电阻

热敏电阻的负温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子数目少。所以其电阻值较高，随着温度的升高，载流子数目增加，所以热敏电阻阻值降低。热敏电阻器在室温下的变化范围在10O~1000000欧姆，温度系数-2%~-6.5%。热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流、测温、控温、温度补偿等方面。温度系数热敏电阻构成是指随温度上升电阻呈指数关系减小。具有负温度系数的热敏电阻现象和材料热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷。负温度系数热敏电阻温度它的测量范围一般为-10～+300℃，热敏电阻也可做到-200～+10℃，甚至可用于+300～+1200℃环境中作测温用。

B值是热敏电阻器的材料常数，即热敏电阻器的芯片（一种半导体陶瓷）在经过高温烧结后，形成具有一定电阻率的材料，每种配方和烧结温度下只有一个B值，所以种之为材料常数。 B值可以通过测量在25摄氏度和50摄氏度（或85摄氏度）时的电阻值后进行计算。B值与产品电阻温度系数正相关，也就是说B值越大，其电阻温度系数也就越大。 温度系数就是指温度每升高1度，电阻值的变化率。采用以下公式可以将B值换算成电阻温度系数： 电阻温度系数＝B值/T^2 （T为要换算的点绝对温度值） NTC热敏电阻器的B值一般在2000K－6000K之间，不能简单地说B值是越大越好还是越小越好，要看你用在什么地方。一般来说，作为温度测量、温度补偿以及抑制浪涌电阻用的产品，同样条件下是B值大点好。因为随着温度的变化，B值大的产品其电阻值变化更大，也就是说更灵敏。

MF72:‘M"表示 敏感元件,字母‘F"表示负温度系数热敏电阻器,‘7"表示线性型‘2"表示稳压用途；NTC：是英文Negative Temperature CoeffiCient 的缩写即负温度系数的意思；这些产品上字母后面还会有一个参数，比如5D11 10D9 之类的，D前面的数字表示阻值，D后面的数量表示产品本体大小。印字NTC的产品，目前市场上品质参差不齐，建议选用MF72印字的产品

NTC就是Negative Temperature CoeffiCient的缩写，就是负温度系数热敏电阻。TC-5D9，标称值为 5欧姆，最大稳态电流为 3安， 它是属于功率型的热敏电阻器，误差是正负百分之二十。

就是负温度系数的热敏电阻，随着温度升高其电阻会降低然后你说那个的参数是尺寸为13,常温阻值为5欧姆

功率型负温度系数热敏电阻.开关电源中防止开机电流过大等. 25度电阻值 5欧姆 B值 2800K 热耗系数 11mW/度 热时间系数 35S 工作温度 -50-200度 最大稳态电流 3A

ntc半导体热敏电阻的阻值随温度增高而减小金属导热电阻的阻值随温度增高而增大

时恒官网上说NTC热敏电阻中的NTC是Negative Temperature Coefficient的缩写，意思是负的温度系数，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。

B值指NTC温度传感器器的材料常数(热敏指数)，可以通过测量NTC温度传感器在25℃和50℃（或85℃）时的电阻值后计算得出。不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器（PTC）在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器（NTC）在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。扩展资料热敏电阻器是有热惯性的，时间常数，就是一个描述热敏电阻器热惯性的参数。它的定义为，在无功耗的状态下。当环境温度由一个特定温度向另一个特定温度突然改变时，热敏电阻体的温度变化了两个特定温度之差的63.2%所需的时间。τ越小，表明热敏电阻器的热惯性越小。参考资料来源：百度百科-热敏电阻

B值是负温度系数热敏电阻器的热敏常数，即热敏电阻器的芯片（一种半导体陶瓷）在经过高温烧结后，形成具有一定电阻率的材料，每种配方和烧结温度下只有一个B值。B值可以通过测量在25摄氏度和50摄氏度（或85摄氏度）时的电阻值后进行计算。B值与产品电阻温度系数正相关，也就是说B值越大，其电阻温度系数也就越大。扩展资料NTC负温度系数热敏电阻工作原理NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料， 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在100~1000000欧姆，温度系数-2%~-6.5%。NTC热敏电阻器可NTC热敏电阻器广泛用于测温、控温、温度补偿等方面。参考资料：百度百科-NTC热敏电阻

NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料， 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10O~1000000欧姆，温度系数-2%~-6.5%。NTC热敏电阻器可NTC热敏电阻器广泛用于测温、控温、温度补偿等方面．http://baike.baidu.com/view/1292959.htm?subLemmaId=1292959&fromenter=NTC%C8%C8%C3%F4%B5%E7%D7%E8

NTC是负温度系数热敏电阻，随着温度升高，阻值降低。16D-7,16代表25°时标称阻值是16欧姆，7代表芯片尺寸。

NTC（Negative Temperature CoeffiCient）是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻。其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化。现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为代表的非氧化物系NTC热敏电阻材料。 金属热电阻，是中低温区最常用的一种温度检测器。热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。它的主要特点是测量精度高，性能稳定。其中铂热电阻的测量精确度是最高的，它不仅广泛应用于工业测温，而且被制成标准的基准仪。热电阻大都由纯金属材料制成，目前应用最多的是铂和铜，此外，现在已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。金属热电阻常用的感温材料种类较多，最常用的是铂丝。工业测量用金属热电阻材料除铂丝外，还有铜、镍、铁、铁—镍等。

B值是热敏电阻器的材料常数，即热敏电阻器的芯片（一种半导体陶瓷）在经过高温烧结后，形成具有一定电阻率的材料，每种配方和烧结温度下只有一个B值，所以种之为材料常数。 B值可以通过测量在25摄氏度和50摄氏度（或85摄氏度）时的电阻值后进行计算。B值与产品电阻温度系数正相关，也就是说B值越大，其电阻温度系数也就越大。 温度系数就是指温度每升高1度，电阻值的变化率。采用以下公式可以将B值换算成电阻温度系数： 电阻温度系数＝B值/T^2 （T为要换算的点绝对温度值） NTC热敏电阻器的B值一般在2000K－6000K之间，不能简单地说B值是越大越好还是越小越好，要看你用在什么地方。一般来说，作为温度测量、温度补偿以及抑制浪涌电阻用的产品，同样条件下是B值大点好。因为随着温度的变化，B值大的产品其电阻值变化更大，也就是说更灵敏。 以上就是按我自己的理解所做的回答，我是做这个的，如果你还有什么问题，可以加我为好友，或给我发送信息。

这是个10Ω,芯片是11mm的负温度系数的热敏电阻

NTC5D-13是一种抑制浪涌电流用的热敏电阻器，5表示其在25℃时的标称值为5欧姆，D-13表示产品直径为13mm（芯片直径为D）。其B值在3000K以下，能够长期承受4A的稳态电流。NTC是表示负温度系数热敏电阻，三个电阻阻值相等但体积大小不一样，电阻体积大小决定它的功率大小，即体积大功率大，当负载电流超过它所承受的电流时，热敏电阻就会击穿损坏；其实热敏电阻在电路中起到保护和补偿作用。NTC热敏电阻器参数介绍：【标称阻值】标称阻值是NTC热敏电阻器设计的电阻值，常在热敏电阻器表面标出。标称阻值是指在基准温度为25℃时零功率阻值，因此又被称为电阻值R25。【额定功率】额定功率是指热敏电阻器在环境温度25℃、相对温度为45%～80%及大气压力为0.87～1.07Pa的大气条件下，长期连续负荷所允许的耗散功率。扩展资料：NTC热敏电阻器的价格低廉，在电子产品中被广泛应用，而且具有多种封装形式，能够很方便地应用到各种电路中。NTC热敏电阻器根据材料、工艺不同情况，有不同的阻值和温度变化特性。NTC热线电阻器的型号、规格很多，国外的知名厂家有日本三菱、日本TDK、日本立山、韩国的EXPAND等，国内也有不少品牌的质量也相当不错。NTC热线电阻器的各类繁多，形状各异。负温度系数热敏电阻器的命名标准由四部分构成。其中，M表示敏感组件，F表示负温度系数热敏电阻器。有些厂家的产品，在序号之后又加了一个数字，如MF54-1，这个“-1”也属于序号，通常叫“派生序号”。其标准由各厂家自已定制。参考资料来源：百度百科-NTC热敏电阻器

NTC电阻是负温度系数电阻。温度越低，它电阻阻值越大，甚至於升至近百倍阻值。若串在冰箱的压缩机启动电路里，而实物电阻（负温度传感元件）放在冷冻室里。当冷冻室温度下降严重时，其原串入控制电路电阻值也猛增而导至压缩机中止运行。这就是此负温度系数电阻的特点应用。除此以外还有正温度系数电阻等等……

热敏电阻的负温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子数目少。所以其电阻值较高，随着温度的升高，载流子数目增加，所以热敏电阻阻值降低。热敏电阻器在室温下的变化范围在10O~1000000欧姆，温度系数-2%~-6.5%。热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流、测温、控温、温度补偿等方面。温度系数热敏电阻构成是指随温度上升电阻呈指数关系减小。具有负温度系数的热敏电阻现象和材料热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷。负温度系数热敏电阻温度它的测量范围一般为-10～+300℃，热敏电阻也可做到-200～+10℃，甚至可用于+300～+1200℃环境中作测温用。

变压器在忽略电源阻抗时，低压侧短路时，短路电流=额定电流/阻抗电压%；额定电流=变压器容量S/根号3的额定电压U；变压器短路阻抗Z=额定电压U/短路电流Id；请用上面三个式子，替换法得出变压器阻抗的计算公式，当然，高压侧与低压侧（数值）是不一样的。变压器阻抗没有具体公式，请使用上述方法推算。电抗（reactance），用X表示，是一种电子电子元件因为容量或感应系数展示的对交流电（交流电）的通道的反抗形式。在一些方面，电抗像DC（直流电）电阻的 AC 类似版本。但是二个现象在重要的方面是不同的，而且他们能独立地改变。电阻和电抗联合形成阻抗，被用二维量复数的形式定义。当交流电通过一个包含电抗的元件的时候，能量交替地被储存进和释放出一个磁场或一个电场。在一个磁场的情况，电抗是感应的。在一个电场的情况，电抗是电容的。感应的电抗被赋值为正虚数。电容的电抗被赋值为负虚数。如成份中的感应系数增加，它的感应电抗以虚数的形势变得比较大，假定频率被看作常数。如果频率在感应系数为给定值的时候增加,感应电抗虚数项增加。如果 L 是享利（H）表示的感应系数，而且 f 是赫（赫兹）表示的频率，然后感应电抗 +jXL ，以虚数欧姆的形式，被给出为：+jXL=+j(6.2832 fL)其中 6.2832 大约相等于2 pi 一个表现完整的 AC 周期的弧度数字的常数，而 j 表现单位虚数（-1的正平方根）。公式在微享利（?H) 的感应系数和兆赫兹（MHz）的频率时也成立。作为一个感应电抗的真实例子, 考虑一个感应系数是 10.000 ?H 的卷，频率是2.0000兆赫兹。使用上述的公式，+jXL 被发现是+j125.66 欧姆。如果频率被乘以两倍到 4.000兆赫兹，然后 +jXL 乘以两倍，到 +j251.33 欧姆。 如果频率被二等分到 1.000兆赫兹，然后+jXL 被减去一半，为 +j62.832 欧姆。如元件的电容增加，它的电容电抗变得比较小负数（接近零），以虚数项的形式，假定频率被看作常数。如果电容给定时频率增加，电容电抗变为更小的负数（更接近零），以虚数项的形式。如果 C 是单位为法拉第（F）的电容，而且 f 是单位为赫兹的频率, 然后电容电抗 -jXC ，以虚数欧姆的形式，被给出为：-jXC=-j(6.2832 fC)-1这一个公式在电容单位为微法拉（?F）而且频率单位为兆赫兹（MHz）时也成立。作为一个电容电抗真实的例子，考虑电容为 0.0010000?F的电容器， 频率为2.0000兆赫兹。使用上述的公式，-jXC 被发现是 -j79.577 欧姆。 如果频率被乘以两倍到 4.0000兆赫兹，然后 -jXC 被剪去一半，为 - j39.789 的欧姆。 如果频率被减去一半成1.0000兆赫兹，然后 -jXC 被翻倍，为-j159.15 欧姆。

变压器铭牌上有

图9RLC并联电路可以求得并联谐振角频率可见并联谐振频率与串联谐振频率不电压值从一个值跳变到另一个值称为阶跃电压在图11所示电路中当开关合

这个可以上网学习的，上网搜索即可，你需要有一定的数学基础，会矢量计算，如没有基础，需要学会基础才行。学会矢量三角形，或三角计算。建议你先打下基础，就明白了。

　变压器在忽略电源阻抗时，低压侧短路时，短路电流=额定电流/阻抗电压%；　　额定电流=变压器容量S/根号3的额定电压U；　　变压器短路阻抗Z=额定电压U/短路电流Id；　　请用上面三个式子，替换法得出变压器阻抗的计算公式，当然，高压侧与低压侧（数值）是不一样的。　　变压器阻抗没有具体公式，请使用上述方法推算。电抗（reactance），用X表示，是一种电子电子元件因为容量或感应系数展示的对交流电（交流电）的通道的反抗形式。在一些方面，电抗像DC（直流电）电阻的 AC 类似版本。但是二个现象在重要的方面是不同的，而且他们能独立地改变。电阻和电抗联合形成阻抗，被用二维量复数的形式定义。　　当交流电通过一个包含电抗的元件的时候，能量交替地被储存进和释放出一个磁场或一个电场。在一个磁场的情况，电抗是感应的。在一个电场的情况，电抗是电容的。感应的电抗被赋值为正虚数。电容的电抗被赋值为负虚数。如成份中的感应系数增加，它的感应电抗以虚数的形势变得比较大，假定频率被看作常数。　　如果频率在感应系数为给定值的时候增加,感应电抗虚数项增加。如果 L 是享利（H）表示的感应系数，而且 f 是赫（赫兹）表示的频率，然后感应电抗 +jXL ，以虚数欧姆的形式，被给出为：+jXL=+j(6.2832 fL)　　其中 6.2832 大约相等于2 pi 一个表现完整的 AC 周期的弧度数字的常数，而 j 表现单位虚数（-1的正平方根）。公式在微享利（?H) 的感应系数和兆赫兹（MHz）的频率时也成立。　　作为一个感应电抗的真实例子, 考虑一个感应系数是 10.000 ?H 的卷，频率是2.0000兆赫兹。使用上述的公式，+jXL 被发现是+j125.66 欧姆。如果频率被乘以两倍到 4.000兆赫兹，然后 +jXL 乘以两倍，到 +j251.33 欧姆。 如果频率被二等分到 1.000兆赫兹，然后+jXL 被减去一半，为 +j62.832 欧姆。如元件的电容增加，它的电容电抗变得比较小负数（接近零），以虚数项的形式，假定频率被看作常数。如果电容给定时频率增加，电容电抗变为更小的负数（更接近零），以虚数项的形式。如果 C 是单位为法拉第（F）的电容，而且 f 是单位为赫兹的频率, 然后电容电抗 -jXC ，以虚数欧姆的形式，被给出为：-jXC=-j(6.2832 fC)-1　　这一个公式在电容单位为微法拉（?F）而且频率单位为兆赫兹（MHz）时也成立。　　作为一个电容电抗真实的例子，考虑电容为 0.0010000?F的电容器， 频率为2.0000兆赫兹。使用上述的公式，-jXC 被发现是 -j79.577 欧姆。 如果频率被乘以两倍到 4.0000兆赫兹，然后 -jXC 被剪去一半，为 - j39.789 的欧姆。 如果频率被减去一半成1.0000兆赫兹，然后 -jXC 被翻倍，为-j159.15 欧姆。

你好 它在电路图中一般指这个电阻是电阻箱

RK 是可变电阻 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ,用字母表示,表示产品的名字.如R表示电阻,W表示电位器. 第二部分：材料 ,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕. 第三部分：分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型.1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调. 第四部分：序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等

RK 是可变电阻 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ,用字母表示,表示产品的名字.如R表示电阻,W表示电位器. 第二部分：材料 ,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕. 第三部分：分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型.1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调. 第四部分：序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等

5d是大小，直径大小 ，20是20k ，25度时阻值是20K

P=电流平方乘电阻嘛!

原理是PTC 加热片加电后自热升温使阻值升高进入跃变区，PTC 加热片表面温度将保持恒定值，该温度只与PTC 加热片的居里温度和外加电压有关，而与环境温度基本无关。即使在非正常工作的情况下，由于PTC 元件自身的调节作用，输入功率可降得很低，仍不至于产生意外情况。作用：1、恒温加热PTC热敏电阻具有恒温发热特性，其原理是PTC热敏电阻加电后自热升温使阻值进入跃变区，恒温加热PTC热敏电阻表面温度将保持恒定值，该温度只与PTC热敏电阻的居里温度和外加电压有关，而与环境温度基本无关。2、PTC加热元件就是利用恒温加热PTC热敏电阻恒温发热特性设计的加热元件件。在中小功率加热场合，PTC加热元件具有恒温发热、无明火、热转换率高、受电源电压影响极小、自然寿命长等传统发热元件无法比拟的优势，在电热器具中的应用越来越受到研发工程师的青睐。3、恒温加热PTC热敏电阻可制作成多种外形结构和不同规格，常见的有圆片形、长方形、长条形、圆环以及蜂窝多孔状等。把上述PTC发热元件和金属构件进行组合可以形成各种形式的大功率PTC加热元件。

用途标识:G过压保护用N高能型R电阻http://www.c51.cn/dzjs/UploadFiles_4599/200806/20080612123638503.jpg

电容(OKAYA-PA104)起什么作用： 是一个安规电容，又称为抗干扰电容，主要作用是吸收电源、电刷马达所产生的干扰波。

是一个种类

poly电阻的长度大于40um或者小于150um，要求保护环的diff的最小宽度大于1.5um 。Poly 电阻是 CMOS 或者 BICMOS 中特有的电阻类型,轻搀杂 Poly 电阻方块电阻 数在几百到几千之间,重搀杂电阻电阻数在 25—50 之间，一般是使用 NSD 或者 PSD 进行搀杂。 diffusion resistor 是扩散电阻,一般不用,匹配差。

在焊接热的产生方法上。电阻焊是利用大电流通过工件的焊接区域时克服工件电阻所产生的电阻热把工件溶接在一起的。摩擦焊是利用两工件紧压在一起再廷接触平面做相对运动相互摩擦产生的热量把两工件溶焊在一起的。从焊接应用上分。电阻焊主要是焊接所有形式特性适合用电阻焊焊接的工件。摩擦焊也是一样。

那是333，33.00K

据我了解主要是再生电能质量不太好，逆变等原因。电阻制动主要是消耗再生的电能，起到制动的作用。

在 LabVIEW 中，可以使用自定义的电阻、电容控件来实现更为复杂的功能。下面是创建自定义电阻、电容控件的步骤：打开“Front Panel”，选择“Controls”选项卡，在左侧的列表中选择“Numeric”。然后从右侧的控件列表中选择“Dial”。2. 将该控件拖拽到“Front Panel”中，并调整大小和位置。3. 右击该控件并选择“Properties”，在弹出的属性框中选择“Scale”选项卡。4. 在“Scale”选项卡中，输入最小值、最大值和起始值。例如，如果要创建一个 0 到 100 的电阻控件，则应输入 0、100 和 50。5. 点击“OK”按钮确认设置。6. 右击该控件并选择“Create”->“Control”，将其保存为自定义控件。命名为“电阻控件”或者“电容控件”等。7. 在需要使用该控件的 VI 中打开“Functions”选项卡，选择“User Interface”->“Custom Controls”选项卡，找到之前创建的自定义控件并将其拖放到“Front Panel”中即可。以上就是在 LabVIEW 中创建自定义电阻、电容控件的步骤。如果您有其他问题，欢迎继续提问。

选一个比较大的型号的2002型号的认定组就可以了。

增大。闪烁电压加在绝缘介质上必然产生相应电流。电阻越大电流越小，电压也就越高。

1.1.5.1 均匀大地电阻率的测定图1.1.11 任意四极装置示意图在地面电阻率法工作中，通常在地面上用供电电极A、B供电，在另两点用测量电极M、N测定电位差(图1.1.11)。向地下供入电流为I时，则供电电极A、B在地表任意两测量电极M、N处产生的电位分别为电法勘探于是A、B点电流源在M、N两点产生的电位差为电法勘探由上式可得电阻率公式电法勘探令电法勘探则式(1.1.30)变为电法勘探式中：K称为装置系数，它是一个与各电极空间位置(几何因素)有关的物理量，在野外工作中，装置形式和极距选择一经确定，K值便可计算出来。实际上，完全均匀的大地是不存在的，但当地质体的大小范围比电极距大得多时，就可以将其视为均匀半无限空间，此时所测得的电阻率可以认为是地质体的电阻率。为了获得自然状态下岩石电阻率，在实际工作中，往往采用小极距的AMNB电极对称排列装置，在岩石的天然露头或经勘探工程(如探槽、坑道等)揭露的人工露头上进行测定。这种测定岩石电阻率的方法通常称为露头测定法。测量装置应布置在较平坦、未经风化的岩石露头的1/3范围以内。在这种情况下，该岩石露头相对于小电极距来说，可以视为均匀、各向同性的半无限介质。因而，测得了ΔUMN和I，并根据K值，便可按式(1.1.32)计算得到所测岩石的电阻率值。1.1.5.2 视电阻率的概念在实际工作中，地下地质情况是复杂的，岩石的电阻率分布也并不均匀。电法勘探中通常把按照电阻率差异划分的地质断面称为地电断面。电阻率法所研究的正是这种电阻率不均匀的地电断面。若进行测量的地段为电阻率不均匀的地电断面，仍按均匀大地电阻率公式(1.1.32)计算的结果来表示地下非均匀介质的导电性能，此时称之为视电阻率，单位仍为Ω·m，以符号ρs(脚标s为视的拼音首字母，外文文献中视电阻率记为ρa，a即apparent resistivity第一个单词的首字母)表示电法勘探显然，视电阻率不是该地电断面上某种岩石的真电阻率，而是地下电性不均匀体的一种综合反映。视电阻率是电法勘探中的一个重要的概念，其意义是：既然视电阻率是地下电性不均匀体的一种综合反映，那么当地下存在高阻或低阻体时，地下介质的导电性能发生变化，从而引起视电阻率的变化，因而可利用视电阻率变化规律以发现和探查地下电性不均匀体，达到找矿和解决其他地质问题的目的。1.1.5.3 视电阻率的微分表达式视电阻率是与地下电场的分布密切相关的，为了揭示视电阻率变化与地下电场分布的关系，我们引入视电阻率的微分表示式。由物理学可知，式(1.1.32)中的电位差可表示为电法勘探式中：jMN为测量电极间任意点沿MN方向的电流密度分量；ρMN为测量电极间的岩石电阻率。将式(1.1.34)代入式(1.1.33)，可得电法勘探式(1.1.35)对任何布极形式、电极间距和地下不均匀体情况均适用。它清楚地表明，视电阻率在数值上与MN间沿地表的电流密度和电阻率分布有关。而地表电流密度的分布，既受地表电阻率影响，又受地下电性不均体的影响。因此，在电极排列一定的情况下，ρs的变化便由地表和地下电阻率分布所决定。当MN很小时，可认为MN范围内的电流jMN和电阻率ρMN均为常量，于是式(1.1.35)可写为电法勘探当地表水平、地下为半无限均匀岩石时，具有：jMN=j0；ρMN=ρ；ρs=ρ。由式(1.1.36)得电法勘探将上式再代入式(1.1.36)得电法勘探式(1.1.37)称为视电阻率微分表示式，在定性分析视电阻率曲线与地电断面时，经常要用到它。1.1.5.4 非均匀介质中的电流场及视电阻率法的实质在地下为ρ1的均匀岩石中，埋藏着电阻率为ρ2的直立脉状矿体。由AB两电极向地下供电，此时由于矿体的存在，地下电流场的分布与地下均匀时有了差别。设M为矿体边界上的一个考察点，根据电场强度切向分量在分界面上的连续条件(E1t=E2t)，可写出M点两侧电流密度与电阻率的关系电法勘探式中：j1t和j2t分别为矿体表面M点处界面两侧电流密度的切向分量。如果矿体为高阻，且ρ2=100ρ1，则M点外边(ρ1介质中)的电流密度j1t便比界面里边(ρ2介质中)的电流密度j2t大100倍。由此可得到结论：高阻体具有排斥电流的能力，电阻率愈高，排斥能力越强。当ρ2=∞时，则j2t=0。这相当于将高阻部分挖空，没有电流流过。若矿体为低阻，则情况相反。如ρ2=ρ1/100，则M点界面里边的电流密度j2t比界面外边的电流密度j1t大100倍。由此可得到结论：低阻体具有吸引电流的能力，电阻率越低，吸引能力越强。当ρ2=0时，则j1t=0，即理想导电体能将于界面相切的初始电流全部吸至矿体内部。由于高阻排斥和低阻吸引电流的特性，于是，由A极供入地中的电流，在经过各种岩体流向B极的线路上，具有避开高阻体和通过低阻体的规律。每条电流线按所遇阻力最小的路径流向B极，服从所谓最小能量原理。图1.1.12给出了视电阻率与地电断面性质及其中电流密度分布间的关系。下面我们根据电流场的变化和视电阻率微分公式来分析ρs变化规律：1)均匀大地情况下(图1.1.12a)，电场正常分布，此时视电阻率ρs=ρ1。2)当地下有一低阻良导脉体时(图1.1.12b)，由于低阻体吸引电流，电流汇聚于导体，其结果必然有jMN＜j0，又因ρMN=ρ1，所以在脉体上方ρs＜ρ1。3)当地下有一高阻脉体时(图1.1.12c)，电流自A极流出，根据能量最小原理，大部分电流绕过高阻体经由电阻率低的通路流向B极。高阻体排斥电流，使得地表MN处的电流密度jMN加大，jMN＞j0，而ρMN=ρ1，因此在高阻脉体上部，其视电阻率ρs＞ρ1。图1.1.12 视电阻率与地电断面性质及其中电流密度分布间的关系示意图图b中ρs为示意图，实际曲线要复杂一些上述现象的实质实际上是在分界面上产生了积累电荷的结果，高阻排斥与低阻吸引只是表象。一般地，当电流经低阻围岩流向高阻体时，会在电流流入方向的边界上积累正电荷，反之则会积累负电荷。积累电荷的存在相对于地下多了一个二次场源，使得附近空间的电流密度变大或变小。下面我们来详细分析这一过程。当电流I刚刚接通的瞬间(t→0)，电流源 I 在 M 点处界面两侧产生的电场强度相同，即电法勘探式中： 和 分别是t→0时界面M点两侧电流密度的法线分量。若ρ1＜ρ2，则有 ＞ ，表明电场刚建立时，界面左侧流入的正电荷多于从界面右侧流出的正电荷，于是界面上将积累正电荷；若ρ1＞ρ2，则有 ＜ ，情况相反，界面上将积累负电荷。这些积累电荷本身也产生电场，其作用是使电流密度小的一侧加大，电流密度大的一侧减小，积累的结果使两侧总的电流密度法向分量相等。即电法勘探式中： 和 分别为积累电荷在界面两侧产生的电流密度。上式可记为j1n=j2n (1.1.38)此时场内电荷运动达到平衡状态，即场达到稳定状态。表达式(1.1.38)即为稳定电流场在界面上的边界条件之一：电流密度的法向分量连续表达式。通过上述讨论，不难理解高阻排斥和低阻吸引的道理了。实际上吸引或排斥均系界面上积累电荷的作用。当电流由低阻体进入高阻体时，界面上积累正电荷与场源同符号，按同性排斥的道理，高阻体对来自场源的电流线起排斥作用。反之，若电流由高阻体进入低阻体，界面上积累负电荷，与场源符号相反，按异性吸引的道理，低阻体对场源发出的电流线起了吸引作用。显然，地下电性界面上的电荷积累将形成电阻率法勘探的异常场，通过观测与研究其分布规律就可以达到找矿和解决其他地质问题目的。这就是电阻率法用以解决有关地质问题的基本物理前提。实际工作中，虽然我们一般观测电位U或电位梯度ΔU/MN，但对比图1.1.8(a)和图1.1.12可以看出，ρs曲线比U(或ΔU/MN)曲线与地下电性分布有更简单明确的对应关系，这是由于ρs不受正常电流场分布不均匀性的影响。这也是用ρs而不是用U或ΔU/MN来描述异常场分布规律的原因所在。由于视电阻率值更多体现地下电场分布特点，任何因素的改变均会引起场的变化，从而引起视电阻率的变化。视电阻率不仅与地电断面有关，还与各电极的位置或排列方式等有关。地形起伏会改变地面电流的分布，因此地形对视电阻率有影响。总之，通过观测视电阻率参数，就可以探测地下电阻率不均匀地质体的位置和深度，达到找矿和解决其他地质问题的目的。在稳定电场中，这种采用一定的装置或排列观测视电阻率，通过分析视电阻率的特征来推断地下水平或垂直方向电阻率的变化情况，以达到找矿和解决其他地质问题目的方法，统称为电阻率法。该法主要包括电阻率剖面法、电阻率测深法和多电极阵列电阻率法(实际上是一种测深-剖面法)。

一个物体的电阻包括体积电阻和表面电阻，体积电阻表示这个物体的真实电阻，而表面电阻则是因为表面脏污等原因而呈现的电阻

体积电阻率:体积电阻率表示材料单位体积对电流的阻抗。（单位电阻）

相对视电阻率，英文名称relative apparent resistivity，地球物理勘探学科名词，是指用模型的某一部分的真电阻率来归一的视电阻率ρs/ρ1。编辑摘要　　学科：地球物理勘探　　词目：相对视电阻率　　英文：relative apparent resistivity

电阻率测深法 resistivity sounding简称电测深法。它是在地面的一个测深点上(即MN极的中点)，通过逐次加大供电电极,AB极距的大小，测量同—点的、不同AB极距的视电阻率ρS值，研究这个测深点下不同深度的地质断面情况。电测深法多采用对称四极排列，称为对称四极测深法。在AB极距离短时，电流分布浅，ρS曲线主要反映浅层情况；AB极距大时，电流分布深，ρS曲线主要反映深部地层的影响。ρS曲线是绘在以AB/2和ρS为坐标的双对数坐标纸上。当地下岩层界面平缓不超过200时，应用电测深量板进行定量解释，推断各层的厚度、深度较为可靠。电测深法在水文地质、工程地质和煤田地质工作中应用较多。除对称四极测深法外，还可以应用三极测深、偶极测深和环形测深等方法。激光测深工作原理机载激光测深的基本原理与光学测距仪相同，是检测从装载在飞机上的Lidar(LaserRadar)发射的激光脉冲到达海面及海底后的反射波，根据脉冲波往返所需时间求出水深。例如：设从发射接收点到反射体的距离为d，光的速度为C，往返所需时间为t，那么，"．，2d=ct。故d=2通过计算往返时间，可以算出距离。另外，假如知道发射接收点在大地坐标系的位置(X、Y、Z)及发射光束的方向角(OX、OY、OZ)，那么，即可求出反射点的大地坐标。近几年来，盛行的机载激光测深实施的地形测量技术，就是基于这一原理。

侵入带电阻率原理：当钻开地层时，由于泥浆柱压力大于地层压力，因此泥浆滤液侵入地层形成侵入带。被侵入的深度与泥浆和地层的压差、地层的孔隙度与地层渗透率等有关，泥浆侵入的结果使井眼周围地层的电学性质发生相应的变化，从而探测侵入带的电阻率。侵入带电阻率（invadedzoneresistivity）是1994年公布的石油名词。公布时间1994年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。

半导体有电阻——这就是区别

介电系数，是一个在电的位移和电场强度之间存在的比例常量。这一个常量在自由的空间（一个真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）。在其它的材料中，介电系数可能差别很大，经常远大于真空中的数值，其符号是eo。 在工程应用中，介电系数时常在以相对介电系数的形式被表达，而不是绝对值。如果eo表现自由空间（是，8.85×10的-12次方F/m）的介电系数，而且e是在材料中的介电系数，则这个材料的相对介电系数（也叫介电常数）由下式给出： ε1＝ε / εo＝ε×1.13×10的11次方 很多不同的物质的介电常数超过1。这些物质通常被称为绝缘体材料，或是绝缘体。普遍使用的绝缘体包括玻璃，纸，云母，各种不同的陶瓷，聚乙烯和特定的金属氧化物。绝缘体被用于交流电（AC），声音电波（AF）和无线电电波（射频）的电容器和输电线路。 我们知道，电阻率的定义电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。 电阻率的单位国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆·毫米/米。 电阻率的计算公式电阻率的计算公式为：ρ=RS/L。 ρ为电阻率——常用单位Ω·m S为横截面积——常用单位㎡ R为电阻值——常用单位Ω L为导线的长度——常用单位m 。

银吧

一根导线的电阻是固定的，不随通电和不通电而改变。电线的电阻于它的长度、面积和材料有关。电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。　电阻率的计算公式为：ρ=RS/L。p为电阻率，s为横截面积，R为电阻值，L为导线的长度。电阻的计算公式为：R=ρL/S。p为电阻率，s为横截面积，R为电阻值，L为导线的长度。

10.3.1　基本原理电阻率剖面法（Resistivity Profiling）是以地下岩（矿）石电阻率差异为基础，人工建立地下稳定直流或脉动电场，按某种电极装置形式保持电极距不变，沿测线逐点观测，研究某一深度范围内岩（矿）石沿水平方向的电阻率变化，以查明矿产和研究有关地质问题的一组直流电勘探方法。电阻率剖面法的视电阻率公式为地质灾害勘查地球物理技术手册式中：K为装置系数；VMN为观测电极MN间的电位差；I为AB电极供电电流。地质灾害勘查地球物理技术手册10.3.2　观测方法地形和勘探目的不同，电阻率剖面法可采用的装置形式不同，表10-4为常见剖面装置及其特征一览表。10.3.3　技术要求为使探测对象在观测结果中得到明显反映，电阻率剖面法的工作设计必须满足下列地球物理前提：①探测对象与围岩或其他地质体之间存在明显的电阻率差异；②探测对象相对其埋深具有一定的规模；③探测对象的视电阻率异常能从干扰背景中分辨。在地质条件或地球物理前提不具备的地区，不得布置电法剖面工作；在地质条件具备而地球物理前提不明、方法有效性不肯定的测区，开工前应做电阻率剖面法试验。遇下列复杂条件时，一般不布置电阻率剖面法工作：①地形切割剧烈，悬崖峭壁，河网发育以及通行困难地区；②覆盖层厚度大或地表盐渍化，电阻率低，形成低电阻层的屏蔽效应而无法可靠观测信号的地区；③无法避免或无法消除工业游散电流干扰的地区；④接地电阻过大，又无法改善接地条件的地区，如大面积砾石分布区、风化石堆积区、地表冻土达1～2m的地带。表10-4　常见电阻率剖面装置及特征一览表10.3.4　成果表达形式（1）电参数剖面图：反应异常变化的幅度；（2）综合剖面图：含解释推断成果；（3）剖面平面图：研究异常的平面分布特点；（4）等值线平面图：可供研究异常平面分布特点，但是联合剖面和偶极剖面不宜采用；（5）综合平面图：研究测区中物理场性质，揭示地质控制因素；（6）推断成果图：一套全面反映地质成果的图件。10.3.5　资料解释原则（1）掌握当地的地质及物性资料；（2）充分研究已知点异常特征，从已知到未知进行解释；（3）以定性解释为主，确定异常性质（低阻或高阻异常），结合当地条件，阐明异常的地质因素；（4）在充分研究点异常特征的基础上，分析有关定性图件，进行面上研究，掌握异常发育规律；（5）在有条件的地方，对反应较好的曲线可进行定量解释；（6）应对解释结果的可靠程度进行论证。10.3.6　仪器设备电阻率剖面法仪器设备见表10-2。

电阻率越大则导体的导电性能越【差】

体积电阻率；体积电阻率是液体介质在单位体积 内的电阻大小。（单位是欧姆cm）。

你好，具体看情况， 电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。电阻率在国际单位制中的单位是Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·厘米”。中文名：电阻率外文名：resistivity表达式：ρ=RS/L应用学科：物理适用领域范围：计算导体电阻等分享定义在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度， S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式其中的ρ就是电阻率，L为材料的长度， S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，即在材料和横截面积不变时，长度越长，材料电阻越大：而与材料横截面积成反比，即在材料和长度不变时，横截面积越大，电阻越小。由上式可知电阻率的定义为：推导公式：单位国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆·毫米和欧姆·米。游戏没有

电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在常温下（20℃时），某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。 　　在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度， s为面积。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。由上式可知电阻率的定义：ρ=Rs/l，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆·毫米和欧姆·米。

纯水，超纯水，纯化水的水质一般以电阻率为多少纯水分为：工业纯水和饮用纯水工业纯水：在25摄氏度中，电导率为：1。普通纯水：EC=1~10us/cm；2。高纯水：EC=0.1~1.0us/cm；3。超纯水：EC=0.1~0.055；饮用纯水:EC=1~10 us/cm(国家标准)电导率：水的导电性即水的电阻的倒数，通常用它来表示水的纯净度。

电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度,s为面积。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。由公式可见，电阻率与电阻不是倒数关系。

定义：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。　　在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是电阻率，l为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。　　由上式可知电阻率的定义式：ρ=RS/l，国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m)，常用单位是欧姆·毫米、欧姆·米。　　说明　　1．电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρ0(1+at)。式中t是摄氏温度，ρ0是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。　　2．由于电阻率随温度改变而改变，所以对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个220V-100W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电时只有40欧姆左右。　　3．电阻率和电阻是两个不同的概念。电阻率是反映物质对电流阻碍作用的属性，电阻是反映物体对电流阻碍作用的属性。

是除的关系

电阻与电阻率的关系式导体的电阻= 导体的电阻率 × 导体的长度 / 导体的横截面积

电阻率(Resistivity)是用来表示各种物质电阻特性的物理量，某种材料制成的长为1m，横截面积为1m2的导体的电阻，在数值上等于这种材料的电阻率。它反映物质对电流阻碍作用的属性，它不仅与物质的种类有关，还受温度、压力和磁场等外界因素影响定义电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。用某种材料制成的长为1m、横截面积为1m2的导体的电阻，在数值上等于这种材料的电阻率。单位国际单位制中，电阻率的单位是Ω·m，常用单位还有Ω·mm2/m。推导公式电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，材料的电阻为：其中的p就是电阻率，L为材料的长度， s为材料的横截面积。可以看出，材料的电阻大小跟材料的长度成正比，即在材料和横截面积不变时，长度越长，材料电阻越大；而跟材料横截面积成反比，即在材料和长度不变时，横截面积越大，电阻越小

电阻率（Resistivity)是用来表示各种物质电阻特性的物理量，某种材料制成的长为1m，横截面积为1m2的导体的电阻，在数值上等于这种材料的电阻率。它反映物质对电流阻碍作用的属性，它不仅与物质的种类有关，还受温度、压力和磁场等外界因素影响。电阻率影响因素电阻率不仅与材料种类有关，而且还与温度、压力和磁场等外界因素有关。金属材料在温度不高时，ρ与温度t(℃）的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率；a是电阻率的温度系数，与材料有关。锰铜的a约为1×10-5/℃（其数值极小），用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。

电阻的计算公式是R=ρl/S（ρ表示电阻率）显而易见这个和密度的截然不同。通过电阻率、物体的横截面积和长度 我们可以算出物体的电阻大小而密度 是拿来计算重量用的

电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。电阻率在国际单位制中的单位是：Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·厘米”。定义：电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式R=ρl/S其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度， S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。由上式可知电阻率的定义：ρ=RS/l电阻率较低的物质被称为导体，常见导体主要为金属，而自然界中导电性最佳的是银。当存在外电场时，金属的自由电子在运动中不断和晶格节点上做热振子的正离子相碰撞，使电子运动受到阻碍，因而就具有了一定的电阻。其他不易导电的物质如玻璃、橡胶等，电阻率较高，一般称为绝缘体。介于导体和绝缘体之间的物质（如硅） 则称半导体。电阻率的科学符号为ρ（Rho）。 已知物体的电阻，可由电阻率ρ、长度 l 与截面面积A 计算：ρ=RA/I，在该式中， 电阻R单位为欧姆，长度 l 单位为米，截面面积 A 单位为平方米，电阻率 ρ单位为欧姆·米（Ω·m）。

电阻率：resistivity。电阻率(Resistivity)是用来表示各种物质电阻特性的物理量，某种材料制成的长为1m，横截面积为1m2的导体的电阻，在数值上等于这种材料的电阻率。它反映物质对电流阻碍作用的属性，它不仅与物质的种类有关，还受温度、压力和磁场等外界因素影响。扩展资料1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内，几乎所有金属的电阻率都随温度作线性变化，即ρ=ρ0(1+at)，式中t是摄氏温度，ρ0是0℃时的电阻率，a是电阻率温度系数，利用这一性质可制成电阻温度计，有些合金电阻率受温度的影响很小，常用来作标准电阻。2、由于电阻率随温度改变，故对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个“220V，40W”电灯灯丝的电阻，正常发光时是1 210Ω，未通电时只有100Ω左右。3、电阻率和电阻是两个不同的概念，电阻率是反映物质对电流阻碍作用的属性，电阻是反映物体对电流阻碍作用的属性。

P0=P1;换为P1=P0;

当然还有细分

可以试着从输入信号的回路来理解，回路中，输入信号是经过了两个差分管，所以可看作两个输入电阻的串联了；

14511，如果是压敏电阻的标示的话，那么其表示的意义就是：14：表示尺寸，压敏电阻阀片的直径为14mm。511：表示压敏电压值，51*10^1=510V。综上14511就是指直径￠14mm，510V的压敏电阻。需要说明的是，14mm指的是阀片的本体直径，不是压敏电阻的外观直径。以TVR14511为例，其外观直径是16.0~18.5mm。

氧化锌压敏电阻，芯片直径7mm，压敏电压470V，浪涌吸收电流1.2kA/1s，网上就能购到。其它类似型号的也比较多，如：TNR7G471K 、FNR07K471、MYG07D471K等

使用万用表来检测，测量时将万用表置10k档，表笔接于电阻两端，万用表上应显示出压敏电阻上标示的阻值，如果超出这个数值很大，则说明压敏电阻已损。如何判断CNR压敏电阻的好坏:先去理解了什么是“压敏电阻”，然后就很容易判断如何判断直流变压器的好坏 只要看输出电压及其功率 ，电压：直接在输出端测量，是否满足 ，功率：就要用负载，一般用滑动变阻器，选的时候注意电流及变阻器的阻值和功率。

10D471K压敏电阻，可以简单用万用表来判断好坏。

TVR20561的说明(Description)TVR20561 Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and cost-effectiveness.The HEXSence device provides an accurate fraction of the drain current through the additional two leads to be used for control or protection of the device. These devices exhibit similar electrical and thermal characteristics as their IRF-seriesequivalent part numbers. The provision of a kelvin source connection effectively eliminates problems of common source inductance when the HEXSence is used as a fast, high-current switch in non current-sensing applications....TVR20561 These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage regulation in a selection over a 3.9 V to 200 V broad range of voltages. They may be operated up to 10 W with adequate mounting and heat sinking with their low thermal resistance. These Zeners are also available in JAN, JANTX, JANTXV military qualifications. Microsemi also offers numerous other Zener products to meet higher and lower power applications. ...TVR20561 The DAC7811 is a CMOS 12-bit current output digital-to-analog converter (DAC). This device operates from a 3.0 V to 5.5 V power supply, making it suitable to both battery-powered and many other applications. This DAC uses a double-buffered 3-wire serial interface that is compatible with SPI™, QSPI, MICROWIRE™, and most DSP interface standards.In addition, a serial data out pin (SDO) allows for daisy-chaining when multiple packages are used.Data readback allows the user to read the contents of the DAC register via the SDO pin. On power-up, the internal shift register and latches are filled with zeroes and the DAC outputs are at zero scale. The DAC7811 offers excellent 4-quadrant multiplication characteristics, with large signal multiplying bandwidth of 10 MHz. The applied external reference input voltage (VREF) determines the full-scale output current. An integrated feedback resistor (RFB) provides temperature tracking and full-scale voltage output when combined with an external current-to-voltage precision amplifier. The DAC7811 is available in a 10-lead MSOP package as well as a small 10-lead SON package

特点： 1.满足ROHS要求 2.本体尺寸5mm~20mm 3.宽工作电压范围：11Vac~1000Vac 4.强大的抑制浪涌电流的能力：100A~6500A(@8/20) 5.径向引线树脂封装 6.优越的限压比 7.低漏电流 8.无极性、对称的伏安特性 9.低成本 10.工作温度范围：-40~+85℃ 11.安规认证：UL/cUL/TUV/CSA/CQC 用途： 电源供应器/ 家用电器/ 工业设备/ 通信设备等 针对电子产业的需求，提供「过电流保护」、「过电压保护」、「过温度侦测与防护」三大类的电子电路保护解决方案，产品线涵盖负温度系数热敏电阻( NTC Thermistor )、压敏电阻( Varistor )、正温度系数热敏电阻( PTC Thermistor )、气体放电管( Gas Discharge Tube )、温度传感器( Temperature Sensor )，保护着各类电子设备正常运作。

10D471K的压敏一般用在220V的电源防护。压敏电阻一定得装上，跟震动有关系的，听你上面说的你这个驱动器到现在应该已经是老了，技术落后了，假如选用新型的电机和驱动效果会比你现在的更好。

简单的检测是可以用万用表。测量时将万用表置10k档，表笔接于电阻两端，万用表上应显示出压敏电阻上标示的阻值，如果超出这个数值很大，则说明压敏电阻已损。

14511，如果是压敏电阻的标示的话，那么其表示的意义就是：14：表示尺寸，压敏电阻阀片的直径为14mm。511：表示压敏电压值，51*10^1=510V。综上14511就是指直径￠14mm，510V的压敏电阻。需要说明的是，14mm指的是阀片的本体直径，不是压敏电阻的外观直径。以TVR14511为例，其外观直径是16.0~18.5mm。

此料号是台湾兴勤的，规格书我可以发给你，给我一下你的联系方式

建议还是去维修点处理，如果你动手能力强可以去淘一个

看来问题不大！

这两个压敏电阻是一样的参数，就是品牌不同而已，可以互相替换的。