晶体管

1)本电路为单结晶体管触发点路。2)V1—V5，R1组成桥式整流削波电路，为后续电路提供与焦炉电压同时过零（同步）的梯形波电压。3)V6，R2—R4及C组成单结晶体管震荡电路，由R4输出所需要的脉冲信号触发晶闸管。4)R2，RP及C组成RC充电电路，当C两端的电压达到V6的峰值电压VP时，单结晶体管导通；C和E-B1间形成放电回路，在R4的上形成脉冲电压，当C两端的电压随着放电电压下降到谷点电压UV时，单结晶体管截至，R4上的电压为零，完成一次震荡。5)电路中RP祈祷调节控制角的作用，即移相作用。

开关三极管（Switch transistor）的外形与普通三极管外形相同，它工作于截止区和饱和区，相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用，被广泛应用于各种开关电路中，如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等。负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上，输入电压Vin则控制三极管开关的开启（open） 与闭合（closed） 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。详细的说，当Vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启（关闭状态），此时三极管乃工作于截止（cut off）区。同理，当Vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合（连接状态），此时三极管乃工作于饱和区（saturaTIon）。开关三极管工作原理截止状态当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态。开关三极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。导通状态当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不再怎么变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结，集电结的电压值判定三极管工作状况的原理。开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。工作模式三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是表示电流的方向。双极面结型晶体管两个类型：NPN和PNPNPN类型包含两个n型区域和一个分隔它们的p型区域；PNP类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域。三极管的开关作用简单三极管开关：电路如图5，电阻RC是LED限流用电阻，以防止电压过高烧坏LED（发光二极管），将输入信号 VIN 从0 调到最大 （等分为约20 个间隔），观察并记录对的 VOUT 以及LED 的亮度。当三极管开关为断路时，VOUT =VCC =12 V，LED 不亮。当三极管开关通路时，VOUT = 0.2V ，LED 会亮。改良三极管开关：因为三极管由截止区过度到饱和区需经过线性区，开关的效果不会有明确的界线。为使三极管开关的效果明确，可串接两三极管，电路如图六。同样将输入信号 VIN 从0 调到最大 （等分为约20 个间隔），观察并记录对应的VOUT 以及LED 的亮度。三极管开关与机械式开关的比较截至目前为止，我们都假设当三极管开关导通时，其基极与射极之间是完全短路的。事实并非如此，没有任何三极管可以完全短路而使VCE＝0，大多数的小信号硅质三极管在饱和时，VCE（饱和）值约为0．2伏特，纵使是专为开关应用而设计的交换三极管，其VCE（饱和）值顶多也只能低到0．1伏特左右，而且负载电流一高，VCE（饱和）值还会有些许的上升现象，虽然对大多数的分析计算而言，VCE（饱和）值可以不予考虑，但是在测试交换电路时，必须明白VCE（饱和）值并非真的是0。虽然VCE（饱和）的电压很小，本身微不足道，但是若将几个三极管开关串接起来，其总和的压降效应就很可观了，不幸的是机械式的开关经常是采用串接的方式来工作的，如图3（a）所示，三极管开关无法模拟机械式开关的等效电路（如图3（b）所示）来工作，这是三极管开关的一大缺点。幸好三极管开关虽然不适用于串接方式，却可以完美的适用于并接的工作方式，如图4所示者即为一例。三极管开关和传统的机械式开关相较，具有下列四大优点﹕（1）三极管开关不具有活动接点部份，因此不致有磨损之虑，可以使用无限多次，一般的机械式开关，由于接点磨损，顶多只能使用数百万次左右，而且其接点易受污损而影响工作，因此无法在脏乱的环境下运作，三极管开关既无接点又是密封的，因此无此顾虑。（2）三极管开关的动作速度较一般的开关为快，一般开关的启闭时间是以毫秒（ms）来计算的，三极管开关则以微秒（μs）计。（3）三极管开关没有跃动（bounce）现象。一般的机械式开关在导通的瞬间会有快速的连续启闭动作，然后才能逐渐达到稳定状态。（4）利用三极管开关来驱动电感性负载时，在开关开启的瞬间，不致有火花产生。反之，当机械式开关开启时，由于瞬间切断了电感性负载样上的电流，因此电感之瞬间感应电压，将在接点上引起弧光，这种电弧非但会侵蚀接点的表面，亦可能造成干扰或危害。

薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征的单晶硅 MOSFET 工作原理来描 述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2. 当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电 荷.随着栅电压增加,半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层,形成反型层.当达到强反型时(即达到开启电压 时) ,源,漏间加上电压就会有载流子通过沟道.当源漏电压很小时,导电沟道近似为一恒定电阻,漏电流随源漏电 压增加而线性增大. 当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层 中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加.漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过 渡.当源漏电压增到一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,器件进入饱和区.在实际 LCD 生产中,主 要利用 a-Si:H TFT 的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电,利用关态来保持像素电容的电压,从而实现快 速响应和良好存储的统一.

CPU 中，有几百万（甚至更多）个晶体管。工作原理，不都是相同的。

1)本电路为单结晶体管触发点路。2)V1—V5，R1组成桥式整流削波电路，为后续电路提供与焦炉电压同时过零（同步）的梯形波电压。3)V6，R2—R4及C组成单结晶体管震荡电路，由R4输出所需要的脉冲信号触发晶闸管。4)R2，RP及C组成RC充电电路，当C两端的电压达到V6的峰值电压VP时，单结晶体管导通；C和E-B1间形成放电回路，在R4的上形成脉冲电压，当C两端的电压随着放电电压下降到谷点电压UV时，单结晶体管截至，R4上的电压为零，完成一次震荡。5)电路中RP祈祷调节控制角的作用，即移相作用。

双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。利用晶体管的放大效应，配合电阻、电容等元件，组成放大电路，可以对电信号进行放大。

单结晶体管 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼。单结晶体管 - 简介 只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时（图中b），电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c）,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。

光电晶体管的工作原理是：光电晶体一般在基极开放状态使用，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。在此状态下，光线入射于基极之表面时，受到逆偏压之基极、集极间即有光电流流过，射极接地之电晶体的情形也一样，电流以电晶体之电流放大率被放大而成为流至外部端子之光电流。电流再经过次段之电晶体的电流放大率被放大，其结果流至外部导线之光电流即为初段之基极、集极间所流过之光电流与初段及后段之电晶体的电流放大率三者之积。扩展资料：2019年，费广涛研究员课题组高旭东博士等人在研究中偶然发现，在近红外光照射的基础上再增加一束紫外光照射，这种复合薄膜对近红外光探测的响应度就会有近100倍的增加，产生了类似于三极管的特性。科研人员比较发现，其输出特性曲线与三极管的输出特性曲线非常相似，因此可将其称作“全光输入晶体管”。而且这种光电器件只需要两束光输入，不需要外加电驱动。科研人员进一步分析了这种奇异特性背后的科学机理，发现其源于器件的银与二氧化钛之间的肖特基势垒。据介绍，这种新材料可用于对光电信号的增强、开关和调制，为未来光电器件的研制提供了重要参考。参考资料来源：百度百科—光电晶体管参考资料来源：人民网—我国学者新方法实现“全光输入晶体管”

利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子，它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时，多发射极晶体管即首先进入过饱和状态，然后才驱使其后面的晶体管截止，故多发射极晶体管具有抽出它后面的晶体管基区中过量存储电荷的作用，多个发射极，这种抽出作用更大，从而可提高电路的开关速度，这也是TTL电路开关速度较高的一个重要原因。（2）提高集成度：因为一个多发射极晶体管实际上也就起着几个晶体管的作用（用以实现与非门的功能），所以在高速集成电路中，有利于提高集成度。

作用为：1.二极管可以作为单向的开关使用 2.三极管则可以用过电流的放大 3.通过三极管的拼接 也可以进行逻辑的运算 4.使用的芯片都是通过晶体管的拼接而组成的数字或者模拟电路晶体管内部的工作原理很简单，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍（依晶体管的种类而异）的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极一发射极电流的器件。从外部来看，因为在基极输入的电流被变大而出现在集电极、发射极端上，所以可看成将输入信号进行了放大。在实际的晶体管虽然有数千个品种，然而只是在最大规格、电特性和外形等方面有所不同。晶体管是将基极与发射极间流动的电流检测出来，进而控制集电极一发射极间电流的器件，所以只要使电流在基极与发射极之间流动，它就工作。也就是说，设计一种外部电路使基极一发射极间电流流动就可以了。扩展资料：晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。频率特性晶体管频率特性参数，常用的有以下2个：(1)特征频率ft：它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。(2)截止频率fb：在置换晶体管时，主要考虑ft与fb。通常要求用于置换的晶体管，其ft与fb，应不小于原晶体管对应的ft与fb。其他参数除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换时还应考虑以下参数：(1)对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。(3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。参考资料：搜狗百科——晶体管

集电极电流=放大倍数x基极电流发射极电流=集电极电流+基极电流

晶体管基极受稳压管钳位,电压相对于电源负极不变,当电源输入电压升高时,升高的电压都加在电阻R1上,从而导致晶体管发射极-基极电压升高,于是基极电流增加,经放大后发射极电流大幅度增加,从而导致R2上压降增加,晶体管发射极电压（也就是电源输出电压）回落. 这是个动态平衡,负反馈把晶体管发射极-基极电压限定在一个固定值,只要有所变化将立即拉回,而基极相对于电源负是固定的,于是输出电压等于发射极-基极电压加上稳压管电压,为恒定值.

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子，它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时，多发射极晶体管即首先进入过饱和状态，然后才驱使其后面的晶体管截止，故多发射极晶体管具有抽出它后面的晶体管基区中过量存储电荷的作用，多个发射极，这种抽出作用更大，从而可提高电路的开关速度，这也是TTL电路开关速度较高的一个重要原因。（2）提高集成度：因为一个多发射极晶体管实际上也就起着几个晶体管的作用（用以实现与非门的功能），所以在高速集成电路中，有利于提高集成度。

1)本电路为单结晶体管触发点路。2)V1—V5，R1组成桥式整流削波电路，为后续电路提供与焦炉电压同时过零（同步）的梯形波电压。3)V6，R2—R4及C组成单结晶体管震荡电路，由R4输出所需要的脉冲信号触发晶闸管。4)R2，RP及C组成RC充电电路，当C两端的电压达到V6的峰值电压VP时，单结晶体管导通；C和E-B1间形成放电回路，在R4的上形成脉冲电压，当C两端的电压随着放电电压下降到谷点电压UV时，单结晶体管截至，R4上的电压为零，完成一次震荡。5)电路中RP祈祷调节控制角的作用，即移相作用。

CPU中有大量的CMOS管和TTL管。。决大部分起开关作用。。还有一些场效应三级管等，起放大作用。。一点个人见解。。

负电容晶体管工作原理是将铁电层与合适的介电层串联稳定该负电容态。是非电容元件的电器特性上的一些表征，是器件的衍生电容。

晶体管调节器,也叫电子调节器,它利用晶体三极管的开关作用,控制发电机磁场电路的通,断,在发电机转速变化时,调节磁场电路的阻值,使发电机电压保持稳定.它有内搭铁和外搭铁之分.

薄膜晶体管的原理：1、薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。它的工作状态可以利用Weimer表征的单晶硅MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，物理结构如图2。当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。2、当达到强反型时(即达到开启电压时)，源，漏间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。3、当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，器件进入饱和区。在实际LCD生产中，主要利用a-Si：HTFT的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电，利用关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。参考资料百度百科：https://baike.baidu.com/item/%E8%96%84%E8%86%9C%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1/2611528?fr=aladdin#2

摘要：双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管，是一种电流控制器件。那么双极型晶体管工作原理是什么呢？在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结处于正向偏置状态，而基极-集电极则处于反向偏置状态。从而完成工作，具体的什么是双极型晶体管以及双极型晶体管工作原理是什么，一起到文中来寻找答案吧！一、什么是双极型晶体管双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。二、双极型晶体管工作原理是什么NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。

CPU的工作原理就是：1、取指令：CPU的控制器从内存读取一条指令并放入指令寄存器。指令的格式一般是这个样子滴：操作码就是汇编语言里的mov，add，jmp等符号码；操作数地址说明该指令需要的操作数所在的地方，是在内存里还是在CPU的内部寄存器里。2、指令译码（解码）：指令寄存器中的指令经过译码，决定该指令应进行何种操作（就是指令里的操作码）、操作数在哪里（操作数的地址）。3、执行指令（写回），以一定格式将执行阶段的结果简单的写回。运算结果经常被写进CPU内部的暂存器，以供随后指令快速存取。4、 修改指令计数器，决定下一条指令的地址。扩展资料CPU主要功能：1、处理指令英文Processing instructions；这是指控制程序中指令的执行顺序。程序中的各指令之间是有严格顺序的，必须严格按程序规定的顺序执行，才能保证计算机系统工作的正确性。2、执行操作英文Perform an action；一条指令的功能往往是由计算机中的部件执行一系列的操作来实现的。CPU要根据指令的功能，产生相应的操作控制信号，发给相应的部件，从而控制这些部件按指令的要求进行动作。3、控制时间英文Control time；时间控制就是对各种操作实施时间上的定时。在一条指令的执行过程中，在什么时间做什么操作均应受到严格的控制。只有这样，计算机才能有条不紊地工作。4、处理数据即对数据进行算术运算和逻辑运算，或进行其他的信息处理。其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据， 并执行指令。在微型计算机中又称微处理器，计算机的所有操作都受CPU控制，CPU的性能指标直接决定了微机系统的性能指标。

和三级管没有什么。就是使用了发光管作为基极，所以形成光电晶体管

多发射极晶体管（MESFET）是一种半导体晶体管，它的工作原理类似于普通的晶体管，但是它的发射极由发射极电流控制而不是电压控制。这意味着MESFET的电流流过发射极的强度取决于控制电流的强度，而不是电压。MESFET的结构基本上是一个金属氧化物半导体（MOS）管，其中发射极由一个缩小的金属接触构成。当控制电流流过发射极时，它会产生一个电场，这个电场会影响到MOS管中的电子流动，从而控制MESFET的输出电流。MESFET的主要优点是其高电流增益和低功耗。它的缺点是较低的电压增益和较低的频率响应。因此，MESFET通常用于低频应用，例如无线电频道放大器和低功耗数字电路。

基极电流的变化会引起集电极电流的变化，基极电流很小而集电极电流很大，小的电流变化引起大的电流变化，意义就是变化的电流被放大了！这就是基本原理。

原理及区别：（1）纵向PNP管：是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄，因此它的电流放大系数较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点，因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。（2）横向PNP管：这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是：发射结和集电结都有较高的反向击穿电压，所以它的发射结允许施加较高的反压；另外它在电路中的连接方式不受任何限制，所以比纵向PNP管有更多的用途。它的缺点是结电容较大，特征频率fT较低，一般为几~几十兆赫。

晶体管门电路是由晶体管构成的电路，它可以在其输入信号的电压变化范围内控制其输出电压。晶体管门电路有三种基本类型：NPN和PNP晶体管门电路以及MOSFET门电路。其中，NPN和PNP晶体管门电路是由BJT构成，而MOSFET门电路是由MOSFET构成。NPN晶体管门电路中，电流从集电极流入基极，经过发射极流入源极。在PNP晶体管门电路中，电流从源极流入发射极，经过基极流入集电极。MOSFET门电路中，门电压控制着通过场效应管的流动。在N-MOSFET中，门电压小于基极电压时，场效应管是开的，允许电流流过；在P-MOSFET中，门电压大于基极电压时，场效应管是开的，允许电流流过。晶体管门电路的基本工作原理是通过控制门电压来控制电流流动。在NPN晶体管门电路中，当门电压升高时，发射极基极电压会减小，从而使发射极基极电流增加，进而增加发射极源极电流。在PNP晶体管门电路中，当门电压降低时，发射极基极电压会增加，从而使发射极基极电流减小，进而减小发射极源极电流。在MOSFET门电路中，当门电压增加时，N-MOSFET中的N沟道就会被带电，由于带电的N沟道能够吸引电子，所以P沟道就会缺少电子，P-N结的电动势就会升高，这样就会使得P沟道中的电子离子化，变成电离状态，此时就能满足导通条件了。相反，对于P-MOSFET的门电压降低会导致P沟道缺少电子而N沟道被带电。总结来说，晶体管门电路是一种由晶体管构成的电路，它能够根据输入信号的电压变化范围来控制输出电压，这种控制电压的方式就是通过控制门电压来控制电流流动。晶体管门电路在电子学中有着重要的应用，主要用于控制电流和电压，进而控制功率和信号转换。在整个电路中，晶体管门电路常用作放大器、开关、阀门等。它的放大作用主要是通过增加电流流动来放大信号。开关作用是通过控制电流流动来打开或关闭电路。阀门作用是通过控制电流流动来控制流量。此外，晶体管门电路还可以用于控制电机、调节灯光、控制空调、洗衣机等大型电器。晶体管门电路还广泛用于计算机和通信领域。总之，晶体管门电路在电子技术中有着重要的应用，并且在不断发展和进化，其基本原理和构造也在不断完善，以满足不断变化的应用需求。

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极。当基极B1和B2之间加上电压时，电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。

NPN晶体管是一种常见的三极半导体器件，它可以用来控制电流流动的方向。晶体管由两个p型半导体和一个n型半导体构成。当晶体管的电流控制端（也称为基极）接收到足够的电流时，就会使晶体管导通，电流就可以流过晶体管的放电端（也称为放大器极）。这就是NPN晶体管的工作原理。晶体管的输出电流取决于输入电流的大小，这也是为什么晶体管被称为电流放大器的原因。它可以用来放大输入信号的幅度，也可以用来控制电流流动的方向。

pnp双极晶体管的工作原理PNP双极晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）是一种三极半导体器件，由两个p型半导体和一个n型半导体组成。它的工作原理是通过控制电流通过三个接触点之间的关系来控制电流通过输出端。在PNP双极晶体管中，一个p型半导体与另一个p型半导体相连，中间插入一个n型半导体。通过控制电流流过基极（base）来控制电流流过源极（emitter）和汇极（collector）之间的关系。

晶体管的放大原理晶体管是一种电子元件，它可以放大电子信号。晶体管的放大原理是：晶体管的基极和源极之间的电压差会放大输入信号，从而产生较大的输出信号。晶体管的放大率取决于晶体管的结构，晶体管的放大率可以通过改变晶体管的结构来调节。

三级晶体管工作原理是它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。三极晶体管工作的必要条件是：在B极和E极之间施加正向电压（此电压的大小不能超过1V）；在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）；若要取得输出必须施加负载。当三极晶体管满足必要的工作条件后，其工作原理基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。晶体管的主要特点：1、优越性，同电子管相比，晶体管具有诸多优越性。2、体积小，晶体管比电子管体积小很多，需要空间比电子管小很多，电器使用晶体管可以做的很小。3、构件没有消耗，无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。

在晶体三极管放大电路中，输入信号和输出信号共用三极管那个极（信号的输入、输出都是两端进行的），而将放大电路分为共集、共基、共射三种。

晶体管是一种电子器件，它可以在电路中控制电流的流动。晶体管有三个端点：源极，漏极和基极。在NPN晶体管中，源极和基极之间有负基极材料，漏极和基极之间有正基极材料。当基极-源极间的电压升高时，就会有足够的电流流过漏极-基极，从而导致漏极-基极间的电流增加。这称为晶体管的“开”状态。当基极-源极间的电压降低时，就不会有足够的电流流过漏极-基极，从而导致漏极-基极间的电流减少。这称为晶体管的“关”状态。

对于双极性晶体管来说，其工作原理是：首先，电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断的流向基区，形成发射极电流；其次，自由电子由发射区流向基区后，先聚集在发射结附近，但随着此处自由电子的增多，在基区内部形成了电子浓度差，使得自由电子在基区中由发射结逐渐流向集电结，形成集电极电流。最后，由于集电结处存在较大的反向电压，阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散，并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区，形成集电极电流。扩展资料晶体管的特点1、构件没有消耗随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍。2、消耗电能极少，晶体消耗电能仅为电子管的十分之一或几十分之一，不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子，一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去。3、不需预热晶体管一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。4、结实可靠晶体管比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。参考资料来源：百度百科--双极性晶体管参考资料来源：百度百科--晶体管

晶体管的原理是电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断地流向基区，形成发射极电流；激光的原理是原子中的电子吸收能量后，从低能级跃迁到高能级，再从高能级回落到低能级的时候，所释放的能量以光子的形式放出；发光二极管的原理是发光二极管是由一个PN结组成，具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中，电子和空穴所处的能量状态不同。

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晶体管时间继电器是由稳压电源、分压器、延时电路、触发器和执行机构五部分组成，接通电源后，电路中由电位器、钽电容组成的R、C延时电路立即充电经一段延迟时间后，延时电路中钽电容C的电压略高于触发器的门限电位，触发器被触发，推动电磁继电器动作。从而接通或断开外电路，达到被控制电路的定时动作的目的。 特点： 1、体积小、重量轻，便于安装。 2、外壳全封闭，安全、整洁，较为适合本车间工作环境。 3、底座式安装，更换方便。 4、旋钮时调节，方便快捷。

晶体管时间继电器是由稳压电源、分压器、延时电路、触发器和执行机构五部分组成，接通电源后，电路中由电位器、钽电容组成的R、C延时电路立即充电经一段延迟时间后，延时电路中钽电容C的电压略高于触发器的门限电位，触发器被触发，推动电磁继电器动作。从而接通或断开外电路，达到被控制电路的定时动作的目的。 特点： 1、体积小、重量轻，便于安装。 2、外壳全封闭，安全、整洁，较为适合本车间工作环境。 3、底座式安装，更换方便。 4、旋钮时调节，方便快捷。

这两种延时继电器都是当点的，控制时间不长精度也不高，在锅炉运行和电动机的延时降压启动中经常使用，也能够满足要求

时间继电器（time relay）是指当加入（或去掉）输入的动作信号后，其输出电路需经过规定的准确时间才产生跳跃式变化（或触头动作）的一种继电器。是一种使用在较低的电压或较小电流的电路上，用来接通或切断较高电压、较大电流的电路的电气元件。同时，时间继电器也是一种利用电磁原理或机械原理实现延时控制的控制电器。它的种类很多，有空气阻尼型、电动型和电子型等。代替小型接触器,中间继电器的触点具有一定的带负荷能力，当负载容量比较小时，可以用来替代小型接触器使用，比如电动卷闸门和一些小家电的控制，这样的优点是不仅可以起到控制的目的，而且可以节省空间，使电器的控制部分做得比较精致，增加接点数量,这是中间继电器最常见的用法，例如，在电路控制系统中一个接触器的接点需要控制多个接触器或其他元件时而是在线路中增加一个中间继电器。一般的电路常分成主电路和控制电路两部分，继电器主要用于控制电路，接触器主要用于主电路；通过继电器可实现用一路控制信号控制另一路或几路信号的功能，完成启动、停止、联动等控制，主要控制对象是接触器；接触器的触头比较大，承载能力强，通过它来实现弱电到强电的控制，控制对象是电器。线圈通电，动铁芯在电磁力作用下动作吸合，带动动触点动作，使常闭触点分开，常开触点闭合；线圈断电，动铁芯在弹簧的作用下带动动触点复位，继电器的工作原理是当某一输入量(如电压、电流、温度、速度、压力等)达到预定数值时，使它动作，以改变控制电路的工作状态，从而实现既定的控制或保护的目的，在此过程中，继电器主要起了传递信号的作用 。

时间继电器的电气控制系统中是一个非常重要的元器件。一般分为通电延时和断电延时两种类型。附图是晶体管组成的继电器延时吸合电路。是一个典型的RC充电延时电路。工作原理：刚接通电源时，左下角的16μF电容上电压为零，两个三极管都截止，继电器不动作。随着+60V电压经过10M欧电位器和100K电阻对16μF电容的充电，一段时间后，16μF电容上电压达到高电平（高于稳压管ZPY15的稳压值与三个PN的正向电压和），两个三极管都导通，继电器延时吸合。延时时间可达60s。延时的时间长短可通过10MΩ电阻来调节。

　　晶体管时间继电器是由稳压电源、分压器、延时电路、触发器和执行机构五部分组成，接通电源后，电路中由电位器、钽电容组成的R、C延时电路立即充电经一段延迟时间后，延时电路中钽电容C的电压略高于触发器的门限电位，触发器被触发，推动电磁继电器动作。从而接通或断开外电路，达到被控制电路的定时动作的目的。 　　特点： 　　1、体积小、重量轻，便于安装。 　　2、外壳全封闭，安全、整洁，较为适合本车间工作环境。 　　3、底座式安装，更换方便。 　　4、旋钮时调节，方便快捷。

截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。　　导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面　　当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

场效应管的作用⒈场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。⒉场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。⒊场效应管可以用作可变电阻。⒋场效应管可以方便地用作恒流源。⒌场效应管可以用作电子开关。场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）的简称。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。向左转|向右转一、工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的uf8a0，用以栅极与沟道间的uf8a3结形成的反偏的栅极电压控制uf8a0”。更正确地说，uf8a0流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由uf8a3结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流uf8a0流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，uf8a0饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(uf89f)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。⒈MOS场效应管电源开关电路MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。⒉C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。二、作用⒈场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。⒉场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。⒊场效应管可以用作可变电阻。⒋场效应管可以方便地用作恒流源。⒌场效应管可以用作电子开关。

场效应管是电压控制型的，而晶体管是电流控制性的

工作原理是：当栅极和源极间加正向电压时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过芯片内部。其结构特点为栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，具有更小的单元的尺寸和导通电阻。

看说明书或样本，型号后缀有输出方式。

看型号倒数第二位是r还是t，R是继电器t是晶体管，或者看说明书有标注的

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线.MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。N沟道耗尽型MOS管结构：N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。区别：耗尽型MOS管在vGS=0时，漏－源极间已有导电沟道产生增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。电流方程：在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同。使用场效应管的注意事项 1．从场效应管的结构上看，其源极和漏极是对称的，因此源极和漏极可以互换。但有些场效应管在制造时已将衬底引线与源极连在一起，这种场效应管的源极和漏极就不能互换了。2．场效应管各极间电压的极性应正确接入，结型场效应管的栅-源电压vGS的极性不能接反。3．当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。4．MOS管的栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很薄，极易击穿。所以栅极不能开路，存放时应将各电极短路。焊接时，电烙铁必须可靠接地，或者断电利用烙铁余热焊接，并注意对交流电场的屏蔽。场效应管与三极管的性能比较 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3．场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。CMOS工作原理 什么是CMOS-IC？ 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。CMOS集成电路的性能特点 微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。 高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑“0”为VSS。 高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。 高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。 低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。 宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为- 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。 http://baike.baidu.com/view/22318.html?wtp=tt

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管 　　全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 　　别名 ： positive MOS 　　金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 　　P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。 　　MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。 　　PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。 　　与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是 　　VGS<VTN (NMOS)， 　　VGS>VTP (PMOS)， 　　值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。 　　PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。 　　MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。 　　各种场效应管特性比较 　　在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。 资料来源： http://baike.baidu.com/view/1353429.htm

MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。 不知道是不是你要的？

应该是三极管开启电压。即基极电压与发射极电压电达到0.6V时，三极管发射极才会有可能有电流通过

S8050，封装TOP21，NPN型管，功能高频放大，40V，1.5A，1W，100MHZ，代换B1240，S8550。S8550与S8050一致。9012，TOP21，PNP，低频放大，50V，0.5A，0.625W，代换，9013。

vsli 超大规模集成电路的简称 vsli (Very Large Scale Integration) 简称“vlsi电路”。指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成，故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时，硬件费用几乎可不计，而取决于设计费用。国际上硅片面积已增至厘米见方，管数达十亿个而线宽为01微米。 什么是摩尔定律？ 摩尔在1965年文章中指出，芯片中的晶体管和电阻器的数量每年会翻番，原因是工程师可以不断缩小晶体管的体积。这就意味着，半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去。1975年，摩尔又修正了摩尔定律，他认为，每隔24个月，晶体管的数量将翻番。 这篇文章发表的时候，芯片上的元件大约只有60种，而现在，英特尔最新的Itanium芯片上有17亿个硅晶体管。 尽管这一定律后来成为里程碑似的东西，但这篇文章当时并没有放在首要位置，文章所在的页码是114页。 摩尔最近说："当时，你不会想把这种东西放入你的档案中的，我当时没有想到它会如此的精确。"

只要根据大于KTA1298的极限电压、电流的三极管，只要是一般应用均可以代换。如果，应用电路有其他要求，则需要考虑其他参数相同、相近或者优于原参数

比较大的生产厂家Intel,AMD,TI(NS被收购),Samsung,NEC（瑞萨被收购）,ON，Fairchild，NXP，ST，Vishay，IR，PI，Toshiba，Sharp,ADI,Freescale,Microchip,Actions,长电，亿光，Infineon，Hynix，OV，CET，Micro……晶体管：Infineon，IXYS，Fairchild，IR，ON，NXP，Vishay，Toshiba，Sanyo（被ON收购），士兰微，吉林华微，长电……单片机：Microchip，TI，NXP，ATMEL，NEC，Freescale，中星微，Elan，士兰微，复旦……

NXP freescale Atmel Xilinic等等。

1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。 电力晶体管20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。 　　晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。 　　由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里，有一根与矿石（半导体）表面相接触的金属丝（像头发一样细且能形成检波接点），它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。 　　在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。 　　为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。 　　1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。 　　布拉顿等人，还想出有效的办法，来实现这种放大效应。他们在发射极和基极之间输入一个弱信号，在集电极和基极之间的输出端，就放大为一个强信号了。在现代电子产品中，上述晶体三极管的放大效应得到广泛的应用。 　　巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。不久之后，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。1947年12月，这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了，在首次试验时，它能把音频信号放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。 　　在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transister，中文译名就是晶体管。 　　由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点，肖克莱提出了用一种"整流结"来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。 　　1950年，第一只“面结型晶体管”问世了，它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管，大部分仍是这种面结型晶体管。 　　1956年，肖克莱、巴丁、布拉顿三人，因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖

晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里，有一根与矿石(半导体)表面相接触的金属丝(像头发一样细且能形成检波接点)，它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。布拉顿等人还想出有效的办法，来实现这种放大效应。他们在发射极和基极之间输入一个弱信号，在集电极和基极之间的输出端，就放大为一个强信号了。在现代电子产品中，上述晶体三极管的放大效应得到广泛的应用。巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。不久之后，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。1947年12月，这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了，在首次试验时，它能把音频信号放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transister，中文译名就是晶体管。由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点，肖克莱提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。1950年，第一只“面结型晶体管”问世了，它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管，大部分仍是这种面结型晶体管。1956年，肖克莱、巴丁、布拉顿三人因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。

反正我知道有了晶体管才有了个人电脑。。。

　　所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。　　严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。因此，三极管是晶体管的一种。　　日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。

1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。 电力晶体管20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。 　　晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。 　　由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里，有一根与矿石（半导体）表面相接触的金属丝（像头发一样细且能形成检波接点），它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。 　　在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。 　　为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。 　　1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。 　　布拉顿等人，还想出有效的办法，来实现这种放大效应。他们在发射极和基极之间输入一个弱信号，在集电极和基极之间的输出端，就放大为一个强信号了。在现代电子产品中，上述晶体三极管的放大效应得到广泛的应用。 　　巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。不久之后，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。1947年12月，这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了，在首次试验时，它能把音频信号放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。 　　在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transister，中文译名就是晶体管。 　　由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点，肖克莱提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。 　　1950年，第一只“PN结型晶体管”问世了，它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管，大部分仍是这种PN结型晶体管。(所谓PN结就是P型和N型的结合处。P型多空穴。N型多电子。) 　　1956年，肖克利、巴丁、布拉顿三人，因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。

所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。因此，三极管是晶体管的一种。北京南电科技主要经营二三极管、集成电路IC、MOS管、整流桥等，目前南电已获得10余家国产和进口品牌原厂的官方授权，ON品牌更是现货分销17年。在日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。

晶体管和继电器的区别1 晶体管导通时间短，继电器时间长，步进电机里面发脉冲肯定要用晶体管2 晶体管需要直流电压，而继电器可以输出干接点，从隔离的角度看来，继电器当然更好一些，而且继电器可以通交流电也可以通直流电，电压也可以达到220，晶体管就低了许多。另外，晶体管的英文是transistor ,继电器的英文是relay，电阻的英文是resister

现在手机SoC芯片的晶体管数量动辄百亿个，“愚公移山”拼体力一秒画一个，根本不可能。现在的高端芯片设计，已经和体力活说拜拜，设计流程分工极细，设计过程自动化程度极高，这样才能避免芯片上市，“黄花菜”都凉了的尴尬。 下面以数字芯片为例，为大家简单捋一捋芯片设计的过程。 两大流程， SoC芯片设计流程可以分为前端和后端，前端负责逻辑设计、输出门级网表（netlist），后端进行物理设计，输出版图（layout），然后将版图传给芯片厂制造（tapeout）。 顺带说一句为什么传版图给芯片厂叫tapeout。在早期，芯片设计公司都是用磁带（tape）存储芯片版图文件，需要制造时将磁带送到芯片厂，所以叫“tapeout”。这个词一直沿用到现在，即使现在传送版图文件的方式多样化了。 说白了，这是芯片文化的反映，和计算机的“bug”叫法一样，最早就是电子管大型机时代，工程师清扫追寻电子管亮光而被烤死的飞虫，排除飞虫导致的电路故障。后来，“bug"不再指真实世界中的虫子，而是指软件漏洞。 说回芯片设计流程。 芯片设计两大流程 前面说的芯片前端设计，又可细分为行为级、RTL级、门级，行为级描述电路功能，RTL级描述电路结构，门级描述门这一级电路的结构。 芯片后端设计是将前端设计产生的门级网表通过EDA工具进行布局布线，以及物理验证，最终产生供芯片厂制造使用的版图文件。 芯片设计版图详细描述了电路结构，即哪些地方该保留，哪些地方该腐蚀，哪些地方是连线。芯片制造厂将版图制作成光学掩膜，即可用光刻机制造芯片。 上述过程理解比较费力，可以用熟悉的杂志出版打个简单的比方： 前端设计相当于编辑根据选题计划，挑选投稿，编辑处理，并确定哪些稿件排在重要位置（封面文章），哪些稿件仅是填补版面的酱油角色。后端设计的任务，则是将选好的稿件，排成版面，做成版面图文件，交给印刷厂付印。 简单说，芯片前端设计相当于编辑选稿、处理稿件，后端设计相当于版面编辑排版。 芯片设计之所以要分前端和后端，主要是因为芯片特别是高端SoC芯片结构太复杂了。实际上，专业分工是否精细是衡量一个行业复杂度的两大重要指标之一，另一个指标就是自动化程度是否高。 芯片设计就是一个高度自动化的行业，从前端到后端，都离不开EDA软件（Electronic Design Automation，即电子设计自动化）。芯片设计公司在DEA软件平台上完成芯片的前后端设计，不需要手工画电路图。 EDA主要由美国的Cadence和Synopsys公司提供，两家公司都能提供前端和后端设计软件。目前国内的芯片设计公司包括华为海思、中兴、展讯等企业，都离不开Cadence和Synopsys公司的EDA软件平台。为什么非得用Cadence和Synopsys的？因为这两家公司在行业发展几十年，EDA软件功能完备、生态完整，好用。 那么，如何用EDA软件设计芯片呢？ 芯片设计七大步，有两步看不到电路 第一步，用Verilog编写电路，这个过程是看不到电路图的，就是一堆描述性语言，以代码形式呈现。 第二步，跑数字仿真，用到的工具有VCS或MMSIM等工具。仿真的目的是看写出来的设计能不能正常工作，这个过程也看不到电路，还是一堆源代码。 第三步，跑完仿真后，将源代码转换成标准单元电路（Standard Cell）。 第四步，用IC-Compiler等工具进行布线，就是把标准单元电路找到对应的位置，用软件进行自动连线，这个过程需要和芯片的制造工艺进行辅助配合。 第五步，再将标准单元电路填入图形，按设计需求连线，形成版图图形。 第六步，完成版图后，还不能马上交付芯片厂生产，谁知道那些单元的连线没连好，造成噪音干扰，导致功耗升高、性能降低。为了消灭潜在bug，需要分别进行设计规则验证、和布局与原理图验证。 第七步，两大验证通过后，就可以把版图制成GDSII电子文件，交给芯片厂流片（小批量试制）。 第八步，流片后对芯片检测，如果芯片功能正常，符合设计要求，OK，让芯片厂大规模生产。 可以看出，芯片整个设计过程共有7个大步骤，全程都通过EDA软件在电脑上完成，不存在工程师手工一个一个画电路图的情形，甚至在前端设计的部分阶段，设计者根本不用考虑晶体管长什么样、有多大，在后端，设计者也不会去数该芯片含有多少晶体管，而由软件自动统计。 正是有了EDA软件的帮助，即使芯片内部有多达百亿级的晶体管，设计起来也轻轻松松，这就是高 科技 的力量和魅力。 工程师不需要一个一个晶体管的去设计芯片。很多现成的电路，比如数模转换电路、微积分电路、傅里叶变换电路等等都是前人设计好了的，后人只需要前一代芯片基础上进行架构的优化和精度提升就行了。 1+1+1。。。55亿个1相加，就算一秒钟算一次要好久啊。到了二三年级就不一样了 首先芯片设计，不是一只只的晶体管设计，而是将成熟或以实验过的单元电路，选择所需要的功能电路，将它们用数据线串联或并联在一起，一块完整芯片就设计完成了。在通过配套的系统控制系统，一个完整的芯片组合系统才算完成，至于芯片所需要的生产技术工艺级别，那就是芯片制造的事了，与芯片设计无关系了。 起初工程师是准备晶体管，把它们集中收好，然后趁处理器不注意的时候一起塞进去。 举个例子吧； 你要盖一栋大楼，需要需要先设计图纸，你这个大楼有10000个房间，但其中有5000个是一样的，还有3000个一样的，还有2个1000个一样的，那么你直接用5个设计方案就够了，把这4个不同的房间设计好，再用一种排列连接方式合在一起就行了， 这样你就不需要去设计10000个，只需要设计4个房间和一个组合方式就好了。 这样用多少材料就一目了然了。 芯片设计也一样，尽管有的芯片里面的元器件有几十亿上百亿个，你只需要设计出怎么排列就行了，里面的型号也就几千个，几万个，只是排列方式不同，把那些一样功能的作为一个整体组合进去就行了。 这些组合方式也不是人工去做的，只需要人的思路就行了，就好比你想把100吨混凝土放在哪一个大楼的位置，不用你几百人上千人亲自去手挖肩扛，直接一辆卡车拉过来就行了。卡车就是那个设计芯片的工具，你来开车，你就是芯片设计人。当然还有塔吊，也是工具。 所以设计芯片就是这么一车一车的累积起来的，而不是一铁锨一铁锨的铲起来的，太慢了。 所以芯片设计需要好几个软件，也就是卡车、塔吊。卷扬机，打桩机等等。 工具很重要，没有工具，你就无法把大楼搞得特别大，比如100万个房间，1千万个房间等等，一个房间就是一个晶体管，多了你就要设计通道，组合等等，用人画是绝对不可能的，只能用软件，画1万个的时间，软件只需要几秒就完成了，人工要多少天呢，上百亿个，要多少年呢，用软件只需要几个月就够了。 尽管这个例子举的不太恰当，能理解个大概就好了，反正我们只是使用者，不关心怎么来的，只关心怎么好用就是了。 ctrl+c， ctrl+v。 模块化设计方法。 设计房子，盖房子，生产砖头水泥钢筋。建筑设计师并不是一粒沙子一勺水泥一根钢筋自己造房子。 比如有个2000万晶体管弄好的部件，这次要用到，就直接拿过来用了。那个部件也是由很多更小的部件组成。 最初的小规模集成电路也就几十个晶体管。 设计大规模超大规模芯片有辅助设计软件，逐次迭代滚动发展，晶体管数越来越多。 看着评论区那么多自以为牛逼的人评论说芯片很好造，和盖楼一样，我就放心了，国家果然还是房地产要发展， 科技 先放一放吧，没什么希望了。还以为会有些看的清的，还是跟随洪流吧。 激光打印机了解下，你个幼儿园的小朋友一笔一划要写多少年啊，光刻机比打印机快万倍

达林顿晶体管是由两个n-p-n晶体管组合而成的一种复合晶体管（见图1）；其中第一个BJT（T1）是CC组态（射极跟随器），第二个BJT（T2）是CE组态。从功能上来说，该达林顿晶体管实际上它也就等效于一个CE组态的n-p-n晶体管（极性与T2管相同）。因为作为射极跟随器的T1和发射极接地的T2这两个晶体管都具有很大的电流增益，因此达林顿晶体管的总电流增益也就更大（总增益等于T1和T2的电流增益的乘积）。达林顿晶体管的输入电阻是由较高的T1的输入电阻与其后面的折合电阻串联而成的，故达林顿晶体管的输入电阻也很高。正因为达林顿晶体管具有很大的电流增益和很高的输入电阻，所以它在IC中得到了广泛的应用。但是，达林顿晶体管也有若干不足之处。其一是输出电阻很低（因为射极跟随器T1的输出电阻很低，故复合管的输出电阻比单个晶体管的还要低）；其二是跨导很小，这是由于其输入电阻很高，以致输入电压的变化难以引起输出电流发生较大变化的缘故；其三是达林顿晶体管的频率特性较差，因为其中T1的集电结势垒电容是一个Miller电容的缘故。其四是多采用了一个晶体管（两个晶体管起着一个晶体管的作用），这在IC中即增加了所占用芯片的面积；然而，构成达林顿管的两个晶体管可以放置在一个隔离区中（因为它们的集电极是连接在一起的，电位相同），这对于集成又是有利的。

　　λ---光谱半宽度　　VF---正向压降差　　Vz---稳压范围电压增量　　av---电压温度系数　　a---温度系数　　BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压　　BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压　　BVceo---基极开路，CE结击穿电压　　BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压　　BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压　　Cib---共基极输入电容　　Cic---集电结势垒电容　　Cieo---共发射极开路输入电容　　Cies---共发射极短路输入电容　　Cie---共发射极输入电容　　Cjo/Cjn---结电容变化　　Cjo---零偏压结电容　　Cjv---偏压结电容　　Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容　　CL---负载电容（外电路参数）　　Cn---中和电容（外电路参数）　　Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容　　Coeo---共发射极开路输出电容　　Coe---共发射极输出电容　　Co---零偏压电容　　Co---输出电容　　Cp---并联电容（外电路参数）　　Cre---共发射极反馈电容　　Cs---管壳电容或封装电容　　CTC---电容温度系数　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比　　Ct---总电容　　Cvn---标称电容　　di/dt---通态电流临界上升率　　dv/dt---通态电压临界上升率　　D---占空比　　ESB---二次击穿能量　　fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率　　fT---特征频率　　f---频率　　h RE---共发射极静态电压反馈系数　　hFE---共发射极静态电流放大系数　　hfe---共发射极小信号短路电压放大系数　　hIE---共发射极静态输入阻抗　　hie---共发射极小信号短路输入阻抗　　hOE---共发射极静态输出电导　　hoe---共发射极小信号开路输出导纳　　hre---共发射极小信号开路电压反馈系数　　IAGC---正向自动控制电流　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流

55555555555555555555555555555555555555555555555555

SS36与SK36参数上没有区别，主要参数：肖特基势垒二极管，3A；60V；贴片封装；其他参数也没有区别。唯一区别是制造厂商不同，SS36由Vishay Semiconductors等十几家厂商制造；SK36由TY Semicondutor、PanJit International, Inc等十几家厂商制造。这就象555集成电路一样，有NE555，有LM555、UX555、CA555一样，它们的参数没有区别，只是制造厂商不同。SS36与SK36参数对比如图：

SS36肖特基二极管，SMA（DO-214AC）封装，具体参数如下：最高峰值反向电压VRRM：60V最大反向有效值电压VRMS：42V最大直流截止电压VDC：60V最大平均正向整流电流I(AV)：3A峰值正向浪涌电流IFSM：100A最大正向压降VF：0.7V反向漏电流IR：0.5mA（TA=25℃）/20mA（TA=100℃）结电容CJ：300pF典型热阻RqJA：55℃/W工作结温TJ：-65℃ to 125℃SS36肖特基二极管

之前的这几天，一直在用Cadence的capture仿真一个模拟电路。一开始用的是库里自带的脉冲信号源library。因为我所用的电路，是对来自光电倍增管的信号进行调理，所以我们之前用示波器采样了一个波形，存成了txt文本的格式。也就是说，如果我们能把这个文本做成一个信号源文件，用capture添加到仿真电路图里作为输入，就可以使仿真结果更接近于实际。在同学的提示下，经过摸索，我总结出步骤如下：1)在原理图编辑模式下，点击添加元件按钮，add library-> sourcstm.olb （ ../tools/capture/libarary/pspice/路径下）对于我，要用电压源，则添加其中的vstm到原理图中，你会看到一个信号源的图标。2) 点击该图标右键选择edit pspice library.然后你会看到一个窗口，同时弹出一个对话框，输入一个simulus名称，比如 Simu1然后单选pwl.那一项然后再弹出一个对话框，选择cancel就会进入一个波形编辑窗口 3) file->save as然后把该Simu1.stl文件save到某个文件夹中。用ultra edit 打开该文件，你会看到如下的内容* D:PspiceSimulationTofQTPMTSimu1.stl written on Tue Sep 29 16:24:07 2009* by Stimulus Editor -- Serial Number: -- Version 10.5.0;!Stimulus Get;! PMTSimu1 Analog;!Ok;!Plot Axis_Settings;!Xrange 387.ns 623.ns;!Yrange -2 170.m;!ManualUniverse;!Xuniverse 1us;!Yuniverse -1.00291 1;!XminRes 100ps;!YminRes 10u;!Ok.STIMULUS PMTSimu1 PWL+ TIME_SCALE_FACTOR = 1+ VALUE_SCALE_FACTOR = 1有*的行应是注释。其它的就是波形文件的设置啦，这些都可以修改。然后简单的办法就是把自己的波形数据粘贴到文件后面诸如下面几行：+ ( 0, 0 )+ ( 4.009e-007, 0.00206 )+ ( 4.019e-007, 0.00042 )+ ( 4.029e-007, 0.00641 )+ ( 4.039e-007, 0.00295 )+ ( 4.049e-007, 0.00055 )+ ( 4.059e-007, 0.00518 )+ ( 4.069e-007, 0.00104 )+ ( 4.079e-007, 0.00011 )然后保存，就差不多了。在原理图里就可以仿真了。当然这里面还有很多细节，巨细无遗地列出就太繁琐了，只有我们通过自己的实践去体会了。另外就是第2）步应该可以跳过，直接对某个stl格式的文件按自己需要进行编辑，比如说得到了一个ABC.stl的文件存在某个路径下。然后在Vstm 的设置里，将implementation设成ABC然后在simulation设置对话框里，有configuration一项，点击其中pspice一项，将ABC.stl的路径添加进去，即可用于仿真。

有让讨论这个让人很久欣慰，这东西制作一定有很多方法，光学也好，机械也好，大家不要只停在理论上，实现它并配以可控的操作系统，真的会很牛B！

(1).第2,3,4栏的VCB,VCE,VEB都是指最大值,(2)从第五列栏开始是指条件参数,如:hFE at IC VCE 这一栏分别列出是指:2N3646这一颗当IC=30mA/ VCE=0.4V 时的放大倍数最小(min)是30 , 最大(max)是120; (3)后面有at的各栏依第二点类推;(4). 第七栏FT是指三极管的 特征频率;(5). 第八栏 Cob是指等效电容;(6). 第九,十栏 Ton,Toff 是指三极管的开关时间;(7). 第一栏 TYPE NO. 是指型号;(8). 最后一栏CASE是指封封装形式,决定PCB上要建什么封装.

晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。晶体管有三个工作区域，根据截止、饱和、放大三个工作区域的工作电位不同，决定其所工作的区域。截止区域属于关闭（即，不倒通）；饱和就是开(倒通）；放大就是将弱信号放大，通俗来说就是将信号放大（放大镜的效果）。半导体，是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，材料多为硅和锗，在制作中参入杂质制成。其特点为：1、半导体的导电能力对环境的变化很敏感2、在纯净的半导体中适当的掺入杂质，可使其导电性能成百万倍地增强

fT——特征频率，共发射极放大倍数β降为1时的频率。fmax——最高振荡频率，功率增益等于1的频率。对于同一个管子，fmax高于fT。电流放大倍数等于1不等于功率增益等于1，因为还可以有电压放大倍数。

CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管。

Coe为本级放大器晶体管输出电容，Cie为下级放大器晶体管输入电容

BJT的特征频率ft就是其共发射极组态的电流放大系数大小│β│下降到1时的频率，又称为晶体管的增益-带宽乘积。若βo是低频时的电流放大系数，fβ是所谓β截止频率，则在 f >> fβ 时可有│β│f = βo fβ = ft。因此，只要在高于fβ的频率下测得│β│，就可以得到ft。BJT的特征频率ft可用电子从发射极到集电极之间的有效渡越时间τec来表示为：ft = （2 π τec)-1 ，式中τec =τE +τB +τD +τC，τE = (kT/q Ic) CjE 是发射结的充电时间，τB ≈τF 是电子渡越中性基区的时间，τF是移走基区和发射区中存储电荷所需要的时间 (略大于τB），τC = (kT/qIc + rc)CjC是集电结的充电时间，τD = Xdc / vs是电子以饱和漂移速度vs渡越集电结耗尽层Xdc的时间；对ft起决定作用的因素一般主要是τB ，其次是结电容（特别是集电结电容）。ft与晶体管的工作点有关，故在使用晶体管和测试ft时，都需要合理地选择工作点。提高BJT特征频率的措施是：①在ft不很高时往往是τB起主要作用，则要求减小基区宽度 （采用浅结工艺制作薄基区）、增大基区电场因子η（提高基区中在发射结一侧的掺杂浓度和提高发射区杂质分布的陡峭度以减小阻滞场，但若掺杂浓度太高反而会使扩散电子系数减小，故η一般控制在3~6之间）；②在ft较高时，基区宽度必然很小，τB较短，则必须考虑τE、τD和τC 的影响，因此要求减小发射结的动态电阻 （选用较大的集电极电流） 和势垒电容（减小发射结面积）、减小集电结的势垒厚度 （可降低集电区电阻率，但要兼顾击穿电压）、减小集电极的串联电阻rC （降低集电区的电阻率）和势垒电容Cjc （减小集电结面积）。

CPU314C-2PN/DP）是晶体管输出。继电器输出通常都会注明的，看看300系列输出模块就可看出来。