中国目前光刻机处于怎样的水平？为什么短时间内造不出来

1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、 notch。12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

不需要，光刻机的原理：利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。

光刻机是制造芯片的必要设备，众所周知，光刻机的技术集结了人类顶尖的智慧，我国主要有下面几个短板：材料的加工技术，高标准的零部件，以及顶级的光学设备。以上这些以我国现在的科研实力，都达不到制造光刻机的标准，所以瑞典光刻机厂商说，即便给我们设计图纸，我们也很难造出光刻机

是两种或者多种编码实现的（重复写一次就回自动换一次编码，编码的识别标识在引导区那里）而非是把原来的小坑点烧平那么简单，这个东西就如电是什么东西一样，作为我们不需要知道，也不必要知道，纯粹一个没任何意义的问题！

很多材料都需要进口，中国的光刻机技术还是有些落后的

光机系统设计《光机系统设计(原书第3版)》共分为4个部分15章：第一部分阐述光机系统总的设计概念，包括第1章光机设计过程，第2章环境影响和第3章材料的光机特性；第二部分是透射式光机系统的设计，包括第4章单透镜的安装，第5章多透镜的安装，第6章光窗和滤光片的安装和第7章棱镜的设计和安装；第三部分是反射式光机系统的设计，包括第8 章小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装，第9章轻质非金属反射镜的设计，第10章光轴水平放置的大孔径反射镜的安装，第1 1章光轴垂直放置的大孔径反射镜的安装，第l2章大孔径、变方位反射镜的安装技术和第13章金属反射镜的设计和安装；第四部分是光机系统的整体分析，包括第14章光学仪器的结构设计和第l5章光机系统设计分析。本书提供的材料和例子能够对军事、航空航天和民用光学仪器应用中的设计概念、具体设计、开发、评价和使用提供有用的指导。 《光机系统设计(原书第3版)》可供在光电子领域中从事光学仪器设计、光学设计和光机结构设计的研发设计师、光机制造工艺研究的工程师、光机材料工程师阅读，也可以作为大专院校相关专业本科生、研究生和教师的参考书。作者本社出版社机械工业出版时间2008-1页数781定价98.00元更多内容介绍《光机系统设计(原书第3版)》共分为4个部分15章：第一部分阐述光机系统总的设计概念，包括第1章光机设计过程，第2章环境影响和第3章材料的光机特性；第二部分是透射式光机系统的设计，包括第4章单透镜的安装，第5章多透镜的安装，第6章光窗和滤光片的安装和第7章棱镜的设计和安装；第三部分是反射式光机系统的设计，包括第8 章小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装，第9章轻质非金属反射镜的设计，第10章光轴水平放置的大孔径反射镜的安装，第1 1章光轴垂直放置的大孔径反射镜的安装，第l2章大孔径、变方位反射镜的安装技术和第13章金属反射镜的设计和安装；第四部分是光机系统的整体分析，包括第14章光学仪器的结构设计和第l5章光机系统设计分析。本书提供的材料和例子能够对军事、航空航天和民用光学仪器应用中的设计概念、具体设计、开发、评价和使用提供有用的指导。《光机系统设计(原书第3版)》可供在光电子领域中从事光学仪器设计、光学设计和光机结构设计的研发设计师、光机制造工艺研究的工程师、光机材料工程师阅读，也可以作为大专院校相关专业本科生、研究生和教师的参考书。作品目录译者序第3版前言第1章 光机设计过程第2章 环境影响第3章 材料的光机特性第4章 单透镜的安装第5章 多透镜的安装第6章 光窗和滤光片的安装第7章 棱镜的设计和安装第8章 小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装第9章 轻质非金属反射镜的设计第10章 光轴水平防止的大孔径反射镜的安装第11章 光轴垂直防止的大孔径反射镜的安装第12章 大孔径、变方位反射镜的安装技术第13章 金属反射镜的设计和安装第14章 光学仪器的结构设计第15章 光机系统设计分析附录编辑推荐《光机系统设计(原书第3版)》特色：在对一个快速发展的领域进行了充分研究后，《光机系统设计》(原书第3版)的改进要点如下：对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾：采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法：提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响；对空间环境的特性，对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进 行了讨论；给出了新材料机械性能的最新列表。无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜，都可以在《光机系统设计》 (原书第3版)中找到您所需要的工具。加载更多相关搜索光刻机光刻机原理图中芯进口光刻机最先进的光刻机多少nm芯片光刻机光刻机价格中国能生产光刻机吗上海微电子光刻机

佳能光刻机22纳米，光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。光刻机可以分钟两种，分别是模板和图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴芯片；第二是类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。国内目前做光刻机的主要有上海微电子装备有限公司、中子科技集团公司第四十五研究所国电、合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技、无锡影速半导体科技。其中，上海微电子装备有限公司已经量产的是90纳米，这是在中国最领先的技术。其国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项“的65nm光刻机研制，目前正在进行整机考核。对于光刻机技术来说，90纳米是一个技术台阶；45纳米是一个技术台阶；22纳米是一个技术台阶……90 纳米的技术升级到65纳米不难，但是45纳米要比65纳米难多了。路要一步一步走，中国16个重大专项中的02专项提出光刻机到2020年出22纳米的。目前主流的是45纳米，而32纳米和28纳米的都需要深紫外光刻机上面改进升级。

国家先后出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》等鼓励文件，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度，提出到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%。 在《中国制造2025》中再度提出，2020年中国芯片自给率要达到40%，2025年要达到50%。在资金层面，国家设立了总规模近1400亿元的国家集成电路产业投资基金；地方政府也积极响应扶持的产业链。国内芯片行业将在资金、政策、人才和需求的全方位配合下，以燎原之势迅猛发展，发展前景“芯芯”向荣。

前几天，i奇趣儿的文章介绍了荷兰公司ASML发明5nm光刻机的历程。 5nm光刻机来之不易，ASML耗时20年，华为芯片困局难解 当下，华为遭遇芯片困局，缺少的正是光刻机。 如果我们自研光刻机，需要攻克多个难题。 这个时候，我们不妨主动打破这个局面，换道超车。于是，有人想到了碳基芯片。 提到碳基芯片，必须要先说一下现在的硅基芯片。 当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片，可是，这已经接近物理极限。 想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。 虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。 需要强调的是，在20nm以后，芯片漏电情况很严重。 华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。 不过，胡正明教授认为，5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。 当下的5nm芯片，已经出现此类问题。比如高通骁龙888、苹果A14和华为海思麒麟9000，在功耗方面都有“翻车”的迹象。 台积电的2nm工艺，必须要继续改良，或许要用上GAAFET技术。 同时，受制于摩尔定律，硅基芯片是有终点的。 芯片是由晶体管组成的，晶体管的核心部件是COMS管。 COMS管的构造包括：源极、栅极和漏极。 我们提到的芯片工艺，7nm、5nm指的是栅极的最小线宽（可以理解为COMS管长度）。 芯片是通过纯净的硅制造而来，硅原子之间的距离大概是0.6nm。 举例说明，12nm的芯片沟道上，大约有20个硅原子。 而工艺误差和硅元素的不稳定性，会导致原子丢失（大数定律），这会影响芯片的实际性能表现。 这个时候，量子隧穿会导致漏电效应和短沟道效应。 通俗来说，芯片制程越先进，沟道越短，那么这种影响就会越大。 最终，晶体管数量没法再增加，摩尔定律失效。 从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。 我们刚提到的FinFET和GAAFET技术，可以改善栅极对电流的控制能力，从而提升了芯片工艺制程。 这种方法是有终点的。 所以呢，科学家正在想别的办法：寻找硅之外的新材料，比如石墨烯，以此为基础，打造碳基芯片。 碳基芯片有两个方向：“碳纳米管芯片”和“石墨烯芯片”。 北大在碳纳米管方向有所突破，已经研制出单片光电集成芯片。 中科院的团队已经制造出8英寸的石墨烯晶圆。 我们重点说石墨烯，与硅对比，石墨烯有这些亮点。 石墨烯是最薄的纳米材料，厚度只有0.335nm；它也足够硬，比钢铁的强度高200倍。 同时，石墨烯的导电性是硅的100倍，导热性比铜强10倍。 我们可以得出结论，石墨烯这种材料是可靠的。 石墨烯芯片可以做到1nm以下，同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。 目前，中芯国际已经可以生产14nm芯片，假设我们可以量产石墨烯芯片。在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。 石墨烯芯片看来是个不错的方向呢，问题来了，制造这玩意难度大吗？ 首先，我们要提炼纯净的石墨烯，这是难点之一。目前来看，成本相当高，提纯1克需要5000元。 其次，纯净的石墨烯没法做成逻辑电路，需要改良形态，或者加入新的材料，制造出有功能的结构，这是难点之二。 比如，我们提到过的碳纳米管芯片，原理是把石墨烯改造成碳纳米管，以此来充当半导体，石墨烯充当导电沟道。 现在的硅基芯片则不同，我们只需做提纯工作，地球上的硅元素太丰富了，成本也不高。纯净的硅晶片就是制造芯片的绝佳材料。 第三呢，碳基芯片或许不需要光刻机，直接在石墨烯晶圆上切片、刻蚀和注入离子。虽然绕过了5nm光刻机，可碳基芯片的量产落地，肯定也需要用到类似的高精度设备。 解决以上问题，至少需要我们的科学家努力5-10年。 除此之外，还有其它的问题要解决吗？笔者认为肯定是有的。 可是，在硅基芯片终点即将到来的时候。利益集团为了巩固自己的红利，封锁华为。 这个时候，我们不得不自强，从其它方向突破。 笔者认为，碳基芯片是未来的一个方向。我们现在的努力，不管有没有结果，对未来都是有好处的。 首先，石墨烯是一种有用的材料，它不仅仅可以做芯片，还有更大的用处。 我们早一天行动，就多一分胜算。 现在我们说碳基芯片，说石墨烯，在很多人看来，可能只是一个笑话。 甚至有人调侃：“石墨烯最大的贡献是造就了无数的硕士、博士”。 毫无疑问，现在的石墨烯研究，还停留在理论水平。 可是， 科技 的发展进步需要一个过程，我们不能轻易放弃。 很多人都知道华为缺少光刻机，其实，华为设计芯片用的EDA软件也遭到了封锁。 当年，我们也有自己的芯片设计工具EDA熊猫系统。 1993年，EDA熊猫系统问世，1994年，国外巨头Cadence进入中国市场。随后，其它巨头也解除对我们的封锁，合力围剿熊猫EDA。 1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，与世界最先进的水平差距不到4年。 1985年，机电部45所研制的分步光刻机样机，与国际最高水平对比，差距不超过7年。 随后，我们开始引入外国设备，差距开始加大。 而外国巨头对我们的封堵也越发的丧心病狂。 2015年，上海微电子即将启动90 nm光刻设备量产。《瓦森纳协议》马上解除限制，荷兰ASML的64nm光刻机进入中国市场。 套路很清晰，当我们有突破的时候，对方就取消封锁，用价格战来瓦解我们。 我们现在研究碳基芯片，国外的科学家也在努力，这是未来的方向。 在碳基芯片领域，道阻且长，我们有可能弯道超车。早一点行动，多一分努力，就有希望。 短时间内，华为无法依靠碳基芯片 来打破困局。 我们要做的就是正视差距，努力追赶，同时，更不能妄自菲薄，放弃自己的核心成果。

smee光刻机是同兴达公司的。2月1日，昆山同兴达首台SMEE光刻机顺利搬入仪式落幕。昆山同兴达公司成立于2021年12月，主营半导体/芯片先进封装测试相关之生产、销售及服务，是同兴达集团最年轻的子公司、集团产业新赛道。公司将于今年3月完成设备调试及开始样品试制，规划于今年5月完成量产1000片/月，明年8月将完成一期满产（2W片/月）。前段时间，同兴达首台“SMEE光刻机”进机仪式在江苏省昆山市千灯镇举行。该设备是昆山首台金凸块封测光刻机，具有较强延展性，可实现与先进制程芯片相似功能，对缩短国内与国外产品代差具有重要意义。光刻机的工作原理介绍：光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此，世界上只有少数厂家掌握。简单点来说，光刻机就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形。

一个朝鲜可以玩，你说呢 提问有点问题，你应该问光刻机和原子弹哪个难造，我来告诉你，光刻机更难造 CPU不难造，高性能，低能耗，小制程的CPU是真难造！比核弹还难！ 核弹也难，主要受世界五常大国监控，需要国家级的势力，还要有核原料，大型提纯设备，核专家，核实验场所。 原子弹的原理相当简单，最关键的就是把铀矿的铀浓缩起来。哪怕是原子弹的载具（飞机、导弹）的原理都比它复杂得多。 CPU就更不用说了，不光软件原理复杂，制造工艺也极其复杂，需要用到纯度极其苛刻的材料（硅片、光刻胶、氢氟酸、气体、金属……），还有超高精密的机电设备（高温高速旋转熔炉、光刻机）。可以说CPU代表了人类全产业链！ 当然，原子弹制造也是不容易的，比如铀浓缩也要用到超高速离心机，这种离心机不能在市场上公开出售。原子弹制造只代表一个产业链分支，与CPU制造根本不可同日而语。 人类两大天花板 科技 ，一个是光刻机，一个是航天发动机。cpu设计和制造比原子弹简单的多，因为现在已经有大量的 科技 积累，华为都能设计出国际最先进级别的处理器，难就难在制造cpu的前置条件光刻机上。目前还没有国家能具备完整产业链独自造出主流精度的光刻机。 CPU的设计和制造技术在不断进步，原子弹氢弹也一样，有人觉得现在原子弹已经搞出来了就不难了，我问你，486的处理器技术不也搞出来了，会有什么设计和制造门槛？你说5纳米3纳米工艺难。那原子弹小型化已经实验成功了？大规模应用了？ 一个要量产，一个造一点点就够。 CPU 原子弹制造技术比手机还简单，只不过是因为受到联合国的限制和技术保密，所以很多国家搞不出来。C P U 技术难一些，但如果能熟练掌握芯片制造技术，C P U 也只不过是芯片生产线上的一种产品而已。 差不多，CPU难在商业化，原子弹难在小型化

生活中司空见惯的事物有很高的科技含量：电视机、智能手机、空调、冰箱。

一般都是用在自动化机械上，比如一些生产流水线、包装机械、印刷机械等，你可以找一些产业集中的地方进行市场销售。还有一些精度比较高的电磁阀上也会用得到。数控机床。现在一些做包装机械的考虑到成本问题，都会采用一些低价位的产品，考虑你们产品的性价比，你可以直接向他们推荐你们的产品。也可以优惠的条件发展自己的代理商。关键还是靠自己的能力。

首先，荷兰ASM 公司在光刻机领域是无可争议的世界霸主。荷兰这么小的一个国家为什么可以拥有这么顶级的企业呢，不拘一格降人才，对核心技术的掌握， 独特的合作模式。

区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上，然后在进行下一步，而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面，并要避免在硅片表面留下痕迹，需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此，光刻胶是光刻机研发的重要材料，而且它不止应用于芯片，在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

刻蚀机和光刻机的区别有工艺不同、难度不同两点。工艺不同：刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上；难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。光刻是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。刻蚀是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶)，晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

01ABM光刻机对准原理。ABM光刻机的整体结构，大致分为准直透镜系统、掩膜对准系统、曝光系统等。背面对准原理是01ABM光刻机对准原理。其中，对准主要基于掩膜对准台和准直透镜。该光刻机具备双面对准功能，首先从单面对准原理看起。

我相信我国可以自己造出光刻机，但由于现在技术还不是很全面，在短时间内无法完成，但我相信，在未来肯定会造出光刻机。

是的。因为中国的光刻机技术正在不断的进步，而且领先很多国家，所以中国开始慢慢迈入芯片强国。

可能就是因为里面的技术太复杂了，而且也是需要很多的电路，有的人如果不会连电的话就可能制造不了。

duv和euv区别如下：目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。

光刻机AF报错是扫描异响错误代码。光刻机（Mask Aligner），又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机（stepper）或扫描式光刻机（scanner），获得比模板更小的曝光图样。

光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备

2纳米还是构想（或许在先进实验室有原理能实现它），市面上并无能够商用的“光刻机”。目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用（所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世）。

大功率EUV光源的突破对于EUV光刻机进一步的应用和发展至关重要。清华新成果基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

正常系统压力在约4Mpa，换挡端在1-2Mpa就可，压力低看是在什么位置，如果是在工作台浮起这一段，就看工作台的浮起量，正常在0.05就可。压力调不上来有：管泄漏...

协调英文：Coordinate解释：1、协调，调节，使调和2、使成为同等重要；使属于同一类别3、协调一致，协同动作4、成为同等重要；归于同一类别短语：1、coordination function 协调功能，协调机能2、coordination lattice 配位晶格3、coordination polyhedron 配位多面体用法例句：1、But the administration has no coordinated innovation agenda .但是，政府并没有协调一致的创新议程。2、Six central banks on wednesday announced a coordinated policy action to ease market stress .六大央行周三宣布采取协同政策行动缓解市场压力。

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日产天籁变速箱油多久换一次（尼桑天籁变速箱油多少公里换一次）天籁变速箱油每10万公里更换一次，天籁一共使用了两款发动机，一款是2.0升自然吸气发动机，另一款是2.0升涡轮增压发动机。2.0升自然吸气发动机有159马力和208牛米的最大扭矩，可以在每分钟6000转时输出最大功率，可以在每分钟4400转时输出最大扭矩。天籁是NISSAN旗下的一款主打的中高级豪华轿车，车身尺寸方面，天籁的长宽高分别为4.868米、1.830米、1.490米。百万购车补贴

液压原理，帕斯卡定理：作用在液体上的力平均地向各个方向传递，并且在容器内各处的平均压力保持不变。自动变速器的液压操纵系统换挡控制原理。换挡阀两端作用着节气门阀和速控阀油压。换挡时，两端油压发生变化，使换挡阀产生位移，改变了油路，从而实现换挡。液压泵主要由电动机和齿轮泵组成，其结构如图所示。电机由变速器控制单元促动，电机运转后驱动一个齿轮泵，齿轮泵连接到一个联轴节上。齿轮泵的旋转运动将油液经由进油口接头吸入，油液被压缩加压并经由高压管连接器供给到液压控制单元，液压泵同时还将系统压力提供给压力储液罐。液压泵提供的系统压力经由液压控制单元传递到压力储液罐，并从这里经铝支架进入液压室。储能装置的活塞克服气体压力而移动，使气体加压。变速器压力传感器被螺栓固定在铝支架上，用来测量系统内的瞬时油压。此压力被传递到变速器控制单元。

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日产汽车ps是什么意思（东风日产显示ps是啥意思）东风日产车ps是助力转向系统的指示灯，ps在汽车点火时亮，自检完成以后就会熄灭，电子助力转向系统在自检之前方向盘是无法移动的。如果该指示灯在行车过程中常亮，此时汽车的转向助力可能会被削弱或者彻底消失，需要及时检查维修。东风日产乘用车公司是东风汽车有限公司旗下重要的乘用车板块，从事NISSAN品牌乘用车的研发、采购、制造、销售、服务业务，是国内具备全价值链的汽车企业之一。百万购车补贴

　　马克杯的意思是大柄杯子，因为马克杯的英文叫mug，所以翻译成马克杯。马克杯是家常杯子的一种，一般用于牛奶、咖啡、茶类等热饮。那么，下面让我们看看马克杯制作的过程吧。　　　　一、马克杯是什么　　马克杯是咖啡杯的昵称，也是陶瓷带柄杯的通称，因材质是陶瓷所制作，所以马克杯身可被设计成植物、动物，人物、动画等各种不同造型，其十分的丰富，色彩而又多样化，独特而又充满个性的特点，深受人们的喜爱。当然市面上还有一种天然石制成马克杯，但因价格不菲，数量有限。　　　　近来市场上有流行着一种新的变色马克杯，它是由温度来改变杯外图案色彩杯子，目前市场上有9种色彩的变色马克杯，分别是粉、红、橙、黄、黑、深蓝、浅蓝、浅绿、绿,那么变色马克杯制作是怎样的呢?　　二、马克杯制作　　马克杯制作第一步：配料、球磨;将配好的料倒入球磨机内，加水开始球磨，约15-30小时后出球，过筛，除铁然后成型。当然不同的色彩、造型马克杯后工序成型方式的不同。　　　　马克杯制作第二步：装窑、素烧;成型后的马克杯要入要入窑在1200-1300℃下高温烧成，这一步十分的重要，但也十分的有难度。　　马克杯制作第三步：上釉、釉烧;上釉工艺很多，所以经验和熟练程度最为重要，上好釉物品再次入窑经1000-1200℃的高温烧成。　　　　马克杯制作第四步：高温定型;这一步要将事先设计制作好贴花纸，贴到杯体上，可以是喷绘，也可以是手绘，最后再将上好马克后的产品要送烤花窑经500-800℃将其固定到杯体釉层上即可。　　以上就是小编为大家介绍的马克杯制作的过程，希望能够帮助到您。更多关于马克杯制作的相关资讯，请继续关注土巴兔学装修。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

选Blast night是昨天的意思，应该用一般过去式

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总结来说有以下几点：ggplot2的核心理念是将绘图与数据分离，数据相关的绘图与数据无关的绘图分离ggplot2是按图层作图ggplot2保有命令式作图的调整函数，使其更具灵活性ggplot2将常见的统计变换融入到了绘图中。==================================================================1、ggplot2的逻辑。ggplot2的逻辑在我看来其实是真正实现了一个图层叠加的概念：一句语句代表一张图，然后再有最小的单元图层。这个与其他命令式的绘图完全不同，来做个比较：#这是基于graphic包里例子x <- rnorm(100,14,5)y <- x + rnorm(100,0,1)plot(x,y)text(13,20, expression(x[1] == x[2]))输出的图是这样的：我们可以看到这种绘图方式实际上是按命令添加的，以plot开始，可以以任何方式结束，每加上一个元素，实际上都是以一句单独的命令来实现的。这样做的缺点就是，其实不符合人对于画图的一般认识。其次，就是，我们没有一个停止绘图的标志，这使得有时候再处理的时候就会产生一些困惑。优势其实也有，在做参数修改的时候，我们往往可以很方便地直接用一句单独的命令修改，譬如对于x轴的调整，觉得不满意就可以写命令直接调整。而ggplot2则意味着要重新作图。再来看ggplot2的代码：x <- rnorm(100,14,5) y <- x + rnorm(100,0,1) ggplot(data= NULL, aes(x = x, y = y)) + #开始绘图 geom_point(color = "darkred") + #添加点 annotate("text",x =13 , y = 20,parse = T, label = "x[1] == x[2]") #添加注释画出的结果如下：我们可以发现，ggplot的绘图有以下几个特点：第一，有明确的起始（以ggplot函数开始）与终止（一句语句一幅图）；其二，图层之间的叠加是靠“+”号实现的，越后面其图层越高。其次就是对于分组数据的处理，其实这方面，lattice已经做得很好了，不过我会在后面更仔细地叙述ggplot2是怎么看分组数据的绘图的。2. ggplot2的要素我们这里不谈qplot（quickly plotting）方法，单纯谈ggplot方法。不谈底层的实现思想，我们简单地理解，ggplot图的元素可以主要可以概括如下：最大的是plot（指整张图，包括background和title），其次是axis（包括stick，text，title和stick）、legend（包括backgroud、text、title）、facet这是第二层次，其中facet可以分为外部strip部分（包括backgroud和text）和内部panel部分（包括backgroud、boder和网格线grid，其中粗的叫grid.major，细的叫grid.minor）。大致见下图，这部分内容的熟悉程度直接影响到对于theme的掌握，因此希望大家留心。3. ggplot2图层以及其他函数的分类好了，现在把这些理念的东西讲完了之后，下面来理解ggplot2里的绘图命令。ggplot2里的所有函数可以分为以下几类：用于运算（我们在此不讲，如fortify_，mean_等）初始化、展示绘图等命令（ggplot，plot，print等）按变量组图（facet_等）真正的绘图命令（stat_，geom_，annotate），这三类就是实现一个函数一个图层的核心函数。微调图型：严格意义上说，这一类函数不是再实现图层，而是在做局部调整。scale_：直译为标尺，这就是与aes内的各种美学（shape、color、fill、alpha）调整有关的函数。guides：调整所有的text。coord_：调整坐标。theme：调整不与数据有关的图的元素的函数。4. 绘图第一步：初始化。ggplot2风格的绘图的第一步就是初始化，说白了就是载入数据空间、选择数据以及选择默认aes。p <- ggplot(data = , aes(x = , y = ))data就是载入你要画的数据所在的数据框，指定为你的绘图环境，载入之后，就可以免去写大量的$来提取data.frame之中的向量。当然，如果你的数据都是向量，也可不指定，但是要在申明中标注data = NULL，不然就会得到不必要的报错。第二个是重头戏，即aes，是美学（aesthetic）的缩写。这是在ggplot2初学者眼里最不能理解的东西，甚至很多老手也会在犹豫，什么时候要把参数写在aes里，什么时候要写在aes外。我们做一个简单的，不非常恰当的解释：任何与数据向量顺序相关，需要逐个指定的参数都必须写在aes里。这之后我们会进一步解释，现在我们初始化的时候，最好只是把关于位置的x和y指定一下就好。第二部，绘制图层。很多人在解释ggplot2的时候喜欢说，ggplot2绘图有两种函数，一类是geom_，绘图用的；一类是stat_，统计变换用的。这样说不是不对，只是很不恰当，很多人就会问出一些问题，比如，统计变换竟然是做运算用的，为什么可以用来画图？为什么stat_bin和geom_histgram画出来的图是一样，竟然一样，为什么要重复？事实上，任何一个ggplot2图层都包括stat和geom俩部分，或者说两个步骤（其实还包括position）。 而stat_identity则表示不做任何的统计变换。

1、首先使用螺丝将齐齐哈尔立车工作台的电机螺丝取出。2、其次将其螺栓取出后，将皮带壳去掉，卸下皮带。3、最后使用螺丝将剩余部分进行拆解即可。

两米五数控立车工作台油浮加百分之五十合适。根据查询相关公开信息显示。1、五米立车改装3米立车方法，改造主要是改造原来的主拖动系统，去除主电机原星－三角启动，改用变频器作为主电机驱动器，实现软启动、软停车、和调速功能。2、去除原有电气元件和安装底板，在原有位置重新制作电气控制部分，以plc作为核心控制，实现对电机和液压电磁阀的控制，换新面板和按钮，使用十字开关对刀架的移动进行控制。

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1、 Cheng Yongguang and Li Jinping. Introducing unsteady non-uniform source terms into the lattice Boltzmann model. International Journal for Numerical Methods in Fluids, 2008, 56: 629–641（SCI索引））2、 Yongguang CHENG, Jinping LI, JiandongYANG, Free surface-pressurized flow in ceiling-sloping tailrace tunnel of hydropower plant: Simulation by VOF model, Journal of Hydraulic Research (IAHR), Vol. 45, No. 1, (2007), pp. 88–99（SCI，EI索引）3、 Yongguang Cheng, Herbert Oertel Jr., and Torsten Schenkel, Fluid-structure coupled CFD simulation of the left ventricular flow during filling phase, Annals of Biomedical Engineering, 2005, 33(5): 567-576.（SCI、EI索引）4、 Yongguang Cheng, Herbert Oertel Jr., Lukas Zürcher and Torsten Schenkel, 3D CFD Simulation of Pulsatile Blood Flow in the Human Aorta, Chinese Journal of Biomedical Engineering-English Edition, 2003（4）: 174-1835、 Cheng Yongguang, Suo Lisheng. Lattice Boltzmann Scheme to Simulate Two-Dimensional Fluid Transients. Journal of Hydrodynamics, Ser.B. 2003(2):19-23.（EI索引）6、 Cheng Yongguang, Suo Lisheng. New Boundary Treatment Methods for Lattice Boltzmann Method. Wuhan University Journal of Natural Sciences, 2003, Vol.8, No.1A:77-85.7、 程永光, 刘晓峰, 杨建东. 大型尾水调压室底部交汇型式 CFD 分析与优化. 水力发电学报, 2007,26, (5):68-748、 程永光, 杨建东, 用三维计算流体力学方法计算调压室阻抗系数, 水利学报. 2005 (7): 787-792. （EI索引）9、 程永光, 陈鉴治, 杨建东,水电站调压室涌浪最不利叠加时刻的研究. 水利学报. 2004(7):109-11310、程永光, 索丽生. 二维明渠非恒定流的格子Boltzmann模拟, 水科学进展. 2003(1): 9-14. （EI索引） <1> 国家自然科学基金(10872153)： 基于格子玻尔兹曼法和浸没边界法的流固耦合算法及应用研究（2009/1-2011/12）<2> 国家自然科学基金（10572106）：人类心脏流固耦合血流动力学数值模拟研究 (2006/01-2008/12)<3> 国家自然科学基金（50009007）：基于格子玻尔兹曼方法的水电站高维流场数值模拟研究 (2001/01-2003/12)<4> 教育部留学回国人员科研启动基金（教外司留（2005）383号）：流固耦合动力学模拟方法研究（2006/01-2007/12）<5> 国家重点实验室开放基金（水文水资源与水利工程科学）（2005408811）：水库水温通用多维数值预测方法研究（2006/01-2007/12）<6> 赤道几内亚吉布洛水电站过渡过程计算分析（2008）<7> BDL水电站水力学与过渡过程计算研究（2008）<8> 两沱水电站水力过渡过程校核计算分析研究(2006-2007)<9> 越南ANKHE水电站引水系统水力过渡过程计算分析(2005-2006)<10> 官地水电站引水发电系统过渡过程模型试验及数值计算（2005-2006）

你不要管它是什么材质，你不肯能把它摔碎看吧，没必要，天下变色杯都是瓷的，只不过分光面的和磨砂面的，很多卖家都说磨砂面的好，其实是成本低，说隐藏效果好，是因为表面粗糙，照片不明显，自己人用还是光面的好，磨砂的和光面的不是一个档次，我的店就是做变色杯的

没有顺口溜，只有安全操作规程：数控立车安全操作规程前提条件：1、操作人员必须经过安全技术培训，考试合格后，方可上岗作业；2、必须熟悉数控机床的操作说明书，掌握机床操作要领，学徒没有资格独立操作机床。工作前：1、操作者按机床使用说明书的规定检查油标和油量，给相关部位加油，部分 外露导轨要进行手动润滑；2、在每次电源接通后，必须先完成各轴的返回参考点操作，然后再进入其他 运行方式，以确保各轴坐标的正确性；3、机床导轨面和工作台上禁止放工具和其它物品；4、机床开动前要观察周围动态，机床开动后，要站在安全位置上，以避开机 床运动部位和铁屑飞溅；5、调整走台高度和伸出长度必须严格遵照说明书要求，不得生拉硬拽。工作中：1、加工过程中，严格执行工艺纪律，看清图纸，领会各部分控制点、粗糙度和有关部位的技术要求，确定好工件的加工工艺；2、工装、夹具、刀具及工件必须装夹牢固。开车后应先进行低速空转，一切正常后，方可正式作业；3、禁止超负荷使用机床，不准以机床移动部件为动力推/拉动工件找正；4、在开动机床移动/旋转轴之前，要确保周围无障碍物干涉，无人员走动或停留，避免人机损伤。要随时观察坐标轴位置，运行到极限位置时要减速缓行，没有特殊需要，不可以碰撞硬限位。5、机床运转中，不准触摸运动中的工件和刀具，不准在运转中测量尺寸，禁止隔着机床传动部分传递或拿取工具等物品；6、禁止用手接触刀尖和铁屑，铁屑必须要用铁钩子或毛刷等专用工具来清理；7、机床运转中，操作者不得脱离岗位，无人值守时必须停车；8、机床运转中，如出现异常危机情况可按下“急停”按钮，以确保人身和设备的安全；9、机床出现异常时，应立即停车报检，不得强行或带病使用；10、如机床长时间停用，机床运行应遵循先低速、中速、再高速的原则，其中低速、中速运行时间不得少于2-3分钟。当确定无异常情况后，方可开始工作；11、机床上的保险和安全防护装置，操作者不得任意拆卸和移动。工作后：1、各种工具、量具及刀具要放到指定位置，保持完整和良好；2、清除切屑、擦拭机床，使用机床与环境保持清洁状态；3、填写“交接班记录”，做好交接班工作。4、如机床在较长时间内不用，必须按机床操作说明书规定的顺序关闭电源。

Primitive Cell）和惯用胞（Conventional Cell，也叫晶胞）的理解不够清晰，所以特意开设了一次教程，为大家解释一些这方面的内容，那个，SCI还有Special Issue，所以我开一次特别讲座大家可不要有意见哦，内容同样精彩。当然，也欢迎小伙伴们在留言区积极提出问题，小MS一定会知无不言言无不尽，为大家一一解答。好的，言归正传，就开始我们今天的内容吧。原胞是指可以满足周期性（也就是扩大几倍之后会变成惯用胞），而惯用胞中包含所有的对称要素，例如对于金刚石结构，只需要用一个含有两个原子的原胞就可以表示其周期性结构，而需要8个原子的惯用胞（晶胞）才能够描述全部的对称要素。FCC结构晶体的原胞和惯用胞（图片源于知乎专栏，另有其他结构晶体的原胞和惯用胞的详细解释：https://zhuanlan.zhihu.com/p/24000986?from_voters_page=true另外，我们也在MS中利用金刚石结构对原胞和惯用胞进行了标示，如下图所示。金刚石原胞和惯用胞（原胞为黄色原子围成的区域，惯用胞是所有原子组成的晶体）这个图片是从MS里复制出来的？是的，的确是，虽然您可能怀疑，因为可能您输出的图片是这样的：可能是在您电脑上显示的金刚石晶体如果您可以做到这一步，已经非常不错了，因为您已经学会了利用Display Style选项改变结构的显示方式，说明上次课程学习的非常认真，小MS给您点个赞哦。那么怎么改变背景颜色呢？上次我们说到右键之后有一个Display Style的选项，那么在它下面会有一个Display Option的选项，里面的Background选项卡就可以改变背景的颜色了，还有其他的选项卡大家可以先探索一下，看看有什么有趣的功能，可以在后台和小MS交流，等我们需要的时候再对这些内容进行讲解。改变背景颜色可是把背景色改成了白色晶格又不见了？别着急，这是因为晶格的颜色原本就是白色，所以好像看不出来了，只要用Display Style选项中的Lattice选项卡，就可以对晶格的显示方式（无、虚线、线条、棒状）和颜色进行修改。如果想要对晶格进行旋转，只要按住鼠标右键，在空白地方拖拽就可以调整到合适的角度进行显示，当然键盘的上下左右键可以进行每次45°的旋转，我们的晶体可以45°仰望天空，很美吧。但是天空看久了也会改变晶格显示方式颜色改变我知道就是在Display Style中的Atom选项卡（改变部分原子颜色要选中它们，可以按住Ctrl键，逐个单击要选中的原子）可是还有化学键呢？那些化学键是怎么没的？这可以由以下方法实现：首先要选中所有的化学键，一个一个选中好累，只需要按住Alt键，再双击某个化学键就可以做到了。然后，就会在Properties区出现关于化学键的各种性质，其中有一个性质叫做IsVisible（是可见的吗？）把它改成No，您就会发现化学键神奇地消失了，实际上这些化学键还是存在的，只是不显示了而已。性质区实际上是一个很有用的区域，可以对很多对象的性质进行查看和修改，我们之后还会多次用到，要记得哦。

3dmax拾取样条线快捷键是啥，3ds max拾取样条线的快捷键是什么呢？掌握max的快捷键是开始学习max的最基础的知识，掌握了快捷键工作效率会大大的提高，下面就来解决你的问题，并且附带max最常用的快捷键。建议保存起来。 3dmax拾取样条线快捷键： 3damx中没有拾取样条线的快捷键，你可以详细描述一下你的问题然后在追问我。 3dmax常用快捷键大全： 显示降级适配（开关） 【O】 适应透视图格点 【Shift】+【Ctrl】+【A】 排列 【Alt】+【A】 角度捕捉(开关) 【A】 动画模式 (开关) 【N】 改变到后视图 【K】 背景锁定(开关) 【Alt】+【Ctrl】+【B】 前一时间单位 【.】 下一时间单位 【,】 改变到上（Top）视图 【T】 改变到底(Bottom)视图 【B】 改变到相机(Camera)视图 【C】 改变到前（Front）视图 【F】 改变到等大的用户(User)视图 【U】 改变到右(Right)视图 【R】 改变到透视（Perspective）图 【P】 循环改变选择方式 【Ctrl】+【F】 默认灯光(开关) 【Ctrl】+【L】 删除物体 【DEL】 当前视图暂时失效 【D】 是否显示几何体内框(开关) 【Ctrl】+【E】 显示第一个工具条 【Alt】+【1】 专家模式全屏(开关) 【Ctrl】+【X】 暂存(Hold)场景 【Alt】+【Ctrl】+【H】 取回(Fetch)场景 【Alt】+【Ctrl】+【F】 冻结所选物体 【6】 跳到最后一帧 【END】 跳到第一帧 【HOME】 显示/隐藏相机（Cameras） 【Shift】+【C】 显示/隐藏几何体(Geometry) 【Shift】+【O】 显示/隐藏网格(Grids) 【G】 显示/隐藏帮助(Helpers)物体 【Shift】+【H】 显示/隐藏光源(Lights) 【Shift】+【L】 显示/隐藏粒子系统(Particle Systems) 【Shift】+【P】 显示/隐藏空间扭曲(Space Warps)物体 【Shift】+【W】 锁定用户界面(开关) 【Alt】+【0】 匹配到相机(Camera)视图 【Ctrl】+【C】 材质(Material)编辑器 【M】 最大化当前视图 (开关) 【Alt】+【W】 脚本编辑器 【F11】 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加大动态坐标 【+】 减小动态坐标 【-】 激活动态坐标(开关) 【X】 精确输入转变量 【F12】 全部解冻 【7】 根据名字显示隐藏的物体 【5】 刷新背景图像(Background) 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【B】 显示几何体外框(开关) 【F4】 视图背景(Background) 【Alt】+【B】 用方框(Box)快显几何体(开关) 【Shift】+【B】 打开虚拟现实 数字键盘【1】 虚拟视图向下移动 数字键盘【2】 虚拟视图向左移动 数字键盘【4】 虚拟视图向右移动 数字键盘【6】 虚拟视图向中移动 数字键盘【8】 虚拟视图放大 数字键盘【7】 虚拟视图缩小 数字键盘【9】 实色显示场景中的几何体(开关) 【F3】 全部视图显示所有物体 【Shift】+【Ctrl】+【Z】 *视窗缩放到选择物体范围（Extents） 【E】 缩放范围 【Alt】+【Ctrl】+【Z】 视窗放大两倍 【Shift】+数字键盘【+】 放大镜工具 【Z】 视窗缩小两倍 【Shift】+数字键盘【-】 根据框选进行放大 【Ctrl】+【w】 视窗交互式放大 【[】 视窗交互式缩小 【]】 弧形旋转【Alt+鼠标中键】 编辑本段轨迹视图 加入(Add)关键帧 【A】 前一时间单位 【<】 下一时间单位 【>】 编辑(Edit)关键帧模式 【E】 编辑区域模式 【F3】 编辑时间模式 【F2】 展开对象（Object）切换 【O】 展开轨迹（Track）切换 【T】 函数(Function)曲线模式 【F5】或【F】 锁定所选物体 【空格】 向上移动高亮显示 【↓】 向下移动高亮显示 【↑】 向左轻移关键帧 【←】 向右轻移关键帧 【→】 位置区域模式 【F4】 回到上一场景*作 【Ctrl】+【A】 撤消场景*作 【Ctrl】+【Z】 用前一次的配置进行渲染 【F9】 渲染配置 【F10】 向下收拢 【Ctrl】+【↓】 向上收拢 【Ctrl】+【↑】 材质编辑器 用前一次的配置进行渲染 【F9】 渲染配置 【F10】 撤消场景*作 【Ctrl】+【Z】 示意(Schematic)视图 下一时间单位 【>】 前一时间单位 【<】 回到上一场景*作 【Ctrl】+【A】 撤消场景*作 【Ctrl】+【Z】 Active Shade 绘制(Draw)区域 【D】 渲染(Render) 【R】 锁定工具栏(泊坞窗) 【空格】 视频编辑 加入过滤器(Filter)项目 【Ctrl】+【F】 加入输入(Input)项目 【Ctrl】+【I】 加入图层(Layer)项目 【Ctrl】+【L】 加入输出(Output)项目 【Ctrl】+【O】 加入(Add)新的项目 【Ctrl】+【A】 加入场景(Scene)事件 【Ctrl】+【s】 编辑(Edit)当前事件 【Ctrl】+【E】 执行(Run)序列 【Ctrl】+【R】 新(New)的序列 【Ctrl】+【N】 撤消场景*作 【Ctrl】+【Z】 NURBS编辑 CV 约束法线(Normal)移动 【Alt】+【N】 CV 约束到U向移动 【Alt】+【U】 CV 约束到V向移动 【Alt】+【V】 显示曲线(Curves) 【Shift】+【Ctrl】+【C】 显示控制点(Dependents) 【Ctrl】+【D】 显示格子(Lattices) 【Ctrl】+【L】 NURBS面显示方式切换 【Alt】+【L】 显示表面(Surfaces) 【Shift】+【Ctrl】+【s】 显示工具箱(Toolbox) 【Ctrl】+【T】 显示表面整齐(Trims) 【Shift】+【Ctrl】+【T】 根据名字选择本物体的子层级 【Ctrl】+【H】 锁定2D 所选物体 【空格】 选择U向的下一点 【Ctrl】+【→】 选择V向的下一点 【Ctrl】+【↑】 选择U向的前一点 【Ctrl】+【←】 选择V向的前一点 【Ctrl】+【↓】 根据名字选择子物体 【H】 柔软所选物体 【Ctrl】+【s】 转换到Curve CV 层级 【Alt】+【Shift】+【Z】 转换到Curve 层级 【Alt】+【Shift】+【C】 转换到Imports 层级 【Alt】+【Shift】+【I】 转换到Point 层级 【Alt】+【Shift】+【P】 转换到Surface CV 层级 【Alt】+【Shift】+【V】 转换到Surface 层级 【Alt】+【Shift】+【S】 转换到上一层级 【Alt】+【Shift】+【T】 转换降级 【Ctrl】+【X】 FFD 转换到控制点(Control Point)层级 【Alt】+【Shift】+【C】 到格点(Lattice)层级 【Alt】+【Shift】+【L】 到设置体积(Volume)层级 【Alt】+【Shift】+【S】 转换到上层级 【Alt】+【Shift】+【T】 打开的UVW贴图 进入编辑(Edit)UVW模式 【Ctrl】+【E】 调用*.uvw文件 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【L】 保存UVW为*.uvw格式的文件 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【S】 打断(Break)选择点 【Ctrl】+【B】 分离(Detach)边界点 【Ctrl】+【D】 过滤选择面 【Ctrl】+【空格】 水平翻转 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【B】 垂直(Vertical)翻转 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【V】 冻结(Freeze)所选材质点 【Ctrl】+【F】 隐藏(Hide)所选材质点 【Ctrl】+【H】 全部解冻(unFreeze) 【Alt】+【F】 全部取消隐藏(unHide) 【Alt】+【H】 从堆栈中获取面选集 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【F】 从面获取选集 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【V】 锁定所选顶点 【空格】 水平镜象 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【N】 垂直镜象 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【M】 水平移动 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【J】 垂直移动 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【K】 平移视图 【Ctrl】+【P】 象素捕捉 【S】 平面贴图面/重设UVW 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【R】 水平缩放 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【I】 垂直缩放 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【O】 移动材质点 【Q】 旋转材质点 【W】 等比例缩放材质点 【E】 焊接(Weld)所选的材质点 【Alt】+【Ctrl】+【W】 焊接(Weld)到目标材质点 【Ctrl】+【W】 Unwrap的选项(Options) 【Ctrl】+【O】 更新贴图(Map) 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【M】 将Unwrap视图扩展到全部显示 【Alt】+【Ctrl】+【Z】 框选放大Unwrap视图 【Ctrl】+【Z】 将Unwrap视图扩展到所选材质点的大小 【Alt】+【Shift】+【Ctrl】+【Z】 缩放到Gizmo大小 【Shift】+【空格】 缩放(Zoom)工具 【Z】 反应堆(Reactor) 建立(Create)反应(Reaction) 【Alt】+【Ctrl】+【C】 删除(Delete)反应(Reaction) 【Alt】+【Ctrl】+【D】 编辑状态(State)切换 【Alt】+【Ctrl】+【s】 设置最大影响(Influence) 【Ctrl】+【I】 设置最小影响(Influence) 【Alt】+【I】 设置影响值(Value) 【Alt】+【Ctrl】+【V】 ActiveShade (Scanline) 初始化 【P】 更新 【U】 宏编辑器 累积计数器 【Q】 【Alt】+【Q】 孤立当前选择