二极管

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。半导体二极管在电路中的使用能够起到保护电路，延长电路寿命等作用。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

二极管的作用，二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。二极管的作用早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat"s Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的作用二极管的作用具体情况如下：1、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3、限幅元件二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。5、检波二极管在收音机中起检波作用。6、变容二极管使用于电视机的高频头中。续流二极管的作用与特性续流二极管的作用如下：快恢复二极管主要用作续流二极管，与快速开关三极管并联后面带感性负载，如Buck，Boost变换器的电感、变压器和电机，这些电路大部分是用恒脉脉宽调制控制，感性负载决定了流过续流二极管的电流是连续的，三极管开通时，续流支路要截止以防短路，下面例子给出了三极管与续流二极管的相互作用。图1是简化的Buck电路。其输出电压Vout低于输入电压Vin。图2是T1的控制信号和T1，D1的电压、电流波形。有源器件T1，D1的开通关断相位如下：T0时刻T1有开通信号。输入电压Vin加在L，Cout的串联支路，使iL线性增加。电感L和Vout决定电流，过一段时间后控制器使T1关断，在断续工作时，电感L储能(W=0.5LiL2)通过续流支路传送到Cout。在t2时刻T1再次开通，整个过程重复。

这个需要看你用在什么地方，根据需求，选择单双向二极管，具体点限位 钳压，过压保护，分压，主要是对电压保护这块的作用，有功率大的 有小的，小的电路板上可以用，电视机等，大功率的用在防雷器件上，防雷击过压保护，航天器上面点火器也能用到。用途比较广，电子器件一般都会有需求，市场不错。

单向导通

二极管是有两个电极的电子元器件。最早是真空二极管，充气的离子稳压二极管，一个阴极，一个阳极，阴极发射电子到阳极，后来发现半导体材料有单向导电性，做成了：一个阴极、一个阳极的半导体二极管，慢慢有了各种不同性能的半导体二极管，不仅可以整流、稳压，有的还可以发出各种不同的光、……等等，现在的LED照明灯也是一种半导体发光二极管，……

二极管是一种最简单的半导体器件，由两个不同掺杂的半导体材料（通常是P型和N型）组成。它有两个电极，分别是阳极（Anode）和阴极（Cathode）。二极管的工作原理基于PN结的特性。PN结是P型半导体和N型半导体之间的结合面。当二极管处于正向偏置时，即阳极连接到正电压，阴极连接到负电压，P区的空穴和N区的电子会向PN结扩散，形成电流。这时，二极管处于导通状态，可以通过电流。而当二极管处于反向偏置时，即阳极连接到负电压，阴极连接到正电压，P区的空穴和N区的电子会被电场推向PN结，形成一个电势垒。这时，二极管处于截止状态，几乎没有电流通过。二极管的主要功能是将电流限制在一个方向上，即只允许正向电流通过，而阻止反向电流。因此，二极管常用于电路中的整流、保护、开关和信号检测等应用。此外，二极管还具有稳压、发光和温度测量等特殊功能，因此在各种电子设备和电路中都得到广泛应用。

变容二极管 使用于电视机的高频头中整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。检波二极管 在收音机中起检波作用二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 测试二极管的好坏 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。 1、正向特性测试 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 2、反向特性测试 把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。 二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。 6、变容二极管 使用于电视机的高频头中。 三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 图一:晶体三极管（NPN）的结构 图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是： 1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。 2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。 3）三极管输入电阻，定义为: rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为： rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。 2、输出特性 输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo 数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。 图2、三极管的输入特性与输出特性 截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。 三极管的主要参数 1、直流参数 （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的 Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。 （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo 大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 （3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。 （4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： β1=Ic/Ib 2、交流参数 （1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即： β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。 （2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用 α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为： fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。 （2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。 （3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。 （4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。 （5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。 PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。参考资料：http://www.upsdn.net/html/2005-10/560.html

二极管的作用如下：1.整流：整流二极管通常用在整流电路，能够将交流电转换为脉动直流电。2.开关：可调用二极管本身的开关特性，以足构成各类逻辑电路。3.限幅：能够在电路中充当限幅元件使用，能够将信号幅度束缚限制于一定范围之内。4.检波：可将高频信号里的低频信号检测出来。5.阻尼：通常主要用于电视机的电路里面，比较常用的阻尼二极管有这些，例如2CN1、2CN2、BSBS44等等。6.稳压：能够稳定电压，使用得较多的稳压管有这些，例如2CW55、2CW56等等。工作原理二极管的正向是导电的，反向是不导电的晶体二极管的形成，是一个由p型半导体、与n型半导体共同形成的p-n结，在它的界面处两侧，会形成一道空间电荷层，并且有自建电场。若是没有外加电压的时候，就会保持着电平衡状态。若是产生了正向电压偏置的时候，其外界电场和自建电场便会相互抑消，从而引导正向电流（这也是导电原因）。而若是产生了反向电压偏置的时候，外界电场又会和自建电场实现进一步的加强，从而又形成能够在一定反向电压范围中，与反向偏置电压值无关的电流I0与反向饱（这也是不导电原因）。

　　二极管检波原理：　　首先检波 广义的检波通常称为解调，是调制的逆过程，即从已调波提取调制信号的过程。对调幅波是从它的振幅变化提取调制信号的过程；对调频波，是从它的频率变化提取调制信号的过程；对调相波，是从它的相位变化提取调制信号的过程。　　狭义的检波是指从调幅波的包络提取调制信号的过程，有时把这种检波称为包络检波或幅度检波。检波的原理：先让调幅波检波器（通常是晶体二极管），从而得到依调幅波包络变化的脉动电流，再一个低通滤波器滤去高频成分，就得到反映调幅波包络的调制信号。

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。1、二极管的基本特性和作用是“单向导通”，另一个角度“反向截止”。2、导通区域附近，电流与电压呈现严格指数关系，因此，也用于设计“指数运算”及“对数运算”电路。3、导通时，压降基本恒定，某些场合也用于小幅度“降压”。

1、开关和隔离的作用，如电流有负电时，二极管会出现不通畅的情况，起到隔离的作用。 2、它能起到稳定电压的作用，能承受较高的反向电压。 3、它可以适用于许多电器。

二极管的原理二极管是一种电子器件，它由两个基极和一个中间的活性层组成。其工作原理是，当在基极之间施加电压时，在活性层中就会形成电子和空穴，这些电子和空穴会在基极之间流动，从而形成电流。二极管的两个基极之间的电动势差称为基极电压。二极管可以用来控制电流的流动，从而控制电力设备的功率。

看清楚两个二极管方向，一个通，另一个就是截止。

光敏二极管的工作原理是基于内光电效应。光敏二极管，又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光生伏特效应是指在半导体材料中，当光照射到PN结时，会产生电子-空穴对，电子和空穴会被PN结的电场分别引导到P区和N区，从而产生电压。这种现象被称为光生伏特效应。扩展资料：1、光生伏特效应在光电器件中有广泛的应用。最常见的应用是太阳能电池，在太阳能电池中，PN结会将光能转化为电能。当太阳光照射到太阳能电池上时，光子会被吸收，产生电子-空穴对，电子和空穴会被PN结的电场分别引导到P区和N区，从而产生电压。这个电压可以被用来驱动电路或充电电池。2、除了太阳能电池，光生伏特效应还可以应用于光电探测器、光电开关、光电继电器等光电器件中。光生伏特效应的应用使得光能可以被转化为电能，从而扩展了光电技术的应用范围。

光敏二极管是利用硅PN结受光照后产生光电流的一种光电器件。光敏二极管的电路符号、外形见图1所示。其封装有金封和塑封两种（即圆柱形和扁方形）。有的光敏二极管为了提高其稳定性，还外加了一个屏蔽接地脚，外形似光敏三极管。光敏二极管工作于反向偏压，其光谱响应特性主要由半导体材料中所掺的杂质浓度所决定。同一型号的光敏二极管在一定的反偏电压、相同强度和不同波长的入射光照射下，产生的光电流并不相同，但有一最大值。不同型号的光敏二极管在同一反偏电压、同一强度的入射光照射下，所产生的光电流最大值也不相同，且光电流最大值所对应的入射光的波长也不相同。图2的曲线①、②分别是光敏二极管NDL3200、NDL5800C的光谱响应特性曲线。由图可看出，它们的光电流的最大值分别在可见光区和红外线区，其中二极管NDL3200的光谱响应值最大。由于光敏二极管的基本结构也是一个PN结，故其检测方法也与普通二极管相同，其测得的正、反向电阻也类似于普通二极管，但在测反向电阻遇光照时，阻值会明显减小，否则说明管子已损坏。附表给出部分光敏二极管的主要参数，供参考。图3是用光敏二极管构成的路灯自动控制电路。其原理是：白天受光照时光敏二极管反向电阻减小，足以使复合管（Q1、Q2）饱和导通的电流注入复合管基极，于是Q1、Q2饱和导通→继电器J得电→常闭触头被吸下→路灯供电回路被切断→灯泡熄灭。天黑时因光照很小→光敏二极管VD反向电阻大增→Q1、Q2退出饱和而截止→J失电→常闭触头复位→电灯供电回路接通→路灯点亮。光敏二极管应用与检测光敏二极管工作时加有反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流（暗电池）。当有光照时，就会产生很大的反向电流（亮电流），光照越强，该亮电流就越大。光敏二极管是一种光电转换二极管，所以又叫光电二极管。测量光敏二极管时，先用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表的R×1k档其正、反向电阻。正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。再去掉黑纸或黑布，使其光信号接收窗口对准光源，正常时正、反向电阻值均会变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。详见http://www.buyecs.com/pdf/200812031078.pdf

光敏二极管是什么？大家可能不是很了解，光敏二极管是一种电压信号以及帮助电流转换的光探测器。它能够把不同的光根据相关的使用方式，进而转换为我们所需要的电流以及电压信号。随着这类设备在人们的生活当中，发挥了关键的作用。那么光敏二极管工作原理是什么呢？今天小编来给大家介绍一下吧！光敏二极管是什么1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。2.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。3.基本特性:(1)光谱特性(2)伏安特性(3)光照特性(4)温度特性(5)频率响应特性.光敏二极管工作原理光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光敏三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样，光敏三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。光敏二极管主要参数：1、最高反向工作电压BVR(ReverseBreakdownVoltage):是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1mA时所能承受的最高反向电压值。2、暗电流ID(DarkCurrent):是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。3、光电流IL(ReverseLithgCurrent):是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其参数数值会根据器件的使用功能分别测量，测量的条件一般有:用2856K钨丝光源，照度为1000Lux；有用6500K白色荧光灯光源，照度为1000Lux,不过进行批量生产时，都会用白光LED来做替代光源；或是选用940nm波段红外光源，强度为1mW/m2进行测试。4、光电灵敏度Sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μA/μW。响应时间Tr/Tf(Rise/FallTime):光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间，一般为几十纳秒。响应时间越短，说明光敏二极管的工作频率越高。5、正向压降VF:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。6、结电容Ct(Totalcapacitance):指光敏二极管PN结的电容。Ct是影响光电响应速度的主要因索,结面积越小，结电容Ct也就越小，则工作频率越高。而光敏二极管的响应时间主要取决于管中结电容和外部电路电阻的乘积。

光敏二极管的结构与工作原理 光敏二极管又称光电二极管，它与普通半导体二极管在结构上是相似的。在光敏二极管管壳上有一个能射入光线的玻璃透镜，入射光通过透镜正好照射在管芯上。光敏二极管管芯是一个具有光敏特性的PN结，它被封装在管壳内。光敏二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺在N型单晶硅上形成的一层薄膜。光敏二极管的管芯以及管芯上的PN结面积做得较大，而管芯上的电极面积做得较小，PN结的结深比普通半导体二极管做得浅，这些结构上的特点都是为了提高光电转换的能力。另外，与普通半导体二极管一样，在硅片上生长了一层SiO2保护层，它把PN结的边缘保护起来，从而提高了管子的稳定性，减少了暗电流。光敏二极管与普通二极管一样，它的PN结具有单向导电性，因此，光敏二极管工作时应加上反向电压，如图所示。当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，一般为1 * 10-8 -- 1X10 -9A(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止;当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子一空穴对O这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。光电流通过负载RL时，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的。

光敏二极管的工作原理如下：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于零点一微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

光敏二极管的工作原理是光敏二极管工作时加有反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流。一般来说，我们所常见的光敏二极管也叫作光电二极管，这种光敏二极管其实是与半导体二极管在结构上面是非常类似的。我们可以仔细观察一下，光敏二极管的管芯，就是一个已经具有了光敏特征的一种PN结，这种PN结是具有着单向发展的导电性的。因此，在光敏二极管的正常工作时，也还需要加上一道反向流通的电压。一般在无光照的时候，我们可以看到会有很小的饱和反向漏电流泄露山来，这也就是我们所说的暗电流，到了此时光敏二极管也就截止了。当光敏二极管受到日光的光照时，其中的饱和反向漏电流就会大大增加了，同时也还会形成一种光电流。光电流会以它随入射光的具体强度的变化而产生变化，具体的变化还是需要以操作的为标准。还有在光线照射到了PN结以后，其同时还可以使PN结里面产生出了电子一空穴对，与此同时其也会因此而使得少数载流子的密度逐步的进行增加。光敏二极管能否正常的进行使用，其实也与它的制作工艺有很大的关系，要知道光敏二极管的具体工作，其实也是一种进行吸收的过程。光敏二极管是会将光的变化转化成一种反向电流的发展变化，其中的光电流与暗电流的合成就是光电流。所以，光敏二极管的制作工艺，就体现在了它的暗电流会使得器件对光的灵敏度降到最低的层次。我们需要将光的强度与其中的光电流形成正比的条件，才能够把光信号转化为正确的电信号。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。

光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。

1，首先需要打开电脑的Proteus8.6软件。2，点击菜单栏file，找到New Project，单击。3，修改工程名字和工程路径。4，单击next直到finished并完成建立工程。5，在键盘上按字母P或者找到工作区的P按钮，跳出搜索元器件界面，输入STM32F103R6、RES和LED-RED找到对应的器件，双击。6，在工作区，完成STM32电路连接，并双击StM32F103R6，设置晶振为8M。7，并设置Proteus电源，避免运行出现错误。扩展资料：Proteus功能特点Proteus软件具有其它EDA工具软件（例：multisim）的功能。这些功能是：1．原理布图2．PCB自动或人工布线3．SPICE电路仿真革命性的特点1．互动的电路仿真用户甚至可以实时采用诸如RAM，ROM，键盘，马达，LED，LCD，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件。2．仿真处理器及其外围电路可以仿真51系列、AVR、PIC、ARM、等常用主流单片机。还可以直接在基于原理图的虚拟原型上编程，再配合显示及输出，能看到运行后输入输出的效果。配合系统配置的虚拟逻辑分析仪、示波器等，Proteus建立了完备的电子设计开发环境。参考资料：百度百科-Proteus

一、称英文简称：LED（Light Emitting Diode）二、在proteus中关键词搜索中输入其简称，即刻自动罗列出与之相关的元器件的详细参数三、LED位于DEVICE库中，类别属于Optoelectronics在PROTEUS绘制好原理图后，调入已编译好的目标代码文件：*.HEX，可以在PROTEUS的原理图中看到模拟的实物运行状态和过程。PROTEUS 是单片机课堂教学的先进助手。PROTEUS不仅可将许多单片机实例功能形象化，也可将许多单片机实例运行过程形象化。前者可在相当程度上得到实物演示实验的效果，后者则是实物演示实验难以达到的效果。扩展资料：其他设置：F8：全部显示 当前工作区全部显示F6：放大以鼠标为中心放大F7：缩小以鼠标为中心缩小G：栅格开关栅格网格Ctrl+F1：栅格宽度0.1mm 显示栅格为0.1mm，在pcb的时候很有用F2：显示栅格为0.5mm，在pcb的时候很有用F3：显示栅格为1mm，在pcb的时候很有用F4： 显示栅格为2.5mm，在pcb的时候很有用Ctrl+s：打开关闭磁吸 磁吸用于对准一些点的，如引脚等等x：打开关闭定位坐标 显示一个大十字射线m：显示单位切换 mm和th之间的单位切换，在右下角显示o：重新设置原点 将鼠标指向的点设为原点u：撤销键Pgdn：改变图层Pgup：改变图层Ctrl+Pgdn：最底层Ctrl+pgup：最顶层Ctrl+画线：可以划曲线R：刷新+ -：旋转F5：重定位中心参考资料来源：百度百科—proteus

　　proteus中稳压管在keywords下搜zener diode就能找到；　　稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。　　此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。　　稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

LED-,注意“-”别少，里面有好几种颜色的让你选

1、二极管，我个人觉得是用来保证单向导通的作用。2、TWJ1/2都是跳位继电器（分位继电器），用来扩展TWJ的位置信号，用于保护、遥信、录波等方面。

起泄流作用，放掉线圈中残余的磁场能。分闸到位线圈，用两个串联提高可靠性，其中一个失灵不会导致误动作。应为没分到位缺误认为到位是很危险的。

该学英语啦。平时多积累。不过有个中英原件对应表。。。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

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一般情况正常供电的led发光二极管是不会“一直闪”的。而LED的“灯具”是有可能闪烁的。“LED二极管”与LED灯具，是两种不同的东西。“LED二极管”仅仅是LED灯具里的器件，造成LED灯具闪烁，往往与灯具的驱动器电源质量有关，大多的LED灯具闪烁，需要检查电源或驱动器，更换质量可靠的大品牌产品即可。

那你只能问问万用表了

首先用万用表测试二极管是测不准的,见你你采用测试IV曲线,计算电阻其次,万用表的机理是输出电流测试电压,100R档与1000R档的输出电流不同,所以导致你测试值得偏差,但是,还是上面所说的,万用表测二极管电阻本来就是不合适的!

电磁阀是用电磁控制的工业设备，用在工业控制系统中调整介质的方向、流量、速度和其他的参数。电磁阀是用电磁的效应进行控制，主要的控制方式由继电器控制。这样，电磁阀可以配合不同的电路来实现预期的控制，而控制的精度和灵活性都能够保证。工作原理 电磁阀里有密闭的腔，在不同位置开有通孔，每个孔都通向不同 电磁阀的油管，腔中间是阀，两面是两块电磁铁，哪面的磁铁线圈通电阀体就会被吸引到哪边，通过控制阀体的移动来挡住或漏出不同的排油的孔，而进油孔是常开的，液压油就会进入不同的排油管，然后通过油的压力来推动油缸的活塞，活塞又带动活塞杆，活塞杆带动机械装置动。这样通过控制电磁铁的电流通断就控制了机械运动安全阀是一种安全保护用阀，它的启闭件受外力作用下处于常闭状态，当设备或管道内的介质压力升高，超过规定值时自动开启，通过向系统外排放介质来防止管道或设备内介质压力超过规定数值。安全阀属于自动阀类，主要用于锅炉、压力容器和管道上，控制压力不超过规定值，对人身安全和设备运行起重要保护作用。节流阀是通过改变节流截面或节流长度以控制流体流量的阀门。将节流阀和单向阀并联则可组合成单向节流阀。节流阀和单向节流阀是简易的流量控制阀，在定量泵液压系统中，节流阀和溢流阀配合，可组成三种节流调速系统，即进油路节流调速系统、回油路节流调速系统和旁路节流调速系统。节流阀没有流量负反馈功能，不能补偿由负载变化所造成的速度不稳定，一般仅用于负载变化不大或对速度稳定性要求不高的场合。二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

如下：分压公式：电源电压U，电阻1的阻值R1，电阻2的阻值R2，总电流I=U/(R1+R2)电阻1上的分压U1=IR1=UR1/(R1+R2)电阻2上的分压U2=IR2=UR2/(R1+R2)分压原理，指的是在串联电路中，各电阻上的电流相等，各电阻两端的电压之和等于电路总电压。分压原理的公式为R1:R2=U1:U2。在并联电路中分流。分压的介绍：分压电阻是与某一电路串联的导体的电阻。分压电阻的阻值越大，分压作用越明显。在电流计线圈上串联一个高阻值的分压电阻，就能把电流计改装成伏特表，量度较大的电压。分压电阻在电路中往往采用阻值较高，功率较大的捷比信功率电阻。如果是插件的，一般电源上会用到无感功率电阻捷比信TO-220电阻（几十到一百W），分压电阻的阻值越大，分压作用越明显。在电流计线圈上串联一个高阻值的分压电阻，就能把电流计改装成伏特表，量度较大的电压。

二极管分压原理电路总电压。根据查询相关公开信息，分压原理，指的是在串联电路中，各电阻上的电流相等，各电阻两端的电压之和等于电路总电压。分压原理的公式为R1：R2=U1：U2。在并联电路中分流。

飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)公司宣布扩充其StealthTM快速/软恢复二极管产品线，推出全新系列的1200V雪崩能量额定的元件族，可用于开关电源(SMPS)、电机驱动器、不间断电源(UPS)、焊接电源、电磁感应加热及其它高功率/高频应用飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)公司宣布扩充其StealthTM快速/软恢复二极管产品线，推出全新系列的1200V雪崩能量额定的元件族，可用于开关电源(SMPS)、电机驱动器、不间断电源(UPS)、焊接电源、电磁感应加热及其它高功率/高频应用。 Stealth技术结合了快速/软恢复开关与低反向恢复电流(IRRM)特性，能降低硬开关设备的开关晶体管开启损耗。无需使用额外的缓冲电路，软恢复功能即可将振铃减至最低，从而扩大二极管的使用范围，并同时降低EMI和增强系统可靠性。 新推出的1200V系列二极管扩展了飞兆的Stealth产品种类，让客户可在高压产品中享用Stealth技术。这些器件作为功率因数校正电路设计中的硬开关升压二极管，表现出色，同时也可用作更高功率开关电源、UPS及电机驱动器中的缓冲器二极管及续流二极管。

如果控制端（24V侧）断路，光耦里的发光二极管不发光，光耦里的触发管侧不导通，可控硅的控制极没有触发信号，可控硅不导通；反之，如果控制端接通，光耦里的发光二极管发光，光耦里的触发管导通，可控硅的控制极得到触发信号，可控硅导通。R2，R3的取值可以满足要求，这个取值不是太严格，只要能满足可控硅的可靠触发即可（R2、R3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角）。R3也可以不用。

我的理解就是这个电源是代替二极管的导通电压0.7v，如果外加正向电源小于这个0.7V，则不会导通，大于0.7V，则会抵消这个替代电源的反向0.7v的电压，二极管导通。

不热的

整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管

稳压二极管的允许电流是有限的，电阻的作用就是限制二极管的电流以防烧毁。

在水的世界里，有单向阀，水流进去就流不出来了。而电子的世界里也有一个单向阀，它就是--二极管。一个由硅或锗构成的神秘器件，它能让电流只能从它的阳极（A）流进，阴极（K）流出。二极管在电路中使用字母D表示，二极管的一般应用我们只需考虑反向耐压、正向电流、压降、反向关断时间这四个关键参数即可。常见二极管普通二极管--因其反向恢复时间长，压降为1V左右，一般应用于低频电路，常用于小电流交流整流，或者感性负载关断保护以及限幅电路，常用系列是1n400X系列，大电流交流整流一般使用集成的桥式整流桥普通二极管普通二极管电路符号整流桥整流桥符号快恢复二极管--快恢复二极管反向关断时间一般为（500nS~20nS），压降为1V左右，常用系列是RF系列，US系列以及HER系列以及开关二极管1n4148。一般应用于高频整流（比如开关变压器整流），或者加速开关管关断（开关二极管名字的由来），只要关断时间够小，都可以用来做开关二极管，电路符号和普通二极管符号一样。快恢复二极管1n4148肖特基二极管--因其恢复时间非常小（5nS左右）以及正向压降只有0.5V左右，使其成为二极管中的佼佼者。但有所长必有所短，其反向耐压较低，一般应用于200V以下的电路中，因其压降小，所以常用于高效率低电压输出的场合，电路符号和普通二极管一样肖特基二极管稳压二极管--工作在反向击穿区，所以和普通二极管接法是相反的，未达到反向击穿电压（稳压值）时完全不导通，达到反向击电压后即完全导通。常用于稳压电路中，构成各类过压、欠压电路稳压二极管常用稳压二极管型号和稳压值TVZ二极管--又称为瞬态抑制二极管，工作原理和稳压二极管一样，唯一不同的是它可以承受瞬间大电流（几百上千安培）而不损坏。从名字就可以知道是用来抑制瞬间大电压的，如图所示，Vin端正常输入时，其电压基本不变，保持在TVZ二极管击穿电压之下，电路正常工作，但Vin出问题时（比如雷击），其瞬态电压可能很高，此时TVZ二极管工作，保护后续电路瞬态抑制二极管基本电路瞬态抑制二极管双向触发二极管--如果你仔细观察这种二极管，你会发现它和普通二极管不一样，它没有阴极标识，其实它和稳压二极管差不多，只是稳压二极管是单向稳压，而它是双向稳压罢了。也就是说不管你怎么接，它在两端电压达到反向击穿电压是都会导通，常见于可控硅调压电路

二极管击穿:短路。断路

二级管知识 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下： 1、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 2、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。 3、合金型二极管 在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。 4、扩散型二极管 在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。 5、台面型二极管 PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。 6、平面型二极管 在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。 7、合金扩散型二极管 它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 8、外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。 9、肖特基二极管 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 二、根据用途分类 1、检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 2、整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。 6、放大用二极管 用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 7、开关用二极管 有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。 8、变容二极管 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。 11、PIN型二极管（PIN Diode） 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode) 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 13、江崎二极管 （Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。 14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode) 它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。 15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode） 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。 17、瞬变电压抑制二极管 TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。 18、双基极二极管（单结晶体管） 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。 19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 三、根据特性分类 点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。 1、一般用点接触型二极管 这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。 2、高反向耐压点接触型二极管 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。 3、高反向电阻点接触型二极管 正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。 4、高传导点接触型二极管 它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较 三级管知识 晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 使用多用电表检测三极管 三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。 三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

假如在110伏的直流中，6.2伏稳压二极管还能正常工作吗？

反向电阻大

对于晶体类如二极管，三极管，IC等用万用表都只能判断硬击穿，不能判断软击穿，就是说当测量时电阻值偏小（50欧姆以下吧）基本上就是坏掉了，对于IC一般情况下把红表笔放在IC的GND脚然后用黑表笔去量其它脚，阻值一般在500左右，若有阻值很小的就可能坏掉了，如果不放心可以再将黑表笔放到VCC脚再用红表笔去量其它脚，阻值一般在500左右，阻值太小就肯能是坏掉了。

因不知上下文和其它部分，故不能肯定它的设计用意。只能试着猜猜看，猜对猜不对，只做参考。其输入电流可能是一个开关管的集电极电流，电流是“通”、“断”两种状态。初级线圈上并的一串二极管，作用是“续流”。先假设没有这个续流：理想的情况下，初级电流由有电流突变为关断的瞬间，变压器次级电流同时发生突变，于是铁心中磁场可以连续而不发生突变。因此线圈上理想的可以不产生因磁场突变而来的冲击电压。但是，非理想的实际情况下，初次级线圈有可能不是完全理想耦合，即有可能有“漏磁”。所以其未耦合的漏磁部分的磁通量仍然不连续，仍然有突变。因此初级线圈上仍然会有一定的冲击电动势。所以，需要并这一串二极管，作用是“续流”，以避免这个冲击电动势击穿开关管。但是，这个续流的电流毕竟是不理想的（它的存在将会减小次级感生电流的输出）。故串上两个稳压管（共30V）来削弱和限制它。只有冲击电压超过30伏时，才有续流电流，而且给线圈加上30V反向电压使这个续流很快结束。因为“漏磁”部分电感很小所以加上30V反向电压后，这个续流很快结束。所以续流只在刚关断的极短一点时间中存在。然后，正常的次级电流产生的磁场的变化，在初级感应的电压应该不超过30伏，击穿不了稳压管，所以大多数时间“续流”不存在。以上面一路为例。其中2D1是续流电路的正向通路，2D2、2D3则在续流的时候是工作在击穿状态，给线圈加上了30V的反向电压。其次级电路，像是半波整流（D3、D5利用正向作整流用），但为何要用稳压管，意图不好猜想。 或许，次级用稳压管的目的有一种可能：不管正向还是反向电压输出时，两个管子总有一个是工作在正向导通态，另一个是工作在击穿稳压态，这样次级线圈上的电压就是一个幅度比较准确的方波了。忽略线圈电阻，则线圈上的电动势也应该等于这一个幅度已知的方波。同时，因为两个线圈耦合，初级线圈的电压（电动势）也是一个幅度已知的方波。设计者可能要利用这个方波的幅度和宽度来达到某些设计目标。而输出是并在D4上的，所以输出是这个方波的“半波”（又串了一个电阻）。

一种内置控制电路发光二极管点阵显示模块，由外壳、印刷电路板、发光二极管芯片阵列、控制电路和金属引脚组成。发光二极管芯片阵列固定在印刷电路板的一个面上，在印刷电路板的另一面上固定有驱动电路，在印刷电路板上装有金属引脚，装有发光二极管芯片阵列、控制电路和金属引脚的印刷电路板和外壳通过胶封装在一起。外壳是由塑胶材料制成，且在外壳上有均匀分布的窗口。控制电路由一片或多片半导体芯片组成。

TVS二极管和稳压管是两种功能和作用完全不同的二极管，不能相互替代！TVS管是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件，是一种新型高效过电压防浪涌保护器件，被广泛应用于敏感电子零件过压保护中。当电路出现异常过电压并达到TVS击穿电压时，TVS迅速由高电阻状态转变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，TVS阻值又恢复到了高阻态。电路正常工作时，TVS处于高阻状态，不影响电路正常工作。稳压管也叫齐纳二极管，是一种用特殊工艺制造成的面结型硅半导体二极管。在被反向击穿后，尽管流过稳压管的反向击穿电流变化很大，但两端的电压却几乎不变。在实际应用中，常常用它这一特性来进行稳压，以获得基准电压和用作电平转移，被广泛应用于稳压电源、电子点火器、直流电平平移、限幅电路、过压保护电路、补偿电路等当中。

你要明白稳压二极管的工作原理，稳压二极管的工作原是反向击穿，必须在稳压管前面限流要不然会因电流过大，烧坏稳压管，你那个图，电阻压接在稳压管前面

触发二极管交流调压电路的工作原理是抑波、整流和按顺序触发导通的作用，可按需要组成单桥和全桥式整流电路。

二者的伏安特性曲线没有区别，都是指数曲线。二者的用途不同，但都是二极管。1、整流二极管，工作于第一象限，一般阈值电压大于1伏2、稳压二极管，工作于第三象限，反向工作，工作于击穿电压附近。

1、从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。2、塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。3、对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，把万用表打到测二极管的档位，两表笔放在二极管的两端，交换两端再测一遍听到万用表的蜂鸣器叫了，那这时红表笔接触的那端就是正的，黑表笔那端就是负的。扩展资料：稳压二极管都是工作在反向击中穿状态下的，所以一般情况下稳压二极管的正负极是反向的。并且稳压二极管通过限流电阻在负极加高电压，在正极接低电压或地，因此输出就是正电压。在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管（也可接入一只普通二极管原理一样）的话，当线圈在导通状态切断时，由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收。所以当开关断开时，开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多，如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到。参考资料来源：百度百科——稳压二极管

二极管的作用性质 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等 2、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变 3.变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。 变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化 4.光电二极管（LED） 光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。 也就是单向导电。可用于：检波、整流、稳压、隔离反向电；另有发光二极管、阻尼二极管、光敏二极管、压敏二极管、气敏二极管等等专用半导体器件。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。2。性质是：二级管单向导电。可用于：检波、整流、稳压、隔离反向电；另有发光二极管、阻尼二极管、光敏二极管、压敏二极管、气敏二极管等等专用半导体器件。

【输入面积，免费获取装修报价】也许很多人对于二极管并不是特别了解，二极管是什么电子器件？它有什么功能？还有什么分类？主要的原理又是什么？如果你对二极管比较感兴趣又有这些疑问，不妨关注一下这篇文章。 一、什么是二极管 二极管其实就是用半导体材料制作而成的电子器件。它具有单向导电的功能，应用范围也是非常广泛的，比如说在各种电子电路之中，就可以利用二极管进行连接，形成不同的电路。在一些家用电器之中，我们也可以找到二极管的身影。 二、二极管的分类 1、二极管的分类还是比较多的，比如说有稳压二极管。它的原理就是能够保证电流在很大范围内出现变化，但是电压始终保持不变，而功率是不固定的，比如说有的是200瓦，有的是100瓦等等。 2、发光二极管。这种发光的二极管能够发出不同的光，比如说有一种碳化硅的二极管，它发出的颜色就是黄色的，工作的时候因为电流比较小，而功率又比较低，所以寿命比较长，一般被用于广告牌或者一些数码屏显示，led灯等一些用于发光的地方。 3、检波用二极管。这种二极管的主要作用就是从输入信号中能够调出信号，一般用于电视机或者一些收音机里面。 4、肖特基二极管。这是一种功率比较低的二极管，它的主要特点就是正向导电比较低。 二、二极管的作用 1、能够起到开关和隔离的作用，比如说在电流之中，当电流流动的时候就会有正电产生，而当有负电的时候，二极管就会出现不通畅的情况，起到隔离的作用。 2、起到稳定电压的作用，它能够承受比较高的反向电压，从而起到反向阻断的作用。 3、能够适用于很多电器当中，比如说一些半导体的收音机或者电视机中就能够使用到二极管，它能够发挥整流的作用。 以上几点就是关于什么是二极管以及它的分类，更重要的我们要了解一下二极管有什么作用，才能够把二极管更好地利用起来。【算一算你家装修要花多少钱】

视情况而定。根据查询百度文库得知，稳压二极管的反向电阻通常是比较小的值，一般在几十欧姆（Ω）到几百欧姆（Ω）范围内，但具体数值取决于具体的稳压二极管型号和规格。在稳压工作区域内，稳压二极管的反向电阻可以近似视为恒定值，因为稳压二极管的工作原理是在反向击穿电压下，保持稳定的电压输出。当电压超过稳压二极管的反向击穿电压（也称为Zener电压）时，稳压二极管开始导通，产生稳定的电压输出。

1、理想模型2、恒压降模型3、折线模型理想模型：理想模型恒压降模型（串联电压源模型）：V d 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。恒压降模型恒压降模型折线模型：折线模型折线模型扩展资料稳压二极管工作原理：利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。稳压二极管电路符号：稳压二级管伏安特性：稳压二极管主要参数：稳定电压Vz：在规定的稳压管反向工作电流Iz下，所对应的反向工作电压。动态电阻rZ：rZ =DVz/DIz(是增量之比)最大耗散功率：Pzm＝ Vz ·Iz最大稳定工作电流： Izmax 和最小稳定工作电流： Izmin稳定电压温度系数：aVZ参考资料来源：百度百科-二极管

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肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用，肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。那么肖特基 二极管的作用 是什么呢？那 二极管的作用 具体有哪些呢？下面就对于肖特基二极管具有介绍。 肖特基二极管优点 肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二极管的反向击穿电压比较低，一般不会高于60V，最高仅约为100V，以致于限制了肖特基二极管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二极管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二极管、PFC升压用600V二极管等情况下时，只有使用快速恢复外延二极管和超快速恢复二极管。现在的肖特基二极管已取得了突破性的进展，150V和200V高压已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的肖特基二极管也研制成功。 二极管工作原理 二极管的工作原理(正向导电，反向不导电) 晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(也就是导电的原因) 当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。(这也就是不导电的原因) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的作用 1、整流 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。 2、开关 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关;在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 3、限幅 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V，锗管为0.3V)。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、续流 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。 5、检波 在收音机中起检波作用。 6、变容 使用于电视机的高频头中。 7、显示 用于VCD、DVD、计算器等显示器上。 8、稳压 稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管，稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。 9、触发 触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。 肖特基二极管的作用 肖特基二(Schottky)极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 肖特基二极管特点 由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度，故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少，故肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。 肖特基二极管应用 肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流，在高频率下用于检波和混频，肖特基二极管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管，在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外，肖特基二极管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗，指的就是肖特基二极管施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗。以上就是我对于肖特基二极管具体介绍，希望对大家有所借鉴作用。 编辑总结：以上就是肖特基二极管的作用 肖特基二极管工作原理的相关介绍，是否你对肖特基二极管有了进一步的了解了呢？如果你还想了解更多的相关资讯，请继续关注我们网站。

稳压二极管是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内，反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。 它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。普通二极管在被击穿后，如果有限流电阻的话，它有可能自恢复。限流电阻太小或无限流电阻的话，二极管会永久损坏。

二极管 二极管的特性与应用 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性

反向电压过大会使稳压二极管反向电流过大，直至超过其最大功率，然后发热烧结

工作原理:稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中伏安特性电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.失效原理:当反向电压过大时会使稳压二极管反向电流升高，当超过最大功率时，就会发热烧坏管子

稳压管没有“最大输入电压”一说，只有最大输入电流参数。两者的用途是一样的，都是用来稳压，区别是三极稳压管用于大电流稳压，二极稳压管用于小电流稳压。稳压管必须配上限流电阻才能工作，否则输入电压一旦超过稳压值，电流将无限增加而烧毁。配上限流电阻后的稳压电路可以计算最大输入电压，要求输入电压与稳压值5.1V的差值ΔU，加到限流电阻R上不能超过稳压管最大电流Im。ΔU=R*Im。例如稳压管最大电流为200mA，配100Ω限流电阻，压差ΔU=100*0.2=2V，输入电压U=5.1V+2V =7.1V。超过它稳压管就会烧毁。扩展资料：稳压管的应用：1、浪涌保护电路稳压管在准确的电压下击穿，这就使得它可作为限制或保护之元件来使用，因为各种电压的稳压二极管都可以得到，故对于这种应用特别适宜。稳压二极管D是作为过压保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通，使继电器J吸合负载RL就与电源分开。2、电视机里的过压保护电路EC是电视机主供电压。当EC电压过高时，D导通，三极管BG导通，其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平，通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态.。3、电弧抑制电路在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话，当线圈在导通状态切断时，由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收，所以当开关断开时，开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多，如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它。4、串联型稳压电路在此电路中，串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在13V，那么其发射极就输出恒定的12V电压了。这个电路在很多场合下都有应用。参考资料来源：百度百科-稳压管参考资料来源：百度百科-稳压二极管参考资料来源 ：全球电子元件搜索平台-1n4733

工作原理:稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中伏安特性电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.失效原理:当反向电压过大时会使稳压二极管反向电流升高，当超过最大功率时，就会发热烧坏管子

　　稳压管没有“最大输入电压”一说，只有最大输入电流参数。　　稳压管必须配上限流电阻才能工作，否输入电压一旦超过稳压值，电流将无限增加而烧毁。　　配上限流电阻后的稳压电路可以计算最大输入电压，要求输入电压与稳压值5.1V的差值ΔU，加到限流电阻R上不能超过稳压管最大电流Im。ΔU=R*Im。　　例如稳压管最大电流为200mA，配100Ω限流电阻，压差ΔU=100*0.2=2V，输入电压U=5.1V+2V =7.1V。超过它稳压管就会烧毁。

稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡~稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。

TVS（瞬态抑制二极管），在电路中，就是利用它的反向击穿特性，来达到保护后级电路的目的，单向的TVS就类似稳压二极管，如果正极接到电源的正极就直接导通了，电源相当于短路，只有反接才正常，即TVS正极接电路负极，TVS负极接到要保护的电路。双向TVS就可以随便接，不分极性。

是防反压的，上面的二极管是防止电源被下面那个稳压管给短路

稳压二极管的反向特性曲线与PN结的反向特性曲线非常接近，很简单，因为二极管内部实质就是一个PN结，但也有区别：主要就是在那个击穿区。稳压二极管的击穿区，特性曲线的斜率比较大，近似垂直，这样就意味着，当反向电流增大时，反向电压的变动幅度不大；而PN结，斜率相对要小，这就意味着，随着反向电流增大，其实稳压效果很差，即反向电压会在一个相对较宽的范围内波动。稳压二极管就是依靠二极管的反向击穿特性工作的（原理就是依托这根曲线的形状），要正常工作必须满足两个条件：1、外部所施加的反向电压必须大于稳压管的稳定电压；2、稳压管通过的反向电流必须在合理范围内，即最小稳定电流至最大稳定电流之间。

稳压管负极接电源+,正极接地,当电压高于稳压管的标称值时,可以将电压稳定在稳压管的标称电压上.

一、二极管V- I 特性的模型二极管V- I 特性的模型分为下面三种：1、理想模型2、恒压降模型3、折线模型理想模型：理想模型理想模型理想模型理想模型压降恒压降模型（串联电压源模型）：V d 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。恒压降模型恒压降模型恒压降模型恒压降模型折线模型：折线模型折线模型折线模型二、二极管限幅钳位电路：此部分讲解，用例题带入会更好理解。三、稳压二极管分析方法：稳压二极管工作原理：利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。稳压二极管电路符号：稳压二级管伏安特性：

二极管过压保护要用反向原理。反向代理的工作原理是，代理服务器来接受客户端的网络访问连接请求。

它不是稳压二极管，是三极管，三个脚分别是基极，集电极和发射极。