硅材料

半导体硅材料基础，化工操作单元技术。1、半导体硅材料基础：学习半导体材料的物理化学性质、结构与制备方法，掌握半导体材料的电学、光学、热学特性。2、化工操作单元技术：化工操作单元技术专业是以化工工艺为基础，培养具备化工操作单元操作、控制、优化和管理技能的专业人才。

硅为周期表中Ⅳ族元素。在地壳中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在。丰度为27.7%，仅次于氧。硅的原子量为28.05，25℃下密度为2.329g/cm3，具有灰色金属光泽，较脆，硬度6.5Mohs，稍低于石英。熔点1410℃，在熔点时体积收缩率9.5%。常温下硅表面覆盖一层极薄氧化层，化学性质不活泼。高温下与氧反应生成无定形二氧化硅层，在器件工艺中常用半作掩蔽层和隔离层。硅不溶于酸，但溶于HNO3。和HF的混合溶液中，常用这种溶液作腐蚀液。硅稍溶于加温的碱溶液中，还可采用等离子腐蚀技术来腐蚀硅。硅有结晶态和非晶。常温下硅单晶介电系数11.7，对光具有高的折射率(n=3.42)，反射损失较大，涂以适当减反射膜可大大提高透过率。硅中的杂质会引起光的吸收，氧和碳的吸收带在室温下分别位于1107和607cm-1处。

2.35g/cm3

硅材料用途：1、制成太阳能电池。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。2、制成金属陶瓷复合材料。将陶瓷和硅混合烧结，能制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。3、制出高透明度的玻璃纤维。用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维代替电缆。激光可在玻璃纤维的通路里发生无数次全反射而向前传输。4、制成防水涂布材料。有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。

制成太阳能电池。在单晶硅中掺入第IIIA族元素和第VA族元素，结合后就可做成太阳能电池。制成金属陶瓷复合材料。将陶瓷和硅混合烧结，能制成金属陶瓷复合材料。制出高透明度的玻璃纤维。用纯二氧化硅制出的高透明度的玻璃纤维代替电缆。制成防水涂布材料。有机硅塑料是极好的防水涂布材料。 硅材料用途： 1、制成太阳能电池。 在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。 2、制成金属陶瓷复合材料。 将陶瓷和硅混合烧结，能制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。 3、制出高透明度的玻璃纤维。 用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维代替电缆。激光可在玻璃纤维的通路里发生无数次全反射而向前传输。 4、制成防水涂布材料。 有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。

硅材料用途： 1、制成太阳能电池。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。 2、制成金属陶瓷复合材料。将陶瓷和硅混合烧结，能制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。 3、制出高透明度的玻璃纤维。用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维代替电缆。激光可在玻璃纤维的通路里发生无数次全反射而向前传输。 4、制成防水涂布材料。有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。

硅材料用途：1、制成太阳能电池。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。2、制成金属陶瓷复合材料。将陶瓷和硅混合烧结，能制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。3、制出高透明度的玻璃纤维。用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维代替电缆。激光可在玻璃纤维的通路里发生无数次全反射而向前传输。4、制成防水涂布材料。有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。

重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。

　　硅材料分类有多种分法，具体如下：　　按纯度：工业硅、太阳能级硅、电子级硅；　　按掺杂类型：本征硅、P型硅、N型硅；　　按晶体：分为单晶硅、多晶硅、非晶硅；　　硅材料，重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。

按纯度可分为工业硅、太阳能级硅、电子级硅按掺杂类型分为本征硅、P型硅、N型硅按晶体类型分为单晶硅、多晶硅、非晶硅

说详细点，要哪方面的特性了

结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%～99%)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9：1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管，其中用于集成电路的直拉硅单晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善；对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300～500℃热处理会产生热施主，而经650℃以上热处理可消除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，在更高温度下处理会产生氧沉淀，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性，发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺，能有效地提高器件的成品率。对硅单晶锭需经切片、研磨或抛光(见半导体晶片加工)后，提供给器件生产者使用。某些器件还要求在抛光片上生长一层硅外延层，此种材料称硅外延片。非晶硅材料具有连续无规的网格结构，最近邻原子配位数和结晶硅一样，仍为4，为共价键合，具有短程有序，但是，键角和键长在一定范围内变化。由于非晶硅也具有分开的价带和导带，因而有典型的半导体特性，非晶硅从一晶胞到另一晶胞不具有平移对称性，即具有长程无序性，造成带边的定域态和带隙中央的扩展态，非晶硅属亚稳态，具有某些不稳定性。其制备方法有辉光放电分解法等(见太阳电池材料)。

单晶硅的制作硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧·厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧·厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。单晶硅的应用单晶硅在太阳能电池中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。

硅材料 -------是一种重要的半导体材料，化学元素符号是Si，是许多电子元件的关键制作材料。

在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。1956年研究成功氢还原三氯氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。 硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。导电类型 　导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。电阻率与均匀度 　拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。非平衡载流子寿命 　光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。晶向与晶向偏离度 　常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。 生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他杂质的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为旋涡缺陷。热加工过程中，硅单晶微缺陷间的相互作用及变化直接影响集成电路的成败。

硅结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。 硅的用途： ①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。 ②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结，制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷的各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。 可应用于军事武器的制造第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温，全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。 ③光导纤维通信，最新的现代通信手段。用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维，激光在玻璃纤维的通路里，无数次的全反射向前传输，代替了笨重的电缆。光纤通信容量高，一根头发丝那么细的玻璃纤维，可以同时传输256路电话，它还不受电、磁干扰，不怕窃听，具有高度的保密性。光纤通信将会使 21世纪人类的生活发生革命性巨变。 ④性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。天安门广场上的人民英雄纪念碑，便是经过有机硅塑料处理表面的，因此永远洁白、清新。 发现 1822年，瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅，得到了单质硅。 [编辑] 名称由来 源自英文silica，意为“硅石”。 [编辑] 分布 硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中，约占地表岩石的四分之一，广泛存在于硅酸盐和硅石中。 [编辑] 制备 工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为97~98%，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。 [编辑] 同位素 已发现的硅的同位素共有12种，包括硅25至硅36，其中只有硅28，硅29，硅30是稳定的，其他同位素都带有放射性。 [编辑] 用途 硅是一种半导体材料，可用于制作半导体器件和集成电路。还可以合金的形式使用(如硅铁合金)，用于汽车和机械配件。也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。 硅的特性 铝 - 硅 - 磷 碳 硅 锗 ? 元素周期表 总体特性 名称, 符号, 序号 硅、Si、14 系列 类金属 族, 周期, 元素分区 14族(IVA), 3, p 密度、硬度 2330 kg/m3、6.5 颜色和外表 深灰色、带蓝色调 地壳含量 25.7% 原子属性 原子量 28.0855 原子量单位 原子半径（计算值） 110（111）pm 共价半径 111 pm 范德华半径 210 pm 价电子排布 [氖]3s23p2 电子在每能级的排布 2，8，4 氧化价（氧化物） 4（两性的） 晶体结构 面心立方 物理属性 物质状态 固态 熔点 1687 K（1414 °C） 沸点 3173 K（2900 °C） 摩尔体积 12.06×10-6m3/mol 汽化热 384.22 kJ/mol 熔化热 50.55 kJ/mol 蒸气压 4.77 帕（1683K） 声速 无数据 其他性质 电负性 1.90（鲍林标度） 比热 700 J/(kg·K) 电导率 2.52×10-4 /(米欧姆) 热导率 148 W/(m·K) 第一电离能 786.5 kJ/mol 第二电离能 1577.1 kJ/mol 第三电离能 3231.6 kJ/mol 第四电离能 4355.5 kJ/mol 第五电离能 16091 kJ/mol 第六电离能 19805 kJ/mol 第七电离能 23780 kJ/mol 第八电离能 29287 kJ/mol 第九电离能 33878 kJ/mol 第十电离能 38726 kJ/mol 最稳定的同位素 同位素 丰度 半衰期 衰变模式 衰变能量 MeV 衰变产物 28Si 92.23 % 稳定 29Si 4.67 % 稳定 30Si 3.1 % 稳定 32Si 人造 276年 β衰变 0.224 32P 核磁公振特性 29Si 核自旋 1/2元素名称：硅元素原子量：28.09元素类型：非金属发现人：贝采利乌斯 发现年代：1823年发现过程：1823年，瑞典的贝采利乌斯，用氟化硅或氟硅酸钾与钾共热，得到粉状硅。元素描述：由无定型和晶体两种同素异形体。具有明显的金属光泽，呈灰色，密度2.32-2.34克/厘米3，熔点1410℃，沸点2355℃，具有金刚石的晶体结构，电离能8.151电子伏特。加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成相应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能发生作用。硅在自然界分布很广，在地壳中的原子百分含量为16.7%。是组成岩石矿物的一个基本元素，以石英砂和硅酸盐出现。元素来源：用镁还原二氧化硅可得无定形硅。用碳在电炉中还原二氧化硅可得晶体硅。电子工业中用的高纯硅则是用氢气还原三氯氢硅或四氯化硅而制得。元素用途：用于制造高硅铸铁、硅钢等合金，有机硅化合物和四氯化硅等，是一种重要的半导体材料，掺有微量杂质得硅单晶可用来制造大功率的晶体管，整流器和太阳能电池等。元素辅助资料：硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。如果说碳是组成一切有机生命的基础，那么硅对于地壳来说，占有同样的位置，因为地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的。这些岩石几乎全部是由硅石和各种硅酸盐组成。长石、云母、黏土、橄榄石、角闪石等等都是硅酸盐类；水晶、玛瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。但是，硅与氧、碳不同，在自然界中没有单质状态存在。这就注定它的发现比碳和氧晚。拉瓦锡曾把硅土当成不可分割的物质——元素。1823年，贝齐里乌斯将氟硅酸钾（K2SiF6）与过量金属钾共热制得无定形硅。尽管之前也有不少科学家也制得过无定形硅，但直到贝齐里乌斯将制得的硅在氧气中燃烧，生成二氧化硅——硅土，硅才被确定为一种元素。硅被命名为silicium，元素符号是Si。

　　硅材料分类有多种分法，具体如下：x0dx0a　　按纯度：工业硅、太阳能级硅、电子级硅；x0dx0a　　按掺杂类型：本征硅、P型硅、N型硅；x0dx0a　　按晶体：分为单晶硅、多晶硅、非晶硅；x0dx0a　　硅材料，重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。

　　硅材料用途： 　　1、制成太阳能电池。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。 　　2、制成金属陶瓷复合材料。将陶瓷和硅混合烧结，能制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。 　　3、制出高透明度的玻璃纤维。用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维代替电缆。激光可在玻璃纤维的通路里发生无数次全反射而向前传输。 　　4、制成防水涂布材料。有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。

硅材料制备技术专业是一门研究硅材料制备的学科，是一个涉及到多个学科领域的综合性专业。该专业的主要研究内容包括以下几个方面：硅材料制备原理：研究硅材料的制备原理、工艺、设备、原材料选择、制备过程中的质量控制等。硅材料性能测试技术：研究硅材料的性能测试方法、测试设备、测试标准等。硅材料制备与加工技术的优化与创新：研究硅材料制备与加工技术的优化与创新，包括新材料的研发、新工艺的开发、新设备的设计等。硅材料应用技术：研究硅材料的应用领域、应用场景、应用技术、应用效果等。硅材料制备技术专业的研究成果可以应用于各个领域，包括半导体、太阳能电池、LED等领域，对于促进硅材料制备技术的发展和应用具有重要意义。

就业前景好。根据搜狐网显示硅材料制备技术专业就业前景较好，学生毕业后可在硅化工企业、太阳能光伏企业及硅产品质量检测机构从事工艺控制、设备的操作与维护、产品质量检测、产品销售等工作。硅材料制备技术专业一般指硅材料制备技术。 硅材料制备技术是中国普通高等学校专科专业。

一、硅材料制备技术专业主要学什么 1．专业课程 半导体硅材料实用基础、化工单元操作技术、多晶硅生产技术、硅材料检测技术、单晶硅生长技术、化工仪器仪表及自动化、化工安全与环保等。 2．实习实训 在校内进行钳工基础、电工及安全用电基础、核心岗位课程综合技能等实训。 在多晶硅（化工）及光伏企业进行实习。 二、硅材料制备技术专业未来从事什么工作 主要面向硅材料行业，从事多晶硅、单晶硅、铸锭硅等岗位生产现场操作与管理、产品质量检测与分析、安全生产与管理等工作。 本专业培养德、智、体、美全面发展，具有良好职业道德和人文素养，掌握硅材料生产原理基本知识，具备硅材料生产、检测与工艺分析能力，从事硅材料制备、分析检测与管理工作的高素质技术技能人才。 http://Www.CreDitSaiLing.Com

硅材料制备技术就业前景主要是在硅化工企业、太阳能光伏企业及硅产品质量检测机构从事工艺控制等工作。硅材料制备技术是普通高等学校专科专业，属于非金属材料类专业。本专业培养德、智、体、美全面发展，具有良好职业道德和人文素养，掌握硅材料生产原理基本知识，具备硅材料生产、检测与工艺分析能力，从事硅材料制备、分析检测与管理工作的高素质技术技能人才。通过对半导体硅材料基础、化工操作单元技术、多晶硅生产技术、硅材料检测技术、化工仪器仪表自动化、电气控制及DCS技术、多晶原料制备技能、无机化工工艺操作技能学习，培养硅化工企业的化工操作单元技术，懂得硅材料（多晶硅、单晶硅）生产过程和检测分析岗位应具备的知识与技能。专业需要学习的课程：公共基础课程，这类课程和专业无关，基本上所有专业都会有，主要包括语文、政治、数学、英语、计算机基础等。专业核心课程，包括《半导体硅材料基础》、《化工操作单元技术》、《多晶硅生产技术》、《硅材料检测技术》、《化工仪器仪表自动化》、《电气控制及DCS技术》等，主要是让学生通过课程的学习掌握硅材料基础、无机化工工艺、硅材料制备、硅材料检测分析等方面的基本知识和技能。最后还有必不可少的实践课程，如在校内进行钳工基础、电工及安全用电基础、核心岗位课程综合技能等实训，以及在多晶硅及光伏企业进行实习。

图片上有详细的步骤，工种不是很清楚硅材料对人是无害的

高考 填报志愿 时，硅材料制备技术 专业怎么样 、 就业方向 有哪些、主要学什么是广大考生和家长朋友们十分关心的问题，以下是相关介绍，希望对大家有所帮助。 一、培养目标 本专业培养德智体美劳全面发展，掌握扎实的科学文化基础和硅材料物理与化学、电工电子、硅材料制备等知识，具备硅材料安全生产、工艺优化、设备运维、质量控制等能力，具有工匠精神和信息素养，能够从事多晶硅、单晶硅、晶圆片、半导体芯片的生产管理、智能制造等 工作 的高素质技术技能人才。 二、 就业 方向 面向多晶硅制取工和晶片加工工等职业，多晶硅、单晶硅、晶片等硅材料生产、工艺调控、设备维护、品质控制等岗位(群)。 三、主要专业能力要求 1.具有数据统计与分析的能力； 2.具有应用PLC技术实现自动控制的能力； 3.具有硅材料工艺调控与改进的能力； 4.具有硅材料生产关键设备操控的能力，以及指导完成设备维护保养的能力； 5.具有危化品安全管理与生产故障的排查、应急处理的能力； 6.具有硅材料产品检测与分析的能力，以及编制质量分析报告的能力； 7.具有应用绿色生产、安全防护、质量管理及法律法规相关知识的能力； 8.具有批判性思维、创新思维、 创业 意识，具有较强的分析问题和解决问题的能力； 9.具有探究 学习 、终身学习和可持续发展的能力。 四、主要专业课程与 实习 实训 专业基础课程：工程制图与CAD、半导体硅材料基础、无机化学、电工电子技术、电气控制与PLC、新能源技术、化工单元基础、数据统计分析。 专业核心课程：多晶硅生产与工艺设计、单晶硅生产与工艺设计、高纯硅材料工艺技术、硅片加工与工艺设计、硅材料检测与分析技术、半导体芯片生产技术、工业企业生产现场管理、企业安全生产与职业健康。 实习实训：对接真实职业场景或工作情境，在校内外进行电工、机械加工、多晶硅生产仿真、单晶硅生产仿真、硅材料检测等实训。在光伏硅材料和半导体硅材料的生产制造企业、科研院所等单位进行岗位实习。 五、职业类 证书 举例 职业技能等级证 书 ：智能制造生产管理与控制、冶金机电设备点检 六、接续专业举例 接续高职本科专业举例：储能材料工程技术、新材料与应用技术 接续普通本科专业举例：材料科学与工程、无机非金属材料工程、新能源材料与器件

很多同学想知道开设硅材料制备技术专业大学有哪些，下面是我整理的相关内容，希望对大家有所帮助！ 开设硅材料制备技术专业大学有哪些 开设硅材料制备技术专业大学有：乐山职业技术学院、朔州职业技术学院。主要学习的课程有：多晶硅生产技术、单晶硅生产技术、硅材料检测技术、化工单元操作技术、特种设备使用与维护、化工安全与环境保护、电工技术、生产运行管理等。 硅材料制备技术专业简介 通过对半导体硅材料基础、化工操作单元技术、多晶硅生产技术、硅材料检测技术、化工仪器仪表自动化、电气控制及DCS技术、多晶原料制备技能、多晶硅制备技能、硅材料检测分析技能、化工仪器仪表使用操作技能、无机化工工艺操作技能学习，培养硅化工企业的化工操作单元技术，懂得硅材料（多晶硅、单晶硅）生产过程和检测分析岗位应具备的知识与技能，能从事硅化工企业生产现场操作、硅材料检测与分析的高等技术应用性专门人才。 与硅材料制备技术相近专业有哪些 与硅材料制备技术相近专业有：高分子材料工程技术、非金属材料类、光伏材料制备技术、硅材料制备技术、非金属矿物材料技术、材料工程技术、复合材料工程技术、橡胶工程技术、炭素加工技术。

不可以。光伏材料制备技术专业是不可以考二级建造师的；二级建造师报考条件凡遵纪守法，并具备以下条件之一者，均可报名参加二级建造师执业资格考试。

光伏工程技术好。1、专业知识全面。光伏工程技术专业的学习课程，在光伏材料制备和硅材料方面都有涉及，知识面更全。2、就业面广。光伏工程技术的全面性，使其可以在光伏材料制作与销售、硅胶制作与销售领域都可以就业，就业面广。

创建物体进行设置。1、打开CST软件，创建一个新的项目。2、在“Modeler”中创建一个物体，选择需要设置二氧化硅材料的表面。3、在“Material”中，选择“AddMaterial”添加新材料，然后选择“Dielectric”。4、在“Dielectric”中，输入二氧化硅材料的介电常数，密度和损耗等参数。这些参数可以在相关的材料手册中找到。5、接下来在“Modeler”中，将物体表面的材料设置为刚才添加的二氧化硅材料。6、最后，进行仿真计算并分析结果。