在1997年，阿斯麦以自身妥协换来EUV LLC的入场券。对于商业与技术相互促进的关系，阿斯麦还有着深刻的理解，多年来对技术研发的大力投入，成为它屹立不倒的重要原因。手握顶尖的技术，阿斯麦还获得了客户的支持，从而在全球光刻机市场中走得更远。 以阿斯麦这36年的历程为鉴，对比我国。1977年，我国第一台光刻机诞生，加工晶片直径为75毫米。今天，国产光刻机制造商有上海微电子、中科院光电所等，最先进的设备推进至22nm节点，而国际最先进工艺已突破5nm节点。国产光刻机无疑还有很长的路要走。 芯片是“中国制造”的痛点。不论是近期华为被美国断供芯片的新闻，还是两会政府工作报告中“国产化”“功率半导体”“传感器芯片”等话题被一再提及，背后的事实都让人黯然：我们曾在一穷二白的条件下造出原子弹，但在GDP总量近100万亿人民币的今天，中国还是难以独立造“芯”。在种种困难中，光刻技术直接卡住了芯片制造的“脖子”。 要解决这一问题，技术攻关当然是必不可少的。另外，借力国外成熟产品或可帮助芯片制造商实现突破。2018年，我国芯片公司中芯国际花费约1.2亿美元，向阿斯麦订购了一台EUV光刻机。由于种种原因，目前，这台光刻机还未成功交付。我们期待它能够尽快落地中国，助力我国的芯片事业再上一个台阶。中国有市场、有人才，也不缺恒心与毅力，相信我国光刻机事业会有光明的未来。 参考文献： 1、《曾经的光刻机霸主：尼康营收暴减九成，裁员 700 人》EE Times China 2、《全球半导体设备龙头专题（一）》安信证券 3、《阿斯麦封神记：这家荷兰公司，扼住了全球半导体芯片的咽喉》魔铁的世界 4、《光刻机的发展与荷兰ASML公司的故事》光纤在线 5、《做成那不可能之梦：低调华人科学家颠覆技术 影响人类》知识分子 6、《More Moore” Shows European EUV Innovation at EUV 2006 in Barcelona》CORDIS

从28纳米光刻机开始就都是高端光刻机了，中国就差临门一脚了，省下的都是荷兰和日本了

40层的Mo/Si多层膜结构。采用的是反射镜，与透镜的结构原理完全不一样：通常是40层的Mo/Si多层膜结构。反射镜是一种利用反射定律工作的光学元件，反射镜按形状可分为平面反射镜、球面反射镜和非球面反射镜三种。

光刻机被誉为半导体产业皇冠上的明珠。光刻机的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，在某种程度上来说，光刻工艺的决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能与功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工艺也越先进。 “工欲善其事，必先利其器”，光刻机就是芯片制造中的那一把“利器”，也被誉为半导体产业皇冠上的明珠。光刻机的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，在某种程度上来说，光刻工艺的决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能与功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工艺也越先进。 大家都知道，芯片很重要，离开了芯片，几乎所有电子设备都会失去作用。但要是离开光刻机，自然也就制造不出芯片，同样也不可能有手机、电脑等电子设备的产生。 光刻机的关键技术：以光为媒，刻化微纳于方寸之间 指甲盖大小的一枚芯片，内部却包含了上千万个晶体管，犹如一座超级城市，线路错综复杂，这跟光刻机的工作原理相关，其中涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进学科。因此光刻机是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，具备极高的单台价值。 如果单纯从工作原理的角度来解析，光刻机并不复杂。“以光为媒，刻化微纳于方寸之间”，光刻机是通过串联的光源能力以及形状控制手段，将光束透射过画着线路图的校正，经过物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法进行显影、刻蚀处理，最终得到刻在硅片上的电路图。 但是它最难的在于，需要在极小的空间内完成超精细的纳米级雕刻工艺，为具备这项能力。需要掌握的关键技术有很多，主要包括以下几种： 1、“微缩投影系统”即所谓的“光刻机镜头”。这种镜头不是一般的镜头，其尺寸可以达到高2米直径1米甚至更大。光刻机的整个曝光光学系统，可能需要20多块锅底大的镜片串联组成，将光学零件精度控制在纳米级别。每块镜片都由高纯度透光材料制成，还包括高质量抛光处理等过程，一块镜头的成本在数万美元上下; 2、既然叫做“光刻机”，所以“光源”也是光刻机的核心之一，要求光源必须发出能量稳定且光谱很窄很窄的紫外光，这样才能保证加工精度和精度的稳定性。按照光源的发展轨迹，光刻机从最初的紫外光源(UV)发展到深紫外光(DUV)，再到如今的极紫外光(EUV)，三者最大的不同在于波长，波长越短，曝光的特征尺寸就越小。 (资料源自上海微电子官网、东兴证券研究所，OFweek电子工程网制图) 最早的光刻机采用汞灯产生的紫外光源，从g-line一直发展到i-line，波长从436nm缩短到365nm。随后，业界利用电子束激发惰性气体和卤素气体结合形成的气体分子， 向基态跃迁时所产生准分子激光的深紫外光源，将波长进一步缩短至193nm，由于在此过程中遇到了技术障碍，因此采用浸没式(immersion)等技术进行矫正后，光刻机的极限光刻工艺节点可达28nm。 如今，业界最先进的光刻机是EUV光刻机，将准分子激光照射在锡等靶材上，激发出波长13.5nm的光子作为光刻机光源。EUV光刻机大幅度提升了半导体工艺水平，能够实现7nm及以下工艺，为摩尔定律的延续提供了更好地方向。而业界也只有ASML一家能够提供EUV设备，处于产业金字塔顶端; 3、分辨率，对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面都有关系，总体来说，分辨率和光源波长的关系可以用公式“R(分辨率)=K1(工艺参数)λ(光源波长)/NA(光学镜头的数值孔径)”; 4、工艺节点，是反映芯片技术工艺水平最直接的参数。工艺节点的尺寸数值基本上和晶体管的长宽成正比关系，每一个节点基本上是前一个节点的0.7倍，0.7X0.7=0.49，所以每一代工艺节点上晶体管的面积都比上一代小大约一半，因此单位面积上的晶体管数量将翻番，这就是著名的摩尔定律。一般18～24个月，工艺节点就会发展一代。 工艺节点发展以28nm为分水岭，虽然依然按照0.7倍的规律前进，但实际上晶体管的面积以及电性能的提升远落后于节点数值变化。比如英特尔当时统计数据显示，他们20nm工艺的实际性能已经相当于三星14nm和台积电的16nm工艺。更麻烦的是，不同厂商工艺节点换算方法不一，导致了很多理解上的混乱。因此，只有对芯片有很高要求的产品才会采用28nm及以下先进工艺。当然，发展到现在，台积电已经开发出了更为先进的5nm工艺并实现量产，今年下半年就会有搭载相关芯片的产品面世。 高端光刻机为什么难买又难造? 一般来说，一条芯片生产线上需要好几台光刻机，而一台光刻机的造价也非常高，其中成像系统和定位系统最贵，整台设备算下来造价三千万到五亿美元不等。此外，光刻机上的零部件还包括来自瑞典的轴承、德国的镜头、美国的光栅、法国的阀件等等，都属于各个国家的高端工艺产品。 光刻机的折旧速度非常快，每天大概就要花费3～9万人民币，将其称为“印钞机”也不为过。正是因为光刻机昂贵的造价和上文中提到的各项高先进技术，ASML一年也只能制造出20多台EUV光刻机。 这么昂贵的设备，ASML公司一年卖出几台就够养活整个公司了，中国市场一直以来都是ASML看好的重点业务区域，但是却偏偏不能向中国出售高端光刻机，为什么呢?这里就要提到《瓦森纳协定》。比如中芯国际苦苦等待的EUV光刻机，虽然设备一直没到，但是也没有因此停止研发进程，已经在14nm的基础上研发出“N+1”、“N+2”工艺，等同于7nm工艺，公司联合首席执行官兼执行董事梁孟松也透露出，现阶段哪怕不用EUV光刻机，也可以实现7nm工艺。但想要大规模成熟量产，依然离不开EUV光刻机。 中国又被誉为“制造大国”，既然买不着，那自己造如何? 在过去，搜狐能 copy 雅虎，淘宝能 copy eBay，滴滴 copy Uber，那咱们能不能 copy 一个ASML出来自己造光刻机?要知道，ASML可谓是当前光刻机领域的“一哥”，尽管尼康和佳能与之并称“光刻机三巨头”，但在支持14nm及以下的光刻机上，唯有ASML一家独大。 “光刻机之王”ASML的成功难以复制。ASML出身名门，由原本荷兰著名的电器制造商飞利浦公司半导体部门独立拆分出来，于2001年更名为 ASML。 在ASML背后，还有英特尔、三星、台积电、SK海力士等半导体巨头为其撑腰，只有投资了ASML，才能成为其客户，拿到光刻机产品的优先供货权。多方资本注入下，ASML也有了更多强化自身实力的机会： 2001年，ASML收购美国光刻机厂商硅谷集团获得反射技术，市场份额反超佳能，直追尼康; 2007年，ASML收购美国 Brion 公司，成为ASML整体光刻产品战略的基石; 2012年，ASML收购全球知名准分子激光器厂商Cymer，加强光刻机光源设备及技术; 2016年，ASML收购台湾半导体设备厂商汉微科，引入先进的电子束晶圆检测设备及技术; 2016年，ASML收购德国卡尔蔡司子公司24.9%股份，加强自身微影镜头技术; 2019年，ASML宣布收购其竞争对手光刻机制造商Mapper知识产权资产。 在上文中提到，光刻机设备融合了多门复杂学科，不仅种类繁多，还要求是当前该领域最先进的技术，放眼当下没有任何一家公司敢说自己能在这些领域都做到最好。也就只有ASML能够不断通过自研、收购等方式，一步步走上神坛。 说出来很多人可能不信，我国最早研发光刻机的时候，ASML还没有出现。资料记载，1977年也就是中国恢复高考那年，我国最早的光刻机-GK-3型半自动接近式光刻机诞生，由上海光学机械厂试制。 80年代其实开了个好头，1981年，中国科学院半导体所成功研制出JK-1型半自动接近式光刻机样机。1982年国产KHA-75-1光刻机的诞生，估计跟当时最先进的佳能相比也就相差4年。1985年中国第一台分步投影式光刻机诞生，跟美国造出分布式光刻机的时间差距不超过7年。这些都说明当时中国其实已经注意到了投影光刻技术的重要性，只是苦于国内生产工艺尚不成熟，所以很难实现量产。 80年代末期，“造不如买”的思想席卷了大批制造企业，我国半导体产业研发进程出现了脱节，光刻机产业也未能幸免。 虽然后续一直在追赶国外列强的脚步，但产业环境的落后加上本来就与世界先进企业有差距，使得中国终究没有在高端光刻机领域留下属于自己的痕迹。 “眼看他起朱楼，眼看他楼塌了”，80年代初期奠定的中国光刻机产业基础就这样被轻视了。这也是为什么我国光刻机产业一直赶不上国外的原因，再加上光刻机制造所需要的各种零部件，也都受到不同程度的管制，如今想再追回来，实在太难。 中国高端光刻机正在路上 2001年， 科技 部和上海市于2002年共同推动成立上海微电子装备公司，承担国家“863计划”项目研发100nm高端光刻机。据悉，中电科四十五所当时将其从事分步投影光刻机团队整体迁至上海参与其中; 2008年， 科技 部召开国家 科技 重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"推进会，将EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向。中国企业也将EUV光刻机列为了集成电路制造领域的发展重点对象。 如今，国内从事光刻机及相关研究生产的除了上海微电子装备、合肥芯硕半导体、江苏影速集成电路装备以外，还有清华大学精密仪器系、中科院光电技术研究所、中电科四十五所等高校/科研单位。 在研发成果上，2016年，清华大学“光刻机双工件台系统样机研发”项目成功通过验收;2016年，清华大学“光刻机双工件台系统样机研发”项目成功通过验收;2018年，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备”通过验收，也是世界上首台用紫外光源实现22nm分辨率的光刻机，意义在于用便宜的光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景。 可以看到，在光刻机的自主研发进程上，中国也取得了很大的进步。但相对来说比较缓慢，要想真正研发出高端光刻机，需保证多个学科和领域的技术水平达到或者超过世界先进水平，任何一环节落下都会影响产品的性能。 这是美国的精准打击，有本事查查这个馊点子是如何出笼？我觉得正是我们50年代人掌舵时缺乏几乎所有科学知识，被自己权力切割，连同40后与60后的纽带一同切掉，30后已失能，40后除做房地产的尖子，其余趋向失能，50后是鸿沟的分界，权力中心做自然科学的极少，人才都是做买卖的，买不到自然只有造，说造，得创新，虽然少，但不乏有能做光学化学电学，机电一体化的，光电的组织能力，基本都要退休能要吗？后来60，70都是40，50教的，他们都缺乏系统边缘渗透交融能力，天天喊隔行如隔山，各霸一方，搞这种综合高 科技 设备既缺乏专业精通，又少有隔行合作的气量，包括航空发动机也一样，他瞄准了不打这，那打什么？ 因为世界上的高端光刻机只有荷兰在生产，产量有限所以难买。光刻机融合了工业制造的几乎各个方面的高精技术所以也难造。 高端光刻机难买是因为以美国为首的西方国家对中国进行严密的技术封锁，难造是因为光刻机是高 科技 的集成产品，在我国基础如此薄弱的情况下还能取得如此成绩本身就是一个奇迹，假以时日，光刻机也会象盾构机一样被攻克。 难买是别个不想让你超越自己！难造是因为之前有配套设施没把它当回事！接下来重视起来了就不难造了！

非常难。因为芯片制造牵扯的技术非常多，而且是最先进的科技，所以芯片制造非常难。

有原子弹就行，干吗要高端光刻机？

我打个比方吧，光刻相当于制作模板，刻蚀相当于按照模板去刻印东西。光刻指的是将光刻胶铺在光刻板上，然后对着光刻板用某种光线（紫外光、红外光等）有选择性的去照射光刻胶，光刻胶有正性光刻胶和负性光刻胶两种。刻蚀是指将已经光刻后的光刻胶+光刻板用溶液冲洗，如果是正性光刻胶，被光照射的部分则会被清洗掉，如果是负性光刻胶，未被光照射的地方则会被清洗掉，清洗完就会出现想要的形状

摘要：光刻机和芯片有什么关系？在芯片制造过程中是离不开光刻机的，光刻机是制造芯片的核心装备，芯片的集成水平取决于光刻机的精度。光刻机和芯片哪个更难？都很难的，不过光刻机难度最大，目前我国只能自主量产90纳米光刻机，与荷兰的差距还很大。一、光刻机和芯片有什么关系光刻机又被称为掩膜对准曝光机，在芯片生产中用于光刻工艺，而光刻工艺又是生产流程中最关键的一步，所以光刻机又是芯片生产中不可缺少的设备，总得来说光刻机是用来制造芯片的。光刻机是光刻技术的载体，而光刻技术是芯片技术的重要部分，光刻机的原理就是用光把图案投射到硅片上。如果想要自主生产芯片，光刻机是必要的，就像工业中的机床一样。光刻机与芯片存在着密不可分的关系。芯片与光刻机的关系，就好比是鱼和水。没了光刻机，再高端的芯片技术也只能停留在理想层面。目前，世界最高端的光刻机来自荷兰，相信不久之后中国也能拥有独立自主的光刻机技术。二、光刻机和芯片哪个更难都很难的。因为芯片从设计到生产制造都是一个复杂工艺，目前国内，芯片设计软件和生产核心光刻机都是国外的。不过光刻机难度最大，因为再好的设计也需要做出来才能算成功，而且还要保持良品率。以我们掌握程度为难易判断标准，我们掌握了就不算难，没掌握的就算难。芯片设计，手机通信我们有华为，中兴，展锐等。通用桌面服务器有龙芯，华为，申威等。我们已经具有完整的正向设计能力，部分芯片设计已经接近顶尖水平，差距一代不到。芯片制造，中芯国际量产14纳米，有望突破7纳米。华虹半导体也已经初步量产14纳米。跟最先进的台积电和三星半导体比还有很大的差距，差距一代多。光刻机，我们可以完全自主量产90纳米光刻机。现在最先进的极紫外光刻机只有荷兰ASML能够供货，我们跟ASML差了三代。根据公开信息，我们28纳米光刻机关键部件已经全部完成攻关，今年底有望出整机样机，两年内量产。28纳米现在世界上有两个国家量产，荷兰和日本。我们今年如果能够踏入这个阵营，差距缩小到一代。综合起来，光刻机差距现在最大，是最难的。但不管什么技术，只要持续不断的投入，不被眼前的困难吓倒，培养人才梯队，追赶和超越是迟早的。

1. 中微3nm光刻机简介中微3nm光刻机是一种新型的纳米加工设备，其最小加工精度可以达到3nm。该设备是由中微半导体制造股份有限公司自主研发的，具有高精度、高效率、高可靠性等特点。2. 中微3nm光刻机的工作原理中微3nm光刻机的工作原理是利用紫外光将光刻胶曝光在芯片表面上，然后进行显影、加工等工序，最终形成芯片上图形及器件的图案。其中，光刻胶的种类及使用技术对加工品质和加工效率有着至关重要的影响。3. 中微3nm光刻机的应用领域中微3nm光刻机主要应用于芯片制造、光电子器件、生物芯片、纳米机械制造等领域。随着科学技术的不断发展，这些领域的应用将会越来越广泛。同时，中微3nm光刻机也将逐渐成为国内外纳米加工领域中的重要装备之一。4. 中微3nm光刻机的优势与发展趋势与其他光刻机相比，中微3nm光刻机具有更高的加工精度、更短的加工周期、更高的加工效率等优势。随着信息技术和人工智能等领域的不断发展，对纳米加工设备的需求也越来越大，因此，中微3nm光刻机将会迎来更广阔的发展空间。5. 中微3nm光刻机的市场前景目前，中微3nm光刻机在国内外市场上的销售量逐年增加。预计未来几年中，由于芯片和纳米加工领域的快速发展，中微3nm光刻机的销售量还将不断攀升。同时，在各种新型申请上的应用和实验中，它将发挥越来越重要的作用。6. 总结中微3nm光刻机的问世，为纳米加工技术的发展提供了有力的技术支持，它也将成为纳米加工设备领域中的新星。我相信，有了这种高精度的纳米加工设备，我们的科技水平将会得到更大的提高。

压缩制冷制热作为核心执行器。光刻机温控系统原理在本气体温度控制中的优劣，最后选择了压缩制冷制热作为核心执行器。光刻机（MaskAligner）又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。

这位网友说，“记得十年前的课本上就介绍世界上最小的汉字"中国"是通过移动硅原子写出来的。 难道光刻的级别比原子级别更小，这不合逻辑吧。”这位提出问题的朋友可能对光刻机不太了解。这么说吧，光刻机就是一种感光技术，给电子设备（当然是纳米级别的）投影。这种投影要求精度非常高，甚至一点点的震动都可能照成不可挽回的次品出现。因此，光刻机在光刻时需要在真空条件下进行。同时，光刻的光源要求十分苛刻。光刻机分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。按照发展轨迹，最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源（UV）。之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源（DUV），将波长进一步缩小到ArF的193 nm。由于遇到了技术发展障碍，ArF加浸入技术成为主流。由于157 nm波长的光线不能穿透纯净水，无法和浸入技术结合。因此，准分子激光光源只发展到了ArF。通过浸没式光刻和双重光刻等工艺，第四代ArF 光刻机最高可以实现22nm 制程的芯片生产，但是在摩尔定律的推动下，半导体产业对于芯片制程的需求已经发展到14nm、10nm、甚至7nm，ArF 光刻机已无法满足这一需求，半导体产业将希望寄予第五代EUV 光刻机。从这点上来看，光刻机的光源系统有多恐怖。不是简单的曝光就能解决的问题。而光源的来源更是令人难以置信。从这些简易的工作原理图上我们就能知道，光刻机要求的技术实在太高了。就拿减震装置来说，目前只有德国能制造出世界上最小，精度最高的轴承来。一台光刻机有上万各部件，每个部件都是极其精密的。其工作原理及其复杂。当然，我们通过隧道显微镜可以看到原子，甚至通过技术手段可以移动某个原子。但是，芯片生产你不可能一个个地移动原子。一个芯片有上百亿个电子器件，不可能靠一个个地移动原子来完成。原子的直径一般在1E-10米左右，也就是0.1纳米级别，因此，移动原子与光刻机是两码事。制造光刻机的难度远比移动原子的难度大得多。

很大

光刻机原理是什么，为何在我国如此重要？一台EUV光刻机售价一亿美金以上，比很多战斗机的售价都要贵。先进的光刻机必须要用到世界上最先进的零件和技术，并且高度依赖供应链全球化，荷兰的ASML用了美国提供的世界上最好的极紫外光源，德国蔡司世界上最好的镜片和光学系统技术，还有瑞典提供的精密轴承。另外，为了给光刻机的研发提供充足的资金，ASML还强制让三星，台积电，英特尔等重要客户入股投资了ASML并一起参与开发和反馈光刻机设备存在的问题，ASML得到了最先进的技术和大量的资金支持。中国目前由于瓦纳森条约先进设备禁运，很难买到国外的一些先进设备和技术，中国只能靠自己独立自主发展光刻机，同时我们国家的精密加工和先进制造业还不是很发达，很多零件的性能不如国外，甚至有些零件我们还造不出来，这就导致我们国家先进光刻机的研发进度远远落后于ASML，我们国家自己研发的光刻机目前最好的是上海微电子的90nm制程的光刻机,跟ASML差距很大，虽然这条道路很艰难，但是如果我们做不出来，美国就会一直卡我们的脖子，我们自己的光刻机也在努力追赶世界先进水平。光刻机涉及的核心技术太多，不是几句话能说透，否则也不至于成为“卡脖子”的技术与设备，至少从机械方面的精密加工，甚至可以说极精密加工、微电子、程序控制、光电技术与感应系统……太多太多了，应该说全是难点，尤其是这些技术要组合在一起协同工作，就成了难上加难了，我的疑惑是为什么荷兰，现在应该叫尼德兰了，是如何会在这个领域如此独占鳌头的。

　　1、光刻机可以分为用于生产芯片、用于封装和用于LED制造。按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV），光源的波长影光刻机的工艺。光刻机可分为接触式光刻、直写式光刻、投影式光刻。 　　2、原理：接近或接触式光刻通过无限靠近，复制掩模板上的图案；直写式光刻是将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工。投影式光刻光刻因其高效率、无损伤的优点，是集成电路主流光刻技术。

主要原理如下：1、真空室：光刻机的真空室是一个密闭的腔体，其中通过真空泵抽取空气使之达到高度真空状态，以保证光刻工艺的顺利进行。2、真空泵：真空泵的作用是将真空室内的气体抽出，使气压低于大气压，进而产生真空环境。常见的真空泵包括机械泵、扩散泵等。3、压力传感器：压力传感器用于实时测量并反馈真空室内的压力值，以便对真空度进行调节和控制。在环控真空系统中，压力传感器可以帮助用户了解当前真空度情况，并根据需要调整真空度。4、控制系统：环控真空系统还包括一个控制系统，用于自动化地控制真空泵和压力传感器等设备，以保持恒定的真空度。

中国、日本、荷兰。在能够制造机器的这几家公司中，尤其以荷兰（ASML）技术最为先进。价格也最为高昂。光刻机的技术门槛极高，堪称人类智慧集大成的产物。目前在全球45纳米以下高端光刻机市场当中，荷兰ASML市场占有率达到80%以上，而且目前ASML是全球唯一能够达到7纳米精度光刻机的提供商，所以ASML才是全球芯片业真正的超级霸主一点都不过分。主要性能指标光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。

1、光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System. 2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。 3、Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）； 4、在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

光刻机，也叫掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心设备。而芯片是手机的心脏，也是许多高科技产品的根基。 光刻机它采用类似照片冲印技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。 光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。 光刻机的原理是什么？ 与冲洗照片有相似的地方，但又不大一样。 冲洗照片，是将需要洗印的照片从底片上洗印到相纸上，或是将原底片上的影像放大到相纸上。 光刻机是把大的底片缩小，就是把集成电路图缩印到晶元相纸上。 它与洗印放大机的结果恰好是相反的。 为什么一个原理上并不难的机器门槛很高呢？难点在于它的精度上，所谓是量变产生了质变。 如果我们画一张电路图，把它画在A4大小的纸上，这一点也不难，许多人都能做到。 话题扯得有点远，再回到光刻机上。 在A4大小的纸张上画图相对比较容易。但是如果要把电路图画到一张邮票上就困难了许多。我们再设想一下，如果要把电路图画到一粒米粒上或一粒沙子上就更困难了。 不仅如此，如果要把这粒沙子放到一辆运动的赛车上，让你在运动的状态下，在一边追赶其它赛车的同时，在挡风玻璃上的沙粒上画出电路图，就几乎不可能做到了。 虽然它们都有一个名字，叫画电路图，但是所处的环境、介质及大小的不同，难度就有着天壤之别。 所以，光刻机也分低端和高端。10纳米以下的属于高端光刻机。 笔的粗细，在图纸上所呈现的内容量是不一样的。笔尖越细所能够画出的内容越多，难度也越大，越高端。同样的，还有沙子的大小。沙粒越小，笔尖越细，画的内容越多，难度也就越大。 目前最高端的光刻机的工艺是5纳米级别。5纳米大约为50个原子的宽度。 一个原子的实际大小，大约为黄色光波的5000到2000分之一之间。在这种极端精度下，很多原本可以忽略不计的细节，全部都变成了障碍和难点。 比如说，在赛车的过程中震动是极度敏感的，比如关门的动作，可能都是灾难性的。所以必须要搭配一个极端精度的减震系统。 喜欢摄影的朋友都知道，在摄影过程中，其中一个重要参数就是曝光度。洗印照片也有曝光的问题。曝光量的多少，时间的长短，都会影响成像的效果。 光源，它是画图用的。必须频率稳定，能量均匀，平行度要求高。任何曝光不准确，都会严重影响成像的质量。 因此，运动状态下控制精度，必须是纳米级别的，稍有偏差，成像就会出问题。 光刻机远比我们想象的要复杂的多。可以说，光刻机是人类历史上几乎最精密的机器设备。 有人说，生产芯片靠砸钱。钱，肯定是需要的，但还有环境问题和上述的要素。 科学是来不得半点虚假的。

光刻机（Mask Aligner）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动A手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了。B半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。C自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

不是，台积电是ASML公司的股东之一，光刻机来自荷兰的ASML。

光刻机成功的原因有以下几点：技术进步、应用广泛、产业链完善、成本降低。1、技术进步：随着科技的不断进步，光刻机的技术也得到了不断的改进和完善。现代光刻机采用了更先进的光学元件和精密控制系统，使得其制造精度和速度都得到了极大的提升。2、应用广泛：光刻机的应用范围非常广泛，可以用于制造半导体芯片、平板显示器、LED等电子元件，以及MEMS、微纳米加工等领域。这些领域的发展也促进了光刻机技术的进步。3、产业链完善：光刻机是半导体产业链中的重要环节，其制造和应用需要涉及到光刻胶、光学元件、控制系统等多个领域。随着产业链的不断完善，光刻机的市场需求也得到了不断增加。4、成本降低：随着光刻机技术的不断进步和市场竞争的加剧，光刻机的制造成本也得到了不断降低。这使得更多的企业能够承担光刻机的成本，从而进一步促进了其市场需求。光刻机的作用光刻机主要用于半导体芯片的生产，利用光学投影技术把电路图案投影到硅片上进行照射，从而在硅片上形成显影图样。光刻机的主要作用是在制造半导体芯片时进行微缩制程，从而实现高集成度和高性能的芯片。光刻机的运算速度快，可靠性高，是电子产业中最重要的工具之一。同时，随着半导体产业的快速发展，光刻机不断发展出更精密和高效的版本，以满足制造更复杂芯片的需求。在现代科技和信息时代，光刻机的作用越来越广泛，经济和社会中起着重要的推动作用。

全世界只有中国、日本、荷兰可以制造光刻机，日本的代表企业是尼康、佳能，曾经的光刻机“王者”，后来被荷兰ASML反超后就一蹶不振了，而中国也可以制造光刻机，只是达不到顶尖光刻机的精细程度。目前，荷兰ASML一家公司几乎垄断了全球的高端光刻机市场，主要是EUV光刻机，造价极高，暂时没有一家竞争企业可以与之匹敌，每年稳定向大客户供货。光刻机的分类光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。1、手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了。2、半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。3、自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

概要生产集成电路的简要步骤：利用模版去除晶圆表面的保护膜。将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：模版和晶圆大小一样，模版不动。模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。品牌光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRONXQ4006、以及中国品牌。分类光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动A手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；B半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；C自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

复刻机是一种科技含量不高的类似复印机的一种而光刻机是科技含量很高的高科技机器。

光刻机是在硅片上进行工作的，会对硅片进行处理，会涂抹一些光刻胶，然后进行曝光，一个光刻机，一年至少可以制造5.9亿芯片。

荷兰光刻机如下：荷兰有一家公司ASML，它是全球做光刻机最好的国家，这个根本不用质疑，这家公司拥有强大的科研实力，碾压了美国英国等等貌似芯片软件实力极强的国家。而且这家公司非常精准的抓住了光刻机技术发展的转折点，旗下的利用光源进行的浸没式系统成功打破所有国家对于光刻机的幻想，所以荷兰才能在全球的芯片制作技术中立于不败之地。ASML为半导体生产商提供光刻机及相关服务，TWINSCAN系列是世界上精度最高，生产效率最高，应用最为广泛的高端光刻机型。ASML的产品线分为PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列现已停产；AT系列属于老型号，多数已经停产。市场上的主力机种是XT系列以及NXT系列，为ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的机型，分为干式和沉浸式两种，而NXT系列则是主推的高端机型，全部为沉浸式。技术前景：除了致力于开发的TWINSCAN平台外，ASML还在积极与IMEC, IBM等半导体公司合作，开发下一代光刻技术，比如EUV，用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。ASML已经向客户递交若干台EUV机型，用于研发和实验。同时，基于传统TWINSCAN平台的双重曝光等新兴技术，也在进一步成熟和研发过程当中。2007年末三星(Samsung)宣布成功生产的36纳米闪存，基于的便是双重曝光技术。以上内容参考：百度百科—ASML公司

光刻机成功的原因有以下几点：技术进步、应用广泛、产业链完善、成本降低。1、技术进步：随着科技的不断进步，光刻机的技术也得到了不断的改进和完善。现代光刻机采用了更先进的光学元件和精密控制系统，使得其制造精度和速度都得到了极大的提升。2、应用广泛：光刻机的应用范围非常广泛，可以用于制造半导体芯片、平板显示器、LED等电子元件，以及MEMS、微纳米加工等领域。这些领域的发展也促进了光刻机技术的进步。3、产业链完善：光刻机是半导体产业链中的重要环节，其制造和应用需要涉及到光刻胶、光学元件、控制系统等多个领域。随着产业链的不断完善，光刻机的市场需求也得到了不断增加。4、成本降低：随着光刻机技术的不断进步和市场竞争的加剧，光刻机的制造成本也得到了不断降低。这使得更多的企业能够承担光刻机的成本，从而进一步促进了其市场需求。光刻机的作用光刻机主要用于半导体芯片的生产，利用光学投影技术把电路图案投影到硅片上进行照射，从而在硅片上形成显影图样。光刻机的主要作用是在制造半导体芯片时进行微缩制程，从而实现高集成度和高性能的芯片。光刻机的运算速度快，可靠性高，是电子产业中最重要的工具之一。同时，随着半导体产业的快速发展，光刻机不断发展出更精密和高效的版本，以满足制造更复杂芯片的需求。在现代科技和信息时代，光刻机的作用越来越广泛，经济和社会中起着重要的推动作用。

全世界只有中国、日本、荷兰可以制造光刻机，日本的代表企业是尼康、佳能，曾经的光刻机“王者”，后来被荷兰ASML反超后就一蹶不振了，而中国也可以制造光刻机，只是达不到顶尖光刻机的精细程度。目前，荷兰ASML一家公司几乎垄断了全球的高端光刻机市场，主要是EUV光刻机，造价极高，暂时没有一家竞争企业可以与之匹敌，每年稳定向大客户供货。光刻机的分类光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。1、手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了。2、半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。3、自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

二百台。光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间。

　　1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。 　　2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。 　　3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。 　　4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。 　　5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。 　　6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。 　　7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。 　　8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。 　　9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。 　　10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。 　　11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、 notch。 　　12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

极紫外光刻，需要重新研发刻蚀材料，光刻胶，刻蚀工艺等，对精度要求进一步提高。高纯度硅的难以提取，使得高端芯片的制造异常困难。

光刻机国产排名第一的是上海微电子。目前全球只有四家能够制造光刻机的公司，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子。这里说的光刻机指的是euv/duv浸润式光刻机。所以说，国内仅有一家能够制造光刻机的公司，既上海微电子，所以上海微电子排名第一。上海微电子公司简介：上海微电子是半导体行业的上市公司，公司坐落于张江高科技园区。公司成立于2002年，主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发，生产销售与服务，IC制造与先进封装，MEMS ，TSV/3D，TFT -OLED等制造领域。公司致力于以极致服务，造高端产品，创卓越价值，全天候，全方位，全身心地为顾客提供优质产品和技术支持与服务。

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。扩展资料2019年与2020年在半导体领域，尤其是企业之间，光刻机是被炒得最热的一个话题，再怎么说芯片，最终都会说到光刻机上面去。可能出口给我们DUV光刻机生产7nm的芯片，却将最先进的EUV光刻机出口给别的企业生产5nm芯片，即使不专门生产芯片的谷歌、高通，ASML也卖他们EUV光刻机。参考资料：百度百科-光刻机

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常在十几纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。目前正在进行其他各系列产品的研发制作工作。生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。

中国光刻机历程1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。