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塔器性能的好坏,决定于塔盘(塔板)的结构参数和流体性能设计是否合理。本机组的塔板,参照国外S型塔板进行改进设计,截去其S型弧形两端不等长的部分,由等长S形元件若干相互套合交联而呈方阵形的结构,与流体方向垂直,构成主传质区(或称主汽液接触区),在S形元件的两侧,配置D形元件(代泡罩)两组,构成副传质区(或称副汽液接触区),本塔即由S、D形元件而取名为SD型塔属类喷射型塔。　　溢流装置采用弓形降液表1多塔系酒精蒸馏机组的主要设计参数(规格)规格(mm)生产能力SD型酒精醛塔小。型酒精精馏塔小。型;酉精醛塔小。型最终精制塔小。酒精。系yIJ号2-3456备注1、生产能力与附属设备等配套有关2、多塔系因酒精质量提高,产量则提高受限(比两塔蒸馏略有降低)表2名多塔系酒精蒸馏机组的主要设计参数(性能)SD型酒精醒塔SDJ型酒精精馏塔SDJ/SD型酒精醛塔塔板数(块)塔范开孔率。板间距。复合开孔率4的浓缩段250300提馏段200250舀万才点反万议处理物料量酵液525m/mZh醒塔产生的粗酒精(蒸汽或液汽)塔盘压力降4080mm水柱(392784pa)板20tw25(复合开孔率45)精馏段250300脱水段200250醒塔产生的粗酒精或醛塔的提馏液307Omm水柱(294486pa)板3070mrn水rf上(同精馏塔)废液耗竭率酒精含量不超过0.05%(V/V)酒精质量两塔蒸馏质量符合GB394-81三级要求最佳条件下可达二级标准三塔蒸馏质量可达二级或-级标准,四塔蒸馏质量可达-级以上标准备注SDJ型最终精制塔根据用户所需,参照SDJ型精馏塔参数设计管-组组成,由于去掉S形两端不等长的弧形部位,设置D形泡罩,发挥了我国泡罩塔之优点,其有利于消除原S形塔两侧的无效区(死角)和滞缓区,充分发挥了副传质区的辅助作用,使之汽液接触充分,从而有效地提高了塔板的截面利用率。在塔板上汽液呈单流向并流接触。进行传质传热,提高了蒸馏效率,同时因塔板结构独特(R角大,开孔率膏)及汽液并流流动,故泥沙、纤维等杂质不易在塔板上沉积,从而提高了抗污性能。　　SDJ型塔板基本上与SD型塔板类同,只是在S形和D形元件的脊背平坦处开有相应的长方形孔(复合开孔率提高,并在孔上装有J形浮动板若干,由SJ形元件构成主传质区,设在主传质区两侧的DJ形元件构成副传质区,本塔即由此而取名为SDJ型塔。亦是用弓形降液管-组,J形浮动板对提高塔的负荷及分离精馏效果有一定作用,当汽液负荷加大至一定程度时,则推动浮动板逐渐开放,直至一定开度(分:低负荷,中负荷,高负荷,等几个阶段),一般可增1520%,其利用了浮阀(舌)塔、波纹浮阀塔等的特点,属喷射型塔。酵塔一般用SD板,精馏塔用SDJ板,醛塔上部用SDJ板(浓缩段),下部用SD板(提馏段),最终精制塔用SDJ板或填料型(具体应视塔径大小和配套要求而定)。　　SD-SDJ型多塔系酒精蒸姗机组的主要优点(1)设计新颖合理,塔扳汽液接触充分,故汽液负荷大、有效截面利用率高、蒸馏效率高、产量较高,为新型高效塔。据广东南海搪厂的新塔与老塔的对比表明:提高产量88.25%,吨酒利润提高69.10元,一个榨季总利润增长15.3万元。(2)操作弹性大,能满足高、中、低负荷的生产条件要求,对原料的适应性强(粗细原料皆可)。　　(3)醒塔自净抗污性能强。这是由于汽液呈单流向并流前进,汽速大,故泥沙、纤维等杂质不易在塔板上沉积。江苏启东酒厂和广东南海糖厂等都使用两年以上未曾堵塔。　　由于不易堵塔,故基本上解决了国内外醒塔常堵、常掏、常拆之弊端。(4)精塔能保持一定液面,解决了浮阀、斜孔、导向筛板塔等易于乏液而干板之弊病。稳定性能好,对停电、停汽、汽压波动等不正常因素,适应性强,停机后恢复生产快。　　(5)耗竭性能好。广东南海糖厂的废醒含酒精量<0.01%(原老塔为0.080.12%),江苏启东酒厂的也少于0.01。(6)耗汽少,节约能源。　　据江苏启东酒厂统计数的对比表明:比原来用的普通泡罩塔节能17.36%。如果添置醛塔和最终清制塔,在能够注意有效地利用废醒和废液及冷凝水综合利用,耗能并不会增加多少。据广东南海糖厂新老塔统计的对比,平均每吨酒精节汽1.86吨,节能率为30%。　　(7)由于产品系列化和规格化,所以装拆轻便省、调试操作方便,从而减轻了工人劳动强度。调试时,从进酵到出成品,一般只需90分钟左右,操作稳定方便。广州锅炉厂试制成功35吨/时蔗渣煤粉锅炉为适应我国甘蔗糖工业发展的需要,提高热能利用率,广州锅炉厂与哈尔滨锅炉厂根据广州市机电工业局下达的新产品发展计划,联合没计了。型蔗渣煤粉锅炉,由广州锅炉厂试制出样机,并安装在广东北坡糖厂。该锅炉,于1985年12月投入运行,并于1986年3月由上海发电设备成套设计研究所主持,进行了以蔗渣为燃料的热工测试,表明:运行安全可靠,技术的性能和指标均符合设计要求;热效率高达82.n%,超过了81%的保证效率,热风温度较高,可烧含高达53%水分的蔗渣,且燃烧稳定。用户十分满意。1986年7月2829日,上海发电设备成套设计研究所和广东省机械工业厅,在广州从化对该锅炉组织召开了鉴定会,参加会议的有28个单位,共34名代表。该种锅炉,不但与会代表-致通过了鉴定,而且经有关上级主管部门审查已批准批量生产。该种锅炉:为双汽泡横置式多烟道系统自然循环水管锅炉,利用前水冷壁向炉膛内凸出后拆回再向前延伸形成前拱,将炉膛分为稳燃室和冷却室,在稳燃室的前墙设置三只喷渣燃烧器,以燃用蔗渣,在前拱设置三只旋风筒式燃烧器,配有竖井磨煤机和直吹制粉系统,供煤粉与蔗渣混烧,尾部烟道设置有省煤器和空气预热器,炉排采用翻转炉排的型式。该种锅炉的主要规范:额定蒸发量,35吨/时,给水温度,105℃;过热蒸汽出压力,39公斤/厘米,过热燕汽出温度,450℃,设计热效率,82.72%;锅炉保证效率,81%。(安润安)上接第54页)而需要量迅速增加。很明显,蔗糖用作工业原料仍有待开发。新的蔗搪衍生物是否研制迅速应用,主要决定于和石油化工原料比较的相对成本,以及工业生产时衍生过程的费用。具有特殊的或者独特的性质的高值蔗糖衍生物,由于其本身的优越性将会开辟新的市场,这时,蔗糖作为原料的成本将可忽略不计。例如不产生热量的高甜度甜味品(三氯半乳糖试蔗糖),其原料蔗搪的成本和合成过程的费用比较是微不足道的,不会直接影响它在人工甜味品市场的竞争能力。因此,可以预期蔗糖化学工业会沿两个方画发展:利用蔗糖作为化学工业的固定碳原料和开发全新蔗糖衍生物的各种独特性质。

Q/SDJ0001S-2014 是陕西白水杜康酒业有限责任公司企业标准。不能作为是否是纯粮食酒的判断依据。白酒分为：固态法白酒，液态法白酒和固液法白酒。1.固态法白酒。就是常说的纯粮食酒。采取传统酿造技艺，精选粮谷原料添加酒曲发酵再进行蒸馏而来的酒。GB/T 10781等等(有好多种)2.液态法白酒。新工艺白酒，俗称酒精酒。就是将食用酒精、食用香精、香料直接勾兑而成的白酒。液态法白酒，GB/T 208213.固液法白酒。就是串香型白酒，将发酵时间不长的粮食与食用酒精进行混蒸，让蒸馏出来的白酒饱含粮食的味道。有些则是将不少于10%的固态法白酒与液态法白酒（食用酒精）按照一定比例勾调而成。固液法白酒，GB/T 20822

在扫地机中性价比还是很高的。配置大容量电池，低功耗系统，续航时间超过100分钟，一次充满可连续清扫2次，更有长久使用寿命。多元化环境感知，随时掌握清扫时发生的每个状况保护自身，也和家具和谐相处，不会乱跑乱撞。三重清扫升级，风力集中，标准档就能洗黄豆铜珠专项优化吸除微尘、毛发效果，一次清扫效率超90%。

【答案】：D【解析】钢筋按生产加工工艺分为热轧钢筋、热处理钢筋、冷拉钢筋和钢丝(直径不大于5mm)四类。《水工混凝土施工规范》SDJ 207—82第3．1．6条规定，水工结构的非预应力混凝土中，不应采用冷拉钢筋。故本题应选D。

SDJ 69-1987电力建设施工及验收技术规范没有作废，只有以前的验评作废，现在执行DL/T5210.1至6-2009《电力建设施工质量验收及评价规程》联系：两者中技术要求内容一致区别：前者是安装中的技术指导性，后者为验收标准

《水利水电工程施工质量检验与评定规程》（SL 176-2007 ）改动了单位工程验收鉴定书和分部工程验收鉴定书，评定表格不变。

名词、形容词、不及物动词

输送机产品系列不断增多，有DJ, SSJ, STJ, DT等系列SDJ型是胶带输送机，主要用于煤矿综合机械化工作面的顺槽运输，也可用于大型港口，码头，大型仓库长距离的运输。适用范围较广。适用于煤矿井下有煤尘和瓦斯的场所。传动系统采用一级蜗轮蜗杆和两级圈柱齿轮传动，使用安全可靠，维修方便。

SDJ 原电力工业部标准电力部分工程建设标准详细类别的标准如下面序号 标准代号 标准含义 标准主管部门 备注 1 GB 国家强制性标准 国家标准总局国家技术监督局 　 2 GB/T 国家推荐性标准 国家标准总局国家技术监督局 　 3 GBJ 工程建设国家标准 国家基本建设委员会 　 4 GB 50xxx 工程建设国家标准（强制性） 国家技术监督局、国家建设部 91年开始发布 5 GB/T 50xxx 工程建设国家标准（推荐性） 国家技术监督局、国家建设部 6 TJ 基本建设技术规范 国家基本建设委员会 　 7 CECS 工程建设推荐性标准 中国工程建设标准化委员会 　 8 JJG 国家计量检定规程 国家计量局 　 国家专业标准[ZB(X)]的专业代号说明序号 标准代号 标准含义 标准主管部门 备注 1 A 综合 国家测绘局、国家技术监督局等 　 2 B 农、林业 农业部、林业部等 　 3 C 医药、卫生、劳动保护 公安部 　 4 D 矿业 地矿部、化工部、能源部等 　 5 G 化工 化工部、机械电子工业部 　 6 J 机械 机械电子工业部 　 7 K 电工 机械电子工业部 　 8 N 仪器、仪表 机械电子工业部、机械工业委员会、化工部等 　 9 Q 建材 国家建材局、冶金工业部 　 10 Y 轻工、文化与生活用品 国家仪器仪表工业总局、国家进出口商品检验局等 　 行业标准代号说明序号行业标准名称行业标准主管部门行业标准代号备注1 船舶行业中国船舶工业总公司CB 新标准从3001开始，修订标准在右上角加“.” CBJ 工程建设标准2 城镇建设行业建设部CJ 替代部分原城乡建设环境保护部标准。曾用JJ CJJ 工程建设标准3 电力行业能源部DL 从原电力工业部分出 DLJ 工程建设标准DLGJ 工程建设标准 SD 原电力工业部标准电力部分标准 SDJ 原电力工业部标准电力部分工程建设标准 SDGJ 原电力工业部标准电力部分工程建设标准 SDJJ 原电力工业部标准电力部分工程建设标准 NDGJ 原电力工业部标准电力部分工程建设标准4 核工业行业中国核工业总公司EJ 替代原核工业部标准 EJJ 工程建设标准 EJ/Z 指导性技术文件5 纺织行业纺织总会 FZ 曾用“FJ” FJJ 工程建设标准 FZ/T 推荐性标准6 公共安全行业公安部 GA 曾用“GN” GNJ 工程建设标准7 广播电影电视行业广播电影电视部GY原广播电视部标准GYJ工程建设标准8航空工业行业航空航天工业部HB　 HBm民用产品标准HBJ工程建设标准HG/Z(HZ)指导性技术标准9 化工行业化学工业部HG曾用“HGB、ZBG、化暂”等HGJ工程建设标准HG/T 推荐性标准10环境保护专业国家环保局HJ替代部分原城乡环境保护部标准。曾用“JJ”11机械行业机械电子工业部JB 替代原机械工业部标准JBJ工程建设标准JB/Z 指导性标准（机电仪表部分）JSB工程建设标准JB/T机电部推荐性标准NJ/Z原农业机械部工程建设标准12建材行业国家建材局JC替代原建筑工程部标准，曾用“建标、JG”等JCJ工程建设标准JC/J推荐性标准 JGJ原建筑工程部工程建设标准13 建筑行业建设部JG替代原建筑工程部标准，曾用“建规、BJG、JZ”JGJ 工程建设标准JGJ/T工程建设推荐性标准BJG工程建设标准CJJ(CJ)原城乡建设环境保护部工程建设标准14交通行业交通部 JT曾用“JTB”JTJ工程建设标准JT/Z 指导性技术文件15劳动和劳动安全行业劳动部LD替代原劳动人事部标准16民用航空中国民用航空局MH　 MHJ工程建设标准17 轻工行业轻工总会 QB 曾用“SG”QBJ工程建设标准18 商业行业国内贸易部 SB 　 SBJ工程建设标准19 石油化工行业中国石油化工总公司SH 替代原石油工业部标准，曾用“SY、SYSSHJ 工程建设标准 SH/T 推荐性标准SYJ 工程建设标准 20 水利行业水利部 SL　 SLJ 工程建设标准 DLJ 沿用原电力工业部工程建设标准（电力部分） DL 沿用原电力工业部标准SD 沿用原电力工业部标准 SDJ 沿用原电力工业部工程建设标准

ESD是Electro Static Discharge英文的缩写，中文含义即静电放电：处于不同电位的两个物体之间，由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输（转移）。可见，静电与静电放电（ESD）是完全不同的物理概念或物理过程。一个是“静”，一个是“动”。 伴随着静电放电，往往有电量的转移、电流的产生和电磁场辐射。静电防护的措施一般有以下几种：静电耗散：主要是使用静电耗散材料，（即表面电阻在10的5次方欧姆到10的11次方欧姆之间的材料），来替代普通的材料。比如在防静电工作区使用的防静电台垫，防静电地板，防静电包装盒等等。静电泄放：通常是指设备和人员的接地，即通过截面积符合标准的金属导线将设备接地，人员则通过手环、服装、防静电鞋等措施接地。静电中和：一般是指在难以使用接地或静电耗散措施的场合，使用离子发生器制造正负离子，并将离子吹送到需要消除静电的区域，来中和产生的静电。常见的有离子风机、风蛇等等。静电屏蔽：静电屏蔽又分为主动屏蔽和被动屏蔽。主要是指利用法拉第笼原理，使用封闭导体来对静电源或需要防护的产品进行屏蔽。环境增湿：实验数据表明，环境湿度的增加可以有效降低静电放电发生的几率。但环境增湿只能作为辅助措施使用，不能代替以上措施。电子产品的ESD防护设计：即在静电敏感元器件上设置防静电电路，国内外已有设计成熟的多种保护电路，最高对上千伏的静电电压进行有效防护。保护电路可以降低元器件对ESD的敏感性，但不能完全消除。

函数sindx=dcosx+c函数sinsdx=dcosx+c函数sinsdx=dcosx+c

看大龙。。。

windows vista 和win7 需要关闭这两者 以免影响性能 xp以前只有prefetch而 windows8 以上的系统 已经改进了其对于ssd的影响 所以不需要再关闭

　　没什么影响的，不必担心它会耗用SSD硬盘寿命问题。　　1、Prefetch是系统加载启动进程的预读取文件夹。用来保存系统已访问过的，启动加载程序的预读信息，文件的扩展名为 . PF；　　2、系统创建Prefetch文件夹，是为加快系统启动进程的处理速度。通俗点说，相当于将常用加载程序做成信息索引，按信息的指向，快速加载程序提高系统启动速度。其作用，可从对比系统安装后第一次启动速度上感觉到。它节省了系统从SYSTEM文件夹中，逐个搜索程序文件加载所浪费的时间；　　3、早期的XP系统中，这个预读文件夹中的预读取数据，应该定期删除，让系统建立最新的优化加载PF文件。而Win7及以上版本系统中，系统会根据文件使用规律，自动整理最佳次序，可以不去管它；　　4、在SSD固态盘中，它也是起到同样加速系统启动作用的。且写入的数据量很少，写操作的频率也很低，对系统、硬盘都不会产生什么不利影响的。

托管对象格式 (MOF) 文件是创建和注册提供程序、事件类别和事件的简便方法。在 MOF 文件中创建类实例和类定义后，可以对该文件进行编译。有关更多信息，请参见编译托管对象格式 (MOF) 文件。编译 MOF 文件将在 CIM 储存库中注册所有的类定义和实例。之后，提供程序、事件类别和事件信息便可由 WMI 和 Visual Studio Analyzer 使用。 在 MOF 文件中创建提供程序、事件类别和事件类的实例，并且定义想要分析的自定义对象，之后，就可以对该文件进行编译。编译 MOF 文件时，将其提交到 MOF 编译器 (Mofcomp.exe)，编译器会分析该文件并将定义的类和实例添加到公共信息模型 (CIM) 库。 DOC是word文档格式，这个就不用多解释了吧。.vsd文件是Microsoft Office Visio的绘图文件专用格式，常用于图表的绘制，用来画流程图啊什么的非常方便，功能也很强大。 就和Word的.doc文件类似，要打开.vsd文件的话，装个Visio就可以了。Visio属于Office系列，但是一般安装的Office套件里面不包含Visio，需要单独安装。pdf也是一种常见的文档格式，Adobe Reader 目前用这个软件打开的比较多，当然也有其他的小软件也可以编辑打开，个人感觉FoxitReader这个小软件就不错。PSD/PDD是Adobe公司的图形设计软件Photoshop的专用格式，PSD文件可以存储成RGB或CMYK模式，还能够自定义颜色数并加以存储，还可以保存Photoshop的层、通道、路径等信息，是目前惟一能够支持全部图像色彩模式的格式，但体积庞大，在大多平面软件内部可以通用（如cd ai ae等），另外在一些其它类型编辑软件内也可使用，例如office系列。但像浏览器类的软件不支持。.XCS,.PPC这连个不知道，PFB --- 打印机字体二进制文件格式

像这样的产品，一般都是有使用说明书的，可以在网站下载。或者向别人索要。当然，如果购买了人家才会给，否则也不会随便给你看的。。

静态随机存储器 (SRAM)SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAMDDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。百度百科一下就好了。

16MB具体计算如下行地址12位，说明行数是2的12次方列地址8位，说明列数是2的8次方数据数就有2的20次方每个数据16位，就是2字节(B)所以是2的22次方字节，就是4MB片内有4组，所以总容量16M

以前当然还是用在电脑上面。现在应该主要是工控机在用了

DDR3的特点是容量高 前段总频率一般为1333和1666

1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。x0dx0a x0dx0a与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。x0dx0a2、x0dx0aPSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。 x0dx0a x0dx0a编辑本段PSRAM与SRAM的比较：基本原理　　PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 x0dx0a容量　　PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。 x0dx0a x0dx0a编辑本段主要应用　　PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手机基本采用256MB以上的PSRAM，很多采用512MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 x0dx0a x0dx0a编辑本段目前发展现状：　　东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。x0dx0a3、SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。x0dx0a4、x0dx0aPRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。 x0dx0a x0dx0aPRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。 x0dx0a x0dx0a　　ITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。 x0dx0a x0dx0a　　其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。 x0dx0a x0dx0a　　台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术（MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。 x0dx0a x0dx0a　　新芯片运用了 "垂直电极" 及 "3D 晶体管结构" 两项技术，让芯片的尺寸缩小，同时在写入新数据时，也不必先将旧资料复写。着眼于 Samsung 日前发表的 32GB NAND 内存还是属于 40 奈米制程，就长期来看，PRAM 也将比 NAND 更省成本。 x0dx0a x0dx0a　　IBM 和几家内存模块大厂合作，包括 Qimonda AG、台湾的旺宏电子（Macronix International），在固态内存（non-volatile memory）上头，有了相当大的进展。 x0dx0a x0dx0a　　PRAM（Phase-Change RAM），这个在将来的将来可能取代闪存（将来用来取代传统硬盘）的男人，不仅仅是在 Samsung 的大本营默默的蛰伏，以 IBM 为首的研究团队，更是在速度上硬是压下了 Samsung 先前发表的 30x 读写速度，一举推到了 500x ~ 1000x，并且电力也只需要ㄧ半，寿命（重复写入的次数）也大大的延长（以上皆是相较于一般闪存）,IBM还是强大啊,硬盘到PRAM一路都是IBM在唱主角.

SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。 DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

在quartus ii的mega function里找一下看有没有，如果你的FPGA芯片没有的话，那片外有没有？你不理解它的工作原理还是不理解如何使用还是什么？

D这是绝对可能的。7NS的话频率才 285MHZ，对SD来说，还不是技术上太大的难题，要知道 DDR突破过1000MHZ,DDR确实有1000MHZ，用在服务器上，2003年DDR刚风行的时候就有几家推出过DDR 1066，不过售价很高。还有当年的5950 U用的就是DDR 1000MHZ还有9800PRO限量版 用的也是DDR 1000MHZ

同样频率下ddr是sdram速度的两倍,ddr好,ddr2比ddr在同频率下,性能差,但是频率上限可以做的更高.

DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者，也是现时流行的存储器产品。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发。

DIMM是内存模组的一种。so-dimm指的是内存条中的小板。比一般的短，针脚也更少。一般用于上网本，SDRAM是内存的一种，就是 我们一般所认为的内存条。注意前一个内存比后一个内存包含的范围大SDRAM的最小容量是512Mb，可以看出内存条里面的颗粒容量比官网上的颗粒容量还要小。容量越小，采用的颗粒就越多。如果采用2块DDR2 SDRAM，数据线、地址线以及命令总线的数目都要翻倍，在Xilinx的IP核里面使用的控制器数目也要翻倍，而SODIMM是将数据线翻好几倍，一般是64，这无疑增大了吞吐量，而且地址线和命令总线只是做了相应的调整，相对于翻倍来说，调整的幅度就太小了。但是在硬件方面，SODIMM需要插槽，如果电路板经常工作在震动的环境下，插槽的稳定性就很难保证了，而DDR2 SDRAM是焊接上的，稳定性肯定比SODIMM要好很多。

耗电不小。sram读写速度快,但由于集成度低的原因,所以它的成本要高，sdram读写速度要次于sram,但它的集成度高,所以成本相对要低很多。同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。

电流标称 工作的条件/参数IDD0 操作电流，Active到Precharge，一个Bank工作，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化一次，地址和控制信号每两个时钟改变一次。IDD1 操作电流，Active-Read-Precharge，一个Bank工作，突发长度为2，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD2P 静态电流，预充电状态中，节电模式，CKE为低电平，所有Bank空闲。IDD2F 静态电流，预充电状态中，Standby模式，CKE高电平有效，片选信号未选中，所有 Bank空闲。IDD3P 静态电流，激活状态中，节电模式，CKE为低电平，一个Bank激活，其它Bank空闲IDD3N 静态电流，激活状态中，Standby模式，Active到Precharge，CKE为高电平，一个Bank工作，Active指令最大持续周期TRC = TRAS (max)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4R 操作电流，读操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4W 操作电流，写操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次。IDD5IDD6 最大自动刷新电流，TRC = TRC (min)。 正常自动刷新电流，TRC = 7.8125us，8K/64ms刷新率(有的Datasheet上只有IDD5)IDD7 内部自刷新电流，分为标准芯片和低功耗芯片两种情况。IDD8 操作电流，所有Bank交错读操作，突发长度为4，TRC = TRC (min)，地址和控制信号只在执行Read和Write指令时才改变状态。了解了这些电流的含义之后，我们就可以进行具体的功耗计算了。详细的分析可参见Micron公司的技术资料Calculating Memory System Power For DDR,TN-46-03。后台电源消耗（Background Power）：l CKE低电平节能状态的预充电模式：P (Pre_PND)= IDD2P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (Pre_STBY)= IDD2F*VDDl CKE低电平节能状态的激活模式：P (ACT_PND)= IDD3P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (ACT_STBY)= IDD3N*VDDl 自动刷新电流：P (REF)= (IDD5/6- IDD2P)*VDD。激活时操作电流（Activate Power）：l Active到Precharge操作过程中的消耗：P (ACT)= (IDD0- IDD3N)*VDD*[TRC(spec)/TACT(actual)]。读写操作电流（Read/Write Power）：l 写操作的功耗：P (WR)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*WR%l 读操作的功耗：P (RD)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*RD%l 读操作时I/O功耗：P (DQ)=(Vout* I out)*N*RD%其中WR%和RD%指写/读操作在ACT周期中占的比重，Vout和I out指DQ管脚的输出电压和电流，N指芯片上DQ和DQS的数目。需要注意的是，芯片厂商的Datasheet上提供的数据通常都是在比较苛刻的条件下测量的结果，比如VDD是工作在额定最大电压下（对DDR来说一般为2.7V）。遇到这种情况我们就要采取一些处理措施，办法就是根据实际电压和频率的变化，对计算的结果通过乘上变化因子进行调整，功率和频率及电压的平方成正比： 2P2=(V2/V1)(f2/f1)P1经过调整之后，得到的就是在实际工作电压和频率下的功耗。当然，这时候计算出来的仅仅是各部分工作状态下相对独立的电源消耗情况，如果综合起来计算整个芯片的功耗，则不是简单地把各项相加就行，还要合理考虑各种状态所占的比例等实际问题，比如：所有Bank预充电占的时间比例BNK_PRE%，处于预充电状态中CKE低电平占的比例CKE_LO_PRE%，处于激活状态中CKE处于低电平的比例CKE_LO_ACT%等等。这时，相应的公式要调整为：l P (Pre_PND)= IDD2P*VDD* BNK_PRE%* CKE_LO_PRE%l P (Pre_STBY)= IDD2F*VDD* BNK_PRE%* （1-CKE_LO_PRE%）l P (ACT_PND)= IDD3P*VDD*（1- BNK_PRE%）* CKE_LO_ACT%l P (ACT_STBY)= IDD3N*VDD*（1- BNK_PRE%）* （1-CKE_LO_ACT%）单个芯片电源消耗的计算方法学会之后，我们还可以类推到整个内存模块的功耗计算。下面我们就举例来分析一下4根1G的DIMM正常工作时的电源消耗，芯片采用Samsung K4H560838D DDR333 64MX4的芯片。

dqs？？？没有这个词吧！

你原来有条威刚的533 1G内存, 我可能判定你买的内存是DDR2代的，，

简单来讲，SDR两个缺口，DDR一个缺口。DDR比SDR速度快一倍，现在入门配置都是DDR，SDR将渐渐退出舞台。

动态随机存取内存 DRAM：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见随机存取内存RAM：随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM内存时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。内存双通道：双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。 双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。 NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。 普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。 支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。 AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。 内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。

能通用，一个是插槽类型一个是内存技术。SDRAM和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。SDRAM都是采用了DIMM的形式。后面的udimm则是更细化的dimm的类型了，还有rdimm，具体百度吧。

SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 人们习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。而且其超频能力较弱，因其结构问题超频容易损坏。

DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

SDRAM里面的信息只能保留几十毫秒，所以需要不断刷新状态。这里面的同步指的是刷新和读写时钟和系统时钟公用，也就是同步。异步指的是刷新和读写时钟和系统时钟不同。系统时钟指的是总线时钟，比如PCI总线，CPU外部时钟等等。

一、指代不同1、DIMM：双列直插式存储模块，是指奔腾CPU推出后出现的新型内存条，提供了64位的数据通道。2、SO-DIMM：小外形双双列直插式内存模块，是一种采用集成电路的计算机存储器。二、结构不同1、DIMM：金手指两端不像SIMM那样是互通的，各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。2、SO-DIMM：在功率和电压额定值上或多或少等同DIMM，并且尽管存储器模块的尺寸较小，SO-DIMM技术并不会比较大的DIMM得到更低的性能。三、特点不同1、DIMM：采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。2、SO-DIMM：经常用于空间有限的系统，例如笔记本电脑、基于Mini-ITX主板的小体积个人计算机，高端可升级办公打印机，以及诸如路由器、NAS设备等网络硬件。参考资料来源：百度百科-SO-DIMM参考资料来源：百度百科-DIMM

传统的SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。内存从形态上区分，主要有simm内存条和dimm内存条两种。“simm”即单列直插存储模块，它有30线和70线之分，不过目前30线的simm内存条已经十分少见了，它主要使用在早期的486上，现在较多一些的是72线的simm内存条，这种simm在高档486和早期的586上比较常用。“dimm”即双列直插存储模块，它的引脚有168个，所以也叫做168线内存。这两种内存的识别方法十分简单，dimm内存采用了直接插入的边缘连接方式，而且dimm内存比较长，simm内存在尺寸上比dimm短许多，安装时必须倾斜插入内存插槽中，再用力扶正，simm两端有两个孔，当simm安装到位时，插槽两端的簧片会嵌入孔中，以固定内存。

1楼正解

1.SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAMDDR3内存。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。 　　DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。 　　CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engline）用来校准ODT（On Die Termination）内部中断电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。2.DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。这个也缩写为DDR，不过似乎与你问的没啥关系。拨号路由选择dial-on demand routing (ddr)是用公共电话网提供了网络连接。通常的，广域网大多数使用专线连接的，路由器连接到类似MODEM OR ISDNTAS 的数据终端DCE设备上，他们支持同步V.25BITS协议，你可以用SCRIPTS AND DIALER命令设定拨号串。3.RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 　　RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 　　普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

DIMM是内存模组的一种。so-dimm指的是内存条中的小板。比一般的短，针脚也更少。一般用于上网本SDRAM是内存的一种，就是 我们一般所认为的内存条。注意前一个内存比后一个内存包含的范围大SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器

张诚改编自原著同名篇章。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: DDR和SDR有什么区别？ 解析: DDR是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。DDR DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。 标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。 同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。 DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。 SDR DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

两种是不同规格的内存，SDR最多支持到133DDR是从266开始的。830PM是什么板子不知道哦！！~~

sdram的管教什么线是168线。台式机使用的SDRAM为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。

1、SDRAM要不停的刷新，按容量的不同,在64ms秒内，要auto refresh 2048/4096/8192行。刷新一行需要n个clock，时钟周期为T.2、如果时钟频率太低，则64ms不能完成所有行的刷新，导致数据丢失。3、最低频率：2048/4096/8192 x nT < 64ms。

SD的内存下面有两个凹槽.DDR和DDR2只有一个DDR SDRAM内存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。 DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

分类: 电子数码 问题描述: 我在内存里看到的，那是什么来的？ 解析: 现在使用的内存一般都是DDR内存了，以前老的系统一般是SD的，象P3级别的内存。这两种内存的插槽和引脚不同，不能够混用的。 下面是我找到的文章： 什么是DDR内存 作者：网络 文章来源：转载 点击数：432 更新时间：2005-4-10 DDR内存现在渐渐成为内存市场中新的宠儿，因其合理的性价比从其诞生以来一直受到人们热烈的期望，希望这一新的内存产品全面提升系统的处理速度和带宽，就连对Rambus抱有无限希望的Intel公司也向外界宣布将以最快的速度生产支持DDR内存的新一代P4系统。不难看出，DDR真的是大势所趋。 近来市场上已闻诸多厂商开始陆续推出自己的DDR内存产品，国际上少数内存生产商之一的金士顿公司（Kingston）其实在去年年底就已完成了批量生产DDR内存的生产线的建设，现在金士顿公司(Kingston)已准备开始向全球接受订单开始大量供货了。 那么究竟什么是DDR内存呢？其技术优势又在何处呢？请让我们先了解一下这样新的事物。 DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写（双倍数据速率）。DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。这一新技术使新一代的高性能计算机系统成为可能，包括台式机、工作站、服务器、便携式，也包括新的通信产品，如路由器。DDR内存目前被广泛应用于高性能图形适配器。 DDR DIMMs与SDRAM DIMMs的物理元数相同，但两侧的线数不同，DDR应用184pins，而SDRAM则应用168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。 DDR内存技术是成熟的PC100和PC133SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体制造商用现有的晶圆片，程序及测试设备生产，从而降低了内存芯片的成本。Kingston能够利用其现有的制造与测试设备在全球范围内提供DDR模块。 主要的技术及芯片公司，包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR内存。主板及系统支持DDR内存在2000的Q4中已获引进，在2001年将被大量采用。 DDR DIMM的规范由JEDEC定案。JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准，积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员，并且是JEDEC的理事会成员。 什么是DDR内存及与SDRAM内存的区别 -------------------------------------------------------------------------------- ue5f1ue5f1DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又简称DDR，翻译成中文就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以说是目前广泛应用的 SDRAM的升级换代版本，在它的催生下，2000年下半年的内存止跌不稳已经彻底摧毁了SDRAM多年营造起来的价格市场。从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍，由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。另一个明显的改变是增加了一个双向的数据控制接脚（Data Strobe，DQS）。当系统中某个控制器发出一个写入命令时，一个DQS信号便会由内存控制器送出至内存。 ue5f1ue5f1此外，传统SDRAM的DQS接脚则用来在写入数据时（单向：内存控制器ue807DRAM）做数据遮罩（Data Mask）用。由于数据、数据控制信号（DQS）与DM同步传输，不会有某个数据传输较快，而另外的数据传输较慢的skew（时间差）以及Flight Time（控制信号从内存控制器出发，到数据传回内存控制器的时间）不相同的问题。此外，DDR的设计可让内存控制器每一组DQ／DQS／DM与DIMM上的颗粒相接时，维持相同的负载，减少对主板的影响。在内存内部架构上，传统SDRAM属于×8组态（anization），表示内存核心中的I／O寄存器有8位数据I／O，不过对于×8组态的DDR SDRAM而言，内存核心中的I／O寄存器却是16位的，一次可传输16位数据，在时钟信号上升缘时输出8位数据，在下降缘再输出8位数据。此外，为了保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此，DDR改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。 ue5f1ue5f1DDR 内存从型号上看分为两种，一种叫做 PC 1600，每秒钟可传输 1.6GB 的数据，正好是目前100兆赫 SDRAM 内存的两倍；另一种叫做 PC 2600，峰值数据传输率可达每秒2.6GB。与价格昂贵的Rambus 相比，DDR有如下几个优势：一是由于它是在 SDRAM 内存技术的基础上开发的，因此不仅与目前的个人电脑体系架构有着很好的兼容性，而且开发生产成本低廉。二是DDR较少存在许可协议的问题。内存厂商要生产 Rambus 内存条，必须向 Rambus 公司缴纳一笔不菲的费用，以获得生产许可证，这无疑影响到厂家的利润。而DDR内存的规格是免费提供的。三是各大厂商的支持。2001年，包括IBM等在内的诸多IT巨头都宣布将支持 DDR 内存，特别是IBM 还专门设计了两组芯片组，既支持 DDR 内存，也能大幅提高系统总线的速度。而AMD 公司即将全面上市的760芯片组（支持单处理器电脑）和770芯片组（支持双处理器电脑）将全面支持200兆赫和266兆赫系统总线，也是为了满足 DDR 内存技术标准而设计的。 可能解释的不全面，你到网上去找能找到很多这方面的。现在主流的DDR，一般是DDR333、DDR400以及DDRII533。SD基本上属于被淘汰的产品，速度DDR比SD快了很多，而且价格也不错。现在的主板一般都只支持DDR了

DRAM是用PN结电容存储0/1的，由于漏电的存在，时间长了两级板电位差会消失也就是1会变成0，所以过一段时间需要根据里面的内容补充电荷，这叫刷新。刷新过程中不能读写。SDRAM是DRAM的一种，增加了同步时钟，提高了读写速率。从原理来说现在的DDR3也是SDRAM的一种。不过约定俗成的说法是SDRAM只包含最早的单倍速读写SDRAMSARM存储数据的单元是D触发器，这种双稳态电路的0/1状态都是稳定的所以不需要刷新，只要有电就能一直存下去。从存储密度来说，DRAM/SDRAM每个bit需要一个晶体管，而SRAM最少需要4个，高速SRAM需要6个以上，而且由于晶体管之间的互联SRAM复杂得多，占了很大的空间，所以同制程的SRAM容量要小的多。从速度来说，DRAM/SDRAM需要刷新和回写，极速比不上SRAM。所以CPU的缓存是SRAM，主内存用SDRAM从省电的角度来说，DRAM/SDRAM要刷新比较费电，而省电设计的SRAM只要一个纽扣电池就可以保存数年之久（比如以前的游戏卡）

SDRAM是DDR的老爸

插槽不一样。 常见的电脑内存有SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM。 SDRAM是同步动态内存的意思。 DDR的意思是双倍传输速率。 SDRAM内存金手指是168线的，有两个缺口。 DDR内存金手指是184线的，一个缺口。 DDR2内存金手指是240线的，一个缺口。 DDR3内存金手指也是240线的，一个缺口，但缺口位置不一样。

插槽不一样。常见的电脑内存有SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM、DDR3SDRAM。SDRAM是同步动态内存的意思。DDR的意思是双倍传输速率。SDRAM内存金手指是168线的，有两个缺口。DDR内存金手指是184线的，一个缺口。DDR2内存金手指是240线的，一个缺口。DDR3内存金手指也是240线的，一个缺口，但缺口位置不一样。

都是PC上的内存么，不过是三个不同发展阶段的不同技术罢了。

肯定是不能混插了，虽然有一些古老的主板可以同时拥有两种插槽，但是无法同时使用。SDRAM和DDR的具体区别如下：1、传输速率存在差异：传统的sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr只能在信号的上升沿和下降沿传输数据,因此，ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍，这也是ddr双数据率、双数据率的含义。2、外观槽存在差异：ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。3、设计存在差异：与sdram相比，ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

SDRAM内存和DIMM内存的区别在于SDRAM内存和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。两者插槽形状不一样。SDRAM指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

DDR和SDRAM 是两种不同规格的内存

百度文库有相应的介绍：http://wenku.baidu.com/link?url=kG9Rk-E50Ppl9JY6SpK4wD_VLsq0ijsajg7qHGnIcy8ZCF0R9TYUAeX8z2LJkEicq7KY9mL96hTDm4rtLPLz5CrQ9i75eUhODXIdA7lmwEi

分类

SDRAM和DDR的具体区别如下：1、传输速率存在差异：传统的sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr只能在信号的上升沿和下降沿传输数据,因此，ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍，这也是ddr双数据率、双数据率的含义。2、外观槽存在差异：ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。3、设计存在差异：与sdram相比，ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。参考资料来源：百度百科-SDRAM参考资料来源：百度百科-DDR

品牌型号：华为MateBook D15 系统：Windows 11 sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr能在信号的上升沿和下降沿传输数据。ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍。ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。 ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是SDRSDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即DoubleDataRate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDRSDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

两种不同的内存内存

SDRAM内存是较早的主机上用的内存条，现在已经看不到了。DDR内存也已遭淘汰，现在主流内存是DDR2与DDR3内存。SDRAM，同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。内存（Memory）是计算机中重要的部件之一，由内存芯片、电路板、金手指等部分组成，它是与CPU进行沟通的桥梁。内存也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，内存的运行决定了计算机的稳定运行，因此内存的性能对计算机的影响非常大。在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

：SDRAM（同步动态随机存储器）是一种普通的内存类型，SDRAM的工作速度与系统总线速度是同步的，但目前已经很少被使用。：刷新频率设置为75HZ是消除闪烁的最低要求，只有把刷新频率设置为85HZ以上时，显示器的画面才能像纸一样平静。

目前使用的内存条类型(DIMM)主要有三种：UDIMM、RDIMM和LRDIMM。UDIMM由于并未使用寄存器，无需缓冲，同等频率下延迟较小。此外，UDIMM的另一优点在于价格低廉。其缺点在于容量和频率较低，容量最大支持4GB，频率最大支持2133 MT/s。此外，由于UDIMM只能在Unbuffered 模式工作，不支持服务器内存满配(最大容量)，无法最大程度发挥服务器性能。在应用场景上，UDIMM不仅可用于服务器领域，同样广泛运用于桌面市场。而RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，较UDIMM更为稳定，同时支持服务器内存容量最高容量。此外，RDIMM支持更高的容量和频率，容量支持32GB，频率支持 3200 MT/s 。缺点在于由于寄存器的使用，其延迟较高，同时加大了能耗，此外，价格也比UDIMM昂贵。因此，RDIMM主要用于服务器市场。LRDIMM可以说是RDIMM的替代品，其一方面降低了内存总线的负载和功耗，另一方面又提供了内存的最大支持容量，虽然其最高频率和RDIMM一样，均为3200 MT/s，但在容量上提高到64GB。并且，相比RDIMM，Dual-Rank LRDIMM内存功耗只有其50%。LRDIMM也同样运于服务器领域，但其价格，较RDIMM也更贵些。

同问。。。

传输数据不同，作用不同。1、传输数据不同：SDRAM只能在频率上升时传输数据，表示一个频率周期只能做一次数据传输，但是DDR开始能够在频率上升及下降皆能够传输资料。2、作用不同：使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输，ddr作为运行内存使用。

自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。1、DDR时代DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。2、DDR2时代随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 RDRAMIntel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。3、DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

呵呵我刚学习嵌入式时也迷糊这两个概念，SD卡是照相机中用的存储器就跟手机内存卡一个性质，SDRAM是内存，就类似电脑内存，就是一名字。两个东西可以说是好无干系，不要被SD给迷糊了！

不能。

DDR3指第三代的DDR内存（DDR是个内存的技术）,SDRAM是内存的类型，一般说DDR3就代表了DDR3 SDRAM了。SDRAM具体的是指Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。 很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

主要是频率不一样 DDR快一倍

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。目前，RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四种规格。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能。

DDR 是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。 SDRAMDRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

内存芯片4M1个 一共4个 位宽16比特

SDRAM内存和DIMM内存的区别在于SDRAM内存和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。两者插槽形状不一样。SDRAM指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

笔记本上呀,最好加一个和原机一样的,不然有可能会有问题的.

自己到百度搜索啊很多的