JS14A晶体管时间继电器的接法是什么？它的工作原理是什么？
这个时间继电器接线图在外壳上，它的工作原理是实现一个触头动作延时。
JS14A晶体管时间继电器的接法图解 工作原理
和交流接触器的安装方法
jsj晶体管时间继电器时间不准确的维修
jsj晶体管时间继电器电路并不复杂，时间不准确一般是由于微调电阻R4阻值变化引起，重新微调R4阻值，当然也可能是充电电容C3变值，量一下。
万用表哪个是晶体管的标识
.万用表选电阻R*1Ω档，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一-对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一 空脚为阳极A。2.将黑表笔接己判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该晶闸管已击穿损坏。
晶体管放大电路的图解法
楼主问题意思是：假设晶体管T工作在放大区，由近似分析得到IBQ，用T输出特性曲线和输出回路负载线以及IBQ得到的交点却又恰好可能在饱和区，这样的前后矛盾。如果楼主意思是我所描述的，那么第一：图解法是最为准确的解法，精度取决于你晶体管输入、输出特性曲线的测试。图解法整个流程应该是：输入回路负载线与T输入特性曲线交点求出IBQ，再由输出特性曲线以及输出回路负载线及IBQ读出晶体管是工作在什么状态，以及UCE和ICQ这样精度是高，但是测试输入输出特性曲线的过程麻烦。第二：近似分析假定T是在放大区，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，学半导体原理的同学才能完全搞清楚，我也不懂，学模电更多是学怎么用，及知道怎么近似，近似是忽略什么）UBE≈0.7V（其实是在0.7V左右，如果输入回路直流电源够大，可以直接将UBE压降看成0.7V，如果电源更大，甚至可以忽略，这是看你要的精度）再结合输入回路电路图即可求出IB，再求出IC，结合输出回路电路图即可求出UCE。结合UCE判断你的假设正不正确。这样能快速分析晶体管的状态，但是存在着一定无处，有可能分析出来的结果在临界饱和或者截止附近，容易判断出错。如果是这种情况的话，要么还是用图解法再分析一次，要么就用上你的电表测试吧。个人觉得，楼主是将两种方法混在了一起（也不是说不能这样），但你既然用了近似分析，就要承担近似分析带来的误差，如果出现楼主所描述情况，最好就单纯图解法，或者实际量一下。来自一个模电初学者的理解。。。。老司机们轻喷。。。。（PS：楼主最后结合图解得出ICQ，UCE和直接输出回路分析得出ICQ，UCE是一样道理，如果得出UCE小于UBE（小的程度大一点，那么误差可以忽略），认为就是在饱和区了）
晶体管共射极单管放大电路实验原理
共射电路是放大电路中应用最广泛的三极管接法，信号由三极管基极和发射极输入，从集电极和发射极输出。因为发射极为共同接地端，故命名共射极放大电路。共射电路是放大电路中应用最广泛的三极管接法，信号由三极3极管3种基本电路（接法）(1张)管基极和发射极输入，从集电极和发射极输出。因为发射极为共同接地端，故命名共射极放大电路。特点1、输入信号和输出信号反相；2、有较大的电流和电压增益；3、一般用作放大电路的中间级。4、共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端,接负载电阻.掌握了解作为最常用的放大电路，我们必须掌握以下内容1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。2、元器件的作用、电路的用途、电压放大倍数、输入和输出的信号电压相位关系、交流和直流等效电路图。3、静态工作点的计算、电压放大倍数的计算。信号传递上图所示，共射极放大电路所要放大的是交流小信号Vi，Vi通过耦合电容C1以电压的形式加到三极管的B~E之间，以电流的形式通过B~E。电子（负电荷）的传递方向为E~B。Vcc和Rb用来提供B~E接面适当的正向偏压以及可使三极管进入线性工作区的电流。这个部分称为输入回路。Vcc和Rc用来提供B~C接面适当的反向偏压。电子（负电荷）的传递方向为B~C。集电极收集大量电子（负电荷），少数空穴（正电荷）漂移到基极与基极的空穴一起复合掉一部分E向C的电子（负电荷）。被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给。由于E的电子浓度大于B，电位小于B，电源Eb在补充空穴的同时带来了从E~B~C的大量电子。三极管完成放大电流作用。放大了的信号电流通过Rc在C极上产生压降。这个压降就是输出端信号电压，是交流，可以通过电容C2耦合出去。Vcc,Rc和三极管CE极构成输出回路。RL是负载电阻。
晶体管倍频器一般工作在什么状态?简述倍频器的基本工作原理。
【答案】：倍频器按其工作原理可分为三类。第一类是利用丙类放大器，从其电流脉冲中选频出谐波分量获得倍频。第二类是模拟乘法器实现倍频。第三类是利用PN结结电容的非线性变化，得到输入信号的谐波，经选频回路获得倍频，被称为参量倍频器。晶体管丙类倍频器一般工作在丙类状态。在丙类放大器中，晶体管集电极的脉冲电流中含有丰富的谐波分量。如果集电极谐振回路调谐在n次谐波上，则放大器的输出电压就只有n次谐波电压，也就实现了n次倍频。
JFT106型晶体管调节器的工作原理是什么
JFET就是结型场效应管，这个模拟电子书上都有介绍啊，它不同于三极管放大导电，属于压控沟道导电，所有有导通电阻小，截至电压高，栅极输入电流小等特点应用广泛。
汽车空调上的功率晶体管的作用和工作原理怎样检测？
1、作用：作为控制大功率的开关。2、原理：输入级和输电路，叫做晶体实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。
晶体管电动汽油泵的工作原理是什么?
晶体管电动汽油泵的使用，可以消除高温下的气阻现象，有利于在炎热的夏季使用，还可以改善起动性能。另外对于节油也是有一定效果的。晶体管电动汽油泵以蓄电池为能源，可安装在远离发动机的某一通风良好的部位。晶体管电动汽油泵主要由晶体管开关控制电路和机械泵两部分组成。开关控制电路是一种自激式间歇振震电路，由主线圈N副线圈N2(也叫反馈线圈)、晶体管BG、电容器C、电阻R和二极管D等组成。当接通电源时，蓄电池经N,1,R向BG提供偏流Ib,BG导通，产生集电极电流I,。由于N，中突然流过一个较大的电流，所以在N‘和N:中同时产生感应电势，其方向如实线箭头所示。N:中的电势以正向加到RG的发射极上，使其迅速饱和。召‘饱和，I瞬间稳定，Nz中的感应电动势又迅速下降至零.BG上的偏压下降，集电极电流I。又减小，于是又在N,和Nz中感应出虚线箭头所示的电势。这种情况下，二极管D正向导通，将N2中的电势短路，而N，中的感应电势则与蓄电池电势相迭加，并向C充电，使BG的基极电位上升，偏流减小，以至截止。接着C经R放电，基极电位又跟着下降。当基极电位下降至某一值时，BG又导通至饱和.如此反转不已，在N，中便得到一个间歇性的变化电流，其频率约为1000Hz,二极管D的作用是短路BG截止过程中在Nz中感应的电动势，以免发射结被反向击穿。电动汽油泵的机械部分。在泵筒的外部绕着七、副线圈N，和NzoBG导通时，N,中的电流大，产生弧磁场，克服弹簧4的张力，吸引柱塞3下行，使吸油阀6关闭，排油阀11开启。于是进入泵筒中的汽油经排汕阀11被压入泵的上室I,B(;截止时，磁吸力消失，柱塞被弹簧推回原位，排汕阀关闭，吸油阀打开，汽油经沉淀杯被吸入泵筒内。控制电路间歇性地产生磁场，柱塞不断地往复运动，使汽油从油箱通过油管进入沉淀杯，再经过滤网9和磁铁8清洁后，被压入油路，供给化油器。发动机处一J:怠速或轻负荷时用油较少，而排油阀输出的油旦不变，使汽油过剩，压力增高，当油压达到一定数值时，便顶开回油阀14，使多余的汽油返回油杯，起到节油的效果。
晶体管的饱和区工作原理
电路工作特点如下： 1）． 截止状态 ： uB＜0，两个PN结均为反偏，iB≈0,iC≈0,uCE≈UCC。三极管呈现高阻抗，类似于开关断开。 2）． 放大状态 ： uB＞0，发射结正偏，集电结反偏，iC=βiB。 3）． 饱和状态 ： uB＞0，两个PN结均为正偏，iB≥IBS(基极临界饱和电流)≈UCC/βRc ,此时iC=ICS(集电极饱和电流)≈UCC/Rc 。三极管呈现低阻抗，类似于开关接通。
晶体管的作用是干什么的？
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
摩托车中数字晶体管点火的工作原理是什么？
点火的原理不同。cdi的工作过程：当发动机运转起来，磁电机也随之转动产生电流，电流通过硅二极管整流向电容器充电，此时可控硅处于截止状态，电流无法通过可控硅。当脉冲转子转到点火位置时，脉冲发生器发出电信号，这个电信号加在可控硅的控制极上，触发可控硅导通，于是电容器的电能通过可控硅进入点火线圈。当脉冲转子转过点火位置时，脉冲发生器停止发出电信号，可控硅立即截止，点火线圈的电流被断开，这时点火线圈就会立即产生自耦高压电，使火花塞迸发火花点火。数字晶体管点火是：利用晶体管的导通和截止特性，在需要点火时瞬间地切断点火线圈的初级电流，从而在次线线圈上感应产生出高电压，由此在火花塞得到很强的电火花。晶体管点火器的点火性能稳定，火花强，放电时间相对较长，而且在发动机转速较低时也能保证可靠点火。
从硅晶体分子结构解释晶体管工作原理
你要知道不同能带就是不同电子轨道。对于硅来说最外层有4个电子，2个在s轨道，2个在p轨道。对应两个能带。本来s能带能容纳2N个电子，刚好填满，p轨道能容纳6N个电子，没有填满。这样就会导电，但是我们发现硅是导电性很弱的，说明发生SP3轨道杂化。形成两个各含有4N个状态的能带。能量较低的我们称之为价带，被电子填充满。能量较高的我们叫导带，是空带。因此电子一旦跃迁到导带，就会变成准自由电子。会受到电场的影响自由运动。在MOS中，我们给栅极加电压，实际上就是把这些跃迁电子不断地通过正电压收集到表面上去，这样硅附近电子被吸引走了，由于浓度梯度，其他地方跃迁到导带的电子补过来，补过来的电子又会被电场拉倒栅极表面。这样就会在栅极积累很多电子，就是我们说的反型。之后源极和漏极本来就是n型掺杂的，跃迁到导带的自由电子很多，因此加电压，电子就会顺利通过源极，栅极，漏极喽！ 如果栅极不加电压，那么栅极的自由电子超级少，当然就不能导电了。
电力晶体管的电力晶体管工作原理
在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通；反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此，给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。
请描述静电感应晶体管sit的工作原理
静电感应晶体管（SIT），是在普通结型场效应晶体管基础上发展起来的单极型电压控制器件，有源、栅、漏三个电极,它的源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制。其结构可分为平面栅型、埋栅型和准平面型三大类。SIT与普通的结型场效应晶体管的最大区别就是在沟道中有多子势垒存在，该势垒阻碍着电子从源向漏的流动，势垒大小即受栅-源间电压的控制，也受源-漏间电压的控制。SIT器件的工作原理就是通过改变栅极和漏极电压来改变沟道势垒高度，从而控制来自源区的多数载流子的数量，通过静电方式控制沟道内部电位分布，从而实现对沟道电流的控制。SIT的输出特性曲线呈现与真空三极管类似的非饱和特性，而不是像普通结型场效应晶体管那样呈饱和五极管特性。
晶体管的作用是什么？？
饱 合 时 集— 射 极 接 通， 截 止 时 集— 射 极 断 开
∪TC7N6OL是什么晶体管？
场效应管参数7安，耐压600V
为什么晶体管在高频工作时要考虑单向化而在低频时可不考虑
在高频工作时，由yfe所产生的反馈作用显著，因而必须考虑消除它的影响。低频时，则不必考虑yfe的反馈作用。yfe反映了输入对输出的影响，yre反映了输出对输入的影响，yre越小越好，yre=0称为晶体管的单向化设计。y参数是频率的函数，但窄带系统可近视认为不变。扩展资料晶体管工作原理晶体管内部的工作原理很简单，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极一发射极电流的器件。从外部来看，因为在基极输入的电流被变大而出现在集电极、发射极端上，所以可看成将输入信号进行了放大。晶体管是将基极与发射极间流动的电流检测出来，进而控制集电极一发射极间电流的器件，所以只要使电流在基极与发射极之间流动，它就工作。也就是说，设计一种外部电路使基极一发射极间电流流动就可以了。
关于晶体管电路设计一书中的二级直接相连推挽射极跟随器的一些问题
我正在看这本书，关注一下。
铃木雅臣的《晶体管电路设计》上册61页的电路(使用恒流源负载的射极跟随器),如何分析出该电路原理
Tr2 Ic = 1.4V/130欧姆 = 大约10mA 即Ie = 10ma恒定不变。Ib = Ic，因此叫恒流源。前提Tr1的Ue不能低于2V，否则电路不能工作。输出端的耦合电容叫C1Tr1 Ic + Ic1 = 10mA。注意电流正负号。Tr2（恒流源）作为Tr1（射级跟随器）的负载。这种射极跟随器的好处书上有介绍。一个是恒流源一个是射级跟随器。
晶体管放大与振荡电路原理
放大电路请访问这个网页. http://202.115.21.138/wlxt/ncourse/mndl/web/%D2%C9%C4%D1%CE%CA%CC%E2image/2.htm 一个不计电阻的LC电路，就可以实现电磁振荡，故也称LC振荡电路。 LC振荡电路的物理模型满足下列条件：①整个电路的电阻R=0（包括线圈、导线），从能量角度看没有其它形式的能向内能转化，即热损耗为零.②电感线圈L集中了全部电路的电感，电容器C集中了全部电路的电容，无潜布电容存在.③LC振荡电路在发生电磁振荡时不向外界空间辐射电磁波，是严格意义上的闭合电路，LC电路内部只发生线圈磁场能与电容器电场能之间的相互转化，即便是电容器内产生的变化电场，线圈内产生的变化磁场也没有按麦克斯韦的电磁场理论激发相应的磁场和电场，向周围空间辐射电磁波. 实际上LC电路有损耗,所以要用三极管放大电路补充损耗.一般是在三极管放大电路中引入正反馈.放大电路与振荡电路的区别就是有无谐振电路和正反馈电路.
交流滤波器用什么晶体管
交流滤波器用电源晶体管，本实用新型涉及一种电源滤波器，尤其是用于音像器材的电源滤波器。随着社会的进步和发展，用电设备和家用电器的不断增多，对市电电源的影响很大，使市电中含有许多不良成份的杂波，对精密或要求高的用电装置产生有害的干扰，甚至不能正常工作。尤其是对音像方面的用电器材影响较大，例如，电源杂波使音响设备中的的声音失真、产生啸叫等；图像设备中的图像产生干扰条纹，图像失真或者无图像等。人们针对这些问题采用了电感线圈制作的电源滤波器，在市电的输入电器前端，对电源进行净化，有一定的作用和积极的效果，所以，目前市场上的各种电源滤波器，基本上都是电感式的。但是，电感式电源滤波器有个弱点，其中的电感量小，起不到滤波的作用，电感量大，又阻碍瞬态供电能力；虽然也能抑制杂波干扰，同时也抑制音响电路变化的工作电流，使音响中声音的低频力度变差。
10V晶体管输出电压接光耦TLP521,输出接NPN三极管9013驱动24V继电器` 求张电路图
10V晶体管输出电压？？什么意思？这个电路不难啊，你自己好好想想，都可以完成的；有空可以给你画。
晶体管时间继电器的工作原理型号JS14A
时间继电器（time relay）是指当加入（或去掉）输入的动作信号后，其输出电路需经过规定的准确时间才产生跳跃式变化（或触头动作）的一种继电器。是一种使用在较低的电压或较小电流的电路上，用来接通或切断较高电压、较大电流的电路的电气元件。同时，时间继电器也是一种利用电磁原理或机械原理实现延时控制的控制电器。它的种类很多，有空气阻尼型、电动型和电子型等。时间继电器是一种利用电磁原理或机械原理实现延时控制的控制电器。它的种类很多，有空气阻尼型、电动型和电子型等。时间继电器可分为通电延时型和断电延时型两种类型。空气阻尼型时间继电器的延时范围大（有0.4～60s和0.4～180s两种） ，它结构简单，但准确度较低。当线圈通电时，衔铁及托板被铁心吸引而瞬时下移，使瞬时动作触点接通或断开。但是活塞杆和杠杆不能同时跟着衔铁一起下落，因为活塞杆的上端连着气室中的橡皮膜，当活塞杆在释放弹簧的作用下开始向下运动时，橡皮膜随之向下凹，上面空气室的空气变得稀薄而使活塞杆受到阻尼作用而缓慢下降。经过一定时间，活塞杆下降到一定位置，便通过杠杆推动延时触点动作，使动断触点断开，动合触点闭合。从线圈通电到延时触点完成动作，这段时间就是继电器的延时时间。延时时间的长短可以用螺钉调节空气室进气孔的大小来改变。吸引线圈断电后，继电器依靠恢复弹簧的作用而复原。空气经出气孔被迅速排出
晶体管时间继电器原理？
时间继电器的电气控制系统中是一个非常重要的元器件。一般分为通电延时和断电延时两种类型。附图是晶体管组成的继电器延时吸合电路。是一个典型的RC充电延时电路。工作原理：刚接通电源时，左下角的16μF电容上电压为零，两个三极管都截止，继电器不动作。随着+60V电压经过10M欧电位器和100K电阻对16μF电容的充电，一段时间后，16μF电容上电压达到高电平（高于稳压管ZPY15的稳压值与三个PN的正向电压和），两个三极管都导通，继电器延时吸合。延时时间可达60s。延时的时间长短可通过10MΩ电阻来调节。
绝缘栅双极晶体管的IGBT的结构与工作原理
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
单结晶体管触发器的原理
1)本电路为单结晶体管触发点路。2)V1—V5，R1组成桥式整流削波电路，为后续电路提供与焦炉电压同时过零（同步）的梯形波电压。3)V6，R2—R4及C组成单结晶体管震荡电路，由R4输出所需要的脉冲信号触发晶闸管。4)R2，RP及C组成RC充电电路，当C两端的电压达到V6的峰值电压VP时，单结晶体管导通；C和E-B1间形成放电回路，在R4的上形成脉冲电压，当C两端的电压随着放电电压下降到谷点电压UV时，单结晶体管截至，R4上的电压为零，完成一次震荡。5)电路中RP祈祷调节控制角的作用，即移相作用。
SOM管，晶体管，场效应管的区别，用途！还有桥堆的概念，桥堆与二三极管的区别~~
SOM管、场效应管原理一样就是漏级电压不同，晶体管是指（NPN，PNP）的管子，SOM管、场效应管用在大电流高电压控制级电压较低电流较弱，晶体管用在放大信号（有低频和高频）之分。桥堆用在整流把交流变成直流（原理和4个二极管做成桥式）一样。
小小芯片上的上千万个晶体管是怎么装上去怎么工作的？
首先更正一下，不是上千万个，要比这个还要大一两个数量级，其次这些晶体管并不是装上去的，利用掩膜、透镜把掩模上事先设计好的电路投射到晶圆上。掩模是由透明和不透明的模板制作而成，当紫外光线透过掩模照射，再通过透镜把电路图缩小，投射到晶圆上，然后再显影，腐蚀，离子注入，从而改变硅表面的极性，制出栅极绝缘介质、源极与漏极，然后制成晶体管
交流点焊机、储能点焊机、中频点焊机、晶体管点焊机、激光点焊机有什么不同？各自的特点是什么？
中频点焊机是采用直流电放电焊接，特别适合电阻值较大的材料，同时中频点焊机可通过运用单脉冲，多脉冲信号、周波、时间、电压、电流、程序各项控制方法，对被焊工件实施单点、双点连续、自动控制、人为控制焊接。适用于钨、钼、铁、镍、不锈钢等多种金属的片、棒、丝料的焊接。其优点是 ：1. 综合效益较好性价比较高。2. 焊接条件范围大。3. 焊接回路小型轻量化 。4. 可以广泛点焊异种金属。其缺点是：1.受电网电压波动影响较大，中频点焊机焊接电流会随电网电压波动而波动，从而影响焊接的一致性。2. 中频点焊机焊接放电时间最短通常为1/2周波即0.01秒，不适合一些特殊合金材料的高标准焊接。中频点焊机是采用直流电放电焊接，特别适合电阻值较大的材料，同时中频点焊机可通过运用单脉冲，多脉冲信号、周波、时间、电压、电流、程序各项控制方法，对被焊工件实施单点、双点连续、自动控制、人为控制焊接。适用于钨、钼、铁、镍、不锈钢等多种金属的片、棒、丝料的焊接。其优点是 ：1. 综合效益较好性价比较高。2. 焊接条件范围大。3. 焊接回路小型轻量化 。4. 可以广泛点焊异种金属。其缺点是：1.受电网电压波动影响较大，中频点焊机焊接电流会随电网电压波动而波动，从而影响焊接的一致性。2. 中频点焊机焊接放电时间最短通常为1/2周波即0.01秒，不适合一些特殊合金材料的高标准焊接。
晶体管循环定时器原理
晶体管循环定时器其原理是利用晶体管的开关特性和RC电路的充放电时间来实现定时功能。1、RC电路的充放电时间：当一个电容器通过一个电阻器充电时，电容器的电压会随着时间的推移而逐渐增加，直到达到电源电压。当电容器通过一个电阻器放电时，电容器的电压会随着时间的推移而逐渐降低，直到达到零电压。2、晶体管的开关特性：晶体管有一个基极、发射极和集电极，当基极接收到足够的电压时，会使得晶体管的发射极和集电极之间形成一个导通通路，电流可以通过晶体管流过。3、循环定时器的工作原理：循环定时器由一个RC电路和一个晶体管组成。当电容器充电时，电容器的电压逐渐增加，当电容器的电压达到晶体管的导通电压时，晶体管会导通，电容器开始放电。当电容器的电压降低到晶体管的截止电压时，晶体管会截止，电容器开始充电。这样，电容器就会不断地充放电，从而形成一个周期性的信号，实现定时功能。
光电晶体管的作用原理
光电晶体一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。在此状态下，光线入射于基极之表面时，受到逆偏压之基极、集极间即有光电流(Iλ)流过，射极接地之电晶体的情形也一样，电流以电晶体之电流放大率(hfe)被放大而成为流至外部端子之光电流(Ic)，电流再经过次段之电晶体的电流放大率被放大，其结果流至外部导线之光电流即为初段之基极、集极间所流过之光电流与初段及后段之电晶体的电流放大率三者之积。
光继电器,光伏输出光耦,晶体管输出光耦,可控硅输出光耦,晶闸管输出光耦,五个有什么区别呢
那你没有把光耦的概念搞清楚，光耦就是光电耦合器，它内部是由一个发光管和一个接收管组成，你上面说的不是一个光耦而是一个电路了，
晶体管与晶闸管的区别是什么？
晶体管是总称，晶闸管是晶体管的一种。
串联型直流稳压电源中晶体管和集成运算放大器的作用是怎么样的啊？
晶体管是开关管，控制开关速度和脉冲宽度以调节电压。集成运放是采样、控制开关管的通断。
单结晶体管如何组成可控硅触发电路呢?
普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。一个最简单的单相半波可控整流电路 可控硅整流电路的波形中，发现可控硅承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢? 为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使可控硅承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。 怎样才能做到同步呢?请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在可控硅没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，可控硅VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了可控硅的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
晶体管中的LDD是什么意思
轻掺杂漏区（Lightly Doped Drain，LDD）结构，是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构，即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应。实际上，现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。
晶体管时间继电器在星角启动电路中的工作原理
1、晶体管时间继电器在星角启动电路中的工作原理：晶体管时间继电器是由稳压电源、分压器、延时电路、触发器和执行机构（继电器）五部分组成，接通电源后，电路中由电位器、钽电容组成的R、C延时电路立即充电经一段延迟时间后，延时电路中钽电容C的电压略高于触发器的门限电位，触发器被触发，推动电磁继电器动作。从而接通或断开外电路，达到被控制电路的定时动作的目的。2、晶体管时间继电器的特点（l）、体积小、重量轻，便于安装。（2）、外壳全封闭，安全、整洁，较为适合本车间工作环境。（3）、底座式安装，更换方便。（4）、旋钮时调节，方便快捷。3、晶体管时间延时继电器是自动化装置中的重要元件，它能按照一个预定的时间接通或断开某一装置。它具有体积小、重量轻、精度高、寿命长等优点。在冶金、机械、电力、化工、轻工、石油等部门自动控制系统中有着广泛的应用。
电子管 晶体管
同意楼上的
晶体管放大和电子管放大差别
晶体管和电子管放大原理是一样的，就是一个电子导电，一个是半导体导电，电子管的放大器适合高电压，小电流，功率也可以做的很大，并且干扰少，晶体管适合低电压，更省电，用途广
晶体管和电子管区别
体积差别，工作原理不同。1、体积差别晶体管的体积要比电子管小很多。2、工作原理不同，晶体管是电流控制元件，是以基极电流控制集电极电流，而电子管是电压控制元件，栅极电压控制阴极发射电子的多少。
电子管二极管晶体管谁能解释得通俗些
分类: 教育/科学 >> 科学技术 解析: 电子三极管 在真空的玻璃管中装有灯丝，阴极，栅极，阳极。 灯丝把阴极加热致发红(橙红),表面的涂层就有电子逸出,通常说发射电子。 栅极加上适当的负压用来控制阴极发射电子的多少。阳极加上正的高压用来接收电子。 电子管的作用在于用小的栅极电压控制大的阳极电压和电流,菜这就是电子管的放大作用。 电子二极管 只是没有栅极，只用其单向导电功能，电子只能从阴极飞向阳极，它可以使交流电变成直流电。 电子管的体积从几个厘米到几十厘米。 晶体二极管 功能与电子管无异。制造材料不同，体积十分微小，耗电十分微小。第一代晶体管，尺寸用厘米度量，现代集成电路中的晶体管用微米来衡量。 晶体管是由掺入一定杂质从而成为半导体的锗或硅材料经过一定工艺制成，其关键结构为P-N结，其奇特特性由此产生。P-N结具有单向导电性。晶体三极管有两个P-N结，由于量子力学的原理，晶体三极管也具有放大作用。通常晶体管所能承受的电压及电功率相对较小。
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。晶体管就是三极管，靠半导体内的两种载流子运动，由基极来控制电子的运动大小。属电流控制电流型器件。MOS管、CMOS管也是同样的工作原理，不过他是考栅极电场来控制一种载流子的运动，也属于电压控制电流型器件。
谁知道电子管和晶体管的工作原理分别是什么，哪一个更优秀？
将一支电子管拆开之後，绘於附图之中，从图可知，当点亮灯丝，灯丝温度逐渐升高，虽然是真空状态，但灯丝温度以辐射热的方式传导至阴极金属板上，等到阴极金属板温度达到电子游离的温度时，电子就会从金属板飞奔而出。此时在电子是带负电的，在屏极加上正电压，电子就会受到吸引而朝屏极金属板飞过去，穿过栅极而形成一电子流。栅极犹如一个开关，当栅极不带电时，电子流会稳定的穿过栅极到达屏极，当在栅极上加入正电压，对于电子是吸引作用，可以增强电子流动的速度与动力；反之在栅极上加入负电压，同性相斥的原理电子必须绕道才能到达屏极，若栅极的结构庞大，则电子流有可能全数被阻隔。$ h7 L9 ?3 M% A& |! G0 ^- [8 ^$ H0 X! l- p1 k* W7 q利用栅极可以轻易控制电子流的流量，将输入讯号连接在栅极上，并且加入适当的偏压，并且在屏极串上一个电阻，藉此即可达到讯号放大的目的。电子管也与晶体管一样，具有多种放大形式（事实上，晶体管的放大形式是从电子管延伸过来的应用），结合不同的电子材料如电阻、电感、变压器以及电容等，就可以创造出千变万化的电子产品。E9 `% G9 T A5 {$ d观察电子管的管壁内部可以看到一块类似水银的薄膜黏附在玻璃壁上，这是延长电子管寿命的设计。除了极少部份低压电子管外（并非指工作电压低，而是指电子管内部存在低压气体），大部分的电子管必须抽真空才能正常工作。电子管的接脚为金属脚，虽然以玻璃封装，但玻璃与金属接脚之间仍然有漏气的机会。玻璃管内的金属蒸镀物（即消气剂），会与气体进行作用，它存在的目的就在于吸收气体，以维持电子管内部的真空度。这一层薄薄的金属物氧化之後，会变成白色，表示电子管已经漏气不行了，所以若打破电子管时，这一层蒸镀物质也会变成白色，因此购买老电子管时，也要注意蒸镀物的情况，像水银一样的为佳，若开始苍白、剥落时，就表示这支电子管已经迈入老年了。晶体管是用半导体材料组成的PN结构成几个电极，制成二极管、三极管、可控硅等管子，基本就是小信号控制电子运动控制大信号。它不需加热，可以制成很小体积的晶体管，是集成电路的基本构成电路。笔记本是大规模集成电路制成，可以说是晶体管，但不是单个的晶体管。晶体管和电子管不能说谁更优秀，晶体管虽说功能强大、发展快速、小巧、省电，但高频、高压和一些特殊场合还不能替代电子管的功能，就是互相不能完全取代。
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。晶体管就是三极管，靠半导体内的两种载流子运动，由基极来控制电子的运动大小。属电流控制电流型器件。MOS管、CMOS管也是同样的工作原理，不过他是考栅极电场来控制一种载流子的运动，也属于电压控制电流型器件。
电子三极管工作原理，最原始的三极管，不是现在用的晶体管。
电子三极管由阳极、阴极和栅极组成，阳极加正电压，常用的在几百伏，较大功率的电子管的阳极电压在千伏以上．阴极经过自生偏压电阻接地，栅极相对于阴极是负电压（自生偏压的栅极实际上是接地的）．音频或高频信号由栅极经过电容输入，栅极电压越负，阳极电流就越小，相反，栅极电压越正，阳极电流就越大．
H丫1606是什么晶体管
HY1606是60V,66A的场效应管HY1606B功率为64W
纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别是什么？
原理及区别：（1）纵向PNP管：是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄，因此它的电流放大系数较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点，因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。（2）横向PNP管：这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是：发射结和集电结都有较高的反向击穿电压，所以它的发射结允许施加较高的反压；另外它在电路中的连接方式不受任何限制，所以比纵向PNP管有更多的用途。它的缺点是结电容较大，特征频率fT较低，一般为几~几十兆赫。
晶体管为什么只是单向通电，它的工作原理是什么
目前教材上都是用不同半导体接触处载流子浓度的差别，通过扩散形成PN结(阻挡层)的内电场，来解释单向导电性。
处理器晶体管的控制原理
尼玛打破沙锅问到底的人都是半路程咬金啊，和我一样。呵呵。最后一句话我很赞成，也很有体会。有些人都院士（确实有水平的）了，但不一定讲得好（对初学者或者外行而言）。先占个位置，有心情和时间再来。
纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别（详细）
横向和纵向晶体管的区别 1．集成NPN晶体管 在双极型线性集成电路中NPN晶体管的用量最多，所以它的质量对电路性能的影响最大。集成NPN晶体管的结构示意图如图2—69所示。它是在P型衬底上扩散高掺杂的N+型掩埋层，生长N型外延层，扩散P型基区、N+型发射区和集电区而制成的。其中N+型掩埋层的作用是为了减小集电区的体电阻。2．集成PNP晶体管集成PNP晶体管有纵向和横向两种结构形式。1）纵向PNP管 纵向PNP管结构如图2—70左半边所示，它是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄，因此它的电流放大系数b 较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点，因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。2）横向PNP管横向PNP管结构如图2—70右半边所示，这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的b值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是：发射结和集电结都有较高的反向击穿电压，所以它的发射结允许施加较高的反压；另外它在电路中的连接方式不受任何限制，所以比纵向PNP管有更多的用途。它的缺点是结电容较大，特征频率fT较低，一般为几~几十兆赫。IC上的PNP管有纵向和横向两种： 纵向PNP管也称衬底管，由于结构的关系，内部的载流子沿着纵向运动。这种管子的特点是，管子的基区宽度WB可以准确地控制，而且做得很薄。因此，纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α＝0.995-0.9998)。缺点是隔离槽只能接在电路中的电位最低处，使用局限性较大。另一种横向PNP管中，发射区的空穴载流子只能沿水平方向达到集电区，它的基区宽度又不可能做得很簿。这样，电流放大系数β就很低，有的仅为3-5。它的优点是JE和Jc都有较高的反向击穿电压。在集成电路设计中，往往把横向PNP和纵向PNP管巧妙地接成复合组态，构成性能优良的放大器。如镜像电源、微电流源、有源负载、共基—共射、共基—共集放大器等。
单电子晶体管的原理
1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发现了库仑阻塞现象。在调制掺杂异质结界面形成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中形成一个量子点，它只能容纳少量的电子，也就是它的电容很小，小于一个？F (10-15法拉)。当外加电压时，如果电压变化引起量子点中电荷变化量不到一个电子的电荷，则将没有电流通过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的变化时，才有电流通过。因此电流-电压关系不是通常的直线关系，而是台阶形的。这个实验在历史上第一次实现了用人工控制一个电子的运动，为制造单电子晶体管提供了实验依据。
串联型晶体管稳压电源的原理是什么
串联型晶体管稳压电源的原理是利用晶体管的特性来稳定电路中的输出电压。晶体管是一种半导体器件，能对电路中的电流进行控制。在串联型晶体管稳压电源中，晶体管被连接在电路的输出端，并且被控制以保持输出电压在一个稳定的水平。当输入电压发生变化时，晶体管会调整输出电流来保持输出电压不变。当输入电压升高时，晶体管会减少输出电流，使得输出电压保持不变。当输入电压降低时，晶体管会增加输出电流，以维持输出电压不变。这种稳压方式的优点是能够提供稳定的输出电压，使得电路能够正常工作。缺点是效率较低，因为晶体管会消耗一部分电能来控制电流。
汽车晶体管电压调节器工作原理
原理：根据发电机输出电压的高低，利用稳压管的反向击穿特性和晶体管的开关特性，使晶体管导通和截止，控制励磁电流的大小，使发电机输出电压保持在规定的范围内。u2022组成：功率开关三极管（vt2）、信号放大管（vt1）和控制电路（vs）、电压信号（r1）检测电路三部分组成。⑴接通点火开k，r1两端电压通过vt1的发射结加到稳压管vs上使其承受反向电压。蓄电池电压低于其充电电压，vs的反向电压低于其击穿电压，vs截止，vt1截止，vt2在r3的偏置作用下导通，励磁电流经vt2的发射极、集电极流入磁场绕组。u2022外搭铁电子调节器励磁电流特点：⑴接通点火开关sw，蓄电池电压经电流表加在r1、r2、r3组成的分压器上，因发电机输出电压u＜ub，稳压臂vs2截止，vt1截止，vt2、vt3导通，蓄电池电流流入磁场绕组经vt3搭铁，发电机激磁。⑵随着n↑，当u＞u1(调节器截止电压)时，ua大于vs2反向击穿电压时，vs2、vt1导通，ub→0，vd2截止，vt2、vt3截止，切断激磁电流，u↓。u2022偏置电路、检测电路、续流（箝位）电路、反馈电路、过电压保护电路、充电指示电路。
有机场效应晶体管的的工作原理及工作模式类型。请具体回答？
是谁呢？是你自己啊。爱美之心人皆有之，女人们对美好的事物是天生的热爱。不仅仅只是为了让人羡慕，那么只是外表可能更能打动人心。雀扔葱际纹锤滞飞厮粟
多发射极晶体管应用原理是什么？谢了
多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子，它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时，多发射极晶体管即首先进入过饱和状态，然后才驱使其后面的晶体管截止，故多发射极晶体管具有抽出它后面的晶体管基区中过量存储电荷的作用，多个发射极，这种抽出作用更大，从而可提高电路的开关速度，这也是TTL电路开关速度较高的一个重要原因。（2）提高集成度：因为一个多发射极晶体管实际上也就起着几个晶体管的作用（用以实现与非门的功能），所以在高速集成电路中，有利于提高集成度。
光敏晶体管的工作原理是基于什么效应
内光热。在中国地质大学的测试题中可知，光敏晶体管的工作原理是基于内光热的效应。晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
晶体管的作用是什么?它的主要形式是什么?
二级晶体管的出现仅仅是为了代替电子管的 用以克服电子管体积庞大 耗电大 发热厉害这些问题...电子管最重要的作用就是能物理上实现二进制编码~也就是PN结正向电压导通为1，反向电压截止为0~根据这个原理能实现与门 或门等逻辑功能...三极晶体管有放大作用和开关作用~公式为IC=βIB工作在放大区~开关功能工作在饱和区和截止区~目前就想到这些~希望各位达人补充和指正啊哈哈
晶体管放大原理。
晶体管主要分为三个区域:发射区、集电区、基区。发射区的特点是，参杂浓度高，面积小。集电区的特点是，参杂浓度低，面积大。基区的特点是，参杂浓度低，面积薄。当我们为晶体管的发射结和集电结分别接入方向不同的电压时，就会产生4种不同情况:1.发射结正偏、集电结反偏——放大状态。2.发射结正偏、集电结正偏——饱和状态。3.发射结反偏、集电结反偏——截止状态。4.发射结反偏、集电结正偏——倒置状态。但是倒置状态只做讨论，不会在实际应用中遇到。还要引入两个参数α、β，这两个参数同样都是反映晶体管放大能力的，α=Ic/Ie，β=Ic/Ib，在放大电路正常工作的时候，α是一个接近1的数，而β是一个远大于1的数，这就可以根据晶体管的3个不同点位来判断哪个是发射区，哪个是集电区，哪个是基区。先找出最不同于另两个的结，它必定是集电区，然后居中的是基区，最后一个是发射区。注意，α、β上标一横的时候，表示直流参数，不标时表示交流参数。晶体管的放大应用，最典型的就是扬声器。放大电路不能产生或者放大能量，而是把一个信号不失真地放大它的幅度。不失真，就是说频度不能变，但是相位是可以变的，甚至可以引入直流分量，都是可以的。晶体管放大状态有一个范围，不是说只要把发射结正偏、集电结反偏就可以完成放大过程。从Icm-U(BR)ceo的图像上可以看到，比较靠左边的曲线族很紧凑，这个区域是饱和区，比较靠下边的曲线族也很紧凑，这个是截止区，还有一条“等功耗线”，在它以外的区域，我们可以看到曲线族呈发射散状，在饱和区、截止区、等功耗线以内的区域，就是放大电路工作的安全区域。
晶体管P－N结工作原理
将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的 交界面就形成空间电荷区称为PN结 （英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。 于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。 这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。 由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流， 称为正向电流 。 由此可见PN结正向导电时， 其电阻是很小的 。 加反向电压时PN结变宽，反向电流很小。 如果PN结加反向电压，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。 因此，PN结在反向电压下， 其电阻是很大的 。
单结晶体管触发电路原理是什么
单结晶体管触发电路原理单结晶体管触发电路（SCR）是一种可控硅（ControlledSiliconRectifier），它具有快速开关，可靠性高等特点。原理是当单结晶体管的控制端与正极相连时，经过一个门电流的触发，单结晶体管就会变成一个导通的状态，从而实现对负载的控制。在触发电路中，单结晶体管的控制端通过门电阻与正极相连，当门电流通过门电阻时，单结晶体管就会导通，此时，通过单结晶体管的电流可以直接通过它，实现对负载的控制。
晶体管电流放大原理是什么
晶体管电流放大原理晶体管电流放大器（TransistorCurrentAmplifier）是一种电流增益很大的电路，它通过对输入电流的放大来提高输出电流。这是通过在电路中使用晶体管来实现的。晶体管有三个极：集电极（C）、发射极（E）和漏极（B）。在晶体管电流放大器中，输入电流通过发射极流入，然后由集电极流出。因此，输入电流和输出电流之间的差距是由晶体管的电流增益（hFE）决定的。
双极性晶体管的基本原理
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。从发射极被注入到基极区域的电子，一方面与这里的多数载流子空穴发生复合，另一方面，由于基极区域掺杂程度低、物理尺寸薄，并且集电结处于反向偏置状态，大部分电子将通过漂移运动抵达集电极区域，形成集电极电流。为了尽量缓解电子在到达集电结之前发生的复合，晶体管的基极区域必须制造得足够薄，以至于载流子扩散所需的时间短于半导体少数载流子的寿命，同时，基极的厚度必须远小于电子的扩散长度（diffusion length，参见菲克定律）。在现代的双极性晶体管中，基极区域厚度的典型值为十分之几微米。需要注意的是，集电极、发射极虽然都是N型掺杂，但是二者掺杂程度、物理属性并不相同，因此必须将双极性晶体管与两个相反方向二极管串联在一起的形式区分开来。
晶体管放大电路原理是什么
晶体管放大电路是一种电子电路，它利用晶体管的特性来放大输入信号的电压或电流。它通常由一个或多个晶体管和支持元件（如电阻和电容）组成。晶体管放大电路可以工作在三种基本模式：直接耦合放大器（DC），单端放大器和差分放大器。每种模式都有其特定用途，例如直接耦合放大器用于低频信号，而差分放大器用于高精度应用。
晶体管作为开关时的工作原理
晶体管作为开关时,就是用了它的“截止”和“饱和”两个状态。
双极晶体管的工作原理
普通二极管吗？整流用
薄膜晶体管的工作原理是什么？
TFT器件主要有a-Si（非晶硅）和p-Si（多晶硅）两种，其中，p-Si处于起步和发展阶段，a-Si则应用比较广泛。TFT器件工作时，像一个电压控制的取向开关，当栅极G不施加电压时，TFT器件处于截止状态（关断状态），即源极S与漏极D不能接通，此时栅极G与源极S（或漏极D）之间的电阻称为关断电阻ROFF。由于栅极的漏电流极小或没有，所以，ROFF非常高，一般在107赘以上。当在栅极G上施加一个大于其导通电压的正电压时，由于电场的作用，TFT器件将处于导通状态，即源极S与漏极D接通，此时源极S与漏极D之间的电阻称为导通电阻RON，它随栅极电压的增加而减小。对于TFT器件，其源极S和漏极D的特性一样，功能可以互换，源极S和漏极D之间电流的方向随它们之间电场方向的变化而变化。源极和漏极是在应用电路中被定义的，一般将输入信号端称为源极S，将输出信号端称为漏极D。在TFT液晶显示屏中，一般将接数据驱动器端接TFT器件的源极S，像素端接TFT器件的漏极D。
晶体管放大原理是什么公
晶体管放大器的输出电压（Vo）与输入电压（Vi）之间的关系可以用下面的公式表示：Vo=A*Vi其中，A是放大器的增益。这个增益是由晶体管内部的电路结构决定的，并且可以通过改变晶体管的电路参数来调节。放大器的增益是一个小数，通常在1到1000之间。例如，如果放大器的增益是100，那么输入电压为1V时，输出电压就是100V。请注意，上述公式仅适用于非带阻放大器。对于带阻放大器，公式会有所不同。当然，如果您想了解更多关于放大器的知识，我可以给您提供更多的信息。放大器是电子学中的一个重要概念，它可以用来增强信号的幅度或功率。它通常被用于许多应用场景，例如音频功放、通信收发器等。在深入了解放大器之前，我们需要先了解一些基本概念。线性放大器：线性放大器是一种能够保证输出电压与输入电压之间呈线性关系的放大器。也就是说，如果输入电压按照一定比例增加，输出电压也会按照同样的比例增加。非线性放大器：非线性放大器是一种输出电压与输入电压之间不存在线性关系的放大器。也就是说，如果输入电压按照一定比例增加，输出电压并不会按照同样的比例增加。带阻放大器：带阻放大器是一种输入输出之间存在电阻的放大器。这种电阻是由放大器内部的电路结构决定的，它可以影响放大器的增益。非带阻放大器：非带阻好的，我继续讲。非带阻放大器是一种输入输出之间没有电阻的放大器。它的增益是由放大器内部的电路结构决定的，并且不会受到外界电阻的影响。非带阻放大器的增益通常要大于带阻放大器。放大器的增益是一个小数，通常在1到1000之间。它的值取决于放大器内部的电路结构和参数，并且可以通过调整这些参数来调节增益。放大器的增益是非常重要的，因为它决定了放大器对信号的幅度或功率的增强程度。例如，如果放大器的增益是100，那么输入电压为1V时，输出电压就是100V。在设计放大器时，需要考虑放大器的增益、带宽、纹波比、输入输出电阻等因素。这些因素会影响放大器的性能，并且需要在设计时进行权衡。
晶体管单管放大电路原理是什么
晶体管单管放大电路是一种利用单个晶体管对输入信号进行放大的电路。它有两个输入端，一个输出端，和一个基极。当输入信号通过输入端传入晶体管时，晶体管就会按照一定的比例放大这个信号，并通过输出端输出。晶体管单管放大电路的工作原理可以用简单的等效电路来表示：输入端之间有一个可调电阻，输入端和基极之间有一个固定电阻，基极和输出端之间有一个固定电阻。当输入信号通过输入端传入晶体管时，晶体管的内部电流会发生变化，从而改变可调电阻的电阻值，使输入端和基极之间的电动势发生变化。这样就可以放大输入信号了。总的来说，晶体管单管放大电路的工作原理是利用晶体管内部电流的变化来改变输入端和基极之间的电动势，从而放大输入信号。
微波晶体管原理是什么
微波晶体管是一种用来在微波频率范围内放大、改变或控制信号的电子器件。它的基本结构包括一个导体内置的贵金属网，以及三个叫做基极、收发极和控制极的金属电极。这三个电极分别位于管子的两端和中间。当控制极施加电压时，会在贵金属网和控制极之间产生电场，使得贵金属网内的电子流动受到影响。这样，当信号通过收发极进入管子时，就会在贵金属网和基极之间产生电流，从而放大信号。反之，如果在输出端施加电压，则会使得信号在贵金属网和基极之间产生电流，从而改变信号。因此，微波晶体管可以用来放大、改变或控制微波信号。
晶体管调节器工作原理是什么?
晶体管调节器是以稳压管为感受元件，利用电压的变化，控制晶体管的导通与截止，来接通与断开发电机的磁场回路，自动调节发电机输出电压。
光敏晶体管工作的原理是什么
光敏晶体管是一种光电器件，它由一个半导体晶体管和一个光敏层组成。当光敏层中的光子激发半导体晶体管的电子和空穴，改变晶体管的电子流，从而改变晶体管的电学特性。这样，光敏晶体管就能把光信号转换成电信号。光敏晶体管的工作原理可以通过以下步骤来概括：1.当光敏晶体管暴露在外界光照下时，光子会激发光敏层中的电子和空穴。2.电子和空穴会在光敏层和半导体晶体管之间扩散，从而改变晶体管的电子流。3.当电子流改变时，晶体管的电学特性也会改变，从而影响晶体管的输出电流或电压。4.这样，光敏晶体管就能把光信号转换成电信号，并通过晶体管的输出电流或电压来表示光信号的强度。
晶体管门电路工作的原理是什么
晶体管门电路工作原理晶体管门电路是由一个或多个晶体管组成的电路。晶体管是一种半导体器件，它可以控制电流流动。在晶体管门电路中，晶体管被用来控制一个电路中其他元件的电流流动。晶体管可以作为开关或放大器使用。
什么是双极型晶体管
摘要：双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管，是一种电流控制器件。那么双极型晶体管工作原理是什么呢？在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结处于正向偏置状态，而基极-集电极则处于反向偏置状态。从而完成工作，具体的什么是双极型晶体管以及双极型晶体管工作原理是什么，一起到文中来寻找答案吧！一、什么是双极型晶体管双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。二、双极型晶体管工作原理是什么NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。
晶体管混频原理是什么电
晶体管混频电路是一种用于高频电信通信系统中的电路。它使用一个射频（RF）晶体管，通过将一个低频输入信号和一个高频输入信号混合在一起来产生一个新的高频输出信号。这个过程称为频率转换。常见的晶体管混频电路包括直接混频电路和间接混频电路。在直接混频电路中，低频信号直接作用于晶体管的基极，而在间接混频电路中，低频信号作用于晶体管的漏极。通常用作晶体管混频电路的晶体管是bipolarjunctiontransistor（BJT）或field-effecttransistor（FET）。这些晶体管都是三极电子器件，具有基极、源极和漏极，并且通过控制基极-源极电压或漏极-源极电压来控制输出信号的强度。混频电路可以用于许多应用，如无线电通信，导航，广播电视等。在无线电通信中，混频电路用于将高频信号转换为更高频信号或将低频信号转换为更低频信号。在导航系统中，混频电路用于将地面发射的高频信号转换为飞机接收的高频信号。在广播电视中，混频电路用于将地面发射的低频信号转换为接收电视的高频信号。混频电路通常由晶体管，电感，电容和阻抗匹配网络组成。混频电路的设计目标之一是尽可能地提高输出信号的信噪比（SNR）。对于晶体管混频电路的设计一般包括一些的参数如功率频率特性,相位和增益特性,动态范围,参考电平,输入输出阻抗匹配,噪音系数,重构产生的二次谐波,三次谐波以及其它的非线性等因素.在混频电路设计过程中,阻抗匹配是很重要的因素.阻抗匹配可以最大化输入信号的功率转移到输出端,同时最小化不必要的功率浪费,这样可以获得最大的输出功率.阻抗匹配通常通过使用电感或电容来实现.另外，在设计过程中还要注意电路的稳定性和线性性.混频电路的稳定性是指它的输出信号随输入信号的变化而变化的程度.线性性是指输入信号和输出信号之间的关系是否线性.如果不线性,输出信号会产生失真.为了确保混频电路的稳定性和线性性,设计人员通常使用增益稳定技巧和非线性补偿技术.总的来说，混频电路是一种高度灵活和重要的电子电路，并且在许多应用领域中都有重要的用途，包括通信，导航，广播电视等。
晶体管的原理文献有哪些
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什么是晶体管 在电脑上有什么用
晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其 英特尔3D晶体管技术(16张)他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。