vlsi

但是建议你要考虑到好不好找工作、、、、

应该是第3代吧

你问的问题估计得收钱，比较复杂

看他是哪个规模的..第一代电子管第二代晶体管计算机第三代集成电路计算机第四代大规模集成电路计算机现在的人都是使用的第四代计算机

那个什么什么SI就是指集成电路的规模的缩写。SSI（Small-scale integration）小规模集成电路；MSI（Middle-scale integration）中等规模集成电路；LSI（Large-scale integration）大规模集成电路；VLSI（Very-Large-scale integration）甚大规模集成电路；ULSI（Ultra-Large-scale integration）超大规模集成电路；ADC（Analog-Digital Convertor）是模数转换器（也就是将模拟量转换为数字量的转换器）；DAC（Digital-Analog Convertor）数模转换器（就是和ADC相反转换方向的转换器）。

开放式体系结构中的vlsi是指超大规模集成电路超大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。从1970年代开始，随着复杂的半导体以及通信技术的发展，集成电路的研究、发展也逐步展开。计算机里的控制核心微处理器就是超大规模集成电路的最典型实例，超大规模集成电路设计（VLSI design），尤其是数字集成电路，通常采用电子设计自动化的方式进行，已经成为计算机工程的重要分支之一。在1920年代，一些发明家试图掌握控制固态二极管中电流的方法，他们的构想在后来的双极性晶体管中得以实现。然而，他们的设想直到第二次世界大战结束之后才得以实现。在战争时期，人们把精力集中在制造雷达这样的军工产品，因此电子工业的发展并不如之后那样迅猛，不过人们对于半导体物理学的了解逐渐增加，制造工艺水平也逐渐提升。战后，许多科学家重新开始从事固态电子器件的研究。1947年，著名的贝尔实验室成功地研制了晶体管。自此，电子学的研究方向从真空管转向到了固态电子器件。晶体管在当时看来具有小型、高效的特点。1950年代，一些电子工程师希望以晶体管为基础，研制比以前更高级、复杂的电路充满了期待。然而，随着电路复杂程度的提升，技术问题对器件性能的影响逐渐引起了人们的注意。

是一流水平。isvlsi会议全称是IEEE-Computer-Society-Annual-Symposium-on-VLSI，这是一种年度研讨会，也是VLSI领域的权威国际会议之一，涉及的范围很大，也包括集成电路相关主题和新兴的应用领域。

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这样的解释有太多了……要看你说的是哪方面的缩写啊？ 如果是电路方面的， SSI（SmallScaleIntegratedcircuites)小规模集成电路 MSI(MediumScaleIntegratedcircuites）中规模集成电路 LSI(LargeScaleIntegratedcircu...

一、闸流效应的起因 在CMOS芯片结构中，存在一条由Vdd到Vss的寄生的P+/N/P/N+ 的电流通路。 这PNPN通路包含了 三个PN结，形成了交叉耦合的一对PNP和NPN的双极型晶体管。阱内有一个纵向NPN管，阱外有一个横向NPN管，两个晶体管的集电极各自驱动另一个管子的基极，构成正反馈回路。P阱中纵向NPN管的电流放大倍数β约为50-几百，P阱外横向PNP管的β大约为0.5-10。PNP管发射极P+与P阱之间的距离越小则β值越大。Rw和Rs为基极寄生电阻，阱电阻Rw的典型值为1K-20K之间，衬底电阻Rs的典型值在500-700Ω。如果两个晶体管的电流放大倍数和基极寄生电阻Rw、Rs值太大，则很容易在外部噪声的作用下，触发闸流效应。二、闸流效应的控制 防止和控制闸流效应需要从生产工艺和版图设计两方面着手。通常所采取的措施，其目标基本都是减小寄生晶体管的电流增益β和降低寄生晶体管的基射极分流电阻Rw、Rs。①减小β值：增加横向PNP管的基极宽度，减小其电流放大倍数βpnp。②采用伪收集极：在P-阱和P+之间加一个接地的，由P-和P+组成的区域。它可以收集由横向PNP管发射极注入进来的空穴。这就阻止了纵向NPN管的基极注入，从而有效地减少PNP管的电流放大倍数βpnp。③采用保护环 保护环可以有效地降低横向电阻和横向电流密度。同时，由于加大了P-N-P管的基区宽度使βpnp下降。希望对你有帮助~

FPGA是可编程逻辑器件，可反复编程，VLSI是定制的芯片，不可变，相同点就是设计电路时，描述语言相同，还有部分思想。

不是！

流水技术有以下特点：（1）流水线把一个处理过程分解为若干个子过程，每个子过程由一个专门的功能部件来实现。因此，流水线实际上是把一个大的处理功能部件分解为多个独立的功能部件，并依靠它们的并行工作来提高吞吐率。（2）流水线中各段的时间应尽可能相等，否则将引起流水线堵塞和断流。（3）流水线每一个功能部件的前面都要有一个缓冲寄存器，称为流水寄存器。（4）流水技术适合于大量重复的时序过程，只有在输入端不断地提供任务，才能充分发挥流水线的效率。（5）流水线需要有通过时间和排空时间。在这两个时间段中，流水线都不是满负荷工作。

USC EE VLSI是学校的王牌项目之一，在美国业界评价很高，仅次于理工科Top3之后的第一梯队，其中数电又是VLSI中水平比较高部分。学习VLSI的主要有几群人，一部分是EE general自己选择了VLSI方向，另一部分是录取到VLSI track的，比较奇怪的是，CE方向下也有个CAD分支，推荐选课几乎和VLSI一模一样，因此本文对这些人也有一定的参考价值。General的人选课限制比较小，只需在VLSI方向内选够一定学分即可，而VLSI track的同学就必须选择模电神课。

　　IC设计工程师就是一个从事IC开发的职业。集成电路开发设计的职业。随着中国IC设计产业渐入佳境，越来越多的工程师加入到这个新兴产业中。成为IC设计工程师所需门槛较高，往往需要有良好的数字电路系统及嵌入系统设计经验，了解ARM【(Advanced RISC Machines)是微处理器】体系结构，良好的数字信号处理、音视频处理，图像处理及有一定的VLSI【VLSI是超大规模集成电路(Very Large Scale Integration)的简称】基础。　　一、ic设计工程师职业前景：　　ic设计工程师不是越老前景越差,反而随着高科技的发展，越来越吃香。集成电路是信息产业的核心技术之一，是实现把我国信息产业做大做强的战略目标的关键。近期发布的“国家中长期科学和技术发展规划纲要”和“国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要”，都把大力发展IC技术和产业放在突出重要的位置，因此IC设计工程师的前途光明。　　全球对半导体芯片的需求量迅猛增长，中国也正加入这一供给行列中。对于中国而言，芯片生产不仅是创利的途径，也是走入高科技经济的一条捷径。如今，大陆80%的半导体依赖进口，但企业们正努力开发、生产能参与世界竞争的芯片。作为这个行业的后来者，中国还要经历相当长的一段追赶时期。但在中国IT界，没有人会怀疑芯片产业未来的增长速度。在“中国不作无芯国”的鼓动下，人们未来充满憧憬。由于临近喧嚷的铸造市场，加上技术性强且廉价的劳动力，中国有希望在10年内成为亚洲芯片生产的中心。　　二、ic设计人员希望自己有较高的设计水平，积累经验是一个必需的过程，经验积累效率的提高。关注以下几点 ：　　1、学习借鉴一些经典设计，其中的许多细节是使你的设计成为产品时必需注意的。有些可能是为了适应工艺参数的变化，有些可能是为了加速开关过程，有些可能是为了保证系统的稳定性等。通过访真细细观察这些细节，既有收益，也会有乐趣。项目组之间，尤其是项目组成员之间经常交流，可避免犯同样错误。　　2、当你初步完成一项设计的时侯，应当做几项检查:了解芯片生产厂的工艺, 器件模型参数的变化,并据此确定进行参数扫描仿真的范围。了解所设计产品的实际使用环境，正确设置系统仿真的输入条件及负载模型。严格执行设计规则和流程对减少设计错误也很有帮助。　　3、另外，你需要知识的交流，要重视同前端或系统的交流，深刻理解设计的约束条件。作为初学者，往往不太清楚系统，除了通过设计文档和会议交流来理解自己的设计任务规范，同系统和前端的沟通是IC设计必不可少的。所谓设计技巧，都是在明了约束条件的基础上而言的，系统或前端的设计工程师，往往能够给初学者很多指导性的意见。　　4、查文献资料是一个好方法。多上一些比较优秀的电子网站，如中国电子市场网、中电网、电子工程师社区。这对你的提高将会有很大的帮助。另外同"老师傅"一同做项目积累经验也较快。如果有机会参加一些有很好设计背景的人做的培训，最好是互动式的，也会有较好的收获。　　5、重视同后端和加工线的交流:IC设计的复杂度太高，除了借助EDA工具商的主动推介来建立概念之外，IC设计者还应该主动地同设计环节的上下游，如后端设计服务或加工服务的工程师，工艺工程师之间进行主动沟通和学习。对于初学者来说，后端加工厂家往往能够为他们带来一些经典的基本理念，一些不能犯的错误等基本戒条。一些好的后端服务公司，不仅能提供十分严格的Design Kit（设计包），还能够给出混合信号设计方面十分有益的指导，帮助初学者走好起步之路。加工方面的知识，对于IC设计的"产品化"更是十分关键。　　6、重视验证和测试，做一个"偏执狂":IC设计的风险比板级电子设计来的更大，因此试验的机会十分宝贵，"偏执狂"的精神，对IC设计的成功来说十分关键。除了依靠公司成熟的设计环境，Design Kit（设计包）和体制的规范来保证成功之外，对验证的重视和深刻理解，是一个IC设计者能否经受压力和享受成功十分关键的部分。由于流片的机会相对不多，因此找机会更多地参与和理解测试，对产品成功和失败的认真总结与分析，是一个IC设计者成长的必经之路。

美国USC EE VLSI项目选课建议：第一学期：457 + 477，477考过placement的同学可以考虑强撸577A； 第二学期：577A + 552/CS570/533 + 水课/seminar； 暑假：优先级：实习 > 560 = 580； 第三学期：577B + 658/557/水课/seminar + RCL； 第四学期：水课 + RCL。

第四代计算机。第四代计算机指从1970年以后采用大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）为主要电子器件制成的计算机。例如80386微处理器，在面积约为10mm X l0mm的单个芯片上，可以集成大约32万个晶体管。1967年和1977年分别出现了大规模和超大规模集成电路。由大规模和超大规模集成电路组装成的计算机，被称为第四代电子计算机。美国ILLIAC-IV计算机，是第一台全面使用大规模集成电路作为逻辑元件和存储器的计算机，它标志着计算机的发展已到了第四代。1975年，美国阿姆尔公司研制成470V/6型计算机，随后日本富士通公司生产出M-190机，是比较有代表性的第四代计算机。英国曼彻斯特大学1968年开始研制第四代机。1974年研制成功ICL2900计算机，1976年研制成功DAP系列机。1973年，德国西门子公司、法国国际信息公司与荷兰飞利浦公司联合成立了统一数据公司。共同研制出Unidata7710系列机。扩展资料计算机的逻辑元件和主存储器都采用了大规模集成电路(LSI)。所谓大规模集成电路是指在单片硅片上集成1000~2000个以上晶体管的集成电路，其集成度比中、小规模的集成电路提高了1~2个以上数量级。这时计算机发展到了微型化、耗电极少、可靠性很高的阶段。大规模集成电路使军事工业、空间技术、原子能技术得到发展，这些领域的蓬勃发展对计算机提出了更高的要求，有力地促进了计算机工业的空前大发展。随着大规模集成电路技术的迅速发展，计算机除了向巨型机方向发展外，还朝着超小型机和微型机方向飞越前进。1971年末，世界上第一台微处理器和微型计算机在美国旧金山南部的硅谷应运而生，它开创了微型计算机的新时代。此后各种各样的微处理器和微型计算机如雨后春笋般地研制出来，潮水般地涌向市场，成为当时首屈一指的畅销品。特别是IBM-PC系列机诞生以后，几乎一统世界微型机市场，各种各样的兼容机也相继问世。参考资料来源：百度百科-大规模集成电路计算机参考资料来源：百度百科-第四代电子计算机

英文名称:A circuit containing one hundred thousand to one million electronic units on a chip. 中文名称：超大规模集成电路简称“vlsi电路”。指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成，故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时，硬件费用几乎可不计，而取决于设计费用。国际上硅片面积已增至厘米见方，管数达十亿个而线宽为0至1微米。

1、包含范围不同总体来说，集成电路设计的范围较为广泛，包含了各种电路设计，而其他的则被包含在里面。集成电路设计是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。集成电路设计涉及对电子器件、器件间互连线模型的建立。所有的器件和互连线都需安置在一块半导体衬底材料之上，这些组件通过半导体器件制造工艺（例如光刻等）安置在单一的硅衬底上，从而形成电路。2、各自所指的电路不同VLSI是超大规模集成电路的简称，指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。SoC称为系统级芯片，也有称片上系统，意指它是一个产品，是一个有专用目标的集成电路，其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。同时它又是一种技术，用以实现从确定系统功能开始，到软/硬件划分，并完成设计的整个过程。FPGA是在PAL、GAL等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。扩展资料集成电路设计硬件实现对于不同的设计要求，工程师可以选择使用半定制设计途径，例如采用可编程逻辑器件（现场可编程逻辑门阵列等）或基于标准单元库的专用集成电路来实现硬件电路；也可以使用全定制设计，控制晶体管版图到系统结构的全部细节。1、全定制设计这种设计方式要求设计人员利用版图编辑器来完成版图设计、参数提取、单元表征，然后利用这些自己设计的单元来完成电路的构建。通常，全定制设计是为了最大化优化电路性能。如果标准单元库中缺少某种所需的单元，也需要采取全定制设计的方法完成所需的单元设计。2、半定制设计与全定制设计相对的设计方式为半定制设计。简而言之，半定制集成电路设计是基于预先设计好的某些逻辑单元。例如，设计人员可以在标准组件库（通常可以从第三方购买）的基础上设计专用集成电路，从中选取所需的逻辑单元（例如各种基本逻辑门、触发器等）来搭建所需的电路。也可以使用可编程逻辑器件来完成设计，这类器件的几乎所有物理结构都已经固定在芯片之中，仅剩下某些连线可以由用户编程决定其连接方式。与这些预先设计好的逻辑单元有关的性能参数通常也由其供应商提供，以方便设计人员进行时序、功耗分析。在半定制的现场可编程逻辑门阵列上实现设计的优点是开发周期短、成本低。参考资料来源：百度百科—集成电路设计参考资料来源：百度百科—VLSI参考资料来源：百度百科—SoC参考资料来源：百度百科—FPGA

超大规模集成电路。开放式体系结构中的vlsi是指超大规模集成电路，超大规模集成电路是指集成度（每块芯片所包含的元器件数）大于105的集成电路。集成电路是采用专门的设计技术和特殊的集成工艺，把构成半导体电路的晶体管、二极管、电阻、电容等基本元器件，制作在一块半导体单晶片（例如硅或砷化镓）或绝缘基片上，能完成特定功能或者系统功能的电路集合。

1、SSI是小规模集成电路的缩写。全称：Small-scale integration。2、MSI是中等规模集成电路的缩写。全称：Middle-scale integration。3、LSI是大规模集成电路的缩写。全称：Large-scale integration。4、VLSI是甚大规模集成电路的缩写。全称：Very-Large-scale integration。5、ULSI是超大规模集成电路的缩写。全称：Ultra-Large-scale integration。6、ADC是模数转换器的缩写。全称：Analog-Digital Convertor。7、DAC是数模转换器的缩写。全称：Digital-Analog Convertor。扩展资料：按照所处理信号形式的不同，通常可将电子电路分为模拟电路和数字电路两大类。用于传递和处理模拟信号的电子电路称为模拟电路；对数字信号进行传递、处理的电子电路称为数字电路。模拟电路通常注重的是信号的放大、信噪比、工作频率等问题。常见的有放大器电路、滤波电路、变压电路等。如收音机、电视机、电话机、变压器等电路。数字电路被广泛地应用于数字电子计算机、数字通信系统、数字式仪表、数字控制装置及工业逻辑系统等领域，能够实现对数字信号的传输、逻辑运算、计数、寄存、显示及脉冲信号的产生和转换等功能。模拟电路和数字电路的结合越来越广泛，在技术上正趋向于把模拟信号数字化，以获取更好的效果，如数码相机、数码电视机等。进行电子电路设计的中心任务是按功能要求设计出具有该功能的电路，或者可以说。设计完备的电路，使其能够完成预期的功能。一般地说，电子电路设计的内容或步骤为：1、先分析所要实现的功能，并对其功能进行归类整合，明确输入变量、输出变量和中间变量。2、提出电路的功能要求，明确各功能块的功能及其相互间的连接关系，并作框图设计。3、确定或者设计各单元电路，确定其中的主要器件，给出单元电路图。4、整合各单元电路，规范设计统一的供电电路即电源电路，并做好级联的设计。5、设计详尽电路全图，确定全部元器件并给出需用元器件清单。6、根据元器件和电路设计印制电路板图，并给出相应的元器件分布图、接线图等。如果是整机的，一般还要提供整机结构图。7、实现工艺比较复杂以及有特殊工艺要求的，需要给出工艺要求说明，或者给出工艺设计报告。8、进行业余设计或者属于单体实验开发类的电路设计时，还要经过调试与测试。并给出实验与测试的结果。9、写出设计说明书或者设计报告。参考资料来源：百度百科-电子电路

vlsi是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。从1970年代开始，随着复杂的半导体以及通信技术的发展，集成电路的研究、发展也逐步展开。计算机里的控制核心微处理器就是超大规模集成电路的最典型实例，超大规模集成电路设计（VLSI design），尤其是数字集成电路，通常采用电子设计自动化的方式进行，已经成为计算机工程的重要分支之一。晶体管在当时看来具有小型、高效的特点。1950年代，一些电子工程师希望以晶体管为基础，研制比以前更高级、复杂的电路充满了期待。然而，随着电路复杂程度的提升，技术问题对器件性能的影响逐渐引起了人们的注意。像计算机主板这样复杂的电路，往往对于响应速度有较高的要求。如果计算机的元件过于庞大，或者不同元件之间的导线太长，电信号就不能够在电路中以足够快的速度传播，这样会造成计算机工作缓慢，效率低下，甚至引起逻辑错误。截至2012年晚期，数十亿级别的晶体管处理器已经得到商用。随着半导体制造工艺从32纳米水平跃升到下一步22纳米，这种集成电路会更加普遍，尽管会遇到诸如工艺角偏差之类的挑战。值得注意的例子是英伟达的GeForce 700系列的首款显示核心

这样的解释有太多了……要看你说的是哪方面的缩写啊？如果是电路方面的，SSI（SmallScaleIntegratedcircuites)小规模集成电路MSI(MediumScaleIntegratedcircuites）中规模集成电路LSI(LargeScaleIntegratedcircuites)大规模集成电路VLSI(VeryLargeScaleIntegratedcircuites)超大规模集成电路另外，CMI应该是（ComputerManagedInstruction），指计算机管理教学CAT就不知道了，如果是你写错的话，CAI（ComputerAssistedInstruction）是指：计算机辅助教学

DRC是设计规则检查，比如工艺里两条走向太近会短路，这里就有一个两条线之间的距离的设计规则，DRC就是通过这样的规则检查设计是否符合要求。LVS是版图&原理图一致性检查，检查画的版图和原理图是否一致。

希望可以帮到你，谢谢