电阻

10D471K的压敏一般用在220V的电源防护

压敏电压 VlmA 220(V) Varistor Voltage最大。允许电压 AC rms 140(V) | DC 180(V) Max. Allowable Voltage最大。夹紧电压 Vp 360 (V) | Ip 50(A) Max. Clamping Voltage最大。能量 10/1000 60(J) Max. Energy最大。峰值电流（8/20μs）瞬态保护1time 4500(A) | 2times 2500(A) Max. Peak Current (8/20μs)额定功率 0.6(W) Rated Power参考电容 @1KHZ 1000(pf) Reference Capacitance尺寸 T(max.) 4.8(mm) Dimensions

两个产品的生产厂家不同，标示有CNR压敏电阻是东莞市金源泰电子有限公司所生产，标示有TVR压敏电阻是台湾兴勤电子股份有限公司生产。

10D471K的压敏一般用在220V的电源防护。压敏电阻一定得装上，跟震动有关系的，听你上面说的你这个驱动器到现在应该已经是老了，技术落后了，假如选用新型的电机和驱动效果会比你现在的更好。

一根接+，一根接pb。汇川变频器制动电阻接线就两根线，一根接+，一根接pb，记得千万不可以接错了，必须查看说明书确认一下再接。汇川技术，低压变频器汇川技术低压变频器，性能卓越、功能丰富、易用可靠，规格齐全。

FJ是富捷电子，是一家生产贴片厚膜电阻，薄膜电阻，合金电阻，汽车级电阻的厂家。是富信半导体的电阻事业部，有着台企的二十多年的技术团队。

asi终端电阻原理。在线型网络两端（相距最远的两个通信端口上），并联在一对通信线上的电阻。根据传输线理论，终端电阻可以吸收网络上的反射波，有效地增强信号强度。两个终端电阻并联后的值应当基本等于传输线在通信频率上的特性阻抗。

十二到十五Ω。福特锐界3.5用万用表依次测试，喷油嘴电阻在十二到十五Ω。福特新锐界是本次亚太首发车型之一，新锐界SUV(Edge)将MyfordTouchTM技术一起带到中国。

电容屏，当手指接触屏时，手指和屏内部的电容变化来感应位置。电阻屏，手指按压导致屏变形，内部电阻变化来确定位置。所以电阻屏必须要接触屏表面，电容屏只要接近屏表面就可以感应出来。LED是发光二极管，有大型户外广告屏，使用的LED点阵显示。笔记本的LED屏，指的是屏的背光是LED的，屏本身还是LCD的。目前还没有纯LED的电脑屏在市面销售，三星已经开发出来，不过价格很高。LED背光是冷阴极灯管CCFL的升级产品，功耗低，更轻薄。

金属膜电阻（RJ)优点：低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高，现在大部分电器都是使用此类电阻。金属氧化膜电阻（RY):优点：特点是金属氧化膜与陶瓷基体结合的更牢，电阻皮膜负载之电力亦较高。耐酸碱能力强，抗盐雾，因而适用于在恶劣的环境下工作。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好。

你这个问题我帮你在大比特电子变压器论坛发过帖子了，就等待那边的高手提供更详细的解答。如果有回答，第一时间通知你，你可以留个邮箱。如果问题比较急，你可以登录论坛然后搜索你的标题看别人的回答也行。

几欧姆决定功方能在这喇叭上输出最大多少功率，欧姆越低功放可输出功率越高；多少瓦决定这个喇叭能承受输入多少功率不会烧。同样4欧喇叭当然可以用没有问题

单片机，MCU单片机是个名词，是个IC的名字，没有什么元件名称RES在DXP等画图软件中好像是指R，不知道你到底问的啥

HART通信用 250欧姆电阻！没有特殊的要求。阻值够就可以

HART回路中的电阻是串联的,电阻值为230~600欧姆之间(HCF物理层规定).可以在网页http://www.sipai.cn/erc/DOC/PDF5_2006.pdf手操器使用说明书中的第3页(总共24页)找到。

在工业中常用的手操器一般只能接受电压信号，而远距离信号传输都是4～20ma直流电流信号，根据欧姆定律计算，在信号回路中串接一个250ω的电阻就可以得到工业标准的1～5v直流电压信号。hart信号加载在电流信号里,手操器要通过回路中串电阻将电流罗斯蒙特,回路,电阻,hart475,通讯在工业中常用的手操器一般只能接受电压信号，而远距离信号传输都是4～20ma直流电流信号，根据欧姆定律计算，在信号回路中串接一个250ω的电阻就可以得到工业标准的1～5v直流电压信号。hart信号加载在电流信号里,手操器要通过回路中串电阻将电流

将电阻串到回路中，在工业中常用的手操器一般只能接受电压信号，而远距离信号传输都是4～20ma直流电流信号，根据欧姆定律计算，在信号回路中串接一个250ω的电阻就可以得到工业标准的1～5v直流电压信号。hart信号加载在电流信号里,手操器要通过回路中串电阻将电流信号转成电压信号才能读取.看下说明书吧

FUSE是一次性保险丝，在过流的情况下，会熔断！有贴片的和插件的FUSE热敏电阻分正温度系数和负温度系数的的热敏电阻自恢复保险丝是属于正温度系数的热敏电阻PTC就是热敏电阻！

一、内容概述斯伦贝谢最新的方位定向电磁波电阻率测量仪器PeriScope 15的核心是一个多频多源距电流环天线线圈系，图1所示的是该仪器的天线系统结构简图。图1 PeriScope 15发射和接收天线简图（箭头表示天线的磁矩方向）组成如下：①一对放置在仪器两端与仪器轴成45°夹角的接收天线R3和R4，另一对接收天线R1和R2放置在R3和R4之间，其磁矩方向与仪器轴一致。②R3和R4之间有5个发射天线（T1—T5），其磁矩方向与仪器轴一致，还有一个发射天线T6的磁矩方向与仪器轴垂直。③R4的井斜角为45°，方位角为90°，T的井斜角为90°，方位角为45°，其余为0°。④发射天线T1—T5与接收天线R1和R2。以上部件共同构成标准ARC电磁波电阻率仪器。与PeriScope 15挂接使用的通常有GVR、EcoScope、TeleScope、Xceed、Impulse等工具短节，如图2所示，PeriScope 15距钻头49 ft（14.94 m），主要提供边界层的方向走势及距离、环空压力、自然伽马和电阻率测量等信息。图2 PeriScope 15在LWD仪器串中的挂接位置和常规的随钻电磁波电阻率测量仪器相比，PeriScope 15可实现定向测量、横向测量和纵向测量。定向测量为补偿方式，含有4个源距，分别为96 in（2.44 m）、84 in（2.13 m）、34 in（0.86 m）和22 in（0.56 m），含有3个发射频率，分别为2 MHz、400 kHz和100 kHz；横向测量为非补偿方式，含有两个源距，3 个发射频率；纵向测量为非补偿方式，1个等效源距，2个发射频率。仪器的探测深度、纵向分辨率、电阻率探测范围等与ARC系列仪器一致，且不受钻井液类型影响。PeriScope 15的主要功能可分为：实时方位成像、实时地质导向、实时地质模型及实时储集层评价，且所有的测量数据可存储于大容量井下内存中，待仪器从井眼中取出后回放。回放数据较实时数据精确。二、应用范围及应用实例常规的随钻电磁波电阻率测量仪器，无论是对称排列的天线系还是非对称排列的天线系，所提供的测量数据只是一系列曲线，且这些曲线不具备方位相关性，对方位变化不敏感；其所测地层的电阻率曲线需在特定的解释软件下才具有直观性，因而也不方便钻井现场的使用。PeriScope 15仪器解决了上述问题，它具有实时的360 °全方位成像功能，所提供的二维图像不但能实时显示井眼到边界的距离，还能够显示边界位置及方向（图3）。图3所示为边界探测、方位识别以及测量数据成像后与其他测量仪器的对照。图3左上图显示，当储集层边界距测量仪器达15 ft（4.57 m）时（B点），进入仪器的探测范围，储集层到井眼距离、储集层趋势等参数便会在仪器上显示出来；对于已经钻入的储集层，储集层的厚度、井眼到上下围岩的距离以及上下围岩的方向都可实时显示，如图3右上图所示；图3下图为PeriScope 15成像解释数据，通过与PeriScope 15挂接的自然伽马仪、井眼卡钳以及常规电阻率仪器测量对比，可以看出，PeriScope 15测量数据的精度已经达到了构造及地层可视化程度。图3 PeriScope 15的边界探测、方位识别及成像对照1.实时地质导向位于PeriScope 15测量仪器两端与仪器轴成45°夹角的接收天线R3、R4和磁矩方向与仪器轴垂直的发射天线T，构成多频电流环天线阵列，实现地质导向探测。源距分别为74 in（1.88 m）和44 in（1.12 m），发射频率为400 kHz和100 kHz，可同时进行单、双频不对称发射，采用相位移和幅度比法，提供定向测量、纵向测量和横向测量。实施地质导向的目的，就是在钻井过程中，及时判断钻遇地层的性质，提前避免高倾角储集层、断层、裂缝层、各向异性层等复杂地层所带来的影响，保证钻井的顺利高效实施。图4所示的是Peri Scope 15地质导向原理，当仪器在储集层中钻进时，对于任意一个测量点A，仪器都要计算该点的上、下边界，当边界距离小于15 ft（4.57 m）时，进入边界判定程序，同时监测储集层的倾角变化趋势。从A点到B点，储集层剧烈上倾，仪器从B点向上调整，并使整个井眼轨迹保持在储集层中；从B点到C点，储集层剧烈下斜，由于测量及时，计算准确，B点至C点的钻进轨迹也保持在储集层中。纵观A点到C点的整个井眼轨迹，可以看出，整个井眼剖面都在储集层中，可获得最大泄油面积，并且轨迹曲线变化舒缓、平滑，有利于钻井施工，保持井眼稳定。图4 PeriScope 15地质导向原理2.实时地层模型实时地层模型共分为4部分，分别为模型建立、数据反演、数据解释和模型修正。在一口井开钻之前，钻井工程师对邻井及地震数据进行收集，建立井况的基础模型，PeriScope 15以该模型进行实测和预测，通过数据回馈和反演计算，解释成新的井眼模型，修正模型中的错误，并不断用后续测量来对前期预测进行对比和调整。PeriScope 15本身并不具备实时模型修正能力，它是将实测数据通过InterACT设备传回位于阿伯丁的ConocoPhillips，在专用的地质导向控制实验室中由专门的地质学家进行修正，并通过上述设备传回PeriScope 15。3.实时储集层评价为了进行实时数据解释及储集层评价，斯伦贝谢采用一种基于模型的参数反演技术，即用原始的定向电磁波测量数据计算出仪器到油层边界的距离和地层电阻率。由于探测深度不够，或者定向能力不够，大多数LWD电阻率测量仪器都不能探测到井眼上方或下方距油层的边界距离，传统的地质导向或者依赖于邻井、实验井、导眼井，或者依赖于实时成像技术，其前提条件都是假定测量地层为层状结构，然而在多数情况下，这种假设是不能成立的，尤其是当钻井的水平段距离长达几千米的时候。PeriScope 15的定向探测能力在电阻率对比度为50/1、信号衰减阈值为0.03 dB的情况下，甚至可达21 ft（6.40 m），因而有能力对5 ft（1.52 m）以内的超薄储集层进行精细描述。PeriScope 15的最大优势是在实时测量过程中，能够同时获得测量地层的水平电阻率Rh、垂直电阻率Rv和储集层倾角。当电磁波电阻率的轴向与地层平面为非垂直关系时，由于岩石存在各向异性，采用相位移法算得的电阻率值（Ru03d5）所受到的影响与采用幅度衰减法算得的电阻率值（RA）所受到的影响是不同的。因而采用常规电磁波电阻率测量，直接从接收天线上感应的电压中无法计算获得Rh、Rv和倾角结果。通过远程监控指挥和培训等方式，保障了井场作业的顺利进行。4.系统改进方向从技术层面，该系统准备在集成性、便携性、易于安装和通用性等方面进一步完善远程控制与音频/视频通讯功能；将该系统与公司原有的钻井数据管理等应用系统实现有机结合，形成为甲方提供数据远程传输与数据管理的应用系统，实现服务增值；吸收、借鉴Baker Hughes公司的RigLink系统等成熟技术，加快产品研发。从应用层面，下一步将有重点地推广该系统，主要推广范围包括重点井、高压危险井、总承包井、异常复杂井、高社会安全风险地区的井等。三、资料来源杨锦舟，马哲，林楠.2009.PeriScope 15方位定向电阻率测量仪的功能与特点.录井工程，20（4）

各种电阻的优劣势在哪里呢？

写的1R0吧？ R是小数点的意思，是1.0欧的电阻。

戴维南定理：任一含源线性时不变一端口网络对外可用一条电压源与一阻抗的串联支路来等效地加以置换,此电压源的电压等于一端口网络的开路电压,此阻抗等于一端口网络内全部独立电源置零后的输入阻抗. 不适用于非线性电路 测量方法； ①,测其开路电压,记为U0 ②,将一可变电阻串入电路,记为Rx.用电压表测其电压,记为Ux 所以,内阻r=﹙U0－Ux﹚R／rUx 所以,电压为U0,内阻为r

可以用电压表啊，这个要看你怎么样设计实验电路，具体问题具体分析。

被测电阻rx经过正温度系数（ptc）热敏电阻rr与标准电阻串联，当rx两端电压等于标准电阻两端的电压时，通过r39，从而实现了ω/.65v）作为测试电压，vt1就恢复正常状态;vho;f)和电阻r2；第二检查保护元件（rt，rt在温室下的电阻值为500ω或1.5kω、vt2分压。2，起到限流作用。只要撤去输入电压。与此同时、vt2分压.8v）由icl7106提供，利用vt2正向导通压降（约0,为标准电阻（r0）。遇到这种情况。所以rx=ro·vin/、晶体管vt1(9013型)以及消噪电容c6(0;v转换、2kω。vt1的基极与集电极短接。基准电压e0（典型值为2、电阻测量电路原理数字万用表的200ω～20mω各档测量电路如图所示.5kω)，从而确保vt1处于软击穿状态,vt1）是否损坏,把vt1的发射结反向击穿（电压钳位于6v左右，rt阻值急剧增大、20kω。电路由正温度系数热敏电阻rt(ptc500ω或1、电阻档故障检修电阻档的故障率比较高。一旦误测电压时，簧片有无变形和印制板是否局部烧断等;d转换成比例度数的特性，利用vt2正向导通压降（约0，输入电压便经过rt-vt1-com，可保护7103不受损坏）.rx为被测电阻，这是一种采用比例法测量电阻的电路，首先应检查量程开关的触点是否局部烧损、r3构成，r42～r47。根据icl7106提供.1&micro，大多数是由于不慎用电阻档去测量220v交流电压而造成的，利用其发射极反向击穿电压代替稳压管。该电路共设6个档位（200ω。根据icl7106的a/。该电阻档电路中好设置有过电压保护电路，亦即vin=vref时数字式表头显示为“1000”、2mω和20mω）.65v）作为测试电压，通过r391

DIP是双列直插式封装技术SIP是单列直插式封装技术SMD是贴片封装技术

可能是一种规定吧他的名称应该是：INDUCTOR

电感、电容、电阻对电流都有阻碍作用，其中电感、电容对电流的阻碍作用与频率有关，称为电抗。电阻与电抗的和叫做阻抗。在电路中，它们的作用无非就是阻抗作用，但这样解释太宽泛了，具体作用要根据电路图分析才知道，比如电容就有十几种用法

resistance=R

应该没问题！还要看看是什麽环境。

resistor是指一个具体的电阻元件,而该元件的电阻值就是resistance. 例如可以这么说,一个Resistance为10Ω的Resistor,意思就是：一个阻值为10欧的电阻器.

直接用18650不用降，动力十足。

resistence capacitor

人体部位分析测定原理是把人体假定为右臂、左臂、右下肢、左下肢五个导体，测试每个节段的阻抗，各节段阻抗依次表示为ZRA、ZLA、ZRL、ZLL

计算输出等效电阻时，受控电流源要保留不可以置开路！需要在输出端口外加电源 u"，设流入电流 i"，列出各支路电流就可以得出等效电阻。

K=1000倍J=5%精度100KJ100K电阻，误差5%

04年的捷达，保险盒上第15个zkg电阻是电阻的功能有分压.限流.在汽车可能是限制电流作用.

光敏电阻器 [词典] [计] light sensitive resistor; [例句]我的装置会用一个光敏电阻器连接到窗框上，来感应黎明时玫瑰色晨曦的抚触。My appliance would use a photoresistor attached to the window frame to sense the rosy fingers of dawn.

同意一楼，光耦是光电耦合器的简称，有普通型、高速型、高传输比型。内部是一个发光二极管和一个光敏三极管，工作时，由前者驱动后者，因输入输出只有光的联系而没有电的联系，故称光耦，主要用于隔离。 光敏电阻就是对光敏感，随光照强度不同而阻值变化的电阻。

用电阻代替就可以

问题一：电阻器是什么元件？ 电阻器就是电阻，最基本的电子器件了，很多种，碳膜电阻，金膜电阻，线绕电阻，玻璃釉电阻，贴片电阻，可调电阻，压敏电阻，热敏电阻，种类太多了..... 问题二：电阻是什么能元件 电阻是消耗电能将其转换成热能（如电热丝）或光能（如白炽灯的钨丝）的元件。 问题三：电阻、电容、电感各是什么元件 电阻是耗能元件，交直流都能通过。电容通交流隔直流，电路的频率越高容抗越小。纯电容不耗能。电感珐直流都能通过，但对直流等于短路，对交流是频率越高感抗越大，纯电感不耗能。 问题四：这是什么电子元器件 这个是：光敏电阻，Photocell，注意：光电池是photovoltaic cell，又称光敏电阻器（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。 光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体。 问题五：电阻性元件是什么？电吹风属于什么性质的 电能转化为电热的元件,电阻性元件. 不完全转化成电热,还有转动的机械能,所以不是.它是电阻性元件加电动机.结束,退. 问题六：电子四大元件分别是什么 电子四大元器件是电阻、电容、晶体二极管和稳压二极管。 其特点如下： 1、电阻 电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。 2、电容 电容指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上;造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。 3、晶体二极管 晶体二极管固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。 4、稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 问题七：这个元件是什么电阻？在原理图里的，和矩形的电阻有什么区别？ 就是普通电阻，只是表示的方式不一样，和矩形的电阻图标没有任何区别 问题八：电子元件上标着221,那是什么元件，电阻？ 是贴片的吗？看是什么颜色，一般黑色，或者蓝色的是电阻，比较扁。 如果是比较方的，棕色的电容。如果能看到图片就好确定了。 如果是电阻就是 220欧姆的。很多可能是电阻！ 问题九：这个电子元件是什么 热敏电阻NTC10D/9,用途类型:通用电阻器,制作工艺类型:陶瓷绝缘功率型,特性类别:无机实心电阻器,结构形式:圆盘型,引线类型:径向引出线,额定电压:600-1800VAC（V）: 问题十：电阻器是什么元件？ 电阻器就是电阻，最基本的电子器件了，很多种，碳膜电阻，金膜电阻，线绕电阻，玻璃釉电阻，贴片电阻，可调电阻，压敏电阻，热敏电阻，种类太多了.....

光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。①在强光照射下光电转换线性较差;②光电驰豫过程较长,何为光电导的驰豫现象?即光照后,半导体的光电导随光照时间逐渐上升,经一段时间到达定态值。光照停止后,光电导逐渐下降;③频率响应(器件检测变化很快的光信号的能力)很低。内部的光电效应和电极无关（光电二极管才有关），即可以使用直流电源灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关环氧树脂胶封装 (Coated with epoxy) 可靠性好 (Goodreliability) 体积小 (Small volume) 灵敏度高 (High sensitivity) 反应速度快 (Quick response) 光谱特性好 (Good spectrum characteristic)缺点①在强光照射下光电转换线性较差;②光电驰豫过程较长,何为光电导的驰豫现象?即光照后,半导体的光电导随光照时间逐渐上升,经一段时间到达定态值。光照停止后,光电导逐渐下降;③频率响应(器件检测变化很快的光信号的能力)很低。受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高），是耗材。

光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

亮度亮说明电流大，电流和电阻是反比电阻大则电流小电阻小则电流大，初中物理里面就有

再找找 啊

硅。芯片原材料主要是单晶硅，硅的性质是可以做半导体，并且高纯的单晶硅是重要的半导体材料，因此芯片是半导体材料。芯片在电子学中是一种将电路小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。光敏电阻（photoresistororlight-dependentresistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

光敏电阻是被光线照射时阻值下降

否则还叫光敏电阻吗？

减小

一般采用梳状图案。

受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高），是耗材。光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化

有一个灯泡或电阻与滑动变阻器串联，电压表和电流表也会出现其中。 做题之前，应该思考为什么会有电阻的极值，也即最小值和最大值，电阻最小，说明电流最大，电阻再减小，电流会超过刚才所说的最大电流值，为什么会有最大电流值呢？这就要看电路中的元件了，电流表不能超量程，所以0.6A就是最大电流值，到这里可能会出错，因为少考虑了其他元件允许通过的电流，例如灯泡的额定电流会设置成0.5A，所以综合之后电路中的最大电流就是0.5A，到这里看似正确了，但是忽视了滑动变阻器和电压表，例如电压表如果测量灯泡的电压，我们还要考虑，0.5A的电流，电压表会不会超过量程。如果超过量程3V了，就要用3V的电压求出电流，这个电流才是电路中的最大电流，用这个电流值求出电阻就是电路中的最小电阻！ 按照刚才设计的，电路中的最大阻值就是滑动变阻器阻值最大时！不过电压表如果测量的不是灯泡，而是测量滑动变阻器，那么需要考虑滑动变阻器的阻值越大，分的电压会越多，超过量程是不行的，所以当电压表的示数是3V时，滑动变阻器的阻值就不能再大了，此时电路中有最大电阻值！ 以上所说，电压表的量程选了3V，电流表选了0.6A，如果是选的其他量程，道理一样！ 最好对应一道例题，按照上面的思路梳理一下，效果更好！ 下面举例说明阻值范围问题。提出这样的问题，主要是这种问题中限制条件不止一个，处理问题时往往顾此失彼，不知从何入手。在此推荐一种方法，先理清题目的限制条件，然后建立不等式组，通过解不等式组求出阻值的范围。 例题：如下图所示的电路中， 电源电压U＝4.5V且保持不变，定值电阻R1＝5Ω，变阻器R2最大阻值为20Ω，电流表量程为0～0.6A，电压表量程为0～3V。为保护电表不被损坏，变阻器接入电路的阻值范围是多少？ 解析：此题中，为保护电表不被损坏，需要考虑的问题有两点∶通过电流表的电流不超过0.6A，加在电压表两端的电压不超过3V。据此，可构建不等式组。设变阻器接入电路的电阻为Rx，则 电路中的总电阻R＝R1+Rx 电路中的电流I＝U/R＝U/(R1+Rx) 变阻器两端的电压U变＝lRx＝URx/(R1+Rx) 为保护电表不被烧坏，则有l≤0.6A，U变≤3V 即U/(R1+Rx)≤0.6A(1) URx/(R1+Rx)≤3V(2) 将已知量代入(1)(2)并解这个不等式组得： 2.5Ω≤Rx≤10Ω，即变阻器接入电路的阻值变化范围是2.5Ω～10Ω。

凭我从事电磁实验多年的经验——那就是假货了嘛还有什么可说的

直接调节功率，电压随功率变化。1、简介：DRAG主机是VOOPOO收购无敌后推出的第一款主机，据说，厂家为了迎合国外市场，把该主机的功率设定为以“7”为结尾的幸运数字（157W）。而小歪作了另外一种猜测，觉得也有可能是该厂家研发出的芯片恰好在157W功率，或许是厂家对自家芯片是抱有相当大的信心，所以既没有修改成市面上常态的200W，也没有重新更换原有的芯片。2、外观和内部：该主机采用锌合金作为主材料，拥有着一定的硬度且耐磨性高，重量适中（小歪觉得有一定体积的主机也需要一定重量这样的手感才好）。外形与特斯拉入侵者及匕首盒子有点相似，四周线条的倒角设计减少了用户的硌手感。510接口由两颗螺丝固定，不会因雾化器扭得过紧以致把510接口也扭出来，添加的切割槽除了防止雾化器漏油外还让主机更美观了。内部电池仓较为简洁，做工优良。电源正负极采用镀金电极，使内阻更低。底部的散热孔有效防止使用大功率时盒子过热。3、

先看介电常数的定义：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率.它是表示绝缘能力特性的一个系数。相对介电常数是材料介电常数与真空介电常数的比值。从定义可以看出，介电常数越大，绝缘性能越好，电容越大（导体是不产生电容的），因而认为相对介电常数与电阻成正相关的关系也是可以的

　　介电强度：用于衡量绝缘强度。即耐压。　　介电常数：衡量绝缘体储存电能的性能。　　体积电阻率：材料的漏电流。　　先看介电常数的定义：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率.它是表示绝缘能力特性的一个系数。　　相对介电常数是材料介电常数与真空介电常数的比值。　　从定义可以看出，介电常数越大，绝缘性能越好，电容越大（导体是不产生电容的），因而认为相对介电常数与电阻成正相关的关系也是可以的

先看介电常数的定义：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率.它是表示绝缘能力特性的一个系数。相对介电常数是材料介电常数与真空介电常数的比值。从定义可以看出，介电常数越大，绝缘性能越好，电容越大（导体是不产生电容的），因而认为相对介电常数与电阻成正相关的关系也是可以的。

介电强度：用于衡量绝缘强度。即耐压。介电常数是衡量绝缘体储存电能的性能。体积电阻率是材料的漏电流。

线路阻抗 Z=(6^2+8^2)^(1/2)=10 欧姆相电压 u=380/√3=220相电流 I1=220/10=22 A线电流 I2=22*√3=38 A三相负载对称，所以中线电流 I3=0 A 如果是瞬时表达式的话，要算出角度，表达式为I1=22√2sin(ωt+60-a)I2=38√2sin(ωt+60-a) 这个a可根据tana=3/4 算出

一部手机有几百个电容和几百个电阻，占了电子元件的大半。中国是最大的基础电子元件市场，一年消耗的电阻和电容，数以万亿计。而最好的消费级电容和电阻，来自日本。我国高端电容电阻生产现状电容和电阻，是电子工业的黄金配角。电容市场一年200多亿美元，电阻也有百亿美元量级。市场的“头号玩家”是日本，占据一半以上份额，以村田、TDK等企业为代表；台湾地区位居次席；而中国大陆的产品多属于中低端。“不能简单说我们不如别人，”电子工程师、瑞迪航科（北京）技术有限公司总经理武晔卿说，“在军用级别，国产电阻电容是能满足需求的；一些特殊的定制电阻，国内公司也能生产。我们比起日本有差距的，是在消费级的、大批量生产的元件上。”手机、电脑、家用电器、汽车……消费类电子行业是电容电阻的最大用户。“这一领域，所谓高端的电容电阻，最重要的是同一个批次应该尽量一致。”武晔卿说，“日本这方面做得最好，国内企业差距大。”武晔卿说，国内企业相当于“什么菜都会炒，但不保证每次炒出来是一个味儿”。基础电子元件一批次可生产百万件，一致性对质量控制极端重要。比如某个电容不达标，可能会让手机充电更慢，因此手机各大品牌只采购大厂商的电容电阻。“工艺、材料、质量管控上，国内企业相对薄弱。”武晔卿说，“有一些‘Know How（小窍门）"没掌握。”我国高端电容电阻生产现状我国高端电容电阻的差距在哪？日本的MLCC产品可以做到1000层，中国产品在300层左右MLCC（多层片式陶瓷电容器）是个典型，它是消费电子行业用量最大的基础元件，也是日本企业的强项。目前日本的MLCC产品可以做到1000层，中国产品在300层左右。“MLCC就像千层酥，只不过小得多。”业内工作多年的电子工程师张光华说。MLCC米粒大小，是一个内有电极的陶瓷块儿，是几百层陶瓷和几百层金属叠压起来的。电容的原理是两电极夹一层绝缘介质，以储存电荷。介质层越薄，电容数值越大。张光华说，制作MLCC有点像摊煎饼：陶瓷粉末浆，被刮刀摊平成厚度约1微米的涂层，再敷上去一层金属粉末浆，这就是陶瓷介质贴上了电极。之后，一大张薄膜被叠压、烘干、烧成瓷。“烙千层的煎饼，很难平整。”张光华说，“各家水平不一样，要是‘煎饼"裂了一道缝，电容数值就不够大。”很多环节影响质量：陶瓷浆和电极浆不配套，干燥时就会“起皮”；烘干太快出裂纹，烘干不彻底也会导致瑕疵；烧瓷要暴露于特殊气体；冷却太快会开裂……张光华说，哪一环节不到位，产品就可能大比例不达标。客户要求是一百万个MLCC只允许一个不合格。另外，MLCC很脆弱，同一种规格的产品，大品牌可能细节更优秀，更不易机械损坏。材料是中国电子元件企业的短板生产电容的企业，一般也生产电阻和电感等“被动元件”。工艺有相通之处。如消费电子产品用量最大的电阻：薄膜电阻，只有牙签头大小，以陶瓷为基底镀膜制造，工艺稍不精细，指标大打折扣。材料是中国电子元件企业的短板：陶瓷浆涉及钛酸钡和氧化钛诸多陶瓷材料，还混合了有机胶等等，电极浆则混合了镍粉、铜粉和树脂等等，配方都需要钻研。质量最高的陶瓷浆和电极浆产自日本公司。日本巨头如村田和京瓷，从做材料起家，后来才制造电子元件。武晔卿说，二战后日本专注民用电子，电子产业集聚，有利于村田这类材料企业延伸业务。“就好像生产面粉的厂子，自己也开了拉面店。”数十年坚持基础研发的日本巨头，始终瞩目高端。去年底到现在，基础电子元件持续疯涨，武晔卿说，原因是日本几家巨头停产了利润率见薄的产品，集中精力于高端市场。根据业界估计，随着手机更轻薄和频段更多，体积小性能好的元件用量会大大上升，iPhone使用的MLCC是手机中最多的，最新的iPhone要用上千颗。电脑和电视的用量比手机只大不小。汽车（尤其是电动汽车）使用的电容和电阻更多，且元件质量要求苛刻，因为冲击、温度、粉尘和腐蚀等条件更恶劣，且不能有安全隐患。车用元件市场大，但技术门槛很高，未来可能会继续被日本巨头把持。

发展是很迅速的，电容可以将一些不稳定的电流变得稳定，电阻可以改变电流大小，没有它们就不会有那么多的电子仪器。

片式元件很多的，像你提到的MLCC、NTC，另外还有MLCI、LTCC、谐振器等。

深圳市建晟电子科技有限公司主营贴片电容，电阻等电子元器件，全新原装正品，价格优势，可以咨询联系！有什么问题可以直接问，很耐心解答纯手打，望采纳贴片电容为MLCC(片状多层陶瓷电容)现在已经成为了电子电路最常用的元件之一.MLCC表面看来,非常简单,可是,很多情况下,设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方.以下谈谈MLCC选择及应用上的一些问题和注意事项.MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件.失效率高,一方面是MLCC结构固有的可靠性问题,另外还有选型问题以及应用问题.由于电容算是“简单”的器件,所以有的设计工程师由于不够重视,从而对MLCC的独有特性不了解.在理想化的情况下,电容选型时,主要考虑容量及耐压两个参数就够了.但是对于MLCC,仅仅考虑这两个参数是远远不够的.使用MLCC,不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能.MLCC的材质有很多种,每种材质都有自身的独特性能特点.不了解这些,所选用的电容就很有可能满足不了电路要求.举例来说,MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质,X7R材质,Y5V材质.C0G的工作温度范围和温度系数最好,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0 ±30ppm/°C.X7R次之,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%.Y5V的工作温度仅为-30°C至+85°C,在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%.当然,C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的.在选型时,如果对工作温度和温度系数要求很低,可以考虑用Y5V的,但是一般情况下要用X7R的,要求更高时必须选择COG的.一般情况下,MLCC厂家都设计成使X7R、Y5V材质的电容在常温附近的容量最大,但是随着温度上升或下降,其容量都会下降.仅仅了解上面知识的还不够.由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的,所以,同样的尺寸和耐压下,能够做出来的最大容量也是依次减少的.有的没经验的工程师,以为想要什么容量都有,选型时就会犯错误,选了不存在的规格.比如想用0603/C0G/25V/3300pF的电容,但是0603/C0G/25V的MLCC一般只做到1000pF.其实只要仔细看了厂家的选型手册,就不会犯这样的错误.另外,对于入门不久的设计工程师,对元件规格的数序(E12、E24等)没概念,会给出0.5uF之类的不存在的规格出来.即使是有经验的工程师,对于规格的压缩也没概念.比如说,在滤波电路上,原来有人用到了3.3uF的电容,他的电路也能用3.3uF的电容,但他有可能偏偏选了一个没人用过的4.7uF或2.2uF的电容规格.不看厂家选型手册选型的人,还会犯下面这种错误,比如选了一个0603/X7R/470pF/16V的电容,而事实上一般厂家0603/X7R/470pF的电容只生产50V及其以上的电压而不生产16V之类的电压了.另外注意片状电容的封装有两种表示方法,一种是英制表示法,一种是公制表示法.美国的厂家用英制的,日本厂家基本上都用公制的,而国产的厂家有用英制的也有用公制的.一个公司所用到的电容封装,只能统一用一种制式来表示,不能这个工程师用英制那个工程师用公制.否则会搞混乱.极端的情况下,还会弄错.比如说,英制的有0603的封装,公制的也有0603的封装,但是两者实际上是完全不同的尺寸的.英制的0603封装对应公制的是1608,而公制的0603封装对应英制的却是0201!其实英制封装的数字大约乘以2.5(前2位后2位分开乘)就成为了公制封装规格.现在流行的是用英制的封装表达法.比如我们常说的0402封装就是英制的表达法,其对应的公制封装为1005(1.0*0.5mm).另外,设计工程师除了要了解MLCC的温度性能外,还应该了解更多的性能.比如Y5V介质的电容,虽然容量很大,但是,这种铁电陶瓷有一个缺点,在就是其静态容量随其直流偏置工作电压的增大而减少,最大甚至会下降70%.比如一个Y5V/50V/10uF的电容,在50V的直流电压下,其容量可能只有3uF!当然,不同的厂家的特性有差异,有的下降可能没这么严重.如果你一定要用Y5V的电容,除了要知道其容量随温度的变化曲线图外,还必须向厂家索取其容量随直流偏置电压变化的曲线图(甚至是要容量温度直流偏置综合图).使用Y5V电容要有足够的电压降额.X7R的容量随其直流偏置工作电压的增大也减少,不过没有Y5V的那么明显.同时,MLCC尺寸越小,这种效应就越明显.不同的材质的频率特性也不同.设计师必须了解不同材质的不同频率特性.比如C0G(又称高频热补偿型介质)的高频特性好,X7R的次之,Y5V的差.在做平滑(电源滤波)用途时,要求容量尽量大,所以可用Y5V电容,也就是说,Y5V电容可以取代电解电容.在做旁路用途时,比如IC的VCC引脚旁的旁路电容,至少要选用X7R电容.而振荡电路则必须用C0G电容.由于Y5V的性能较差,我一般都是不推荐使用的,要求设计工程师尽量考虑用X7R电容(或X5R电容).如果对容量体积比要求高的场合,则考虑用钽电容而尽量避免用Y5V电容.当然,如果你们公司要求不高,还是可以考虑Y5V电容,但是要特别小心.一般说MLCC的ESL(等效串联电感)、ESR(等效串联电阻)小,是相对于电解电容(包括钽电解电容)而言的.事实上,高频时,MLCC的ESL、ESR不可以忽略.一般C0G电容的谐振点能达上百MHz,一般X7R电容的谐振点能达几十MHz,而Y5V电容的谐振点仅仅是数MHz甚至不到1MHz.谐振点意味着,超过了这个频率,电容已经不是电容特性了,而是电感特性了.如果想使MLCC用于更高频率,比如微波,那么,就必须用专门的微波材料和工艺制造的MLCC.微波电容要求ESL、ESR必须更小.MLCC一直在小型化的方向进展.现在0402的封装已经是主流产品.但是小型化可能带来其它的一些危害.事实上,不是所有的电子产品都是那么在意和欢迎小型化MLCC的.在意小型化的电子产品,比如手机、数码产品等等,这些产品成为MLCC小型化的主要推动力.对于MLCC厂家来说,小型化MLCC占有主要的出货量.但是从整个电子业界来说,还有很多电子设备,对小型化不是那么在乎,性能和可靠性才是关键考虑因素,MLCC小型化带来了可靠性的隐患.比如通信设备、医疗设备、工控设备、电源等.这些电子设备空间够大,对MLCC小型化不是很感兴趣;而且,这些电子设备不像个人消费品那样追赶时髦且更新换代快,而是更在乎长久使用的可靠性,所以对于元件的余量要求更高(为了保证可靠性,余量要大,所以尺寸更大的MLCC才满足要求.另外,更大的尺寸使得MLCC厂家在提高电容的可靠性上更有发挥的空间).这点恰好与MLCC厂家追求小型化的方向不一致.这是个矛盾.这些高可靠性要求的电子设备的特点是量不是很大,但是价格昂贵(个别种类电源除外),可靠性要求也高.如果是知名的电子设备厂,日子会好过一点,因为MLCC厂会为他们保存一些大尺寸的规格的MLCC生产.如果不是知名的电子设备厂,也不用那么悲观,毕竟,还有少数MLCC厂定位不同,依然会继续生产大尺寸的电容.所以,作为这种电子设备的厂家,要善于寻找定位于高性能高可靠的较大尺寸的MLCC厂家.但是有一个注意事项是,所选用的规格不可以是独家才有的规格,至少是有两家满足自己公司要求的MLCC厂家在生产这种规格.另外,对于小型化不影响性能和可靠性要求时,还是优先考虑小型化的M LCCC.有的公司在MLCC的应用上也会有一些误区.有人以为MLCC是很简单的元件,所以工艺要求不高.其实,MLCC是很脆弱的元件,应用时一定要注意.MLCC厂家在生产过程中,如果工艺不好,就有可能会有隐患.比如介质空洞、烧结纹裂、分层等都会带来隐患.这点只能通过筛选优秀的供应商来保证(后面还会谈到供应商选择问题).另外就是陶瓷本身的热脆性和机械应力脆性的故有可靠性,导致电子设备厂在使用MLCC时,使用不当也容易失效.MLCC现在做到几百层甚至上千层了,每层是微米级的厚度.所以稍微有点形变就容易使其产生裂纹.另外同样材质、尺寸和耐压下的MLCC,容量越高,层数就越多,每层也越薄,于是越容易断裂.另外一个方面是,相同材质、容量和耐压时,尺寸小的电容要求每层介质更薄,导致更容易断裂.裂纹的危害是漏电,严重时引起内部层间错位短路等安全问题.而且裂纹有一个很麻烦的问题是,有时比较隐蔽,在电子设备出厂检验时可能发现不了,到了客户端才正式暴露出来.所以防止MLCC产生裂纹意义重大.MLCC受到温度冲击时,容易从焊端开始产生裂纹.在这点上,小尺寸电容比大尺寸电容相对来说会好一点,其原理就是大尺寸的电容导热没这么快到达整个电容,于是电容本体的不同点的温差大,所以膨胀大小不同,从而产生应力.这个道理和倒入开水时厚的玻璃杯比薄玻璃杯更容易破裂一样.另外,在MLCC焊接过后的冷却过程中,MLCC和PCB的膨胀系数不同,于是产生应力,导致裂纹.要避免这个问题,回流焊时需要有良好的焊接温度曲线.如果不用回流焊而用波峰焊,那么这种失效会大大增加.MLCC更是要避免用烙铁手工焊接的工艺.然而事情总是没有那么理想.烙铁手工焊接有时也不可避免.比如说,对于PCB外发加工的电子厂家,有的产品量特少,贴片外协厂家不愿意接这种单时,只能手工焊接;样品生产时,一般也是手工焊接;特殊情况返工或补焊时,必须手工焊接;修理工修理电容时,也是手工焊接.无法避免地要手工焊接MLCC时,就要非常重视焊接工艺.首先必须告知工艺和生产人员电容热失效问题,让其思想上高度重视这个问题.其次,必须由专门的熟练工人焊接.还要在焊接工艺上严格要求,比如必须用恒温烙铁,烙铁不超过315°C(要防止生产工人图快而提高焊接温度),焊接时间不超过3秒选择合适的焊焊剂和锡膏,要先清洁焊盘,不可以使MLCC受到大的外力,注意焊接质量,等等.最好的手工焊接是先让焊盘上锡,然后烙铁在焊盘上使锡融化,此时再把电容放上去,烙铁在整个过程中只接触焊盘不接触电容(可移动靠近),之后用类似方法(给焊盘上的镀锡垫层加热而不是直接给电容加热)焊另一头.机械应力也容易引起MLCC产生裂纹.由于电容是长方形 的(和PCB平行的面),而且短的边是焊端,所以自然是长的那边受到力时容易出问题.于是,排板时要考虑受力方向.比如分板时的变形方向于电容的方向的关系.在生产过程中,凡是PCB可能产生较大形变的地方都尽量不要放电容.比如PCB定位铆接、单板测试时测试点机械接触等等都会产生形变.另外半成品PCB板不能直接叠放.等等.下面谈谈MLCC的厂家选择与样品认证.MLCC作为相对低端的元件,欧美厂家一般不太愿意生产了或被日本品牌收购了.美国只剩下极少数的厂家还在生产MLCC,但是市场占有量少,货期长.所以,MLCC做得最好的是日本品牌.当然,台湾和大陆也有一些知名厂家的MLCC市场占有率不错.在普通的规格上,台湾和大陆的名牌MLCC的技术和质量差不多向日本的厂家靠拢了.但是如果要用一些技术和质量更优良的MLCC,可能只能选择美国和日本的品牌.总体来说,MLCC可供选择的厂家很多,由于MLCC价格不高,所以,选择知名企业一般公司还是很乐意的.如果选择的是一流企业的产品,那用起来自然是省心.但是,如果对一个品牌的MLCC质量不放心,或不是一流企业,那么选择供应商时就必须对他们的产品进行认证.电容不贵,样品数量可以多要点.要测试样品的温度特性、频率特性、直流偏置电压特性等等.有的参数自己的公司测不了,可以到供应商处测,或让他们出测试报告.事实上,MLCC的可靠性才是最关键的.通过上面的内容可知,MLCC的失效主要是热应力失效和机械应力失效.那么,样品也重点要测这些性能:抗热冲击和抗弯曲能力测试.注意,产生裂纹时,电容的容量等普通参数可能还是好的.这时主要是要测漏电(特别是有潮气进入时)才能测出来.

在直流电路中，电容器两端的电压随充电时间的增加而增加，充电电流逐渐减小，最后接近于0，拿R=U/I来说，R→∞，这个值是计算出来的，在直流电路中，电容器充电完成以后，相当于开路。在交流电路中，电容器的阻抗是由频率和本身的容量决定的。

您好，MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多层陶瓷电容器英文缩写。是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。因此是贴片电容而非电阻。智旭电子为你解答，我们致力于陶瓷电容器，安规电容器(X电容及Y 电容)，压敏电阻器专项研发，薄膜电容器生产和销售。

一个是数字一个是模拟数字只看电平模拟要看电流

第一个图不行，饱和状态Uce只有0.3V,第一图无法工作，第一图错。在驱动负载的时候，三极管必须工作在饱和状态，不要考虑什么放大倍数。计算的时候只要计算ICE的电流就可以了。放大倍数只在小信号检波放大时才有效。Ib的电流是从E到B流的，三极管Ib一般0.1mA就足以饱和导通了。这样一来UBE=0.7V+UIO=0.3V=1V，则限流电阻R=(4V-1V)/0.1=30K。因为是单片机动态扫描，IB电流要加大，这样取10K是合理的。你用放大系数去计算限流电阻，太临界，实际工作中根本不行。因为电阻有正负百分之10的制造误差的。IB只要取值在1mA左右就行了。

10^12

石英晶体振荡器和硅mems振荡器各有千秋，建议你去看看资料，一时半会解释不清，石英晶体振荡器的资料比较多，看了你就明白了，去豆丁网里搜索就出来了。

不是的，阻容降压其实就是电容限流降压（电流一定、负载电阻一定、电压降为一定值），利用的就是电容的限流作用。如果有电阻串联，那也是为了减小电容刚接入电路中的冲击电流而已。正常应该是与电容并联，作为电容器的泄放电阻，阻值通常大于50千欧。

压力影响

给你个提示，电容和电感的特点分别是：XXX滞后XXX，XXX超前XXX……

是Q17的偏置电阻吗，R109是1kΩ。

假设输入电压不变线圈匝数不变,当副线圈电阻变化时,副线圈中电流哪漏灶变化,而后引起原线圈中电流变化.但输入电压不变,那么李扮原线圈中的感抗等于电压处于电流,发生了变化.但感抗的值理论上只和f;l有关，应该不变。这种矛盾应该如何解释（负载的功率与变压器比可忽略）规律：——输入电压和输出电压决定与匝数比输出功率决定输入功率副线圈中电流变化,而后引起原线圈中电流变化搜丛.——正确——输出功率变了但输入电压不变——错误，——输入功率变了,【ocx.uevaxe.cn/article/120485.html】【dux.la-louviere.cn/article/082359.html】

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。首先你要确认是否是MOSFET短路，去下mosfet，看看线路的GS和DS是否短路，如果PCB不短路说明MOSFET短路，这就可能是你的电流过大导致MOSFET短路，这有可能是你后端电路短路引起的，如果PCB都短路了,那就一定是后端电路引起的，你就要好好检查电路了

sirrfh7501r25h1019电阻是什么材料的电阻种类：其他同参数产品性能：高压同参数产品材料：其他同参数产品制作工艺：其他同参数产品外形：平面片状同参数产品允许偏差：±0.5%同参数产品温度系数：其他同参数产品额定功率：150（W）

motor英 ["mu0259u028atu0259]美 ["motu025a]n. 发动机，马达；汽车adj. 汽车的；机动的vt. 以汽车载运vi. 乘汽车

找multiple电阻的步骤如下：1、打开Multisim软件，找到左上角的最下面的一排的第二个小图标在里面，选择BASIC_VIRTUAL这一项。2、找到POTETIONMETER并确定进入。3、这个时候，可以在右侧选择电阻大小。4、完成以后，直接点击右侧的确定。这样一来会看到对应的元件，即可选电阻了。

目前的晶片电阻已发展至最小尺寸可达1.0 x 0.5mm，且可以制成2~8颗电阻并排成一颗之排阻(resistor array)，不但使电路板面积大幅缩小，且降低了好几倍元件置放时间。电阻的制作方法可分为厚膜制程及薄膜制程，厚膜制程之流程如下图1所示：在整个厚膜电阻的制程中，厚膜胶(包括电阻胶及导电胶) 材料为关键技术，因为其特性即决定了电阻的特性。电阻胶的组成是选用低温度系数RuO2为主成份再混合玻璃及高份子载体(vehicle)而组成，而导电胶的成份亦类似，只是RuO2改用电阻率极低的Ag为主。厚膜胶的制程如图2所示：电阻在使用时，由於会消耗功率而产生热，伴随著电阻体本身含有温度上升的现象。因此，电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance，TCR)便成为电阻稳定性最重要的指标之一，电阻温度系数的计算方式如下：TCR愈低，表示电阻随温度变化愈小，阻值愈稳定，厚膜材料的TCR约为200~300 ppm/k之间(铜约为4000 ppm/k)。由於厚膜胶必须含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相当不容易，目前的厚膜电阻的特性己相当固定，不易有明显的改进空间。相对地，薄膜电阻是利用半导体的原理，以物理的气相沈积技术(Physical Vapour Deposition，PVD)，包括溅镀(sputtering deposition)、蒸镀(evaporation deposition)等方式，将电阻材料被覆於氧化铝基板上，因此材料所选择变得很有弹性，目前常用的NiCr，NiCu，TaN…等材料。由於薄膜制程可获得之材料没有混杂其他如玻璃等杂质，因此TCR可控制在50 ppm/k以下，甚至趋近0 ppm/k。除此之外，由於电阻体可利用黄光微影(lithography)的方式制作不同的线路图案(pattern)，且线径的控制非常精确，因此，阻值范围可以做的很广，且在某些阻值范围甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步骤。薄膜电阻制程之流程图，如图3所示：利用半导体类似等级的设备来生产薄膜电阻，在成品特性拥有许多厚膜可不及的优点，但因为成本仍高，因此未能广泛应用。目前晶片电阻市埸仍由厚膜电阻占绝大部份。最近由於in-line全自动溅镀设备成本大幅降低，加上微影制程改良，薄膜电阻成本在1~2年内将降低至接近厚膜电阻的水准。

首先，你得理解流过电阻的电流是由其两端电压决定的，这就是欧姆定律，即I=U/R；当然这个电流是由电压源提供、还是电流源提供，由电路的连接情况决定。这是两个不同的概念，应该区分清楚。　　在电路图中，显然R3电阻两端电压就是外加电压源的电压Uss，且正方向一致，所以：I3=Uss/R3；R2串联2Ω电阻的两端电压就是Uss，但是正方向不一致，所以：I2=-Uss/（R2+2）。这两个电流大小都是由其两端电压决定，根据欧姆定理就可以得到上述式子。　　具体求等效电阻R0，就是根据：R0=Uss/Iss的欧姆定理得到的，那么这里Iss就是由不同的电流构成的，这个才符合基尔霍夫电流定律（KCL）。此时受控电流源才对Iss的大小产生作用，即满足KCL的平衡关系，表征出来电路的连接结构。　　总之：电流大小由电阻两端电压决定，这是欧姆定律决定的内容；电流存在怎么样的平衡关系（即KCL关系），由电路的结构决定。这是两个不同的概念，不能混淆。

辐射电阻（radiation resistance）的定义；辐射电阻（radiation resistance）和损耗电阻（loss resistance）的关系；决定辐射电阻（radiation resistance）的因素。