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　　Moscow（莫斯科）　　国家: 俄罗斯　　区: 中央联邦管区　　位置: 北纬55度45分，东经37度36分　　海拔: 130-253 米　　面积: 1081 平方公里　　人口: 10 472 629 (2007年资料)　　市长: 尤里·卢日科夫　　建城时间: 1147年　　时区: UTC +3（夏季：UTC +4）　　市徽：神奇勇士格奥尔基手持长矛刺杀毒蛇。　　市旗：红旗，其中间是市徽。　　官方网站: www.mos.ru　　莫斯科，现俄罗斯联邦首都，也是俄罗斯政治、经济、科学文化及交通中心。整个莫斯科人口达到了14,612,602（市区人口：10 472 629），是欧洲人口最多的城市，占据了整个俄罗斯人口的1/7。莫斯科面积1,081 平方公里，市区东西长30公里，南北长40公里。莫斯科建城于1147年，迄今已有800余年的历史。　　地理位置　　莫斯科州位于奥卡河和伏尔加河之间，南部与图拉州接壤，西南部与卡卢加州为邻，西部与斯摩棱斯克州毗邻，西北和西部与特维尔州为邻，东北部与雅罗斯拉夫尔州接壤，北部和东北部与弗拉基米尔州为邻，东南部与梁赞州交界。　　莫斯科地处俄罗斯欧洲部分中部，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。现有人口800多万，是世界特大都市之一和欧洲最大的城市。莫斯科市区被一条周长109公里的环城高速公路所包围，市区南北长40公里，东西长30公里，面积1000多平方公里。　　莫斯科和伏尔加流域的上游入口和江河口处相通，直通诺夫歌罗德，向西延伸，向下沿莫斯科河通向奥卡河并沿奥卡流向梁赞，沿着温赞在木金面汇合，克拉齐母河，而再沿着则流向罗斯托夫，苏兹达尔，雅罗斯拉夫尔流域。　　行政区划　　1991年以后，莫斯科市被划分为10个行政区域，分别是　　中央区（Центральный）　　北区（Северный）　　东北区（Северо-Восточный）　　东区（Восточный）　　东南区（Юго-Восточный）　　南区（Южный）　　西南区（Юго-Западный）　　西区（Западный）　　西北区（Северо-Западный）　　绿城区（Зеленоградский）　　人口概况　　2002年10月人口普查统计，莫斯科常住人口为1000万，连同外来人口约为1200万。人口平均密度7700人／平方公里，中心部分人口密度高达29000人／平方公里。根据1976年的人口统计，居 民中女性占55％，比男性多77.4万人，人口自然增长率极低，仅为0.25%。　　1968年全市分为30个区（包括环城公路外的新兴城镇泽廖诺格勒），其中13个内城区的人口、面积均少于17个外城区。人口中俄罗斯人占89．2％，其余为犹太、乌克兰和鞑靼人。　　从1897年到1926年，莫斯科的人口从103．9万人增加到208万人。从1926年到1939年，莫斯科居民增加了2．2倍，达到460．9万人。第二次世界大战以后，莫斯科的人口继续增加，但速度有所缓慢。1959年为613．3万人，1970年为719．4万人，1979年为814．2万人，1995年为887．5万人，1989年为897．2万人。自1989年以后，莫斯科的人口开始呈下降趋势，1993年为871．7万人，1997年为863．9万人，1998年为850万人，2000年为838. 9万人。2002年10月人口普查统计，常住人口为1000万，连同外来人口约为1200万。　　人口平均密度7700人／平方公里，中心部分人口密度高达29000人／平方公里。居民中女性占55％，比男性多77．4万人（1976），人口自然增长率极低，仅为2．5‰（1976）。　　气候特点　　莫斯科位于俄罗斯平原中部、莫斯科河畔，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。大莫斯科（包括环城公路以内地区）面积900平方公里，包括外围绿化带共为1725平方公里。地势平坦，仅西南部有捷普洛斯坦斯卡亚高地（最高点253米）。大陆性气候，年降水量582毫米，降雪量大，平均年积雪期长达146天（11月初—4月中），冬季长而天气阴暗。1月平均气温－10．2℃（最低－42℃），7月平均气温18．1℃（最高37℃）。全市绿化面积约占总面积的1／3，是世界上绿化最好的城市之一。从飞机俯瞰莫斯科，映入眼帘的是蓝天下葱绿的树丛和清沏透明的河湖，城市整洁干净。冬季寒冷，最低气温曾达零下43摄氏度。夏季高温。五月和九月是最好的旅游季节。每年从9月底开始进入寒冷时期直到第二年的5月中旬。从11月底到 4月中旬为降雪时间，冬季结束时降雪深达35cm。　　历史沿革　　莫斯科是一座历史悠久和具有光荣传统的城市，始建于12世纪中期。　　莫斯科市名来源于莫斯科河，关于莫斯科河的语源，说法有三：低湿地（斯拉夫语）、牛渡口（芬兰－乌戈尔语）、密林（卡巴尔达语）。莫斯科市作为居民点最早见诸史册是在公元1147年。1156年，莫斯科奠基者尤里·多尔哥鲁基大公在莫斯科修筑泥木结构的克里姆林城堡。“克里姆林”一词，一说源出希腊语，意为“城堡”或“峭壁”；一说源出早期俄语词“克里姆”，指一种可作建材的针叶树。后来在克里姆林城堡及其周围逐渐形成若干商业、手工业和农业村落。13世纪初成为莫斯科公国的都城。14世纪俄国人以莫斯科为中心，集合周围力量进行反对蒙古贵族统治的斗争，从而统一了俄国，建立了一个中央集权的封建国家。　　15世纪中期莫斯科已成为统一的俄罗斯国家的都城，一直到18世纪初。1712年彼得大帝迁都圣彼得堡，但莫斯科仍是俄罗斯最大的经济、政治和文化中心，仍发挥着俄国第二都城的作用。1755年建立俄国第一所大学——莫斯科大学（今莫斯科国立罗蒙诺索夫大学）。1812年拿破仑率领的法军占领莫斯科后，这个城市在大火中焚毁，但很快又重新建设起来。1813年成立莫斯科城市建设委员会，开始大规模城市改建。1851年通铁路。　　1917年十月社会主义革命期间，莫斯科紧随彼得格勒之后，也举行了武装起义，建立了苏维埃政权。苏维埃政府和共产党中央委员会于1918年3月从彼得格勒（后改名圣彼得堡）迁到莫斯科，1922年12月莫斯科正式成为苏联首都，也是世界上第一个社会主义国家即苏维埃社会主义共和国联盟的首都。　　1960年，政府附近一些城镇纳入城市范围，组成大莫斯科区。1987年，莫斯科市政当局将每年9月的第一个双休日定为城庆日，举行各类城庆活动。1991年12月21日苏联解体，莫斯科成为俄罗斯联邦的首都。　　【历史背景】　　莫斯科建城于1147年，迄今已有八百多年的历史。俄罗斯首都莫斯科在希腊语中为“城堡”之意，斯拉夫语为“石匠的城寨”。莫斯科地处俄罗斯欧洲部分中部，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。现有人口900万。在欧洲，莫斯科算得上是比较古老的城市。莫斯科建城于1147年，迄今已有八百多年的历史。八百多年间，俄罗斯有着几次较大的历史变迁。　　【发展】　　1156年建城堡。十三世纪初为莫斯科公国都城。十五世纪末至1712年为俄国首都和最大工商业中心。十九世纪六十年代后工业迅速发展。1918年3月起为苏俄首都。　　莫斯科从最开始建立之初就首先考虑到了坚固性、可靠性，起初从莫斯科的南部和东部游牧部落的联盟经常威胁着它，而在西部的立陶宛和波兰的军队也虎视眈眈。所以弗拉基米尔、特维尔、诺夫哥罗德盟军同时建立了坚固的保垒。　　在库林尔夫战役胜利之后（1390年之后及1480年《伊万三界观 鸟可拉》记载）当时一位象古不河洲米到了莫斯科，从此莫斯科公国迅速壮大起来。古十五世纪时莫斯科人口的数量、领土面积已经超过了伦敦，布拉格和欧洲一些大的城市。1861年农牧制度被废除后，资本主义在俄罗斯盛行起来，莫斯科逐渐发展壮大，它已经成为巨大的工业和贸易中心。　　十九世纪米古莫斯科各类工业和贸易的企业已达20000多个，其中工业企业有10000多个，工人人数达到12万人，不少于16人的中小型的企业占绝大多数，但只有2%的企业人数超过50人。　　在莫斯科的工业企业中纺织工业占多数，多数是建筑业，木材加工业、食品加工业、造纸业、制革业、汽车制造、工具生产厂家等等。　　在莫斯科工业发展百年历程中初期已经达到了比较高的社会化生产。　　在1910年莫斯科6%大企业中集中了大约49%的工人。在那段时间里，超过500或更多的工人被认为是大型的企业。在工业大发展阶段，外国的资本工业大量涉入，莫所有的化学企业和电子技术企业都掌握在外国财团的手里。（如德国工业巨头）　　1917年的十月革命胜利后，在莫斯科大力发展了汽车制造业（从车床制造到手表制造），从轴承加工到小汽车生产，纺织加工，它极大地推动了金属加工业的发展。　　莫斯科所谓的"印花的"大企业不得不退出了汽车制造业和电子技术业生产线，无线电技术，代表生产等领域。生产生活必需品为国家保障自给具有深远意义。莫斯科成为俄罗斯工业强劲的生产和技术基地。　　在战争年代城市工业的结构转变到汽车制造业和金属加工业。　　【重要历史事件】　　莫斯科保卫战：　　指第二次世界大战,苏德战争中一次会战，于1941年10月至1942年1月期间，苏联军队保卫其首都莫斯科及其后反攻德军的战役。莫斯科保卫战包括苏军为保卫莫斯科并粉碎向莫斯科进攻的德军“中央”集团军群各突击集团而实施的一系列防御战役(1941年9月30日—12月5日)和进攻战役(1941年12月5日—1942年4月20日)。　　莫斯科保卫战胜利打破了德军不可战胜的神话，使其遭到无法弥补的物质损失。德军的失败使德军士气更加低落，在冬季战局中，35名高级将领，其中包括布劳希奇元帅、博克元帅、古德里安上将、施特劳斯上将等被撤职。为战争形势的根本扭转奠定了基础，从而成为20世纪“一个冬天的神话”。

is snowing

怎么查看NSS的版本可执行命令yum info nss.x86_64在我的系统跟OpenSSL可共存并不冲突

草

不知道哦

好吧 我发个列表给你

前者放置后者重叠放置

在ios上，如果有一个宽度100%的swiper，在自动向右翻页时，后面一页的左边会闪一块白色 经过多次各种试验，我发现了这个问题的原因 应该是ios判断后面一页这个dom没有在屏幕上显示，所以没有渲染它，等到滚动到屏幕内时候开始渲染，所以出现的短暂的白屏。 发现这个原因后，我让每个swiper-slide左边多出来一块padding，这样在显示当前的swiper-slide时，也有一小块下一页的swiper-slide在屏幕中，所以系统就会去渲染这个dom 就是加上如下的css

在做一个移动端项目时，用swiper 做的页面切换，但是页面里面还会有swiper轮播图 和其他内容，在滑动外部swiper时，除开里面swiper的元素会发生闪动的情况。 解决方法：给外部元素的父标css套一个：transform:translate3d(0,0,0);overflow:hidden; 闪动元素/子元素：transform:translate3d(0,0,0) 这样就解决了页面闪动的问题 文章转自CSDN

也算不错啦我也用过下

我的理解：往下推，反方向用力压紧旋转打开。

CLOSETIGHTLY

拧紧（瓶盖）

CLOSETIGHTLY是治什么的

NOS的工作原理是把N2O（一氧化二氮，俗称"笑气"(LAUGHGAS)）形成高压的液态后装入钢瓶中，然后在发动机内与空气一道充当助燃剂与燃料混合燃烧（N2O可放出氧气和氮气，其中氧气就是关键的助燃气体，而氮气又可协助降温），N2O高温时产生两个氮原子一个氧原子，氧原子助燃，氮原子给气缸降温。以此增加燃料燃烧的完整度，提升动力。 由于NOS提供了额外的助燃氧气，所以安装NOS后还要相应增加喷油量与之配合。正所谓“要想马儿跑得快，就要马儿多吃草”，燃料就是发动机的草，这样发动机 的动力才得到进一步的提升。 NOS 与涡轮增压和机械增压一样，都是为了增加混合气中的氧气含量，提升燃烧效率从而增加功率输出，不同的是NOS是直接利用氧化物，而增压则是通过外力增加空气密度来达到目的的。也许有人会问为什么不直接使用氧气而用N2O呢？那是因为用氧气难以控制发动机的稳定性（高温和爆发力）。 储存N2O的专用储气罐净重约6.7kg，充满N2O后约11kg。按照每次使用1min来算（专家建议NOS系统每次使用时间不可超过1min，一瓶气可以用3538次左右。 根据一辆夏利2000的实际使用情况，其1.342L的8A发动机加装NOS后，其0~100km/h加速时间减少了23%，而功率提升了21kw。

我也遇到同样的问题，请你您的问题解决了吗 是如何解决的？求帮助！

当第一次遇到这种问题的时候，你可能会有如下的问题：其实，你真正想问的是：TCP通道是一个连接，连接的两端都可以向通道里写数据或者从通道里读数据，连接的两端都可以发起关闭操作。整个TCP通道的关闭流程如下：A(socketfd:10) <——–TCP Connction ———-B(socketfd:20)关闭A，则A向B发送FIN;如果程序显式的关闭了B，那么B会向A发送一个FIN，然后B就处于LAST_ACK状态了；A在接受到B的FIN后，发出最后一个ACK，此时A就处于知名的TIME_WAIT状态了。TIME_WAIT时间一般会比较长。尽量避免TIME_WAIT过多的一端主动关闭socket使用SocketPool，避免频繁创建/关闭socket提到Thrift ThreadPoolServer有时候会出现较多的close wait状态，有朋友问我这是不是thrift的bug？写过Server比较多的同志们应该能意识到这个问题的原因，不值得说，可是我今天实在是太郁闷无聊了，我就写写我的想法吧。我觉得这当然不能算是Thrift的Bug，如果出现了这样的问题，其实是因为错误的选择了Server的类型，错误的实现了Client，过于保守的Server Max Connection配置等等原因。对于ThreadPoolServer而言，每一个客户端连接，Server端都需要提供一个固定的线程来维护，在空闲时，线程堵塞在read()操作，等待客户端数据的到来。Thrift ThreadPoolServer中使用的默认线程池是定长线程池，意味着Server端能提供的线程池数是有限的。当线程用完时，新的连接将不能得到Server殷勤的服务，它不会在乎你的生死，你必须等待。Server会接受这个连接，连接成功建立；Server没有合适的线程来处理这个连接，于是将这个连接放到暂存列表；如果这个时候有线程空闲了，则一切顺利，这个线程将接管这个连接；但遗憾的是，我们没有空闲线程，所以这个连接一直处于空闲状态，直到客户端程序timeout(如果设置了timeout的话)；连接timeout，意味着暂存列表里的连接已经失效了，此时对应的socket处于CLOSE_WAIT中（出现了本文开头的情况），遗憾的是，我们依然没有空闲的线程来处理这个连接，所以它一直处于CLOSE_WAIT中。终于，某一个时刻，有一个客户端关闭了连接，我们有了空闲线程，它去查看暂存列表。发现有一个socket fd，尝试去接管它，对这个fd执行read()，然后得到一个Connection Reset error，终于，我们可以优雅的关闭它了（CLOSE_WAIT结束）。以上就是全部的故事。

一个特定mos管的阈值电压是固定的。你如果说的是，对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，mos管会怎么样的话。如果对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，会损坏mos管。

没开启时，VGS=0,不会烧坏；开启后，Vgs压差逐渐增大，约-46V，会烧坏MOS

在没超过栅-源击穿电压时候管子的DS等效降低 压降减小 超过GS击穿电压之后管子永久击穿

你说的 条件刚好是反了。你没有好好理解那个公式的含义。

这种测试方法是最简单安全的也是比较典型的。

1，MOS管开关与否与VDS没有关系，开状态并不对应MOS管的饱和区。2，你的理解正确，VGS只要大于阈值电压就算导通。

你的理解有误，以增强型N-MOS为例，只要Vgs大于阀值电压（阀值电压一般是2-4V），ds就导通，而且电流是双向的，电流从D-S或者从S-D都是导通的，Vgs一旦小于阀值电压，MOS就截止了，ds则不会有电流，无论从D-S或者从S-D，但大多数增强型N-MOS的ds内部有一个寄生二极管，S为阳极，D为阴极，所以就算MOS截止，由于寄生二极管的存在，电流从S-D也是有电流的，但从D-S是没有电流的。

MOS管所加的Vgs大于所规定的最大值，会损坏mos管。目前市面的MOS管一般Vgs是±20V。如果应用在高于此电压，一般要加个稳压管，如16V。或是分压保证Vgs低于20V

有范围的，我做过600V的mos管，VGS范围在±30，具体你去看看低压mos的PDF文档

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。扩展资料NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

增强型MOS管导通的时候，UGS是正值，一般高于2-4V（正电压，即G点的电压高于S点）。如果是截止的话，可以小于2-4V，负电压也是可以的（用于彻底关断）。

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

在GS端加TVS管钳位Vgs电压。

是的，是相反的。

Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。

一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。case1：Vds<Vgs-Vt，Vt是阈值电压，MOS处于线形区，Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5[]^x代表[]的内容的x次方 ------------------------------------------------------------------你还有啥是已知的啊？ 请你完整的把已知的参数以及最后要求的东西告诉我。。。就是把题目原样说下 ------------------------------------------------------------------注意，你现在已经有了Id和Vg关系对应曲线和数据了对吧？针对case2而言，先用Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]这个式子应为你知道了Vg，也知道了Vt和Id，这些数据又是对应于同一个管子的，所以上面那个式子的参数u、Cox、W和L都不用管，姑且认为u*Cox*（W/L）是一个完整的参数k；现在利用随便一组数据都可以得到这个k，即利用Id = 0.5*k*[（Vgs-Vt）^2]求。然后直接带到g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5 = [2k*Id]^0.5 求跨导即可

图中的虚线为预夹断的轨迹。它是各条曲线上市Uds=Ugs-Ut 的点连接而成的。超过此点，即Uds的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看，id几乎不因Uds的增大而变化，管子进入恒流区，id几乎决定于Uds。

问题1，你所说的并不矛盾，VGS变大，RDS就变小，ID当然变大了。问题2，VGS超过门限电压即VGS(th)只能说明MOS开始受控，进入的应该是线性区，VGS电压小于VGS(th)应该是截止的，就像图上的VGS在2.5V一下ID是没有的。MOS当开关使，要进入饱和区，区间内ID不会因VGS的变化而变化较大。VGS电压一般为5-10V，一般达到10V应该可以当成完全导通了。

不是。NMOS的话，导通电压（Ugs）只要2-4V 就可以导通，经常有人把单片机或数字芯片输出的5V来控制NMOS导通。而Vds，就我上次做的电流源看，VDS在5-18V之间完全都能工作。再多的没试，应该比现在的5-18V范围更大。

先是MOS管，我们都知道MOS管有NMOS和PMOS。PMOS管我们在一些负载开关电路里面见的比较多，还有电路总电源输入级的开关控制一般也都是用的PMOS管，像下面这样，这熟悉的形态。而NMOS管则在开关电源以及信号开关上用的比较多。这里以一个NMOS做个例子来看看MOS管的datasheet，选的TI的CSD18540Q5B这颗60V的NMOS管，下面是它手册第一页的一个数据表，简单的5个项目就概括了这个MOS管最重要的参数。其实不光是MOS管啊，其他各种类型的器件，它datasheet的第一页通常都是蕴含着它最关键的参数，只不过不同类型器件，所关注的参数不同而已。真是非常重要的第一页。Vds这个值直接决定这个MOS管能不能用在你要的应用场景之下，就好比你给12V电压选一颗电容，你肯定第一眼就去看耐压大于12V的电容，或者保守一点，直接选耐压25V的电容一样。Vds就是这个MOS管的耐压。2. Vgs(th)这个估计不少同学也都知道它是想让这个MOS管打开，所需要提供给G级的一个阈值电压。与这个参数相关的其实还有两个参数也很重要，只是上图的表格里没写而已，在其他地方写了（如下图的absolute maximun ratings），那就是Vgs的范围以及Id电流的大小。这个Vgs的阈值也许你不会忘记，但是Vgs的范围，有时候经常被忘记，以至于实际使用的时候Vgs超过了MOS管允许的范围。3. Id这个MOS管能够通过的最大电流，当然如果用在电源电路上，这个参数也是很重要的，并且要留一定的余量，最好最大只使用Id最大电流的2/3，如果你对你电路板的散热设计不是很有信心的话。另外Id的值根据不同的Vgs也会有一点变化。4. Rds(on)再回到第一个图上的导通电阻Rds(on)，这个参数直接决定MOS管的导通损耗。MOS管导通就相当于一个电阻，而只要一个电阻通过电流就会发热（I2R 太简单了），而这个Rds(on)就是这个等效电阻，当然是越小越好。另外这个Rds(on)的大小也跟Vgs有关联，所以不要问为啥Vgs不只控制在比Vgs(th)大一点点不就行了吗？5. Qg和Qgd最后这两个电荷量也许有不少人就不太清楚了。如下图标了下这两个参数的位置。开启MOS管的过程就是外部驱动源往G级输送电流给管子的电容充电的过程。MOS管子可不是你想打开瞬间就可以打开的，因为MOS管内部级间电容的存在（如下图MOS管模型），外部驱动源驱动电流给电容充电，然后G级电压慢慢升高，当到达Vgs(th)之后管子才会初步打开。如果驱动的电流越大，意味着电容上电压上升的也越快（还记得那个电容电压电流的公式吧，见上一篇）。当上升到一定程度之后，会遇到一个平台，如上图。叫做米勒平台，之后Vgs才会继续上升。好了因为有这个"缓慢"的充电过程的存在，尤其是还有这个一个等待的平台期，MOS管又多了一种损耗叫做开关损耗。总体来说就是因为MOS管在开和关的过程中不能瞬间完成，导致比如从打开到闭合的时候，Vds降到0和Id电流上升之间有一个交叉区域，其VI面积就是这个开关损耗。如下图。最后简单说下二极管，其实二极管很简单，只提一下它的反向恢复问题，如下图，当二极管正向导通，然后瞬间施加反向电压的时候，其电流并不会瞬间变为0，而是有一个反向的恢复电流Irr的存在，可以理解为某一瞬间二极管反向导通了，当然只经过一小段时间慢慢变回0，这就是二极管的反向恢复。MOS管内部都有体二极管，而这个反向恢复现象也会成为MOS管损耗的一部分。当然二极管只要正向导通它也就会产生损耗，总之二极管这个东西正着反着感觉都跟损耗脱不了干系，用电池供电的电路一定要慎用啊。

很高深。

类似这样的问题我好像回答好多次了MOS依照其“通道”的极性不同，可分为"N"沟与‘p“沟的MOSFET，结构如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

关闭电压的最大值，就是最大-20V不会烧坏。是否导通看门限电压

PMOS管的Vgs和Vds各加什么样的电压正向还是反向？

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

AO4410 低开启电压 大电流 SOP-8封装

mos管中G代表栅极，S代表源极。电压是相对的，所以Vgs是栅极相对于源极的电压。

只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。但是Vgs继续加大，比如IRFPS40N60K，Vgs=100V时，Vds=0和Vds=400V，两种情况下，对管子功能带来什么影响，若烧坏，原因和内部机理过程是怎样的呢?Vgs增大会减小Rds(on)减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率1)MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电，2)MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大;Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积累。3)MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小4)MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升

你的锂电池电压多少？我上次用的是IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。

PMOS 管的VGS 同样也有正和负。MOS 管的VGS一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高VDS 的耐压承受力。比如说+12V 是开启MOS, -5V 是关闭MOS。是不是你对地的概念有困惑？

N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

首先，你的MOS管是耗尽型。因此当你的VGS电压为0V时，管子导通。一楼说错了，大家别学他。这个原理是：在制作管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS有负电压时，即VGS小于0V，那么管子由导通开始慢慢变的截止。至于什么时候截止，看你的VGS电压是多少。比如VGS=-5V时，管子截止（具体参数看你用的这个MOS管数据手册）。

MOS管的饱和与否，不是只看一个UGS参数，而是要与UDS结合起来看。如果不考虑击穿特性的话（也就是MOS管的第4个区，雪崩区也就是击穿区，这部分内容要参考《电力电子技术》），那么基本上可以认为，在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区，顺着曲线往左边走，会有一个预夹断点，也就是Uds=Ugs-Ugs(th)，这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线，过了这个点就可以认为是可变电阻区了。

一般制造商会给出MOSFET开启电压的阈值大概在2---4伏之间，有些的P沟通的管子开启电压Z在—3----—5v之间，你是要测得它的具体的开启电压，还是测得管子工作时的VGS呢，如果测开启电压你就慢慢在栅极加电压，使得ID迅速增大的点电压既是，一般ID会从几十或几百μ安培一下增加到几十毫安或几安培的。。。。。如果你要测得管子工作时的电压的话，要分两块，一个是静态的，一个是动态的，静态的是指，直流电压，每一个直流电压对应一个ID这个关系可以在MOSFET的输出特性上找到，而动态的是指交流电压的影响，这个和MOSFET的电导gfs有关的，要区分分看的。

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即Vod1=Vgs-Vth；Vod2=Vds-Vth；如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。

类似这样的问题我好像回答好多次了MOS依照其“通道”的极性不同，可分为"N"沟与‘p“沟的MOSFET，结构如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

N沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越大。P沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越小。如有帮助请采纳，手机则点击右上角的满意，谢谢！！

这个问题确实不会

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

Vgs标称耐压一般在20~30v左右，过高管子会击穿啊，Vgs过高会击穿SiO2氧化层，从而使G和衬底短路，沟道永久性破坏掉，烧管子造成了永久性破坏

mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

Vgs是MOS管的驱动电压，首先分NMOS和PMOS然后又分增强型和耗尽型一般情况下，增强型NMOS管的Vgs是一个大于0的电压，插件型的一般是12V左右，贴片型的可以做到5V耗尽型的开启电压跟增强型的差不多，但是其关断电压是一个负电压，实际用的不多PMOS与NMOS电压相反。

各型号具体数值不同，一般正负2V都能导通了，最高一般在正负10V左右。

Vgs 是MOS管栅极和源极间之间的电压。

加州 Prop 65 法规里面的擦拭铅镉的测试方法。

美国职业安全健康研究所制定的允许暴露限制：NIOSH 指national institute of occupational safety and health，REL表示recommended exposure limit

美国食品和药物管理局(Food and Drug Administration)简称FDA，FDA 是美国政府在健康与人类服务部 (DHHS) 和公共卫生部 (PHS) 中设立的执行机构之一。作为一家科学管理机构，FDA 的职责是确保美国本国生产或进口的食品、化妆品、药物、生物制剂、医疗设备和放射产品的安全。NIOSH, National Institute for Occupational Safety and Health 国家职业安全与健康研究所，是关于“职业安全卫生”方面的标准。美国职业安全与卫生研究所NIOSH(The National Institute for Occupational Safety and Health)是一个联邦机构，对各种各样的安全和健康问题进行研究，为OSHA提供技术上的协助，推荐标准给OSHA负责科学研究并提出建议,以预防职业病及工伤.NIOSH隶属于美国卫生与人事部的疾病控制与预防中心(CDC)。

NIOSH认证释义N95型口罩，是NIOSH（美国国家职业安全卫生研究所）认证的9种防颗粒物口罩中的一种。“N”的意思是不适合油性的颗粒（炒菜产生的油烟就是油性颗粒物，而人说话或咳嗽产生的飞沫不是油性的）；“95”是指在NIOSH标准规定的检测条件下，过滤效率达到95%。N95不是特定的产品名称。只要符合N95标准，并且通过NIOSH审查的产品就可以称为“N95型口罩”。NIOSH: National Institute for Occupational Safety and Health美国国家职业安全卫生研究所，是国际知名且重要的职业安全卫生研究机构，主要从事职业安全与卫生科学研究，就与工作有关的伤害和疾病的预防提出建议。该所隶属于美国卫生与人力服务部疾病预防控制中心。

niosh认证是美国国家职业安全卫生研究所的认证。美国国家职业安全卫生研究所，是由美国卫生、教育和福利部根据美国职业安全法于1971年组建的。其宗旨是修订和制订新的职业安全卫生标准，培训职业安全卫生专业人员。NIOSH的研究范围为：有毒有害物质；粉尘；工业产物；生物（动物与植物）；噪声与振动；电离辐射；紫外、可见光与红外辐射；射频辐射；热环境；通风、空调与工艺过程；电动机；起重、运输与贮存设备；各类事故；职业病理学劳动生理学；劳动条件；职业危险预防的理论与分析；工业或各行业特殊部门的结合性研究。niosh认证分类1、根据口罩中间滤网过滤特性分为：N系列：N代表Notresistant to oil，可用来防护非油性悬浮微粒。R系列：R代表Resistant tooil，可用来防护非油性及含油性悬浮微粒。P系列：P代表oilProof，可用来防护非油性及含油性悬浮微粒。2、按滤网材质的过滤效率，又可将口罩分为下列三种等级：95等级：表示过滤效率为95%。99等级：表示过滤效率为99%。100等级：表示过滤效率为99.97%。

NIOSHNational Institute for Occupational Safety and Health 国立职业安全与健康研究所是关于“职业安全卫生”方面的标准。美国职业安全与卫生研究所NIOSH(The National Institute for Occupational Safety and Health)是一个联邦机构，对各种各样的安全和健康问题进行研究，为OSHA提供技术上的协助，推荐标准给OSHA负责科学研究并提出建议,以预防职业病及工伤.NIOSH隶属于美国卫生与人事部的疾病控制与预防中心(CDC).

nioshn95是美国的口罩，是NIOSH认证的9种颗粒物防护口罩中的一种。N95是NIOSH制定的标准，由职业安全和健康协会NIOSH制定的标准。N95型口罩，是NIOSH美国国家职业安全卫生研究所认证的9种防颗粒物口罩中的一种，“N”的意思是不适合油性的颗粒(炒菜产生的油烟就是油性颗粒物，而人说话或咳嗽产生的飞沫不是油性的。95是指在NIOSH标准规定的检测条件下，过滤效率达到95%，N95不是特定的产品名称，只要符合N95标准，并且通过NIOSH审查的产品就可以称为“N95型口罩”。口罩的发展简史：世界上最先使用口罩的是中国，古时候，宫廷里的人为了防止粉尘和口气污染而开始用丝巾遮盖口鼻，如礼疏载：掩口，恐气触人，孟子离娄记：西子蒙不洁，则人皆掩鼻而过之。用手或袖捂鼻子是很不卫生的，也不方便做其他事情，后来有人就用一块绢布来蒙口鼻，马可波罗在他的《马可波罗游记》一书中，记述他生活在中国十七年的见闻。13世纪初，口罩只出现于中国宫廷，侍者为防止自己的气息传到皇帝的食物上使用了一种蚕丝与黄金线织成的巾做成口罩，19世纪末，口罩开始应用于医护领域，德国病理学专家莱德奇开始建议医护人员使用纱布罩具以防止细菌感染。

1995年，美国NIOSH公布了粉尘类呼吸防护测试标准：42CFR84，将呼吸面罩分为N型、P型和R型之类。美国国家职业安全卫生研究所（英语：National Institute for Occupational Safety and Health，NIOSH），是由美国卫生、教育和福利部根据美职业安全法于1971年组建的。NIOSH及9种防颗粒物口罩分类NIOSH: National Institute for Occupational Safety and Health美国国家职业安全卫生研究所，是国际知名且重要的职业安全卫生研究机构，主要从事职业安全与卫生科学研究，就与工作有关的伤害和疾病的预防提出建议。该所隶属于美国卫生与人力服务部疾病预防控制中心。根据Department of Health and Human Services (HHS, 美国卫生及公共服务部)法规“42 CFR Part 84”，NIOSH将其认证的防颗粒物口罩分为9类。具体的认证则由NIOSH下属的NPPTL (National Personal Protective Technology Laboratory)实验室操作。根据口罩中间滤网过滤特性分为下列三种：N系列：N代表Not resistant to oil，可用来防护非油性悬浮微粒。R系列：R代表Resistant to oil，可用来防护非油性及含油性悬浮微粒。P系列：P代表oil Proof，可用来防护非油性及含油性悬浮微粒。按滤网材质的最低过滤效率，又可将口罩分为下列三种等级：95等级：表示最低过滤效率为95%。99等级：表示最低过滤效率为99%。100等级：表示最低过滤效率为99.97%。组合起来就为N100, N99, N95, R100, R99, R95, P100, P99, P95.共9种。希望采纳！！

NIOSH是针对民用个人防护的产品的认证。NIOSH是针对民用个人防护的产品的认证，一般用于职业病防护，比如灰尘比较大的工作场所。例如用于个人防护的N95口罩。N95型口罩，是NIOSH（美国国家职业安全卫生研究所）认证的9种防颗粒物口罩中的一种。“N”的意思是不适合油性的颗粒（炒菜产生的油烟就是油性颗粒物，而人说话或咳嗽产生的飞沫不是油性的）；“95”是指在NIOSH标准规定的检测条件下，过滤效率达到95%。N95不是特定的产品名称。只要符合N95标准，并且通过NIOSH审查的产品就可以称为“N95型口罩”。美国食品和药物管理局(Food and Drug Administration)简称FDA，FDA 是美国政府在健康与人类服务部 (DHHS) 和公共卫生部 (PHS) 中设立的执行机构之一。国家职业安全与健康研究所(National Institute for Occupational Safety and Health）简称NIOSH，是关于“职业安全卫生”方面的标准。美国职业安全与卫生研究所NIOSH(The National Institute for Occupational Safety and Health)是一个联邦机构。NIOSH隶属于美国卫生与人事部的疾病控制与预防中心(CDC)。

NIOSH是网络卫生研究所；美国职业安全卫生研究所(National Institute for Occupational Safety and Health)的缩写同时呢也有一下的释义：接下来再给读者们科普一下niosh认证吧niosh认证是美国国家职业安全卫生研究所的认证。美国国家职业安全卫生研究所，是由美国卫生、教育和福利部根据美国职业安全法于1971年组建的。其宗旨是修订和制订新的职业安全卫生标准，培训职业安全卫生专业人员。NIOSH的研究范围为：有毒有害物质；粉尘；工业产物；生物(动物与植物）；噪声与振动，听力；电离辐射；紫外、可见光与红外辐射，照明；射频辐射；热环境；通风、空调与工艺过程；电动机；起重、运输与贮存设备，人力运输；各类事故；职业病理学劳动生理学，人机工程；劳动条件；职业危险预防的理论与分析；工业或各行业特殊部门的结合性研究。

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游戏名一般翻译为“混沌之脑”或“混沌思绪”，动漫视频通常叫做“混沌头”本作中所表现的是一种在日常生活中，无法分辨“现实”与“非现实”这一暧昧境界的恐怖感。听名字“head”“chaos”……肯定不会是纯爱物语就对了。依靠N+的名气和贩售渠道，那么作品本身自然也脱不去N+的色彩。PS: Nitro+即N+，是Nitroplus的简称,N+游戏的最大特点是所谓的燃和萌.所谓的燃，就是硬派的代称。绝不热血但战斗场面逼真，世界观冷酷的N+作品在业界一向享有盛誉.

题主是否想询问“atthemostbasic和atitsmostbasic的区别”吗？意思不同、用法不同、侧重点不同。1、atthemostbasic意思：最多，atitsmostbasic意思：之多。2、atthemostbasic作名词时常与介系of连用，放在其他名词前作限定用法(该名词前应有my，our，the等限定词)，atitsmostbasic构成最高级时，通常指两者以上的“最”，但有时也可以表示两者之间的“最”。3、atthemostbasic与形容词连用构成最高级时，前面通常要加定冠词，尤其是在有明确的比较范围时。atitsmostbasic用作副词时是many和much的最高级，可与部分两个或两个以上音节的形容词或副词构成最高级。以上就是atthemostbasic和atitsmostbasic的区别。

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理论上是PWM信号输出接IRF的G极。输出端分压后接到PWM电路的输入端和基准进行比较。实际上设计开关电源的驱动电路比较复杂，内容多得可以写书。

你说的是哪种斩波电路？一般情况下都是U= （a/1-a） *Ea是导通比

BUCK 用于降压，BOOST用于升压，BUCK-BOOST一般是降压和升压串联方式，可以得到更宽的电压范围。 这些知识可以参考开关电源方面的基础书籍。