驱动电路

偏置电路可提高LD的调制速率。光纤通信系统ld驱动电路中，有谐振腔的受激发光，谱线窄，与光纤耦合效率高，有阈值条件，需加偏置（加偏置可提高LD的调制速率），偏置电路用以克服PN结中自建场的影响，从而降低势垒，以形成粒子数反转分布。

工作在开关两种状态下的电路，就叫开关电路。利用开关电路设计的电源，叫开关电源。驱动电路：不同的电路对驱动电路要求不同有的驱动电路是一个PWM控制器，比如步进电机的驱动有的驱动电路是一个电压放大器，例如功放中的前置放大器有的驱动电路是一个电流放大器，例如音箱的驱动电路就是一个音频率功率放大器

把这一相与正常一相的供电调换一下，测量这一相的电压是否还偏低，判断出是电机故障还是驱动器故障，再着手解决。

可以使用uln2003驱动，9脚悬空，STM32设置推挽输出，不然STM32驱动不了uln2003，

单极性 (unipolar) 和双极性 (bipolar) 是步进电机常采用的两种驱动电路。单极性驱动电路使用四颗晶体管来驱动步进电机的两组相位，电机定子绕线结构如图1所示包含两组带有中间抽头的线圈（AC线圈的中间抽头为O，BD线圈的中间抽头为M），整个电机共有六条线与外界连接。AC端不能同时通电（BD端同理），否则磁极上的两个线圈产生的磁通相互抵消，只产生线圈的铜耗。因为它其实只有两个相位（AC绕组为一相，BD绕组为一相），准确的说法应是两相六线式步进电机。

直流稳压电源

一、晶体管个数不同1、单极性驱动电路使用四颗晶体管来驱动步进电机的两组相位。2、双极性步进电机使用八颗晶体管来驱动两组相位。双极性步进电机驱动电路的晶体管数目是单极性驱动电路的两倍，其中四颗下端晶体管通常是由微控制器直接驱动，上端晶体管则需要成本较高的上端驱动电路。二、连线不同1、单极性驱动电路的电机结构包含两组带有中间抽头的线圈，整个电机共有六条线与外界连接。2、双极性驱动电路可以同时驱动四线式或六线式步进电机，虽然四线式电机只能使用双极性驱动电路，它却能大幅降低量产型应用的成本。三、电压不同1、双极性驱动电路的晶体管只需承受电机电压便可。2、单极性驱动电路需要箝位电路才能驱动。扩展资料驱动要求1、能够提供较快的电流上升和下降速度，使电流波形尽量接近矩形。具有供截止期间释放电流流通的回路，以降低绕组两端的反电动势，加快电流衰减。2、具有较高韵功率及效率。步进电机驱动器，它是把控制系统发出的脉冲信号转化为步进电机的角位移，或者说：控制系统每发一个脉冲信号，通过驱动器就使步进电机旋转一个步距角，也就是说步进电机的转速与脉冲信号的频率成正比。所以控制步进脉冲信号的频率，就可以对电机精确调速；控制步进脉冲的个数，就可以对电机精确定位。步进电机驱动器有很多，应以实际的功率要求合理的选择驱动器。参考资料来源：百度百科-步进电机

这是方波电压驱动感性负载的典型电压波形。我们知道，加载在感性负载时，电压突变会使负载两端出现瞬间的高电压，这个电压甚至可能高出电源电压的两倍，这就是感性负载反电动势现象。这个过电压危害很大，我们必须避免。方法之一就是在MOS管S-D极构筑D-R-C吸收回路（吸收原理在此省略），根据你提供的图形，如果尖顶不高（远小于MOS的Vsd）可以不用改电路参数。如果必须加大吸收，就把电容C的容量加大，但是注意一次不能加得太“猛”，一点点的试。否则，会引起电路产生其它的问题。而且，增加了电容容量后，电阻R的数值可能也相应发生改变，功率也得增加。

　　讲述了用于驱动片车电动门窗步进马达的集成芯片MTD2005F的工作原理以及控制方法，并举例介绍了实际应用中的电路。 　　 　　概述 　　 　　越来越多的汽车中配备了电动门窗，步进马达的控制电路对汽车电动门窗的整个质量尤为关键。下面介绍一种比较实用的汽车电动门窗步进马达的驱动电路，该电路采用SHINDENGEN(新电元)公司推出的一款两项双极型步进电机驱动集成电路MTD2005F，特别适用于大功率的汽车电动门窗步进马达的控制。MTD2005F是两相电机恒流驱动芯片，它集成了功率器件和控制逻辑，外部需要连接一些简单的器件，实现电机的恒流斩波控制。 　　 　　MTD2005F恒流驱动 　　 　　MTD2005F的恒流驱动电路，电机线圈电路。电路的工作过程如下。 　　(1)外部信号控制Q1、Q2开启，产生电流A(电源→Q1→马达线圈→Q2→Rs→地)，电流A通过采样电阻Rs转换成电压Vs，当Vs升高到达参考电压Vref时，电流比较器输出一个控制信号关断Q1。 　　(2)当恒流控制被激活后，Q1被关断，线圈的电感感应产生电流B(地一DfW→马达线圈→Q2→Rs→地)。 　　(3)电流B在经过斩波周期T之后，Q1再次被开启，再次产生电流A。电流重新上升，当Vs上升达到参考电压vref时，Q1再次被关断。在这个之后，第二步和第三步不断循环。 　　(4)外部信号关断Q1、Q2，产生电流C(地→DfW→马达线圈→Dfb→电源)，电流迅速降低。 　　 　　驱动电流的设计 　　 　　驱动电流Ip的设计见下面公式。 　　Ip=(5u30fbR3)/(RR2+RR3)u30fbNu30fb(1/Rs) 　　其中，R2、R3如实例中的R2、R3；Rs为电流采样电阻，如实例中的R6，R7；N为PWM的百分比。 　　在电机运行过程中，如果控制系统修改PWM值，则就改变了电机的驱动电流Ip。这在实际应用中很重要。比如电机需要进行加速和减速，电机驱动电流最好就需要改变。 　　 　　斩波频率的设计 　　 　　斩波周期T=0.72ctu30fbRt 　　斩波频率f=1/T 　　为了避免进入音频范围而产生噪声，斩渡频率f通常被设置至少20kHz。但如果频率太高，则会增加集成芯片的功耗，使发热量增加。建议Ct=4700pF(2200～4700pF)，Rt=13k Q(10-40kΩ)，斩波频率f最大值为30kHz。 　　 　　降低功率的设计 　　 　　在输出端和电源地之间插入肖特基二极管，可以降低IC驱动片的功耗，电路。 　　这些外部的肖特基二极管可以分流大部分续流电流，从而减少芯片内部的功耗。降低功耗的效果也取决于插入的肖特基二极管，建议采用SHINDENGEN(新电元)公司推出的DIFS4肖特基二极管。 　　 　　输出电流的逻辑控制 　　 　　相位A、B控制电流的方向。在l-2项激励的情况下，ENA A和B按组合使用。下面是真值表和控制顺序。 　　 　　步进马达加减的设计 　　 　　通过输出电流的逻辑控制，可以使步进马达正向转动或者反向转动。为减少电动车窗在运行中的噪声和晃动，需要使步进马达能够平稳加速到一定的速度，或者减速到停止。 　　加减速曲线一般有2种：渐进式和阶梯式。在汽车电动车窗的应用中，阶梯式在实际使用中效果更好。 　　 　　应用实例 　　 　　应用实例的电路原理，PWM设计值为50％，所使用的器件参数如下。 　　U1：MTD2005F 　　U2：74HCT07 　　R1：13K，1％ 　　R2：10K，1％ 　　R3：1K．1％ 　　R4、R5：10K 　　R6、R7：0.33Ω，1W，1％ 　　C1：4700pF，5％ 　　C2、C3：1000pF 　　C4：47μF．50V 　　C5：0．1μF 　　D1、D2、D3、D4：DIFS4 　　斩波频率理论值：f=I/0.724700u30fb10-12u30fb13u30fb103=22.7kHz； 　　驱动电流理论值：Ip=(5×I)/(10+1)×50％×(I/0.33)=0.68A； 　　实际测量，斩波频率为23kHz，驱动电流为700mA，符合设计要求。

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特点不同，要看前后级的关系，第一种是跟随输出，输入阻抗高，输出阻抗小，当前级是高压小电流的时候好，并且输出电压是受控前级电压，可做限幅开关，输出是电压源。第二种是反向共射集电极输出，适合前级是低压大电流，输出是阻抗高，也是电流源，当负载变化时，电流不变。如果前级是低阻，如TTL，适合第二种。补充的电路是二者的结合，光耦的漏电流容易被放大，所以要加R大约2K左右（看光耦的参数），如是继电器线圈，当释放电压低时，容易误动作，电流优点是可给线圈提快速建立电压。本例中如是继电器，属电流驱动，最好用集电极输出，但也要有R。 补充：你是驱动电磁阀啊，又要晶体管功耗低，补充的驱动管子压降很大，只能是第二种，把阀接到集电极上，并且1A的驱动电流要再加一级组成复合管。

看你的驱动说明书啊，PUL 脉冲 DIR方向 ENA使能

RF为限流采样电阻，工作时此电阻与线圈串联。所以线圈电流与此电阻电流相等。电流经过这个电阻在这个电阻上产生压降（如下称采样电压）。这样就可以通过检测些电阻的电压来确定其电流。采样电压与U9A电压比较器基准电压（3脚）作对比，当采样电压高于基准电压时输出低电平，表示过流。此低电平与输入的PWM在U2A与非门计算，斩掉PWM波信号。PWM空比变化减小线圈电流。从而达到限流作用。

概述 步进电机是一种将电脉冲转化为角位移的执行机构，可以通过控制脉冲个数来控制角位移量，从而达到准确定位的目的；同时可以通过控制脉冲频率来控制电机转动的速度和加速度，从而达到调速的目的。 目前，对步进电机的控制主要有由分散器件组成的环形脉冲分配器、软件环形脉冲分配器、专用集成芯片环形脉冲分配器等。本设计选用第三种方案，用PMM8713三相或四相步进电机的脉冲分配器、SI-7300A两相或四相功率驱动器，组成四相步进电机功率驱动电路，以提高集成度和可靠性，步进电机控制框图见图1。 图1 步进电机控制系统框图硬件简介 ● PMM8713原理框图及功能 PMM8713是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器，适用于控制三相或四相步进电机。控制三相或四相步进电机时都可以选择3种励磁方式，每相最小吸入与拉出电流为20mA，它不仅满足后级功率放大器的输入要求，而且在其所有输入端上均内嵌施密特触发电路，抗干扰能力强，其原理框图如图2所示。 图2 PMM8713的原理框图在PMM8713的内部电路中，时钟选通部分用于设定步进电机的正反转脉冲输入发。PMM8713有两种脉冲输入法：双脉冲输入法和单脉冲输入法。采用双脉冲输入法时，CP、CU两端分别输入步进电机正反转的控制脉冲。当采用单脉冲输入时，步进电机的正反转方向由U/D的高、低电位决定。 激励方式控制电路用来选择采用何种励磁方式。激励方式判断电路用于输出检测；而可逆环形计数器则用于产生步进电机在选定的励磁方式下的各相通断时序信号。 ● SI-7300A的结构及功率驱动原理 SI-7300A是日本三青公司生产的高性能步进电机集成功率放大器，该器件为单极性四相驱动，采用SIP18封装。 步进电机功率驱动级电路可分为电压和电流两种驱动方式。电流驱动方式最常用的是PWM恒流斩波驱动电路，也是最常用的高性能驱动方式，其中一相的等效电路图如图3所示。 图3 LM331电压/频率变换电路● LM331芯片 LM331是美国国家半导体公司生产的双列直插式8脚芯片，只需接入几个外部元件就可以方便地构成电压/频率(V/F)变换电路，电路如图4所示。 图4 四相步进电机功率驱动电路LM331的输出频率和输入电压存在如下关系：f0=Vi/(IRt1RL)，其中t1由外接的定时元件Rt和Ct决定，t1＝1.1RtCt，IR由内部精密电流源提供，IR＝1.9V/RS。故f0=ViRS/(2.09RtRLCt)。RS为可调电阻，它的作用是调整LM331的增益偏差。Ct为滤波电容，一般为? 0.01～0.1μF，在滤波效果较好的情况下，可使用1μF的电容。为了提高精度和稳定度，组容元件选用低温度系数的器件。 应用举例 用PMM8713步进电机环形分配器与SI7300A步进电机功率放大器设计了一个四相步进电机功率驱动电路，PMM8713采取单脉冲输入、1-2相励磁方式，电路如图5所示。图中PD控制端为SI7300A的输入电流I0调节端，可悬空或接高电平，接高电平时可适当提高SI7300A的输出电流I0，在本应用系统中悬空使用。图中PMM8713的时钟脉冲输入信号由LM331(V/F)输出，方向控制信号和步进电机的起停信号由窗口比较电路给出。 图5 窗口比较电路窗口比较电路为步进电机提供方向控制信号和步进电机的起停控制信号，电路如图6所示。其中，U1、U2为数控等离子切割机弧压的上、下限电压，Ui为检测到的弧压。当Ui>U1，V3输出为高电平，V4输出为低电平，V5输出为高电平；当U2 方向控制信号V3或V4输出端接PMM8713的C/D，控制步进电机的正反转；U5输出端接PMM8713的复位端R，控制步进电机的起停。LMM331(V/F)输出端f0接PMM8713的CK，为步进电机提供脉冲控制信号。由此可见，当U2U1或者Ui 结束语 该驱动电路被用于数控等离子切割机弧压自动调高系统中，系统中的电机是42BYG009型混合式步进电机，驱动电压为直流24V。通过实践证明该步进电机功率驱动电路控制系统结构简单、性能稳定、效率高、矩频特性好，可广泛应用于小型机电一体化设备中.http://part.newmaker.com/art_22699.html

常见的三相反应式步进电动机的定子上有六个均布的磁极，其夹角是60度。三相反应式步进电机常用简单的驱动电路，由脉冲发生控制单元、功率驱动单元、保护单元等组成。驱动单元与步进电动机直接耦合，也可理解成步进电动机微机控制器的功率接口。

1.步进电机每驱动一次只能转动固定的角度,这个角度由电机的结构决定;2.步进电机上有不同的驱动输入端,在同一个输入端上驱动只能转动一次;3.要想使电机转动第二次,必须在电机的另外一个输入端加电驱动;4.这样在驱动电路的控制下,电机才能转过预定的步数(角度).

要根据步进电机的特性来定。1：电流，如果你的电压工作电流只需要1A，那你最好选1.5A的驱动器，如果选的太大，用当然能用，但是非常不好用，因为0.5A太小了，加一档就到1.5A了，这样你就发挥不了电机的特性。2：细分值，如果你需要低的振动与细分精度，那你就要选合适的细分驱动器。3：速度特性，速度特性要求高时，一驱动器的供电电压选定一点，二就是驱动器必须是快衰减的类型。4：需不需要半流减功耗功能。5：需不需要自行驱动功能。6：必须是差分输入类型还是单端也可以。

首先根据步进电机的绕组的相数不同，常用的步进电机驱动器分为两相、三相、五相步进电机驱动器，其中两相步进电机驱动器最常用。两相步进电机驱动器又分成定电流驱动和定电压驱动，其中定电流驱动又分为单级驱动和双极驱动，目前市面上两相步进电机驱动器以定电流双极驱动为主。

很奇怪1、为什么要DA？还三路。2、还用SG3525把他们转成PWM信号？用ARM+DA做步进电机驱动不觉得成本太高？即使不考虑成本也不要用SG3525，直接用ARM输出PWM信号就行吗？（光耦隔离事必要的）至于电流大小的控制好像也不要电流反馈，当然有电流反馈更好。电流大小可以根据电机转速与占空比控制（不是很准，但足够用的了）。电机转速是你ARM计算给的，占空比也是已知。

在步进电机的应用中，最需要考虑的重要事项之一就是设计匹配的驱动电路。步进电机的动态性能非常地依赖驱动电路。图1显示了步进电机驱动系统的结构图。驱动步进电机需要开关电流从一个定子绕组到另一个。这种开关功能被驱动电路提供，驱动电路排列，分配和放大来自信号电路的脉冲序列。步进电机的绕组以指定的次序被激励。集成电路的实用性已经使得对于额定电流小于3安培的小型步进电机使用分立元件构造驱动电路是不必要的。例如，SGS L7180与L7182对于单极性驱动，和L293与L298对于双极性驱动，能够很容易地使用在紧密的控制器里。

0.7V电压肯定无法点亮的，一般以电流为10~25mA为宜，电流过大，影响寿命，此时电压一般为2.5~3V左右。驱动电源一般为稳压直流电源，否则电压一高，导致电流急升，很快烧毁LED.

这个在一灯论坛上都有介绍，这里说不清楚百度搜 一灯论坛 或 搜 led论坛 ，里面很多LED的工程师。可以找到你要的答案

IM2575只是个简单的BUCK恒压电路，要手动调节LED灯的亮度主要通过控制电流的模式。有很多芯片都可以做到手动调节LED灯亮度的功能，但所有芯片主要分可控硅调光和PWM调光两种，可控硅主要运用于市电AC，你所用的电路是7-40V以内的电压因此主要用PWM调光。 当然如果是小功率的LED灯可通过电位器来调节

原理图同直插的，最简单的就是一个限流电阻串联一个 led。焊接就是按照原理图焊接就行了。。。。。

人眼睛的视觉暂留效果

这个很简单啊，亲 。我会

a、d的接法是错误的先说说d，非OC/OD结构的门电路输出端不可以直接相连，以免发生逻辑电平冲突。d这幅图中，如果上面那个与门输入1，下面那个与门输出0，就短路了。a图的错误之处在于，a图中的与门是个OC门，OC门在没有上拉的情况下不能输出高电平，因此无法驱动LED。

mark

你好！其实手机充电器也有两种：一、输出的电压是恒定的、不横流。二、输出的电压是恒定的、输出的电流也是恒定的，另外，输出的电压和电流都可以通过改变参数来调节。只要恒压、恒流就可以满足LED灯的工作要求。所以第二种是可以代替的。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

所谓恒流源是指输出电流保持恒定的电流源。理想的恒流源应该具有以下特 点:不因负载(输出电压)变化而改变:不因环境温度变化而改变;内阻为无限大 (以使其电流可以全部流出到外面)。能够提供恒定电流的驱动电路即为恒流源驱动电路。 由于在不同的应用环境下的电源电压不同，以及LED 正向电压的不同，为了 确保LED 最佳的性能和长久的工作寿命，就需要一个有效的恒流源驱动电路，而 不是传统AC 兀(或DC/DC 的恒压控制。通常可采用一个电流检测电阻反馈LED 电流来实现其恒流控制，从而使LED 的正向电流保持一定。

LED用恒流驱动电路更好。恒流驱动，其输出电流恒定，每个灯珠发热比较均匀，出现故障的概率比恒压源低。

这类LED恒流芯片只适合高电压，低压12v输入这电路不可能工作！用低压12v驱动灯条就需要改原灯条结构或12v灯条。

所谓恒流源是指输出电流保持恒定的电流源。理想的恒流源应该具有以下特 点:不因负载(输出电压)变化而改变:不因环境温度变化而改变;内阻为无限大 (以使其电流可以全部流出到外面)。能够提供恒定电流的驱动电路即为恒流源驱动电路。 由于在不同的应用环境下的电源电压不同，以及LED 正向电压的不同，为了 确保LED 最佳的性能和长久的工作寿命，就需要一个有效的恒流源驱动电路，而 不是传统AC 兀(或DC/DC 的恒压控制。通常可采用一个电流检测电阻反馈LED 电流来实现其恒流控制，从而使LED 的正向电流保持一定。

这应该是整流滤波电路还有稳压电路组成的 ，其实就是变压器。

LED在具体的使用时，要注意驱动电路的选用。LED 驱动电路除了要满足安全要求外，另外的基本功能应有两个方面：根据能量来源的不同，LED驱动电路总体上可分为两类，一是AC/ DC转换，能量来自交流电，二是DC/ DC转换，能量来自干电池、可充电电池、蓄电池等。根据LED驱动原理的不同，又可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。

　　一、LED背光灯驱动控制电路原理：　　由两块RT8566IUI和U2）组成主、副驱动控制电路。每个电路由驱动控制和升压输出两部分组成，分别对8条LED背光灯串进行供电和电流调整。主驱动控制电路由RT8566（U1）、MOS开关管Q1、储能电感L1、续流管D1、D2，滤波电容EC2、C5~C8组成。遥控开机后启动工作，将VIN，供电提升到40V以上，为LED1-LED8背光灯条供电，同时对LED灯条均流进行控制。　　副驱动控制电路由RT8566IU2）、MOS开关管Q5、储能电感L2、续流管D3、D4，滤波电容EC3、C43~C46组成。遥控开机后启动工作，将VIN供电提升到40V以上，为LED9-LED16背光灯条供电，同时对LED灯条均流进行控制

led行驱动电路工作原理LED行驱动电路的工作原理是：将一个电压源（如电池）连接到LED行驱动电路的输入端，然后将LED行驱动电路的输出端连接到LED灯的正极，LED灯的负极连接到电池的负极。当电池供电时，LED行驱动电路会将电池的电压转换为LED灯所需的电压，从而使LED灯亮起。

网上有大把的专用做LED电源的芯片与模块。

最简单可以用 LDO ST890

LED灯的驱动电路方法基本是两种，一种是定流式，就是根据LED灯珠组合形式和功率，所需的电流，配备与灯珠电流适合（驱动电源）适配器。另一种是定压式，根据LED灯珠的功率和串并联方式适配的电压，配备与灯珠电压相（驱动电源）适配器。

根据LED的优点，其安全的使用方法是采用恒流式驱动，恒流驱动电路特点是：输出的电流是恒定的，而输出的直流电压却随着负载阻值的大小不同在一定范围内变化，负载阻值小，输出电压就低，负载阻值越大，输出电压也就越高。 目前市场上以LED为主要器件的成品，大多采用简单的电容降压方式，通过电容达到恒流作用，这类产品有一个致命的缺点，那就是往往在开关电源的瞬间，一下子将LED器件全部烧毁，其原因在于，电容器的充放电特性造成的，在这里电容器处于微分电路的电容，发光管内阻等等效于微分电路中的电阻，微分电路的时间参数t=0.7RC，则在t的充放电的瞬间，流过LED的瞬间电流极大（可能达到正常电流的数十倍以至数百倍），造成瞬间永久性的损坏芯片。 由于LED属于电流型器件，严格的说只能采用串联工作方式，在并联工作状态下，必须对所并联的发光管进行帅选，不论并联的管子多少，实践证明管压降差不得超过0.005V，否则很容易造成损坏。 最为理想的LED驱动电路是PWM恒流控制方式的开关电源，主要由四部分组成，输入整流滤波部分、输出整流滤波部分、PWM稳流控制部分、开关能量转换部分。PWM开关稳流的基本工作原理就是在输入电压、内部参数及外接负载变化的情况下，控制电路通过被控制信号与基准信号的差值进行闭环反馈，调节主电路开关器件导通的脉冲宽度，使得开关电源的输出电流稳定（即恒流电源）。电源效率极高，一般可以做到80%～90%，输出电流相当稳定。一般这种电路都有完善的保护措施，属高可靠性电源。其缺点在于成本较高。开关电源 cs-lvkedianyuan.html

C1、C2在电路里的作用：主要是起到储能，由于是高频工作的，整流输出后还是脉动的直流，所以还要有这两个电解电容起到平滑的作用。既然起到了平滑的作用，那么，经过这2 个电解电容后输出的直流成分就更平滑了，也就等于是减小了输出电压的纹波。ΔV是输出电压的波动差值，可以有电源的变换器端输入电压的反激电压差值和考虑占空比因素后的综合值。由于占空比最大为0.5，反击电压100余伏，所以，ΔV大约是几十伏。

由于受到LED功率水平的限制，通常需同时驱动多个LED以满足亮度需求，因此，需要专门的驱动电路来点亮LED。1. 阻容降压：利用电容在交流下的阻抗来限制输入电流，从而获得直流电平给LED供电。这种驱动方式结构简单，成本低廉，但是输入非隔离方案，有安全隐患。而且转换效率很低，无法做到恒流控制。2. 隔离反激电路：利用反激电路，通过变压器在副边产生直流电平，再通过光耦将此电平的纹波反馈回原边，从而自激稳定。此类电路符合安规认定要求，而且输出恒流精度较好，转换效率较高。但由于需要光耦和副边恒流控制电路，导致系统复杂，体积大，成本高。3. 原边方案：原边方案就是通过完全在交流原边控制输出的电源和电流，最精确可以做到5%的恒流精度，副边仅需简单的输出电路即可。原边主要依靠辅助边的反馈来控制输出电压，依靠限流电阻对原边电流的控制，同时乘以匝比来控制输出电流的精度。原边方案继承了隔离反激电路的种种优点，同时架构简单，可以做到小体积和低成本。原边的恒流精度问题：由于变压的生产精度难以控制，导致原边方案在使用低质量变压器时，输出电流漂移较大。所以，原边方案通过改进增加了副边恒流控制电路，这样虽然比普通的原边方案复杂了，但是对比反激方案，仍然可以省去光耦等，系统性价比最高。

24V的LED驱动电源输出直流电压310V，这很有可能是因为内部采用了阻容降压方案，阻容降压电路类似于恒流源，输出电压是由负载决定的，在空载的情况下输出310V。下面请看阻容降压的详细介绍。阻容降压电路是将交流电转换为低压直流电最简单的方法，属于非隔离电源，安全性较低。原理就是利用电容对交流电产生一定的容抗来限制电流的，与其说是降压，不如说成是限流。我们大家都知道电容有通交流隔直流的特性，但交流信号在通过电容后是会受到一定的影响，对于不同频率的交流电会有不同的阻碍作用，这个阻碍就是电容的容抗，容抗的大小取决于交流电的频率和电容的容量，电容的容抗可以用公式来计算就是：Xc = 1/（2πfc），其中f为交流电频率，c为电容容量。比如1μF电容所产生的容抗就约等于3180欧姆，在50Hz工频电的情况下，可以通过最大约70mA的电流，这样最大电流就限制在了70mA，电压则由负载电阻的大小来决定，自动分配负载两端的电压。回到题目中来，如上图，AC220V通过电容C1进行限流，四个二极管整流得到310V的直流电压，然后经过稳压管D5稳压，R2限流，电解电容滤波之后，为LED灯提供低压直流电源。如果将图中的稳压管D5去掉，使用万用表测量输出端就会是310V的直流电压。 综上所述，市面上一些简易的LED驱动电源就是利用这种电路做成的，在电路中不加稳压二极管的情况下，利用万用表所测输出就会是DC 310V。这种电路成本较低，但安全性较差，容易形成触电风险，大多数正规厂家一般都是使用开关电源电路作为驱动。 开关电源里，降压部分挂掉了。直接把交流220整流给输出了。 市电交流220伏，整流直流后电压310左右。 可以初步判断，你电源的前级整流部分没坏。那就只可能是降压部分坏了。具体您也没配个图，也没有办法给您说的太细。 可能你的开关电源里面变压设备损坏，电容击穿或者电阻损坏

林黛玉 雪雁、紫鹃（鹦哥）、春纤、藕官、王妈妈（奶母）

一、电源电路的功能和组成每 个电子设备都有一个供给能量的电源电路。电源电路有整流电源、逆变电源和变频器三种。常见的家用电器中多数要用到直流电源。直流电源的最简单的供电方法是 用电池。但电池有成本高、体积大、需要不时更换（蓄电池则要经常充电）的缺点，因此最经济可靠而又方便的是使用整流电源。电 子电路中的电源一般是低压直流电，所以要想从 220 伏市电变换成直流电，应该先把 220 伏交流变成低压交流电，再用整流电路变成脉动的直流电，最后用滤波电路滤除脉动直流电中的交流成分后才能得到直流电。有的电子设备对电源的质量要求很高， 所以有时还需要再增加一个稳压电路。因此整流电源的组成一般有四大部分，见图 1 。其中变压电路其实就是一个铁芯变压器，需要介绍的只是后面三种单元电路。二、整流电路整流电路是利用半导体二极管的单向导电性能把交流电变成单向脉动直流电的电路。（ 1 ）半波整流半波整流电路只需一个二极管，见图 2 （ a ）。在交流电正半周时 VD 导通，负半周时 VD 截止，负载 R 上得到的是脉动的直流电（ 2 ）全波整流全波整流要用两个二极管，而且要求变压器有带中心抽头的两个圈数相同的次级线圈，见图 2 （ b ）。负载 R L 上得到的是脉动的全波整流电流，输出电压比半波整流电路高。（ 3 ）全波桥式整流用 4 个二极管组成的桥式整流电路可以使用只有单个次级线圈的变压器，见图 2 （ c ）。负载上的电流波形和输出电压值与全波整流电路相同。（ 4 ）倍压整流用多个二极管和 电容器可以获得较高的直流电压。图 2 （ d ）是一个二倍压整流电路。当 U2 为负半周时 VD1 导通， C1 被充电， C1 上最高电压可接近 1.4U2 ；当 U2 正半周时 VD2 导通， C1 上的电压和 U2 叠加在一起对 C2 充电，使 C2 上电压接近 2.8U2 ，是 C1 上电压的 2 倍，所以叫倍压整流电路。三、滤波电路整流后得到的是脉动直流电，如果加上滤波电路滤除脉动直流电中的交流成分，就可得到平滑的直流电。 （ 1 ）电容滤波 把电容器和负载并联，如图 3 （ a ），正半周时电容被充电，负半周时电容放电，就可使负载上得到平滑的直流电。（ 2 ）电感滤波 把电感和负载串联起来，如图 3 （ b ），也能滤除脉动电流中的交流成分。 （ 3 ） L 、 C 滤波 用 1 个电感和 1 个电容组成的滤波电路因为象一个倒写的字母“ L ”，被称为 L 型，见图 3 （ c ）。用 1 个电感和 2 个电容的滤波电路因为象字母“ π ”，被称为 π 型，见图 3 （ d ），这是滤波效果较好的电路。 （ 4 ） RC 滤波 电感器的成本高、体积大，所以在电流不太大的电子电路中常用电阻器取代电感器而组成 RC 滤波电路。同样，它也有 L 型，见图 3 （ e ）； π 型，见图 3 （ f ）。四、稳压电路 交流电网电压的波动和负载电流的变化都会使整流电源的输出电压和电流随之变动，因此要求较高的电子电路必须使用稳压电源。 (1 ）稳压管并联稳压电路 用一个稳压管和负载并联的电路是最简单的稳压电路，见图 4 （ a ）。图中 R 是限流电阻。这个电路的输出电流很小，它的输出电压等于稳压管的稳定电压值 V Z 。(2 ）串联型稳压电路 有放大和负反馈作用的串联型稳压电路是最常用的稳压电路。它的电路和框图见图 4 （ b ）、（ c ）。它是从取样电路（ R3 、 R4 ）中检测出输出电压的变动，与基准电压（ V Z ）比较并经放大器（ VT2 ）放大后加到调整管（ VT1 ）上，使调整管两端的电压随着变化。如果输出电压下降，就使调整管管压降也降低，于是输出电压被提升；如果输出电压上升，就使调整管管压降也上升，于是输 出电压被压低，结果就使输出电压基本不变。在这个电路的基础上发展成很多变型电路或增加一些辅助电路，如用复合管作调整管，输出电压可调的电路，用运算放 大器作比较放大的电路，以及增加辅助电源和过流保护电路等。 （ 3 ）开关型稳压电路 近年来广泛应用的新型稳压电源是开关型稳压电源。它的调整管工作在开关状态，本身功耗很小，所以有效率高、体积小等优点，但电路比较复杂。 开关稳压电源从原理上分有很多种。它的基本原理框图见图 4 （ d ）。图中电感 L 和电容 C 是储能和滤波元件，二极管 VD 是调整管在关断状态时为 L 、 C 滤波器提供电流通路的续流二极管。开关稳压电源的开关频率都很高，一般为几～几十千赫，所以电感器的体积不很大，输出电压中的高次谐波也不多。 它的基本工作原理是 : 从取样电路（ R3 、 R4 ）中检测出取样电压经比较放大后去控制一个矩形波发生器。矩形波发生器的输出脉冲是控制调整管（ VT ）的导通和截止时间的。如果输出电压 U 0 因为电网电压或负载电流的变动而降低，就会使矩形波发生器的输出脉冲变宽，于是调整管导通时间增大，使 L 、 C 储能电路得到更多的能量，结果是使输出电压 U 0 被提升，达到了稳定输出电压的目的。 （ 4 ）集成化稳压电路 近年来已有大量集成稳压器产品问世，品种很多，结构也各不相同。目前用得较多的有三端集成稳压器，有输出正电压的 CW7800 系列和输出负电压的 CW7900 系列等产品。输出电流从 0.1A ～ 3A ，输出电压有 5V 、 6V 、 9V 、 12V 、 15V 、 18V 、 24V 等多种。 这种集成稳压器只有三个端子，稳压电路的所有部分包括大功率调整管以及保护电路等都已集成在芯片内。使用时只要加上散热片后接到整流滤波电路后面就行了。外围元件少，稳压精度高，工作可靠，一般不需调试。 图 4 （ e ）是一个三端稳压器电路。图中 C 是主滤波电容， C1 、 C2 是消除寄生振荡的电容 ,VD 是为防止输入短路烧坏集成块而使用的保护二极管。

这应该是整流滤波电路还有稳压电路组成的 ，其实就是变压器。

一，bai先从一个完整的LED驱动电路原理图讲起du。本文所用这张图是从网上获取，并zhi不代表具体某dao个产品，主要是想从这个图中，跟大家分享目前典型的恒流驱动电源原理，同时跟大家一起分享大牛对它的理解，希望可以帮到大家。那么本文只做定性分析，只讨论信号的过程，对具体电压电流的参数量在这里不作讨论。如图1某LED驱动电路原理图，这是一款可AC/DC输入方式的LED驱动电路，使用无电解电容。是比较典型的LED驱动电路。　　　　二，原理分析：为了方便分析，把图1分成几个部分来讲　　1：输入过压保护---主要是雷击或者市冲击带来的浪涌　　如果是DC电压从“+48V、GNG”两端进来通过R1的电阻，此电阻的作用是限流，若后面的线路出现短路时，R1流过的电流就会增大，随之两端压降跟着增大，当超过1W时就会自动断开，阻值增加至无穷大，从而达到保护输入电路+48V不受到负载的影响）限流后进入整流桥， R1与RV构成了一个简单过压保护电路，RV是一个压敏元件，是利用具有非线性的半导体材料制作的而成，其伏安特性与稳压二极管差不多，正常情况显高阻抗状态，流过的电流很少，当电压高到一定的时候（主要是指尖峰浪涌，如打雷的时候高脉冲串通过市电串入进来），压敏RV会显现短路状态，直接截取整个输入总电流，使后面的电路停止工作，此时，由于所有电流将流过R1和RV，因R1只有1W的功率，所以瞬间可以开路，从而保护了整个电路不被损坏。　　2、整流滤波电路：当交流AC输入时，则桥式整流器是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电路，将交流电转变为直流电。当直流DC（+48V）电压直接进入整流桥BD时，输出一个上正下负的直流电压，如果+48V电源本身也是直流的，那整流桥的作用就是对输入起到的是极性保护作用，无论输入是上正下负还是上负下正都不会损坏驱动电源，通过C1C2L1进行滤波，图3是一个LCΠ型滤波电路，目的是将整流后的电压波形平滑的直流电

LED是一种类似于普通二极管的半导体器件，其电压，电流曲线如图所示。LED的V-I曲线在一定范围内，LED的亮度与电流基本成正比，但当电流超过额定值后，随着电流的增加，亮度几乎不再加强，超过极限电流后，就有可能把发光管烧坏。LED可以用直流驱动，也可以用交流驱动，在液晶彩电中大多采用pWM（脉宽调制）驱动的方式。CCFL背光驱动属于交流高压驱动，其初始点灯电压高达1000V，稳定工作电压也在700V左右；LED是半导体器件，当施加正向电压时，pN结导通，LED器件发光，不同颜色（单只）LED的正向电压（Vf）大约如下：红色LED为2V，绿色LED为3.5V，蓝色/白光LED为3.5-4V。如果施加在LED上的正向LED的V-I曲线电压提高，电流会急剧上升，亮度也上升，直至烧毁。可见，LED是电流型器件，电流和亮度成正比，过压会导致器件烧毁。因此，白光LED的亮度可由管子的电流控制，亮度与电流成正比。一般来说普通LED的驱动电流小于50mA，大电流LED的驱动电流为50-150mA，大功率LED的驱动电流可达150-1000mA。

LED（LightEmittingDiode）是发光二极管的缩写。它是一种半导体发光器件，具有较小的电流就能产生较亮的光。LED驱动电路是将外部电压转换为LED所需的电压和电流的电路。这种电路的原理是通过控制输入电压来控制LED的亮度。LED驱动电路通常由电源、控制电路和输出电路三部分组成。电源为LED提供动力，控制电路调节LED亮度，输出电路将调节后的电流输送到LED上。一般来说，LED驱动电路的输出电流范围在20-200mA之间。如果输出电流过大，LED将烧坏；如果输出电流过小，LED亮度会变暗。因此，控制电路必须保证LED输出电流在合适的范围内。常见的LED驱动方式有直流驱动和交流驱动两种。直流驱动的LED驱动电路结构简单，但效率较低；交流驱动的LED驱动电路效率较高，但结构复杂。总的来说，LED驱动电路的作用是通过调节输入电压来控制LED亮度，保证LED输出电流在合适的范围内，从而提高LED的使用寿命。

led驱动电路原理LED(LightEmittingDiode)驱动电路的主要原理是提供适当的电流来维持LED的正常工作。LED是一种半导体器件，其工作原理是在半导体内通过电子和空穴的结合产生光。在使用LED时，必须保证给它提供适当的电流，否则它可能不亮或者损坏。LED驱动电路通常由电源、控制电路、限流电路和LED组成。电源提供适当的电压和电流来驱动LED，控制电路负责稳定电流，限流电路保证不过大的电流流过LED，以防止LED的损坏。一般来说，LED驱动电路的设计目的是保证LED的安全工作，同时保证LED发光效率最高，这可以通过选择适当的驱动电路结构和参数来实现。总的来说，LED驱动电路是LED工作的关键，它决定了LED的光效、寿命和安全性。因此，对于LED的应用，设计合适的驱动电路是非常重要的。

可以的，但需要考虑一下有可能驱动电路或后级负载部分存在变值，改大了短期内不会烧，时间长了还是有可能烧的，

楼主解决了吗？？？怎么搞的

gpwm接mosg，spwm接moss图中r20得到的电压很高此电路带负压驱动稳压二极管负责负压

理论上单管机是可以改成IGBT模块的，模块电流大于单管单臂总和，耐压大于等于原单管耐压，最少用两个模块，最好同时更换驱动电路板。

几种驱动电路的维修方法(1) 驱动电路损坏的原因及检查凭良学校分享造成驱动损坏的原因有各种各样的，一般来说出现的问题也无非是U，V，W三相无输出，或者输出不平衡，再或者输出平衡但是在低频的时候抖动，还有启动报警等等。当一台变频器大电容后的快熔开路，或者是IGBT逆变模块损坏的情况下，驱动电路基本都不可能完好无损，切不可换上好的快熔或者IGBT逆变模块，这样很容易造成刚换上的好的器件再次损坏。这个时候应该着重检查下驱动电路上是否有打火的印记，这里可以先将IGBT逆变模块的驱动脚连线拔掉，用万用表电阻挡测量六路驱动电路是否阻值都相同(但是极个别的变频器驱动电路不是六路阻值都相同的:如三菱、富士等变频器)，如果六路阻值都基本相同还不能完全证明驱动电路是完好的，接着需要使用电子示波器测量六路驱动电路上电压是否相同，当给定一个启动信号时六路驱动电路的波形是否一致;如果手里没有电子示波器的话，也可以尝试使用数字式电子万用表来测量驱动电路六路的直流电压，一般来说，未启动时的每路驱动电路上的直流电压约为10V左右，启动后的直流电压约为2-3V，如果测量结果一切正常的话，基本可以判断此变频器的驱动电路是好的。接着就将IGBT逆变模块连接到驱动电路上，但是记住在没有100%把握的情况最稳妥的方法还是将IGBT逆变模块的P从直流母线上断开，中间接一组串联的灯泡或者一个功率大一点的电阻，这样能在电路出现大电流的情况下，保护IGBT逆变模块不被大电容的放电电流烧坏，下面就讲几个在维修变频器时和驱动电路有关的实例:(2) 安川616G5，3.7kW的变频器安川616G5，3.7kW的变频器，故障现象为三相输出正常，但在低速时电动机抖动，无法进行正常运行。首先估计多数为变频器驱动电路损坏，正确的解决办法应该是确定故障现象后将变频器打开，将IGBT逆变模块从印刷电路板上卸下，使用电子示波器观察六路驱动电路打开时的波形是否一致，找出不一致的那一路驱动电路，更换该驱动电路上的光耦，一般为PC923或者PC929，若变频器使用年数超过3年，推荐将驱动电路的电解电容全部更换，然后再用示波器观察，待六路波形一致后，装上IGBT逆变模块，进行负载实验，抖动现象消除。(3) 富士G9变频器富士G9变频器，故障现在为上电无显示。接到手估计可能是变频器开关电源损坏，打开变频器检查开关电源线路，但是经检查开关电源器件线路都无损坏，在DC正负处上直流电压也无显示，这个时候要估计到可能是驱动问题，将驱动电路初所有电容拆下，发现有个别电容漏液，更换新的电解电容，再次上电后正常工作。(4) 台达变频器台达变频器，故障现象是变频器输出端打火，拆开检查后发现IGBT逆变模块击穿，驱动电路印刷电路板严重损坏，正确的解决办法是先将损坏IGBT逆变模块拆下，拆的时候主要应尽量保护好印刷电路板不受人为二次损坏，将驱动电路上损坏的电子原器件逐一更换以及印刷电路板上开路的线路用导线连起来(这里要注意要将烧焦的部分刮干净，以防再次打火)，再六路驱动电路阻值相同，电压相同的情况下使用视波器测量波形，但变频器一开，就报OCC故障(台达变频器无IGBT逆变模块开机会报警)使用灯泡将模块的P1和印板连起来，其他的用导线连，再次启动还跳OCC，确定为驱动电路还有问题，逐一更换光耦，后发现该驱动电路的光耦带检测功能，其中一路光耦检测功能损坏，更换新的后，启动正常。

PC929驱动电路很多的,懂事电子设计 Vgongzhong

炸IGBT的原因主要有以下几种：一、驱动电路问题1、驱动电路开关速度太快，造成IGBT关断电压尖峰比较大，损坏IGBT2、驱动电路的门极电压设置不合理，门极正电压太高，减弱驱动保护电路对IGBT的过流及短路保护的能力，负门极电压不够导致不能有效关断或者容易引起IGBT误触发导通二、PWM信号问题如死区时间不够，或者信号本身错误，给IGBT共导信号三、电网质量差，波动大

栅极电阻Rg的作用1、消除栅极振荡 绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。2、转移驱动器的功率损耗 电容电感都是无功元件，如果没有栅极电阻，驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升很多。3、调节功率开关器件的通断速度 栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高，从而产生较大的干扰，严重的将使整个装置无法工作，因此必须统筹兼顾。 栅极电阻的选取1、栅极电阻阻值的确定 各种不同的考虑下，栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取：IGBT额定电流(A) 50 100 200 300 600 800 1000 1500 Rg阻值范围(Ω) 10~20 5.6~10 3.9~7.5 3~5.6 1.6~3 1.3~2.2 1~2 0.8~1.5 不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求，可在其参数手册的推荐值附近调试。2、栅极电阻功率的确定 栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。 IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V，则U=24V，假设 F=10KHz，Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，或2个1W电阻并联。 设置栅极电阻的其他注意事项1、尽量减小栅极回路的电感阻抗，具体的措施有：a) 驱动器靠近IGBT减小引线长度； b) 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线； c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近； d) 栅极电阻使用无感电阻； e) 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻 通常为达到更好的驱动效果，IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度，分别选取 Rgon和Rgoff（也称 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。 IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制，如落木源TX-KA101、TX-KA102等，只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。 有些驱动器只有一个输出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F，这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络，用以调节2个方向的驱动速度。3、在IGBT的栅射极间接上Rge＝10－100K 电阻，防止在未接驱动引线的情况下，偶然加主电高压，通过米勒电容烧毁IGBT。落木源驱动板常见型号上(如：TX-DA962Dx、TX-DA102Dx)已经有Rge了，但考虑到上述因素，用户最好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。

从电路上看，是为了将Fault信号与控制电路隔离，最左边的Fault_IGBT信号端应该是接到控制芯片（比如MCU）的，电路里的发光二极管是用来显示错误信号的，不过它这个电路里的位置有点怪，它应该是在R2的下端，光耦的上专端和Fault_IGBT信号属端都应该接到它的阴极才对啊。这样有错误信号的时候灯会亮，而且MCU也会检测到明确的错误信号

【1】两个三极管构成推挽驱动（即：Q11和Q9以共发射极方式工作有很低的输出阻抗，Q11在脉冲上升沿导通，Q9则负责在下降沿导通），以保障驱动脉冲有陡峭的边沿，降低IGBT的功耗；【2】关于4个并联的电阻，可能是你绘制的电路有错，根据此图，一下子看不出它们的作用。但因为它们是串联在IGBT的发射极，按常识估计应该是电流采样电阻，正确地电路应该是，一端接发射极，另一端接地或者电源的中点（如果采用的是双电源）。采用4只电阻并联的原因是为了得到很小的电阻和增加电阻的耗散功率，因为IGBT在工作时发射极会有非常大的电流，通过采集它们上面的电压检测IGBT的工作电流。

不清楚你指的是那种具体的板，但是驱动电路与IGBT之间的电路板一般是栅极保护板或者是驱动放大板，栅极保护板起到保护IGBT栅极，防止电压过高烧毁IGBT的作用，驱动放大板一般用在较大功率的变频器上，这是以为大功率的变频器所使用的IGBT功率比较大，一般的驱动电路无法驱动这么大功率的IGBT，这就需要对驱动信号进行放大，因此需要加一块驱动放大板，起到增大驱动功率的作用。

本人新入门学习，请问这是哪本书呀？谢谢！

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IGBT成为绝缘栅型场效应管GTO门极可关断晶闸管GTR巨型晶闸管MOSFET如果你采用的是王兆安的第五版的那么书上的结论如下：1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：原方N1到副方N2出项两种导通：正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTOC1放电—R2—V2—L—GTO反向关断：C4放电—关断GTO—门级—L—V3剩下三种推到方法类似....2GTR:图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下：1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点： 原方N1到副方N2出项两种导通： 正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTO C1放电—R2—V2—L—GTO 反向关断：C4放电 —关断GTO—门级—L—V3 剩下三种推到方法类似....2 GTR: 图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路3 MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。输出特性与转移特性：IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。IGBT与MOSFET的对比：MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

对于大功率igbt，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压vge负偏压-vge和门极电阻rg的大小，对igbt的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压的变化对igbt的开通特性、负载短路能力和dvce/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dvce/dt电流引起的误触发等问题(见表1)。表1igbt门极驱动条件与器件特性的关系由于igbt的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响igbt能否正常工作。为使igbt能可靠工作。igbt对其驱动电路提出了以下要求。1)向igbt提供适当的正向栅压。并且在igbt导通后。栅极驱动电路提供给igbt的驱动电压和电流要有足够的幅度，使igbt的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证igbt不退出饱和区。igbt导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，vge越高，vds傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是，vge并非越高越好，一般不允许超过20v，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，igbt损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15v为宜。2)能向igbt提供足够的反向栅压。在igbt关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的igbt处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的igbt加一反向栅压(幅值一般为5～15v)，使igbt在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。igbt栅极极限电压一般为+20v，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于igbt多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)igbt的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有igbt的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

安装步骤：1、IGBT模块的安装：为了使接触热阻变小，推荐在散热器与IGBT模块的安装面之间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时，在散热器或IGBT模块的金属基板面上涂敷。如图1所示。随着IGBT模块与散热器通过螺钉夹紧，散热绝缘混合剂就散开，使IGBT模块与散热器均一接触。2、螺钉的夹紧方法：螺钉应以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。如果该力矩不足，可能使接触热阻变大，或在工作中产生松动。反之，如果力矩过大，可能引起外壳破坏。将IGBT模块安装在由挤压模制作的散热器上时，IGBT模块的安装与散热器挤压方向平行，这是为了减小散热器变形的影响。扩展资料：gbt接线注意事项：1、栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，IGBT在包装时将G极和E极之问有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触G极，直到 G极管脚进行永久性连接后，方可将G极和E极之间的短接线拆除。2、在大功率的逆变器中，不仅上桥臂的开关管要采用各自独立的隔离电源，下桥臂的开关管也要采用各自独立的隔离电源，以避免回路噪声，各路隔离电源要达到一定的绝缘等级要求。3、在连接IGBT 电极端子时，主端子电极间不能有张力和压力作用，连接线（条）必须满足应用，以免电极端子发热在模块上产生过热。控制信号线和驱动电源线要离远些，尽量垂直，不要平行放置。4、光耦合器输出与IGBT输入之间在PCB上的走线应尽量短，最好不要超过3cm。5、驱动信号隔离要用高共模抑制比（ CMR）的高速光耦合器，要求 tp《0.8μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250 等。6、IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管，用接插件引线时，取下套管应立即插上引线；或采用焊接引线时先焊接再剪断套管。

这个不好说，具体要看你的驱动器驱动能力如何，还要看你选择的IGBT类型。一般我们先选择好满足要求的IGBT，通过计算IGBT驱动峰值电流，IGP=【Vge（on）+Vge（off）】/Rg，之后再选择驱动器的电流驱动能力大于2倍IGP的驱动器。只要满足这个条件，一个驱动器能同时驱动两个igbt应该没有问题

IR2110不隔离，不能起到光耦的隔离作用

两个芯片的工作电压不同，单片机或FPGA这面是5V，驱动电路这面要求是正负15V，加光耦最简单可靠。

IGBT成为绝缘栅型场效应管GTO门极可关断晶闸管GTR巨型晶闸管MOSFETx0dx0a如果你采用的是王兆安的第五版的那么书上的结论如下：x0dx0a1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：x0dx0a原方N1到副方N2出项两种导通：x0dx0a正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTOx0dx0aC1放电—R2—V2—L—GTOx0dx0a反向关断：C4放电—关断GTO—门级—L—V3x0dx0a剩下三种推到方法类似....x0dx0a2GTR:图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路x0dx0a3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。

输入信号“高电平”，上方三极管（2N3904）导通，下方三极管（2N3906）关断，输出高电平（信号电阻更小，驱动力更强），推动IGBT导通。输入信号“低电平”，上方三极管（2N3904）关断，下方三极管（2N3906）导通，输出低电平，促使IGBT关断。

【答案】：电力MOSFET及IGBT均为电压驱动型器件，在静态条件下栅极输入阻抗很高，因此驱动电路几乎不需要提供驱动电流及驱动功率。但由于电力MOSFET、IGBT存在输入电容Cin，当需要器件开通或关断时需要驱动电路对输入电容充电或放电，以建立和消除驱动电压，因此当器件开关和关断瞬间，驱动电路需要提供驱动电流，当需要器件开关速度很快时，驱动电路需要提供的脉冲驱动电流峰值也很高。

近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种高性能、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程，栅极电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。　　（4）驱动信号有时要求电气隔离。以PWM DC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离最为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。

太多了 问详细点

igbt驱动电路,说白了就是把您的控制信号（DSP,ARM,MCU,PLC等）隔离放大后，具有一定的电压（正负压）和电流输送给IGBT，从而控制IGBT通断。另，你附图的这个型号还有检测IGBT Vce 提供过流保护功能附件中有一份中文说明书，你可以参考下

为本地器件提供能量的储能器件。从电子网得知igbt驱动电路的电解电容作用是为本地器件提供能量的储能器件。电容是电容量的简称，用于表征电子元件在给定电势差下的储电能力，常用字母C表示。