ash

1、dashboard是商业智能仪表盘（business intelligence dashboard，BI dashboard）的简称，它是一般商业智能都拥有的实现数据可视化的模块，是向企业展示度量信息和关键业务指标（KPI）现状的数据虚拟化工具。2、在BI中的作用1）数据可视化：为了配合BI更好的展示企业的各项业务指标等数据，dashboard一般要拥有图表、仪表盘和地图到积分卡、sparkline和状态指示器等数据可视化形式。2）图形可视化：BI的基础就是OLAP了，dashboard也必须基于OLAP技术拥有图形上的数据分析功能。如图形上的一些交互操作，还有通用的平均值，求和，趋势和预测等。3、在BI工具BDP商业数据平台中的实际展示：仪表盘由多个图表按照一定的业务逻辑排布，形成的具有一定业务逻辑的数据看板

商业智能仪表盘。dashboard是商业智能仪表盘business intelligence dashboard，BI dashboard的简称，它是一般商业智能都拥有的实现数据可视化的模块，是向企业展示度量信息和关键业务指标现状的数据虚拟化工具。dashboard的功能是在一个简单屏幕上联合并整理数字、公制和绩效记分卡。它们调整适应特定角色并展示为单一视角或部门指定的度量。从多种数据源获取实时数据，并且是定制化的交互式界面。dashboard以丰富的，可交互的可视化界面为数据提供更好的使用体验。

Dashboard 是一种面板或仪表板，提供了组织和可视化数据、指标和业务数据的方法。Dashboard 的唯一依赖组件取决于具体使用的软件或系统。一般而言，如果是使用商业智能 (BI) 工具构建 Dashboard，则其唯一依赖的组件通常是其所依赖的数据源。BI 工具可以支持多种数据源，例如关系型数据库、OLAP 数据库、平面文件或Web API等。因此，在Dashboard中使用时，必须确保其支持数据源中的数据类型和格式。另一方面，如果是在自己的代码中构建 Dashboard，则可能需要使用一些特定的数据可视化库或框架，例如D3.js、ECharts、Plotly等。这些库通常提供了多种图表类型和样式，可以帮助开发者更轻松地构建 Dashboard。总之，Dashboard 的唯一依赖组件与使用的具体软件或系统、数据源类型和数据可视化库等因素密切相关。

The Pussycat Dolls - Hush Hush 试听：http://v.youku.com/v_show/id_XMjA3MjQ0NTAw.html下载：http://mp3.baidu.com/m?tn=baidump3&ct=134217728&lm=-1&word=The%20Pussycat%20Dolls%20-%20Hush%20Hush这首？

leash和belt的区别：意思不同、读音不同。1、读音不同leash：英 [liu02d0u0283] 　 　 美 [liu02d0u0283]。 　 　belt：英 [belt] 　 　 美 [belt]。 　 　2、意思不同leash：n. (系狗的)皮带；控制；约束。n. （打猎用语）三只；三个一组v. 用皮带控制；束缚。belt：n. 腰带；带状物；地带；皮带。vt. 用皮带抽打；用带系上；用带标示。vi. 疾驰；大声歌唱。近义词：chain　英 [tu0283eu026an] 　 　 美 [tu0283eu026an] 　 　n. 束缚；链条；链；(一)连串；连锁店（常用复数）。vt. 束缚；用铁链锁住。He detached a link from a chain.他从链子上拆下一个链环。The Government fear the strike may produce a chain reaction in other industries.政府害怕罢工可能在其他行业产生连锁反应。

wash 的a 不同于其他两个

歌曲名:Kashmir歌手:Led Zeppelin专辑:Final Cut Knebworth Park CD2Whoa, let the sun beat down upon my faceAnd stars to fill my dreamI am a traveler of both time and spaceTo be where I have beenT" sit with elders of the gentle raceThis world has seldom seenTh" talk of days for which they sit and waitAll will be revealedTalk and song from tongues of lilting graceWhose sounds caress my earBut not a word I heard could I relateThe story was quite clearWhoa-hoh, whoa-wa-ohOooh, oh baby, I been flyin"Lord, yeah, mama, there ain"t no denyin"Oh, oooh yes, I"ve been flyingMama, mama, ain"t no denyin", no denyin"Oh, all I see turns to brownAs the sun burns the groundAnd my eyes fill with sandAs I scan this wasted landTryin" to find, tryin" to find where I beeeeeuhoaohOh, pilot of the storm who leaves no traceLike thoughts inside a dreamHeed the path that led me to that placeYellow desert streamMy Shangri-La beneath the summer moonWill return againSure as the dust that floats b"hind youWhen movin" through KashmirOh, father of the four winds, fill my sailsAcross the sea of yearsWith no provision but an open face"Long the straits of fearWhaoh, whaohWhaoh-oh, ohOhhhhWell, when I want, when I"m on my way, yeahWhen I see, when I see the way, you stay-yeahOoh, yeah-yeah, ooh, yeah-yeah, well I"m down, yesOoh, yeah-yeah, ooh, yeah-yeah, well I"m down, so downOoh, my baby, oooh, my baby, let me take you thereOh, oh, come on, come onOh, let me take you thereLet me take you thereWhoo-ooh, yeah-yeah, whoo-ooh, yeah-yeah, let me take youhttp://music.baidu.com/song/17971263

歌曲名:Boyfriend歌手:Ashlee Simpson专辑:L.O.V.E.Ashlee Simpson - BoyfriendAlbum: I Am Me02:58.24]What can been doing?Oh OhHaven"t seen you roundHow you been feeling?Dontcha bring me downAll that stuffAbout meBeing with himCan"t believeAll the lies that you toldJust to ease your own soulBut I"m bigger than that,No you don"t have my backNo No (Ha)Hey how long till the music drowns you outDon"t put words up in my mouthI didn"t steal your boyfriendHey how long till you face what"s going onCause you really got it wrong?Well I"m sorryThat he called meAnd that I answered the telephoneDon"t be worriedI"m not with himAnd when I go out tonightI"m going home aloneJust got backFrom my tourI"m a mess girl for sureAll I want is some fun,Guess that I"d better runHollywood sucks you inBut it won"t spit me outOh Oh (Ha)Hey how long til you look at your own lifeInstead of looking into mineHey how long till your leaving me aloneDon"t you got somewhere to go?Oh, Oh, Oh, HaPlease stop telling all your friendsI"m getting sick of themAlways staring at meLike I took him from youDon"t you got somewhere to goOh, I didn"t steal your boyfriendhttp://music.baidu.com/song/7393001

歌名：flash dance what a feeling（闪舞）歌手：邓丽君First, when there"s nothing But a slow glowing dreamThat your fear seems to hideDeep inside your mindAll alone I have cried Silent tears full of prideIn a world made of steel,Made of stoneWell I hear the music, Close my eyes, Feel the rhythmWrap around,Take a hold of my heart(Chorus)What a feeling,Bein"s believin"I can"t have it all,Now I"m dancin" for my lifeTake your passion,And make it happenPictures come alive, You can dance right through your life(Solo)Now I hear the music, Close my eyes, I am rhythmIn a flash it takes hold of my heartchorus (with ... "now I"m dancing through my life")What a feelingWhat a feeling (I am music now),bein"s believin" (I am rhythm now)Pictures come alive,You can dance right through your lifeWhat a feeling (I can really have it all)What a feeling(Pictures come alive when I call)I can have it all(I can really have it all)Have it all(Pictures come alive when I call)(call, call, call, call, what a feeling)I can have it all(Bein"s believin") Bein"s believin"(Take your passion, make it happen) Make it happen(What a feeling)What a feeling... (to fade)

2楼的很全

美国

什么是时髦？

Swatch集团旗下拥有众多腕表品牌，其中包括Swatch（斯沃琪）、Breguet（宝玑）、Blancpain（宝珀）、JaquetDroz（雅盖德罗）、Glashutte、Original/Union（格拉苏蒂）、LeonHatot、Omega（欧米茄）、Longines（浪琴）、Rado（雷达）、Tissot（天梭）、CalvinKlein（卡尔文克莱恩）、Certina（雪铁纳）、Mido（米度）、Hamilton（汉米尔顿）、PierreBalmain（皮尔巴尔曼）、FlikFlak（飞菲）和Endura。Swatch：大众品牌，价格低廉,质量很好,手表比较合适年轻人佩带,是世界销量做好的瑞士表.Breguet（宝玑）：顶级品牌，没个十万八万买不回来。Blancpain（宝珀）：顶级品牌，最贵的那款636万，其他的不多说了！JaquetDroz（雅盖德罗）：顶级品牌，只闻其名，没见其形！Glashutte（格拉苏蒂）：高档品牌，十万左右的价格居多，国内可以见到。LeonHatot：顶级品牌，没办法了解到价格。Omega（欧米加）:国内比较常见的牌子，几千－几万元，属中高档品牌。Longines（浪琴）：国内比较常见的牌子，几千－几万元，中高档品牌。Rado（雷达）：国内常见的牌子，价钱万元以下居多，中档品牌。Tissot（天梭）：国内常见的牌子，价钱万元以下居多，中档品牌。CalvinKlein（卡尔文克莱恩）：CK,流行品牌，万元以下居多，中低档品牌。Certina（雪铁纳）Mido（米度）：国内常见的牌子，价钱万元以下居多，中档品牌。Hamilton（汉米尔顿）：军表，中档品牌，几万元价位。PierreBalmain（皮尔巴尔曼）FlikFlak（飞菲）：儿童系列，国内好像还没有卖的追问：怎么没有我说的那种呢?手表上面是smash!是什么牌子呢回答：SMASH!是瑞士的手表品牌。名气不是特别大,但是还不错.追问：是什么价位的？回答：淘宝上有了打上SMASH手表就可以了

smash ,没有这个品牌的,或者应该是SWATCH. Swatch集团旗下拥有众多腕表品牌，其中包括Swatch（斯沃琪）、Breguet（宝玑）、Blancpain（宝珀）、Jaquet Droz（雅盖61德罗）、Glashutte、Original/Union（格拉苏蒂）、Leon Hatot、Omega（欧米茄）、Longines（浪琴）、Rado（雷达）、Tissot（天梭）、Calvin Klein（卡尔文61克莱恩）、Certina（雪铁纳）、Mido（米度）、Hamilton（汉米尔顿）、Pierre Balmain（皮尔61巴尔曼）、Flik Flak（飞菲）和Endura。 Swatch：大众品牌，价格低廉,质量很好,手表比较合适年轻人佩带,是世界销量做好的瑞士表. Breguet（宝玑）：顶级品牌，没个十万八万买不回来。 Blancpain（宝珀）：顶级品牌，最贵的那款636万，其他的不多说了！ Jaquet Droz（雅盖61德罗）：顶级品牌，只闻其名，没见其形！ Glashutte（格拉苏蒂）：高档品牌，十万左右的价格居多，国内可以见到。 Leon Hatot：顶级品牌，没办法了解到价格。 Omega（欧米加）:国内比较常见的牌子，几千－几万元，属中高档品牌。 Longines（浪琴）：国内比较常见的牌子，几千－几万元，中高档品牌。 Rado（雷达）：国内常见的牌子，价钱万元以下居多，中档品牌。 Tissot（天梭）：国内常见的牌子，价钱万元以下居多，中档品牌。 Calvin Klein（卡尔文61克莱恩）：CK,流行品牌，万元以下居多，中低档品牌。 Certina（雪铁纳） Mido（米度）：国内常见的牌子，价钱万元以下居多，中档品牌。 Hamilton（汉米尔顿）：军表，中档品牌，几万元价位。 Pierre Balmain（皮尔61巴尔曼） Flik Flak（飞菲）：儿童系列，国内好像还没有卖的。 SMASH也是韩国一个组合的名字，但是我觉得做为手表，它这是仿“swatch”品牌的商标。电子表很便宜的，除了名牌之外，好一点的也就是三十块钱左右SMASH是奥立弗的标志!

coast：海滨seashore：海岸，海滨seaside：海边bank：堤岸前三个跟海相关，bank可以是河岸

coast的用法coast 指“海岸”、“海岸线”等，属地理用词，它主要指远处看到的海洋与陆地的分界线，或把这一分界线当作一个整体来看待(通常只能指“海岸”，不指湖岸或河岸)。如：They lived about 20 miles from the coast. 他们住在离海大约 20 英里的地方。 seashore与seaside的用法当人们侧重把“海岸”或“海滨”作为游玩的地方来考虑时，就用 seashore 或seaside。如：They"ll spend the vacation at the seaside. 他们将到海滨度假。

bank：河岸（两边比水面高）coast：地理意义上的海岸线， 感觉旁边是岩石，很陡峭beach：海滩;海滨度假地;海滨的砂石seashore：海岸（为了游玩的）

coast的用法 coast 指“海岸”、“海岸线”等，属地理用词，它主要指远处看到的海洋与陆地的分界线，或把这一分界线当作一个整体来看待(通常只能指“海岸”，不指湖岸或河岸)。如：They lived about 20 miles from the coast. 他们住在离海大约 20 英里的地方。 seashore与seaside的用法当人们侧重把“海岸”或“海滨”作为游玩的地方来考虑时，就用 seashore 或 seaside。如：They"ll spend the vacation at the seaside. 他们将到海滨度假。We"re taking the children to the seaside [seashore] on Saturday. 我们打算星期六带孩子们到海边去玩。

Linux和Solaris都是unix-like系统，他们有很多共同之处，区别也有很多，下面从是个方面介绍他们的区别：区别1：默认shell 两个操作系统的默认shell虽然都是/bin/sh， 但linux默认shell是bash，/bin/sh仅是一个指向到/bin/bash的符号链接。 而solaris的默认shell是Bourne shell，名为/bin/sh。 区别2：文件系统 标准的solaris文件系统格式是UFS,还可以使用VxFS,QFS,从Solaris 10 u2版开始，还可以使用ZFS。 Linux通常使用ext3 or ext2,reiser,JFS,XFS其中一种。 区别3：文件系统目录布局 最值得注意的是/proc目录。 Linux的/proc目录存放与系统配置以及进程有关的信息，可以修改这些文件以更新内核变量和进程信息。 而Solaris的/proc目录仅包含进程信息，不能从/proc目录获取系统信息或调整内核变量，但Solaris使用/platform目录，这个目录包含平台特定的信息和应用，Linux没有与Solaris的/platform对应的目录。 区别4：命令 为了保持对System V,BSD,GNU软件的兼容性，除了常规的/bin(/usr/bin)和/sbin(/usr/sbin)目录外，Solaris还使用了一些扩展的命令目录，这些目录如下所示： /usr/openwin /bin/usr/dt/bin /usr/sfw/bin /opt/sfw/bin /usr/xpg4/bin /usr/ccs/bin /usr/ucb 其中： /usr/bin 标准的System V命令 /usr/ucb 传统的BSD命令 有些命令在这两个目录中都有，但用法可能不同，比如 basename df du echo expr fastboot fasthalt file from groups install ld lint ln lpc lpq lpr lprm lptest ls mkstr printenv ps rusage sed shutdown stty sum test touch tr tset users vipw whereis whoami 软件的部署Linux和Solaris相同，这些GNU的命令在Solaris中通常都以g字母开头，比如gtar。 System V和BSD中有两个目录包含软件：/usr/sfw/bin和/opt/sfw/bin。前者包含从安装介质中安装的软件，后者则是从配套CD中安装的软件。 随着Solaris版本的更新，有可能会把配套CD上的软件放入Solaris安装介质中，因此需要注意在旧版本上的/opt/sfw/bin目录中的命令可能会被移植到/usr/sfw/bin中。凡是在/usr/sfw/bin中的软件，表示能够通过Sun的标准支持通道获得完全技术支持，而/opt /sfw/bin中的软件则通常是由开源软件组织获得技术支持。 区别5：网络配置文件 Linux Solaris /etc/ntp.conf /etc/inet/ntp.conf /etc/[x]inetd.conf /etc/inet/inetd.conf /etc/sysconfig/network-scripts/ifcfg-{interface} /etc/hostname.{interface} and /etc/inet/netmasks /etc/sysconfig/network /etc/nodename and /etc/defaultrouter /etc/networks /etc/networks -> /etc/inet/networks (链接到) 区别6：文件系统配置文件 Linux Solaris /etc/fstab /etc/vfstab /etc/exports /etc/dfs/dfstab (format is different)/etc/auto.master /etc/auto_master /etc/auto.home /etc/auto_home 区别7：mail Linux Solaris /etc/aliases /etc/mail/aliases /etc/mail.rc /etc/mail/Mail.rc /etc/mail/mailx.rc 区别8：日志文件 在Linux系统中，日志文件的主目录为/var/log，各种系统守护进程的日志文件均存在此处。 Solaris稍有不同，/var/log目录存放syslog和authlog的日志文件，而/var/adm目录则存放消息日志文件，在缺省配置时，solaris的/var/adm/messages文件（redhat对应的文件为/var/log/messages）包含所有的日志记录（可通过修改syslog.conf文件为不同的日志指定不同的消息记录文件）。 区别9：脚本移植 如果要把脚本从Linux移植到Solaris，需要注意以下几点： 首先确定脚本中所使用的所有文件和路径在Solaris中均有效 确定所有的选项和参数是否有变化 命令的执行输出是否有区别 区别10：查看帮助信息 man的差异：Linux Solaris # whatis printf $ whatis printf# man 3 printf $ man -s 3c printf /etc/mail.rc Linux特有的帮助： Linux还可以使用info查看帮助，info中带有简单的菜单式链接。按回车进入菜单所链接的章节，按q退出。 最后，Linux在/usr/share/doc/目录中还提供了一些其他格式（pdf、html等）的帮助资源。每个子目录对应一个应用，存放和应用相关的配置、设置等帮助资料。比如/usr/share/doc/bind*，存放和DNS服务器应用软件bind有关的帮助信息。

内flash慢的原因：1、电读片里面元件太多导致。2、IE设置可能出问题了。3、flash播放速度是跟帧数有关系，帧数太低。4、IE缓存太多。

wash的读音是：英[w??]。wash的读音是：英[w??]。wash的详尽释义是n.(名词)沃什湾（靠英国英格兰东部）洗东西处洗衣店要洗的衣服，洗好的衣服【地】（水流的）冲积物，冲积层，沙滩洗涤剂洗，洗涤，冲洗，沐浴废液，泔水沼泽，泥塘，浅水湾，洼地干河床水的奔流，汹涌，水的撞击，流水的拍打声味淡的液体食品，淡酒，淡饮料【海】排出流薄涂层，涂料。wash过去式:washed；过去分词:washed；现在分词:washing；第三人称单数:washes。一、详尽释义点此查看wash的详细内容n.(名词)沃什湾（靠英国英格兰东部）洗东西处洗衣店要洗的衣服，洗好的衣服【地】（水流的）冲积物，冲积层，沙滩洗涤剂洗，洗涤，冲洗，沐浴废液，泔水沼泽，泥塘，浅水湾，洼地干河床水的奔流，汹涌，水的撞击，流水的拍打声味淡的液体食品，淡酒，淡饮料【海】排出流薄涂层，涂料v.(动词)洗，洗涤，洗去洗刷使湿，使浸透，使湿透（猫等）舔净镀金属薄层于冲洗，弄湿（伤口等）（光）布满，弥漫于漫过，流过，（被浪花等）拍打，冲击冲击，冲成，冲蚀【化】洗涤使打旋洗澡，洗脸，洗手耐洗用作洗涤剂粉刷，涂（漆、颜料）于（常用在疑问和否定句中）经得住考验，论点站得住脚【矿】洗（矿）使人接受，令人相信abbr.(缩略词)华盛顿=washingtonadj.(形容词)耐洗的（证券交易）冲销性的，洗售的二、双解释义v.(动词)vt. & vi. 洗; 洗涤 make clean with water or some other liquidvi. 耐洗,经洗 be able to be washed without spoiling; bear cleaning with liquid without damagevi. & vt. 冲走; 冲击,拍打 carry with water; beat or strike with watern.(名词)[S] 洗; 洗涤 act of cleaning or being cleaned with water[S] 洗的衣物的数量 quantity of clothes, sheets, etc. (to be) washed三、英英释义Noun:a thin coat of water-base paintthe work of cleansing (usually with soap and water)the dry bed of an intermittent stream (as at the bottom of a canyon)the erosive process of washing away soil or gravel by water (as from a roadway);"from the house they watched the washout of their newly seeded lawn by the water"the flow of air that is driven backwards by an aircraft propellera watercolor made by applying a series of monochrome washes one over the othergarments or white goods that can be cleaned by launderingany enterprise in which losses and gains cancel out;"at the end of the year the accounting department showed that it was a wash"Verb:clean with some chemical processcleanse (one"s body) with soap and watercleanse with a cleaning agent, such as soap, and water;"Wash the towels, please!"move by or as if by water;"The swollen river washed away the footbridge"be capable of being washed;"Does this material wash?"admit to testing or proof;"This silly excuse won"t wash in traffic court"separate dirt or gravel from (precious minerals)apply a thin coating of paint, metal, etc., toremove by the application of water or other liquid and soap or some other cleaning agent;"he washed the dirt from his coat""The nurse washed away the blood""Can you wash away the spots on the windows?""he managed to wash out the stains"form by erosion;"The river washed a ravine into the mountainside"make moist;"The dew moistened the meadows"wash or flow against;"the waves laved the shore"to cleanse (itself or another animal) by licking;"The cat washes several times a day"四、例句This dress material shrinks in the wash.这种衣料一洗要缩水。We"ll toss a coin to see who does the wash.我们将掷币决定谁来洗衣服。She has a large wash this week.这星期她有大量衣服要洗。Silk clothing should not use washing machines wash.丝绸衣物不宜用洗衣机洗涤。Cheap clothes tend to fall apart when you wash them.便宜衣物洗涤时容易破碎。I must wash my hands before dinner.吃饭前，我必须洗手。Cotton clothes will shrink if you wash them in hot water.如果你用热水洗涤，纯棉衣服会缩小。I am afraid you must wash out this stain.恐怕你必须洗掉这个污渍。五、词汇搭配用作动词 (v.)～+名词wash bottle洗瓶子wash car洗车wash clothes洗衣服wash dish洗盘子wash face洗脸wash hands洗手wash oneself洗澡wash out one"s hope使希望告吹wash out that idea打消那个念头wash out the mouth漱口wash walls with white把墙刷白wash wound洗伤口～+副词wash well耐洗wash admirably大量地洗涤wash adroitly熟练地洗涤wash advantageously有效地洗涤wash aptly恰当地洗涤wash assiduously持之以恒地洗涤wash automatically自动洗涤wash briefly简洁地洗涤wash carelessly粗心地洗涤wash casually漫不经心地洗涤wash cautiously小心地洗涤wash completely彻底洗涤wash conditionally有条件地洗涤wash deliberately从容地洗涤wash delightfully愉快地洗涤wash fastidiously讲究地洗涤wash freely随意地洗涤wash frequently经常洗涤wash futilely徒劳地洗涤wash habitually习惯地洗涤wash immediately立即洗涤wash incessantly不停地洗涤wash laboriously吃力地洗涤wash listlessly无精打采地洗涤wash personally亲自洗涤wash reluctantly不情愿地洗涤wash scrupulously认真地洗涤wash slightly轻微地洗涤wash slowly慢慢地洗涤wash surreptitiously偷偷地洗涤wash thoroughly彻底地洗涤wash unconditionally无条件地洗涤wash unnecessarily不必要地洗涤wash unwillingly勉强洗涤wash usually经常洗涤wash utterly完全洗涤wash willingly欣然洗涤wash away冲垮wash away the river banks冲垮河堤wash off(使)清洗掉wash off stains洗掉污点wash out(使)清洗掉,冲掉或冲垮(桥梁、道路)wash out the ink洗掉墨水wash up用水洗(碟子、锅等),洗脸和手等wash up dishes洗盘子～+介词wash...for替…洗涤wash the dishes for sb替某人洗这些盘子wash in cold water用冷水洗澡wash into冲进wash off洗掉wash...with用…洗wash...with soap用肥皂洗用作名词 (n.)动词+～come out in the wash(某物)洗掉了,(某问题)圆满解决了do a/the wash洗衣服get a wash须洗一洗give sb/sth a wash给…洗一洗have a wash洗衣服need a wash需要洗一洗stand wash耐洗,经洗形容词+～good wash彻底洗,好好洗a large wash一大堆要洗的衣服dirty wash家丑,隐私dry wash洗好晾干而未加熨烫的衣服huge wash很多要洗的衣服mere wash淡得像水一样的(茶,汤)wet wash洗好但尚未干燥和熨烫的衣服名词+～car wash洗汽车distilled water wash蒸馏水洗涤eye wash洗眼用药水hair wash洗发剂mouth wash漱口药水ore wash洗矿石～+名词wash ball香皂wash basin脸盆wash board洗衣板wash bottle洗涤瓶wash bowl脸盆wash cloth浴巾wash drawing淡水画wash house洗衣房wash mill洗涤装置wash pipe冲洗管wash room厕所wash stand脸盆架wash tub洗衣盆介词+～at the wash在洗衣房in the wash正在洗in the wash of the ship在船翻起的波浪中～+介词wash of a river河流的冲积wash of the waves波涛的拍击声六、情景对话PlansB：Do you have any plans?有什么计划吗？A：I"m going to (watch movies/ read a book/wash my bicycle).我打算去（看电影/看本书/清洗我的自行车）。烹饪A：What are you cooking?你正在做什么？washB：I"m making pizza.我在做匹萨。washA：Yummy! Do you have all the ingredients you need?真香啊！需要的全部调料你都有么？B：I"ve got everything, unless you want salami on your pizza.都准备好了，除非你要吃带意大利香肠的匹萨。A：That would be good. I can run to the store and buy some. What other ingredients are you going to put on the pizza?那太好了， 我可以去商店买一些， 你还需要其它调料么？B：Pizza sauce and cheese, of course. And then mushrooms, green peppers, onions, olives, and bacon.当然还有匹萨沙司和乳酪，蘑菇，青椒，洋葱，橄榄核烤肉。A：Did you make the pizza crust or buy it from a store?你是自己做匹萨卷还是从商店买？B：I made it from scratch.我自己做。A：Was it difficult?难么？B：No, I just had to mix some flour, water, and a little yeast. It"s almost ready to come out of the oven.不难，只不过把面粉、水和一些发酵粉。差不多要准备出炉了。wash的翻译A：Do I have time to get the salami?来得及去买意大利香肠么？wash什么意思B：Yes, but be quick. I"ve just got towash the vegetables and cut them into little pieces. And then we can add the tomato sauce and the toppings.是，但要快，我正好洗了蔬菜并切碎，然后我们可以加点番茄沙司和装饰配料。Cooking-(做饭)A：I"d like to help pitch in with? dinner.我想帮忙一起做饭。B：Really? You"re joking.真的吗？你在开玩笑吧。A：No. I"d like to do something special for you on your birthday.没开玩笑。我想在你的生日为你做点儿特别的事情。wash什么意思B：I"d like that. Alright, put on this apron first.好啊，那你先把围裙带上吧。A：OK…Now how can I help, hon??好的…现在，我怎么帮忙，亲爱的？B：Hmm, let me see… Boil some water and then whisk two eggs.嗯，让我看看…烧点水，然后再打两个鸡蛋。A：Easy. I could do that with my eyes closed.（after a while）Done.这容易。我闭着眼睛都能干。（过了一会儿）做好了。B：Not bad. Okay, now take some meat and potatoes from the fridge.也不错嘛，现在你从冰箱里取一些肉和土豆。A：How many potatoes do you need?你需要几个土豆？B：Three. And bring four bell peppers?.三个。再拿四个青椒。A：Gotcha?… OK. Here they are.明白…好了，拿来了。B：Nowwash them, then dice the potatoes and bell peppers. Then slice the meat.现在把它们洗一下，然后把土豆和青椒切成丁儿，然后再把肉切成片。A：Where"s the peeler?削皮刀在哪儿？B：It"s in the cabinet… Adam, the gas cooker doesn"t work.在橱柜里…亚当，煤气灶坏了。A：What? Oh, shit! I cut my finger.什么？哦，该死！我切到手指了。B：Let me take a look at that… I can"t stop the bleeding. We need to go to the hospital.让我看看…我没法给你止血。我们得去医院。A：I guess cooking is not as easy as I thought.我想做饭并不像我想的那么简单。七、词义辨析n.(名词)下面三句的意思不同:She had a wash.她洗了一个澡。She did a wash.她用洗衣机洗了衣服。She did some washing.她洗了洗衣服。wash的相关近义词bath、bathe、clean、shower、bath、bathe、cleaning、flowwash的相关临近词washer、was、Washe、Washi、washy、Washo、Washio、Washim、washup、Washid、washed、washin点此查看更多关于wash的详细信息

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写，NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快。知识延展：SPI串行外围设备接口是一种常见的时钟同步串行通信接口，外置flash按接口分有总线flash，SPI flash，总线flash需要你的MCU上有外部总线接口。NADA flash又名闪存，是一种长寿命的非易失性存储器，它在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，闪存是电子可擦除只读存储器的变种，闪存比EEPROM的更新速度快。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

你的手机内存卡有128兆的储存空间。

　　关系为：它们都是单片机系统的存储器　　　　区别主要是他们的用途不同：现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.　　详细介绍：　　1、RAM-RamdomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。 　　2、ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。　　3、EEPROM（带电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器EEPROM（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。　　4、Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

目前市售的Nand Flash制程工艺不固定，基本在20nm—34nm范围内。民用产品主要是30nm左右的产品。制程技术最好的就是三星、海力士，还有IMFT（英特尔镁光）。

　　1. 区别　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●NOR的读速度比NAND稍快一些。　　●NAND的写入速度比NOR快很多。　　●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。（4）接口差别　　NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。（5）容量差别： NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。（6）可靠性和耐用性－寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。－位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。－坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。（7）易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。（8）软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行　　2. 趋势　　NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。　　　　　　3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。而1G2G4G8G16G是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。这里为什么会有多种选择呢？因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。当然，容量越小，价格越便宜。自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

一、优缺点不同1、MLC：为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC：复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。二、特点不同1、MLC：是容量大成本低，但是速度慢。2、SLC：成本高、容量小、速度快。三、架构不同1、MLC：MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC：SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。参考资料来源：百度百科-SLC MLC

nand flash. 虽比较有坏轨，但是ECC 已克服此问题!!

nandflash储存型快闪记忆体；闪存；储存型闪存例句筛选1.PricingintheNANDflashmemorychipmarkethasstayedfirmthisyearthankstostrongdemandfromsmartphoneandtabletmakers.由于来自智能手机和平板电脑制造商的强劲需求，NAND闪存芯片市场的价格今年保持坚挺。2.NANDflashinnegativedelaystoredtestingandmeasuringsystem运用NAND闪存的负延时存储测试系统

简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。

最佳答案性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说

sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。 nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；inand flash：是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。 Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。NANDFlash启动： NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nandflash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。 这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。NORflash启动：支持XIP即代码直接在NOR Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NORFlash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到NANDflash中，借助cpu内部RAM（SRAM）直接云行。 nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。 NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和nandflash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部nandflash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。 总结： Arm的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在arm开电的时候，要想让arm知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。 1当引脚OM0跟OM1有一个是高电平时，这时地址0会映射到外部nGCS0片选的空间，也就是Norflash，程序就会从Norflash中启动，arm直接取Norflash中的指令运行。 2当OM0跟OM1都为低电平，则0地址内部bootbuf（一段4k的SRAM）开始。系统上电，arm会自动把NANDflash中的前4K内容考到bootbuf（也就是0地址），然后从0地址运行。这时NANDFlash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把NANDFlash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）为什么会有这两种启动方式，关键还是两种flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。NAND FLASH 总容量大，但是读写都需要复杂的时序，更适合做数据存储器。这种不同就造成了NORflash可以直接连接到arm的总线并且可以运行程序，而NANDflash必须搬移到内存（SDRAM）中运行。在实际的开发中，一般可以把bootloader烧入到Norflash，程序运行可以通过串口交互，进行一定的操作，比如下载，调试。这样就很可以很方便的调试你的一些代码。Norflash中的Bootloader还可以烧录内核到Norflash等等功能关于为什么NAND Flash不能直接运行程序的说明：Nand Flash的命令、地址、数据都通过I/O口发送，管脚复用，这样做做的好处是，可以明显减少NAND FLASH的管脚数目，将来如果设计者想将NAND FLASH更换为更高密度、更大容量的，也不必改动电路板。 NAND FLASH不能够执行程序，本人总结其原因如下 ：1. NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。 2. NAND FLASH是顺序存取设备，不能够被随机访问，程序就不能够分支或跳转，这样你如何去设计程序。

是nand型的，这种特点是页读写，对于大数据量速度是块的，而且便宜，所以适合用来存放日常数据。而nor的特点是像EEPROM一样，具体可以达到bit的读写，因此对于小数据的access能力强，但是要读写大数据的话，速度没nand来得快，而且贵，因此nor一般用来存放mcu的执行代码。希望对你有帮助。

　　Fisrt part ：　　NAND flash和NOR flash的不同　　NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。　　● NAND的写入速度比NOR快很多。　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。　　---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》　　Second part：　　NAND Flash结构与驱动分析　　一、NAND flash的物理组成　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。　　NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：　　Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位　　Page Address ：页地址　　Block Address ：块地址　　对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。　　二、NAND Flash地址的表示　　512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。　　例如64MB（512Mb）的NAND flash（实际中由于存在spare area,故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。　　由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 为例：　　第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读　　写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。　　第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；　　第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；　　第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；　　因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。　　下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。　　三、NAND flash驱动解读　　以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。　　在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，有关NAND flash的驱动都在driver/mtd/nand/下，该目录中包含的源文件：smc_core.c是NAND flash的主要驱动。　　NAND flash 芯片定义了一个很长的结构，这个结构中包含了操作NAND flash的函数和一些必要的变量（include/mtd/nand.h）。　　struct nand_chip {　　#ifdef CONFIG_MTD_NANDY　　void (*hwcontrol)(int cmd);　　void (*write_cmd)(u_char val);　　void (*write_addr)(u_char val);　　u_char (*read_data)(void);　　void (*write_data)(u_char val);　　void (*wait_for_ready)(void);　　int page_shift;　　u_char *data_buf;　　u_char *data_cache;　　int cache_page;　　struct nand_smc_dev *dev;　　u_char spare[SMC_OOB_SIZE];　　#else　　……　　#ifdef CONFIG_MTD_NAND_ECC　　u_char ecc_code_buf[6];　　u_char reserved[2];　　#endif　　#endif　　};　　纵观对NAND flash的各种操作（read、write、erase），无外乎如下几种操作：　　1．选择flash nand_select()　　2．发送命令 nand_command()　　3．进行相应操作 read，write……　　4．反选NAND flash nand_deselect()　　下面是以上四步的实现代码：　　1、选择NAND flash　　#define nand_select() this->hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE); 　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1); 　　udelay (10);　　hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE)的作用是设置2410的NAND FLASH CONFIGURATION (NFCONF) REGISTER的NAND Flash Memory chip enable位为0，这位寄存器在自动重启后就被系统自动清零。如果要访问NAND flash的内存，这位必须置1。　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1)；向flash发送命令，此命令为reset，即为重置NAND flash。　　然后是10us的延迟，给flash个反应时间。　　2、发送命令　　Nand_command()同样在smc_core.c中实现。NAND flash的命令有如下几种：　　命令 命令值 描述　　NAND_CMD_READ0 0 读操作　　NAND_CMD_READ1 1 读操作　　NAND_CMD_PAGEPROG 0x10 页编程操作　　NAND_CMD_READOOB 0x50 读写OOB　　NAND_CMD_ERASE1 0x60 读写操作　　NAND_CMD_STATUS 0x70 读取状态　　NAND_CMD_STATUS_MULTI 0x71 读取状态　　NAND_CMD_SEQIN 0x80 写操作　　NAND_CMD_READID 0x90 读Flash ID号　　NAND_CMD_ERASE2 0xd0 擦写操作　　NAND_CMD_RESET oxff 复位操作　　按照程序的注释，可以将该函数的实现分为如下几步：　　1、Begin command latch cycle　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETCLE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_OUT);　　找到第二条语句的定义，发现什么都么做，不解!!希望达人解答。我猜想可能是一个数据读出的使能操作，允许数据读出。　　Command Latch Enable(CLE) and Address Latch Enable(ALE) are used to multiplex command and address respectively, via the I/O pins. The CLE input controls the path activation for commands sent to the command register. When active high, commands are latched into the command register through the I/O ports on the rising edge of the nWE signal. 看了这段英文相信对第一条语句的作用已经十分清楚了，他就是用来控制向命令寄存(COMMAND SET (NFCMD) REGISTER)发送命令的。　　2、 Write out the command to the device　　这部分对于不同的命令来说，操作的步骤也不太相同，如果为写操作，那么还有根据flash不同的容量决定操作步骤，具体可以参看代码。如果为其他命令，那么就是简单的一行：　　this->write_cmd (command);　　将命令直接想到命令寄存器（NFCMD[7:0]）中。　　3、 Set ALE and clear CLE to start address cycle & Serially input address　　1中已经提到了ALE和CLE的作用，现在开始发送地址。　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRCLE); // clear the command latch enable　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETALE); // set the address latch enable　　然后按位操作，是用函数write_addr()将地址写到NAND FLASH ADDRESS SET (NFADDR) REGISTER中。　　4、 Latch in address　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRALE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_IN);　　地址发送完毕，清楚ALE。　　5、 Pause for 15us　　我使用的VIVI中，使用udelay (15)延时15us，但这个时间会因NAND Flash的不同而不同。　　三、Operation　　根据函数的不同，操作部分会不一样，但是主要的是对NAND FLASH DATA (NFDATA) REGISTER的操作，或写（编程）或者读。通过读或写函数的参数来返回或传递读出的值或写入的值。写得操作通常比较麻烦，他要将写到flash的内容重新读出后进行ECC校验，如果数据正确则在重新真正的写（编程），如果错误，则将数据写入flash的另一个块。读和写都是以页为单位进行操作。而擦除则以块为单位，三个周期发送完地址。擦除完毕后同样需要进行检察以确定是否擦除成功。　　四、De-select the NAND device　　实现代码：　　#define nand_deselect() this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRNCE);　　反选flash吧，不知这样叫正确与否，跟select the NAND device相反，亦即使用完后将使能flash位清0，代码是NFCONF位于0x4e00_0000的位置（NFCONF |= NFCONF_nFCE_HIGH;），有兴趣的可以读读代码，看看这是怎么实现的，我的感觉就是关于寄存器的清置读起来都比较晕。　　　　　　　　基于三星K8F2G08U0M存储芯片的读写操作，如命令、地址、数据的读写时序，读芯片ID、页读、页写、随机读、随机写，坏块的检测、标记及处理。　　（1）写命令子函数　　void Write_Command(unsigned char Com)　　{　　FLASH_CLE = 1;　　FLASH_ALE = 0;　　　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Com;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（2）写地址子函数　　void Write_Address(unsigned char Addr)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Addr;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（3）写数据子函数　　void Write_Data(unsigned char dat)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_RE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = dat;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（4）读数据子函数　　unsigned char Read_Data(void)　　{　　unsigned char dat;　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_WE = 1;　　FLASH_RE = 0;　　dat = XBYTE[XP];　　FLASH_RE = 1;　　return dat;　　}　　(5) 读ID函数　　FLASH_CEN = 0; //读ID　　Write_Command(0x90);　　Write_Address(0x00);　　AA1 = Read_Data(); //0xEC　　AA2 = Read_Data(); //0xDA　　AA3 = Read_Data(); //无所谓　　AA4 = Read_Data();　　FLASH_CEN = 1;

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口

一句话，nor只能读不能写，而nand可以读可以写，区别nand和nor的方法也很简单，直接向nor里面写入一个数据然后再读出来，如果读出的数据等于写入的数据就是nand，否则就是nor。

NANDFLASH应该就是NANDMEMORY吧，就是指手机或者MP4的内存，就像电脑的内存一样，为程序的运行保存一些参数变量，断电后会自动清除。他的大小当然也要影响到手机的运行速度。相关的内存数据还有一个就是FreeExecutableRAMMemory，这个是实际可用内存，就是除手机自带程序占用的内存之外，用户可以自己支配的内存，比如开个QQ阿，或者打开个游戏阿，实际可用内存的大小会影响到这些程序的运行速度；

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

1.Nor的成本相对高，容量相对小，比如常见的只有128KB，256KB，1MB，2MB等等，优点是读写数据时候，不容易出错。所以在应用领域方面，NorFlash比较适合应用于存储少量的代码。2.Nandflash成本相对低，说白了就是便宜，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大，现在常见的NandFlash都是1GB，2GB，更大的8GB的都有了，相对来说，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。Norflash，有类似于dram之类的地址总线，因此可以直接和CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对norflash进行访问，而NandFlash没有这类的总线，只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对NandFlash内部数据进行访问。相比之下，norflash就像是并行访问，NandFlash就是串行访问，所以相对来说，前者的速度更快些。但是由于物理制程/制造方面的原因，导致nor和nand在一些具体操作方面的特性不同。希望对你有用。请参看《如何编写Linux下NandFlash驱动》。]

这个哪有啊 ，你也喜欢岚吗 我也喜欢 比较喜欢二宫和也

可以直接输入&mdash，看出来的是什么

冷机洗，低烘干

加密造成的问题

不一样Bootloader是嵌入式系统在加电后执行的第一段代码，在它完成CPU和相关硬件的初始化之后，再将操作系统映像或固化的嵌入式应用程序装在到内存中然后跳转到操作系统所在的空间，启动操作系统运行。BootLoader是在操作系统内核运行之前运行。可以初始化硬件设备、建立内存空间映射图，从而将系统的软硬件环境带到一个合适状态，以便为最终调用操作系统内核准备好正确的环境。通过这段小程序，可以初始化硬件设备、建立内存空间映射图，从而将系统的软硬件环境带到一个合适状态，以便为最终调用操作系统内核准备好正确的环境。

在Documents and Settings下面，如果只有一个用户，那么就会有两个文件夹，除去那个All Users的文件夹，另一个就是你的用户的文件夹。Flash游戏是一种新兴起的游戏形式，以游戏简单，操作方便，绿色，无需安装，等优点渐渐被广大网友喜爱，像经典的黄金矿工、奥拉星都是Flash游戏。Flash游戏修改大师，该软件能像使用其他修改软件一样方便地修改Flash游戏内的各项数值，并且因为是由Cordy 开发的小游戏修改器，因此该修改器品质极高，几乎可以修改游戏内的一切数据，甚至包括游戏内的时间。并且软件操作简单，只需要像打开文件一样打开游戏即可修改各项数值。

工作中我们遇到了把Hive数据同步到Clickhouse的业务需求，一开始我们写Spark任务，用SparkSQL读Hive，再用JDBC写入到Clickhouse。 后来，随着要同步的表越来越多，每次都写Spark任务，成本就显得有些高了。于是，写了一个通用的Spark任务，指定Hive表、字段，指定Clickhouse表、字段，每次指定不同的参数。 再后来，业务越来越复杂，不仅是简单的同步，而是要支持更复杂的SQL，结果进行数据类型转换、值转化等，然后再插入Clickhouse。 这不是ETL要干的事儿吗？！ 当然，继续增强之前的Spark，完全可以实现这个功能。但是说到ETL，不是有专业强大的Logstash吗，为什么要重复造轮子？ 经过一番调研，还真有人写了Logstash插件，用来导出数据到Clickhouse： logstash-output-clickhouse 输出端搞定了，输入端怎么搞呢？很建达，用JDBC插件就可以了。 如上，配置jdbc连接信息即可。 需要说明的是，相关的jar包比较多，需要给全了，否则会有各种ClassNotFoundException。完整的jar列表为： 这些jar最好与hive环境版本一致，我们用的是CDH版，所以都是从CDH目录下找到的jar。 Clickhouse插件使用说明参考： https://github.com/mikechris/logstash-output-clickhouse 主要说下安装过程。 说明文档里说的 bin/logstash-plugin install logstash-output-clickhouse 方式，没有安装成功，所以只能自己编译安装。 先clone源码，然后进入源码根路径： 编译： 此时，若没有安装ruby环境，按照提示安装一下，再编译。 编译成功后，会多出一个文件 安装： logstash的安装就不多说了，按照logstash官方文档安装就可以了。 此时，如果logstash版本是5.x，可能会遇到一个错误： 按照提示，修改gemfile： 修改logstash-mixin-http_client的版本： 原来是>6且<7，改成>5且<6。 然后，再次编译、安装，就可以了。 按照文档中的使用说明，配置Clickhouse连接信息即可： 这部分工作可以放在filter里处理，各种filter插件就不说了，参考logstash官方文档吧。

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很有可能是程序跑飞了，看看各总线有没有加正确的时间约束，另外可以考虑降低CPU主频。

可以按ctrl+7快捷键进入nios flash program，然后new一个program setting file 加入你需要烧写的sof和elf文件。

NIOS FPGA 是什么呀

在新窗口打开你的链接

flash 硬件连接有问题吧。看看管脚分配、焊接有没有问题。

pll里的相移设置用于外面sdram的时序设置的，你既然能发出几个正常的字符，应该不是sdram接口问题。感觉是时钟不正确，或者你的板子硬件上有点问题。具体可以邮件联系我keyboard660@163.com

正常，很多低端U盘是用读卡器的主控做的，在系统下会识别为读卡器。

移动播放器

Trans-Flash Card为SD Card产品成员的一员,附有SD转接器，可兼容任何SD读卡器，TF卡可经SD卡转换器后，当SD卡使用。T-Flash卡是市面上最小的闪存卡,适用于多项多媒体应用。T-Flash Card Reader应该是TF卡的读卡器吧。一般这个可以读蛮多种卡的。

然并卵。国内根本用不到。

NicholasHammondNicholasHammond是一名演员，主要的作品有《朱门恩怨》、《鹰冠庄园》等。外文名：NicholasHammond职业：演员代表作品：《朱门恩怨》合作人物：HarryHarris

NicholasHeadNicholasHead是一名演员，主要作品有《CurseoftheCrimsonAltar》《Dr.WhoandtheDaleks》。外文名：NicholasHead职业：演员代表作品：《Dr.WhoandtheDaleks》合作人物：VernonSewell电影作品

chashma hydel power station 是：恰希玛水电发电站hydel power station 意思是水电发电站就是一个发电站

用IE 右击用迅雷下载全部 确定flash选区 下载

mashup，将不同风格的音乐混合，以产生新的趣味remix，是种音乐技术，应用于歌曲的原来版本，经过重新混音，形成另一种版本。混音师会利用电脑与合成器，创作一首歌主要编曲的另一个版本，增加或减除一些音符，或单纯改变等化器、强弱、音高、速度、曲调长度、以及其他各方面构成音乐的要素，目的是想令歌曲给人们有一个新鲜的感觉。希望能帮到你 ==.............

AakashNath外文名：AakashNath职业：演员、导演代表作品：Four合作人物：EllenFernley

wash dark colours separately将黑颜色的衣服分开洗

24的因数: 1，2，3，4，6，8，12，248是24和40的最大公因数

歌曲名:Dash!!歌手:hey! say! jump专辑:JUMP NO.1「Dash!!」作词∶中岛裕翔作曲∶原一博歌∶Hey! Say! JUMP仆の中の仆に闻いた　どうしたいの？进んでいくのもストップも　どっちだって自由さ无理してたら折れた翼　翔べないまま焦る仆を吸い込むように见下ろす空じっと立ち止まっていても始まらない君にはさ、见せたいよ　梦见てる　辉く世界强く强く　もっと强く　胸に想いを抱いたらさあ行こうぜ　向かい风も受けて高く高く　もっと高く　あの空のもっと上に羽根を広げ　いますぐ Just fly away !!失败なんておそれなくて　いいんだよ期待だけをポケットに　めいっぱい诘めて行くんだつらいほうが多い时もあるけれど君にはさ、见てほしい　梦の先　辉く世界热く热く　もっと热く　胸の希望を燃やしてさあ行くんだ　追い风に乗って远く远く　もっと远く　彼方まで翔べるはずさ光る羽根で　いますぐ Just fly away !!强く强く　もっと强く　胸に想いを抱いたらさあ行こうぜ　向かい风も受けて高く高く　もっと高く　あの空のもっと上に羽根を広げ　いますぐ Just fly away !!【 おわり 】http://music.baidu.com/song/53130553

paonansi是是松下乐声空调；空调即空气调节器（Air Conditioner）。是指用人工手段，对建筑或构筑物内环境空气的温度、湿度、流速等参数进行调节和控制的设备。一般包括冷源/热源设备，冷热介质输配系统，末端装置等几大部分和其他辅助设备。主要包括，制冷主机、水泵、风机和管路系统。末端装置则负责利用输配来的冷热量，具体处理空气状态，使目标环境的空气参数达到要求。

两个品牌不一样。首先，pashanren不是松下品牌，是宁波永雪制冷设备有限公司旗下的冰箱品牌，企业地址位于浙江省慈溪滨海经济开发区秦渡路555号，主要包含：制冷设备及配件、厨房设备及配件、家用电器及配件的制造、加工。松下电器（中国）有限公司于2002年实现了独资，主要负责开展家电和系统商品的批发和售后服务活动。松下产品在民用方面主攻数码视听、小家电、办公产品、日用家电、特殊领域的专业设备。现松下在民用产品有70多个产品，如电动牙刷、剃须刀，大到广播电视设备，如等离子电视、液晶电视、数字背投、平面电视、数码摄像机、数码相机、DVD刻录机等。

主要看正标，有图片最好了

比长城干红好多了，市场价350左右。大学红酒课学过。奔富128，属于奔富酒里的低端酒。澳大利亚红酒，属于时尚型的，适合年轻人喝

KamranPashaKamranPasha是一名编剧，代表作品有《泰姬陵:永恒的爱情故事》、《尼基塔》等。外文名：KamranPasha职业：编剧代表作品：《泰姬陵:永恒的爱情故事》、《尼基塔》合作人物：AkbarKhan

假的！没有陶瓷的！

好吧，具体价格不知道，只知道好贵的！

pasha系列腕表从3万元至30万不等，你没有型号的话，最好把照片传上来看看才能知道。

很简单看是不是真的。你跟你这个朋友的关系，我猜你是女的吧，男的送十几万东西给这个女的，要么是老婆，要么是女友，要么就是二奶或者情人，或者很好很好的朋友。如果关系一般，我觉得除非是有利益来往，不然不会下这个血本。

Pasha是Catier表一个系列的名字，就如蓝气球系列一样。具体式样可以参见下面网站http://www.smarter.com.cn/_lpkilfninbmh_pasha-se-ch-1010-c-14/