pn结是什么

【答案】：P型、N型半导体通过一定的工艺相互“接触”后，在它们的交界处会出现浓度差，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，即P区的空穴要向N区扩散，N区的电子要向P区扩散。由于载流子的扩散运动，P区的空穴向N区扩散，并会与N区的电子复合；同理，N区的电子向P区扩散，并会与P区的空穴复合。这样在交界面P区一侧出现负离子区，在N区一侧出现正离子区。正、负离子是不能移动的，称为空间电荷区。从而形成了一个由N区指向P区的内建电场(用势垒电压Uψ表示)。内建电场的出现阻止P区的多数载流子空穴向N区继续扩散和N区的多数载流子电子向P区继续扩散。同时，内建电场使P区的少数载流子电子向N区漂移，也使N区的少数载流子空穴向P区漂移。当漂移运动和扩散运动处于动态平衡状态时，形成稳定的空间电荷区，即PN结形成。

PN结的工作原理如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。如果PN结加反向电压，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。由以上分析可以得知：PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。这说明：PN结具有单向导电性。

最通俗来讲PN结起到阻碍载流子扩散作用（广西都安拉烈）

PN结的势叠电压对温度很敏感，温度越高，势叠电压越大，工作电流就减小，这种微细变化被精密电路捕捉到就是环境温度了

2：平衡，不动我在3给你讲原理就知道了 3：原理：PN结是由P型半导体和N型半导体构成的，这些我不讲，书上 有 定义。我重点说下形成过程。 P区

可以这么理解，对于PN结来说，有助于多子扩散的外加电压为正偏电压，阻碍多子扩散的外加电压为反偏电压。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。

三极管的构成是由PNP结或NPN结

1、硅为半导体的主体材料，其原子最外层是四个电子。渗入少量磷后，由于周围的硅只需要四个外来电子与其组成共价键，所以就余出一个自由电子。2、一只二极管没有接入电路前当然视为开路状态。3、“开路中半导体中的离子不能任意移动”的说法确实值得商榷。其实固体中的离子主体无论开路闭路都不能移动，但掺杂半导体中的电子和掺杂半导体离子中的空穴在封闭电路中却能在电压的作用下定向移动，而掺杂半导体中的电子和掺杂半导体离子中的空穴在开路条件下却会随机地一刻不停地左突右撞，宏观统计上看相当于没动。在闭合电路中，当存在电压作用时，掺杂半导体离子中的空穴会向电压降低的方向移动，而掺杂半导体中的电子则向相反的方向移动。

【答案】：光照PN结在PN结上产生光生电动势的效应称为光生伏打效应．在光的照射下，半导体中的原子因吸收光子能量而受到激发．如果光子能量大于禁带宽度，在半导体中就会产生电子-空穴对．在PN结扩散区以内(如果PN结空间电荷区外不存在杂质浓度不均匀等原因引起的内建电场)产生的电子-空穴对，一旦进入PN结的空间电荷区，就会被空间电荷区的内建电场所分离．非平衡空穴被拉向P区，非平衡电子被拉向N区．结果在P区边界将积累非平衡空穴，在N区边界将积累非平衡电子，产生一个与平衡PN结内建电场方向相反的光生电场．如果PN结处于开路状态，光生载流子只能积累于PN结两侧产生．这时在PN结两端测得的电位差即开路电压就是光生电动势．

摘要：pnp三极管的结构为半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。了解了pnp三极管的结构后，继续了解一下pnp三极管工作原理是什么，pnp三极管工作原理比较简单，主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。具体的pnp三极管的结构包括哪些以及pnp三极管工作原理是什么，一起到文中来看看吧！一、pnp三极管的结构包括哪些pnp三极管，不知道大家有没有见过呢?pnp三极管是日常生活中比较常见的一种商品，虽然用的不多，但是它的作用是非常大的。pnp三极管的结构包括哪些?晶体三极管是半导体的基本器材之一，主要作用是电流放大的作用，主要是电子电路的核心元件，它的功能就是电流放大和开关的作用。pnp三极管主要结构是半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。二、pnp三极管工作原理是什么晶体三极管按照材料可以分为以下两种，分别是锗管和硅管，不管哪一种的结构形式，而我们使用最多的就是硅NPN和锗PNP两种三极管，其工作原理主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。PNP三极管工作原理详解：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

你的问题还挺多，要分开来慢慢解释。1、LED发光：要搞清楚这个问题，首先，你需要了解PN结的形成原理。PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中，其P型与 N型半导体材料相互结合的部分。P型材料有着“多数可以移动的正电荷（空穴）”和 “少数固定不动的负电荷（负离子）”；N型材料有着“多数可以移动的负电荷（自由电子）”和 “少数固定不动的正电荷（正离子）”；当P型和N型材料接触时，通过结合处，P型材料中的正电荷向N型材料中扩散，而N型材料中的负电荷则向P型材料中扩散。这些扩散的正电荷 与 负电荷相遇而结合，原有的正电荷和负电荷（载流子）消失。因此在结合处的附近区域（结区）中，有一段距离缺少正电荷或负电荷（载流子），但是在这一区域却分布着带电的固定电荷（固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”），这一区域称为空间电荷区 。P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ，N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”，在空间电荷区产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。（内建电场）在上面所述的基础上，就可以理解以下几个问题1、LED的发光，既不是PN结，也不是非PN结，而是当LED接通外部电源后，外来的载流子打破空间电荷区的平衡后产生的。因为空间电荷区有阻力，所以载流子要突破这个区域需要能量，当这个能量积累到一定的程度，载流子就可以由P区进入N区，这个进入的过程也是能量释放的过程，在这个过程中，载流子把电势能转换成了光能和热能。单个载流子所释放出的光能是极其微弱的，并且只是一闪而过，不能持续，所以要想有一个持续而又明亮的发光过程，就必须有一个持续的外部电源以及更多的载流子参与进来。因为这样的一个过程除了发光，同时还在发热，有发热则说明器件在进行有效工作的同时，自身还在产生消耗，这个消耗对器件本身有着老化和破坏的作用，因此，LED的寿命跟制作这个LED的材料还有它的工作环境有关系，通常所述的3万小时寿命是指在实验室的相对理想的环境下达到的，实际使用中没有这么长，甚至会因为过度的电压或电流而导致LED瞬间烧毁。光伏效应：光照并不是去导通PN结，在理解这个问题时，你要确定一点，“光”也是能量的一种形式。当光照射到已形成PN结的半导体材料上面，会让这个半导体材料获得一定的能量，这个能量导致P型和N型半导体材料产生出更多的载流子（空穴和自由电子）。因为在光照前，PN结已经形成，也就是内建电场也已形成，由于内建电场是有方向性的，所以光照形成的载流子（光生载流子），会按照这个方向在内建电场中流动（空穴流向N，自由电子流向P），这一动作导致了内建电场的减小。只要光照是持续的，那么，内建电场最终会小到能让光生载流子轻松的突破PN结，从而产生电流，这个时候，这个被光照的半导体材料就具备了能够对外提供电动势的能力。综上所述，在一个拥有PN结的半导体器件中，非PN结部分最大的作用就是产生PN结，只有PN结形成后，这个器件才能拥有上述光照或光电转换的功能。因此，PN结不存在“消耗完”这个概念，只要相结合的P型材料和N型材料还在，这个PN结会永远的存在下去，我们只是利用外力来突破这个PN结，从而达到我们需要的目的。至于半导体器件的寿命，这跟制造半导体器件的材料构成、制造工艺以及使用环境有关，厂商给出的寿命都是在特定的实验室环境下通过测试和推算得出的。（就好像一团泥巴，你用特定的水流量来冲击他，冲击时间是1分钟，完成后，这团泥巴被水冲掉了十分之一的重量，那么推算一下，这团泥巴在这个特定的水流量下，也许可以经受住10分钟的冲击，那我就说他在这个状态下的寿命是10分钟）满意请采纳

IE=IB+IC=IB+β·IB 放大时的电流应该是这样的吧？

这个你看看教科书不就行了。我的答案你参考参考吧。采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PNP是另一种类型三极管。它的工作原理和NPN三极管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。后面你是不是想知道晶体管硅管锗管的门坎电压啊。一般硅管0.5V，锗管0.1V。

你随便找本模拟电路的书,上面都有的

pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。PN结的应用根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管。利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器。利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

简述pn结的形成及原理为扩散作用。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面，在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区为PN结的工作原理。PN结导通形成电流：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区接负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。

LED和光电探测器是利用光电效应，LED是通过电转换成光，光电探测器是通过光转换成电子。具体看PN结的工作原理。PN结原理　　PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。　　在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。　　最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。　　如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。　　PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。PN结（PN junction） 一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区。在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区就形成了一个内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

1.pn结的基本特性：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧加大。这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。2.PN结：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。拓展资料：PN结的形成：PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

　　随着测温技术的迅速发展,新的测温传感器不断出现,如光纤温度传感器、微波温度传感器、超声波温度传感器、核磁共振温度传感器、PN结温度传感器等在一些领域获得了广泛的应用。　　与管道系统元件的力学性能和尺寸特性相关、用于参考的字母和数字组合的标识。它由字母PN和后跟无因次的数字组成。　　注1：字母PN后跟的数字不代表测量值，不应用于计算目的，除非在有关标准中另有规定。　　注2: 除与相关的管道元件标准有关联外，术语PN不具有意义。　　注3: 管道元件允许压力取决于元件的PN数值、材料和设计以及允许工作温度等，允许压力在相应标准的压力温度等级表中给出。

1、正向导通，反向截止！当正向电压达到一定值时（硅管0.7V，锗管0.3V）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子，即电子和空穴。3、受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度，因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。向左转|向右转扩展资料pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。加反向电压时PN结变宽，反向电流很小；如果PN结加反向电压。此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。由以上分析可以得知：PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。这说明：PN结具有单向导电性。参考资料来源：百度百科-PN结

pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。拓展资料采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。参考资料百度百科 PN结

PN结是构成二极管的，而NPN或PNP是三极管，它是由两个PN结构成的。这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍，但是其内部结构只有有个了解认识就行了，不用深入研究，没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。PN结作用：正向特性：正向导性，即给PN结一个正向的电压它就导通，一般压降为0.3-0.7V。反向特性：可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内，可以起到稳压的作用，稳压二极管就是这个原理。PNP或NPN的作用：也主要是三极管的应用啦。一般三极管有三个工作状态：放大状态：即起信号放大的作用，主要用在放大电路中。功放电路常用到的。截止和饱和导通状态：这主要是起开关的作用的。在截止状态下可以理解为三极管的CE间是开路的，即断开的，而在饱和导通状态下可以理解为三极管的CE间是短路的。开关作用也是常见到的，如在振荡电路中，或开关电路的开关功率管都是工作在开关状态下的。以上只是基本的知识，要想理解的深一点，还是要多学习一下电路的。

pn结的特性如下：pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键。多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。

PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。 如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止.因此PN结具用单向导电性。 不知道这样讲你明白了没有!

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以反向电流是很小的，

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采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 PN结：一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。

耗尽层就是在PN结附近，其中的载流子因扩散而耗尽，只留下不能移动的正负离子的区域，又称空间电荷区。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

光伏效应原理

PNP: 主要电流成分：空穴电流BE结正偏，其耗尽层的发射区一侧空穴的准费米能级降低，积累空穴，空穴向基区扩散增强；BE结内载流子浓度稀少，复合忽略，绝大部分空穴进入基区；由于基区很薄，且施主浓度很低，所以复合也很少，空穴可以进一步扩散至BC结；而BC结反偏，其耗尽层在基区一侧的空穴会被Vbe和PN结的内建电场共同扫入集电区。这样就形成了Ibc。----此外BE结处还会有少量基区的电子扩散入发射区。但基区掺杂远小于发射区，估此电流可忽略。

如果说听完这首歌后没有任何感触,那说明我在撒谎.至少这首歌给我带来了太多的希望和回忆,至今不灭.正如歌中所唱的HastaQueMeOlvides直到你把我忘记,我都永远在你心中照顾着你.其实在生活中找一个你爱的人比找一个爱你的人要简单,我们永远追求那些远处的虚幻,而忘记了自己身边曾经的美好.这也就是本歌曲中所要表达的内容,作为真正爱你的人,他只会等你去发现他,而一直在帮你.这首歌是我非常欣赏的歌星LUISMIGUEL演唱的,他的声音浑厚而且多情,总能将感情恰如其分地融入歌曲之中!带给人很多感触!本人也曾翻译过他的歌曲数首,都被深深感动.

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magna mac 麦格纳麦克麦格纳国际，又译作曼格纳、玛格纳、迈纳等，总部位于加拿大安大略省，为全球最大的汽车零部件制造商之一，也堪称全球最多元化的汽车零部件供应商。世界500 强企业。2011年全球销售额287亿美元。作为一家世界五百强企业，公司在全球共设有294 家工厂、87个工程、研发和销售中心，拥有超过11万名员工，服务于北美，南美，墨西哥，欧洲，南非和亚太区等26个国家和地区。麦格纳的产品能力包括内饰系统、座椅系统、闭锁系统、金属车身与底盘系统、镜像系统、外饰系统、车顶系统、电子系统、动力总成系统的设计、工程开发、测试与制造以及整车设计与组装。麦格纳在中国已设有18个工厂、6个工程研发中心，拥有近八千名员工。而旗下所有的产品事业部如麦格纳座椅、麦格纳内外饰、麦格纳车镜（前称唐纳利）、麦格纳闭锁、麦格纳斯太尔，卡斯马国际，麦格纳动力总成，麦格纳电子等均已在中国设有制造工厂及工程中心，公司在华总部设在上海。

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秘鲁之行最重要的目的地就是 马丘比丘（Machu Picchu） ，在盖丘亚语中，Picchu是山的意思，马丘比丘意为“古老的山”。这座世界闻名的古城坐落在库斯科西北80多公里，海拔2350米的山脊上，俯瞰着乌鲁班巴河，为热带雨林所包围，地势极为险峻，故也被称为 “天空之城” 。 马丘比丘建于公元15世纪的印加帝国时期，在帝国灭亡后的四百年间被世人所遗忘，二十世纪初又重新被发现，现在每年有数不清的人从世界各地慕名而来，只为一睹这传说中失落的世界。 从库斯科去往马丘比丘，一般是先坐火车（ PeruRail ）到距马丘比丘十几公里山脚下的 热水镇（Aguas Galientes） ，再乘巴士（约30分钟）或者步行（两三个小时）到达马丘比丘。 热水镇距离库斯科112公里，大部分游客都会先从库斯科出发去圣谷游览一天，并在圣谷的小镇 欧雁台（Ollantay tambo） 住宿一晚，再从欧雁台乘两个小时的火车去热水镇。本次行程，我与徒步团的向导——盖丘亚人Miguel，和两个澳洲队友Anthony、William，在结束了三天的徒步后抵达圣谷，就选择在欧雁台稍事停留。小镇欧雁台是圣谷重要的交通枢纽，海拔约2800米，四面环山。欧雁台的名字盖丘亚语是 Ollantay tambo ，其中 tambo 是驿站的意思，而 Ollantay 欧雁台则是印加帝国一位大将军的名字。 传说在印加王 帕查库蒂（Pachacuti ）时期，跟随印加王南征北战的大将军欧雁台爱上了印加王的女儿，因他不是王族血统，印加王而反对这门婚事，并将公主软禁保护起来。欧雁台冲冠一怒为红颜，愤然起兵救出公主后，就带领部下驻扎在这个四面环山的驿站达十年之久。印加王被他的痴心所感动，最终下令赦免他，成全了这段爱情。 我们听向导Miguel讲完这个浪漫的传说，心下向往。从圣谷的盐田乘大巴一会儿就到了欧雁台，小镇不大，镇中心有个小广场，我们在广场旁的饭店歇下来，等待晚上去热水镇的火车。 小广场旁边就是群山，居民的住宅离一处 印加阶梯遗迹 只有几步之遥，由于刚经过三天徒步，我们谁都不想再去爬石头堆，只是在镇上闲逛。 整个小镇都是石板路，干净整洁，一些人家院内树上开了鲜艳的花，探出墙外，与朴素的石墙搭配起来很是好看。夜幕渐渐降临，街道上亮起了灯，两个澳洲队友的火车是7点，我和向导Miguel的火车是9点。晚饭后，Miguel先送他俩去火车站，再回来接我。我们在车站旁边的一个小酒吧坐下等火车，电视里正直播美洲杯半决赛，哥伦比亚对智利，于是我们就边看球边聊天。 临近的国家之间似乎总存在一条鄙视链 ，譬如在欧洲，法国人看不起比利时人，荷兰人不喜欢德国人，英国人则瞧不上所有欧洲人。在南美洲也存在类似的情况，大多数秘鲁人对智利人评价非常低，对于智利人竟敢与秘鲁争夺大名鼎鼎的 皮斯科酒的起源 （秘鲁有座小城名叫Pisco，于是皮斯科酒似乎名正言顺地起源于秘鲁）这件事，更是一说起来就像打翻了火药桶。Miguel边看球边摇头，说智利人是Chile lele（意思是智利傻瓜）。晚上九点我们终于坐上了开往热水镇的火车。我和Miguel的座位不在同一车厢，于是我自己上车，在靠过道的位子坐下，右手边过道对面是一个讲西语的大家庭，看样子是来秘鲁旅游，大概六七人，他们有说有笑。 开车后，我发现我左边靠窗的中年男子也是右边大家庭的一员，他们时不时隔着我说笑几句。于是我很好心地用西班牙语问旁边的中年人要不要和我换位子。中年人似乎很吃惊我会讲西语，换了位子之后，这一家子人开始七嘴八舌跟我聊起天来。 他们是哥伦比亚人，来秘鲁马丘比丘旅游，并且也将要去库斯科观看太阳节仪式。其实此时我已经非常累了，抱着背包只想自己睡一会，但哥伦比亚大家庭表现出了极大的热情，他们挨个儿做自我介绍，我旁边的男人名叫Juan David，之后他们开始轮流猜我的年龄，从十七八猜到二十五六岁，猜完后惊叹我看起来好年轻，之后又非让我挨个猜他们的年龄，我胡乱猜了一圈，只记得旁边的Juan David是41岁，另一个看起来长得像二十多岁的年轻姑娘Yuly说自己只有15岁（我觉得她是在骗我）。 猜完年龄后还没有结束，哥伦比亚人开始让我教他们中文，“我爱你怎么说？”“我恨你怎么说？”……Juan David学得非常认真，于是一个多小时后，他已经会数一到五，会说鼻子、耳朵、眼睛、嘴、我爱你、我恨你等十几个词，看他一本正经又地恶狠狠地说出“我恨你”，我实在是忍不住笑，也困意全无了。 Yuly用西班牙语中的 Energia（力量） 一词来形容我，火车快到站时，她要过我的手机，用英文写了一段话给我，她说， 你是一个很有力量的人，你是那么的甜美和友好，我们都很开心遇见你。谢谢你的中文课 。 Juan David给我留了邮箱，又拍照留念，热情的哥伦比亚人反复叮嘱我回去后一定要和他们联系。 到达热水镇时已经半夜十一点多了，下车后我找到Miguel，他带着我去酒店。从火车站出来走几步就是巴士站，Miguel反复叮嘱我说一定要记住从大巴站到酒店的路，因为第二天凌晨他要提前去大巴站买票和排队，而 我自己得带两个澳洲人从酒店去巴士 站 。 酒店前台一位老先生在值班，Miguel带我办了入住手续，告诉我在第二天早上四点与澳洲队友在酒店大堂汇合，check out并寄存好行李后去大巴站找他。 进房间后已经快12点了，我终于能舒舒服服洗个热水澡。睡了两天露营帐篷，此时躺在酒店软软的床上，闻着被子散发出的棉布香气，从未感到过如此放松和舒适。 然而只睡了两三个小时，就得起床去赶早班大巴了。 我收拾好行李到酒店大堂摇醒值班的老先生退房，几分钟后澳洲人也出现了，他们看我的眼神 充满期待 。 Anthony问我，冰，接下来我们要去干什么？我一头雾水，不是要去巴士站吗？ Anthony开始绘声绘色地讲起昨晚我们分别后的经历：Miguel在欧雁台的车站将他们送上火车，告诉他们，下了火车自己去找酒店，第二天早上四点钟在酒店大堂等冰，接下来就听她安排。两个澳洲人没有地图，下了火车后就分不清东南西北，一路问了很多人，花了很长时间才摸到酒店。 我带着他们沿着前一天Miguel带我走的路，来到巴士站。此时已有五六个人在排队，Miguel从路的另一边走过来，让我们排在这些人后面，他去买票。Anthony拿出塑料布铺在路边的台子上，我们三人并排坐下开始漫长而无聊的等待。 第一班巴士开车时间是5:30 ，我们在四点十分就已经到了巴士站排队，三人都不知为何Miguel让我们这么早就过来。虽然此行我们都非常依赖Miguel，可事实证明他并不是一个十分靠谱的人，我发现所有的车票和门票上他把我的年龄都写成了34岁（我看上去有那么老吗？！），在上车前检票时，大家又发现Miguel将他们三人的票都买成了四天后的，于是Miguel带着澳洲人跑去售票处换票，我当时汗都下来了，说好的一起去马丘比丘，难道要变成我自己玩？ 还好他们很快就回来，票换好了，六点左右，大家一起坐上了 开往马丘比丘的第一班巴士 。 马丘比丘距离热水镇约十几公里，从热水镇坐上巴士，大约半小时就到了。 我们到达时天还未亮，人们都在景点门口排队等候开门。旁边的山路上陆陆续续走来一队又一队热气腾腾的徒步者，应该是从热水镇徒步走来的。 向导Miguel讲了注意事项，景区内禁止饮食，没有厕所，上午九点之后我们可以在入口处盖上一枚马丘比丘的章。又等了许久，入口终于放行，我们先要随向导登上古迹听他讲解。队友William掏出前一天在盐田买的古柯叶，我们每人嚼上了几片，就开始沿着石阶往上爬。石阶旁都被浓雾笼罩，什么都看不见。走了没一会儿，到了一处平台，下方仍是浓雾。Miguel说我们现在已经到了梯田上，他指着悬崖下在云雾中若隐若现的石头房子，开始给我们讲解马丘比丘的历史。此时的我感觉有些不可思议，多年的梦想就这样实现，幸福得有些不真实，恍惚中已经没有耐心听他讲解，思绪时不时飞出去。 如书上所描述的一般，远处群山和浓雾中，太阳的金色光芒若隐若现，慢慢将废墟唤醒。马丘比丘是印加王 帕查库蒂（Pachacuti） 在1440年左右修建的， 1911年7月24日，耶鲁大学教授海勒姆宾汉姆（Hiram Bingham）发现了这座失落的城市。 然而在印加人的口中，马丘比丘的发现有一个完全不同的版本。 16世纪印加帝国灭亡后，印加人切断了通往马丘比丘的山路，整座城市荒废，四百年间再也无人问津，逐渐被原始森林覆盖。在十九世纪后期，乌鲁班巴河谷的农民还在以放火烧山的形式获取耕地，不断向深山探索。一天，一位农民从河谷登上了山坡，他在山谷中放起一把火，想烧出一块耕地。然而火起后，火势却无法控制，烧了几天几夜，这场大火使覆盖在丛林下的马丘比丘显露大半，农民惊呆了，森林覆盖下原来有这样一座巨石的城市。 农民回到村里对人说有这样一座城市，可是却没人相信他。在1894年和1901年，这位马丘比丘的发现者两次引导秘鲁寻宝人来到这座失落之城，并 在1902年将自己的名字刻在了废墟庙宇的石板上。 十年后，当马丘比丘真正被世界重新发现后，美国人带走了四千多件从马丘比丘发掘的珍贵文物，而那块刻着秘鲁人 奥古斯丁利萨拉加（Augustin Lizarraga） 名字的石板已不知去向。马丘比丘古城坐落在海拔2430米的山巅，夹于马丘比丘山和华纳比丘山两座高峰之间，三面环山，另一面悬崖下是奔腾的乌鲁班巴河水。太阳全部升起后，云雾散去，站在山巅望向脚下，眼前的景象让我想起出发前看到的聂鲁达关于马丘比丘的诗句的一些片段： 智利诗人 聂鲁达（Pablo Neruda） 大概是西语界最会说情话的人，他那些柔软的诗句如同情人的耳语，让人情不自禁想去寻找那“ 一个在提琴之间等待我的人 ”。 环绕古城外围的山坡上，依山势修建了层层梯田，这是古印加人种植农作物的地方，如今已经长满了青草。沿着石阶从梯田向下走，来到石砌的古老建筑中间。古城由 200座印加石块建筑与109座石梯 组成，分为上城与下城。上城主要为寺庙与贵族住宅，下城则为仓库与民居。 组成建筑的巨石被打磨得光滑精细，石块与石块之间严丝密合，没有一点缝隙，足见技艺之精湛。然而当时的人们如何将巨石运上悬崖，如何测量打磨，仍然是未解之谜。上城最主要的建筑是 拴日石、太阳神庙与三窗庙 。 拴日石（Inti Watana） 就是拴住太阳的石头，Inti在盖丘亚语中意为太阳神，Watana则有捆绑之意。印加人相信，这块石头将太阳拴在了此处，使阳光年复一年按照固定的轨迹在天空中转动。 拴日石位于南纬13°9"48"" ，印加人通过观测石柱的影子来确定时间。每年1月30日和11月11日中午，太阳正好位于石柱上方，没有阴影投射；而每年的6月21日，石柱会在南面投射出最长的阴影，据说这一天太阳光会准确地从神庙的东窗射入，投射在石柱上。古城中所有的房屋都没有屋顶，向导说那些屋顶都是以草木搭成，经过百年岁月侵蚀早已腐烂消失，只有石块的墙体依然矗立。 城中草坪上一些羊驼悠闲地吃草晒着太阳，使人瞬间忘却了那些历史沧桑。转完废墟，Miguel就将要与我们分别了，两个队友让我来做分别前的Speech。 四天的朝夕相处，共同走过高原与河谷，让我们彼此间变得非常熟悉，好像认识多年的老朋友一样，我知道这一分别应该就不会再相见，就像以前路上遇见的许许多多朋友。 经历过太多太多各种各样的分别，我对于离别早已经免疫，其实大家在分开后的漫长时间里都会知道，这个世界并没有因为与谁分别而有所不同，更重要的是每次相遇。 然而我除了感谢，却也讲不出什么煽情的语言，就按照秘鲁当地的风俗，与Miguel贴面礼告别。两个澳洲人接下来要去爬马丘比丘山，我由于没有买到门票，决定去印加古道的终点 太阳门（Puerta del Sol） ，我们在岔路口拥抱告别，后会无期。太阳门是印加古道的终点，也是当时去马丘比丘古城的必经之路。通往太阳门的山路都是与印加古道一样的石阶，一路向上，大约走一个多小时就到了。爬楼梯不是件轻松的事，然而此处比起前几天三四千米的海拔已经好了许多。 到了山顶，视野开阔，从太阳门遥望崇山峻岭间的马丘比丘，仿佛那已经是另一个世界。· END ·

现代大i10NIOS现已提供工厂提供的CNG套件。它有两种型号——Magna和Sportz，售价为卢比。662610卢比。7，16，350(德里展览馆)。Grandi10NIOSCNG由1.2升汽油发动机提供动力，在6,000rpm时可产生68BHP，在4,000rpm时可产生95.12Nm。发动机搭配5速手动变速箱。当驾驶汽油时，发动机产生82BHP的扭矩和114Nm的扭矩。功能方面，麦格纳车型配备了电动可调ORVM、带蓝牙连接的2-DIN音频系统、多功能方向盘和高度可调的驾驶座椅。Sportz车型配备了14英寸合金轮毂、自动气候控制系统、数字车速表和8英寸触摸屏信息娱乐主机，支持苹果CarPlay和安卓自动连接。百万购车补贴

看第一眼还以为是奥林巴斯呵呵。不晓得这个牌子。

导语READ汽车配件行业市场品牌众多，产品质量参差不齐，消费者在选购时总会面临选择难题，不知道该买什么品牌好。汽车配件到底该如何选购？汽车配件什么牌子好？什么更值得买呢？通过由CNPP提供的品牌数据支持，小编精心整理得出值得买的汽车配件品牌，同时提供相关的汽车配件选购技巧，供你参考，助你挑选到称心如意的汽车配件品牌产品。汽车配件什么牌子好？汽车配件品牌推荐行业推荐品牌BOSCH博世汽车配件源于1926德国，博世集团旗下，专业从事汽车配件、维修站设备的生产/物流/销售以及配件产品再制造的企业。博世汽车诊断业务单元提供测试工具、维修站设备、诊断软件以及为维修站提供培训课程，2012年整合原斯必克集团旗下汽车服务方案业务，开始面向整车制造商提供全面的售后服务方案。DENSO电装电装成立于1949年日本，提供多种产品及系统的全球性企业，是世界知名汽车零部件生产厂家之一。在全球35个国家和地区设立研发、生产及经营据点，集团公司总数达到200家。电装致力于技术研发，目前正以电动化、自动驾驶领域为中心，是世界高端汽车技术、系统以及零部件的全球性供应商。Continental大陆大陆集团创立于1871年德国，是全球领先的汽车零部件供应商之一。大陆集团在轮胎、制动钳、安全电子设备、车载智能通信系统、汽车仪表和供油系统居于全球领先地位，旗下马牌轮胎是世界知名的轮胎品牌。大陆集团业务遍及全球50多个国家和地区，致力于打造智能、互联的驾乘世界。ZF采埃孚采埃孚创建于1915年德国，是一家全球性汽车传动与底盘技术以及主动和被动安全技术供应商，专注于为乘用车、商用车和工业技术领域提供下一代移动性系统产品，在车辆运动控制、集成式安全系统、自主驾驶以及电驱动四大技术领域，采埃孚能为现有的汽车制造商以及初创出行服务供应商提供广泛的解决方案。AISIN爱信爱信精机株式会社成立于1965年，世界500强企业之一，自动变速箱全球引领者，AISIN爱信的自动变速箱被合计超过40多个品牌的汽车采用，是全球极具规模的的自动变速箱配套供应商AISIN爱信是丰田汽车零部件的主要供应商，截至2021年4月在全球拥有37000余名员工，子公司200余家。MAGNA麦格纳麦格纳创立于1957年加拿大，是全球汽车零部件行业的领航者，汽车行业技术革新的先锋，麦格纳专注电动化与自动驾驶的研究，是汽车供应商领域唯一一家能够提供整车代工服务的公司。麦格纳在全球28个国家设有347家工厂和84家产品研发、工程和销售中心，拥有超过15.8万名员工。更多汽车配件品牌推荐>>汽车配件在哪买比较好汽车配件品牌店铺买什么博世汽车配件自营旗舰店博世汽车配件自营旗舰店主要销售品牌的雨刷器、滤清器、火花塞、刹车片、蓄电池等产品，店铺致力于为消费者提供品质的商品、满意的服务，...关注度：1951电装自营旗舰店电装自营旗舰店主要销售雨刮器、火花塞、防冻液等产品，所有产品均为品牌直销，品质保障。店内产品种类齐全，款式丰富，其火花塞包涵有双...关注度：1083法雷奥自营旗舰店法雷奥自营旗舰店主要销售品牌的雨刷等产品，店铺致力于为消费者提供品质的商品、满意的服务，用真诚和热情来赢取顾客良好的口碑和信任，...关注度：3978采埃孚旗舰店采埃孚旗舰店提供品牌的新品展示、店铺产品促销活动等信息；网店内主要销售的产品涵盖汽车用品、汽车机油、助力油等；店内产品种类齐全，...关注度：639马勒(MAHLE)自营旗舰店马勒(MAHLE)自营旗舰店主要销售MAHLE马勒的空调滤清器、机油滤清器、空气滤清器、燃油滤清器、变速箱滤清器等产品，其滤清器...关注度：802海拉品牌旗舰店海拉品牌旗舰店提供品牌的新品展示、店铺产品促销活动等信息；网店内主要销售的产品涵盖雨刷、车灯泡、滤清器、火花塞等；店内产品种类齐...关注度：1225汽车配件选购技巧汽车配件选购注意事项汽车配件选购八大注意1.看商标标识是否齐全。正宗产品的外包装质量好，包装盒上字迹清晰，套印色彩鲜明。产品名称、规格型号、数量、注册商标、厂名厂址及电话号码等等，选购时应仔细认清，以防买了假冒伪劣产品。2.看几何尺寸有无变形。有些零件因制造、运输、存放不当，易产生变形。在选购各类衬垫时，也应注意检查几何尺寸及形状。3.看结合部位是否平整。零配件在搬运、存放过程中，由于振动、磕碰，常会在结合部位产生毛刺、压痕、破损或裂纹，影响零件的使用。选购时应注意检查。4.看零件表面有无锈蚀。合格的零配件表面，既有一定的精度又有铮亮的光洁度，越是重要的零配件，精度越高，包装防锈防腐越严格。5.看防护表层是否完好。大多数零件在出厂时都涂有防护层。选购时若发现密封套破损、包装纸丢失、防锈油或石蜡流失，应予退换。6.看胶接零件有无松动。由两个或两个以上零件组合成的配件，零件之间是通过压装、胶接或焊接的，它们之间不允许有松动现象，选购时若发现有松动，应予调换。7.看转动部件是否灵活。选购机油泵等转动部件总成时，用手转动泵轴，应感到灵活无卡滞；选购滚动轴承时，一手支撑轴承内环，另一手打转外环，外环应能快速自如转动，然后逐渐停转。8.看总成部件有无缺件。正规的总成部件必须齐全完好，才能保证顺利装配和正常运行。一些总成部件上的个别小零件若漏装，将使总成部件无法工作甚至报废。汽车配件知识课堂>>买行车记录仪什么牌子好买玻璃水什么牌子好买自行车轮胎什么牌子好买冷却液什么牌子好买高压水枪什么牌子好买摩托车轮胎什么牌子好买充电桩什么牌子好买GPS防盗器什么牌子好买车载氧吧什么牌子好买洗车液什么牌子好买汽车电瓶什么牌子好买车载充电器什么牌子好买胎压监测什么牌子好买摩托车机油什么牌子好买汽车香水什么牌子好结语选购汽车配件时千万不要因为价格便宜，而盲目跟从购买，选择比较有知名度的品牌，不仅品质有保证，售后服务也有保障。当然追求品牌的东西不一定就是追求价格的昂贵，不同的经济水平我们可以选择不同价位的名牌产品。选择网购商品的朋友要认准品牌的旗舰店铺，这样子才能做到万无一失。

Ginebra San Miguel酒厂出产世界上两大最畅销酒类品牌，从1834年运营至今。

这怎么说啊 晕 虽然知道 到8的 不过就只有8了 自己杀一下吗

马格纳托毁灭者(Magnataur Destroyer) 浑身雪白的中老年马格纳托人，是整个部落的战斗核心。 等级 10 对地攻击力 76-85(平均80.5) 魔法回复 1.25 食物耗费 8 对空攻击力 61-68(平均64.5) 射程 近战/50 攻击类型 混乱 攻击间隔 1.5/1.35 白天视距 140 攻击方式 近程/远程 生命值 2100 夜晚视距 80 护甲类型 重型 生命回复 一直 移动速度 快速(300) 护甲强度 3 魔法值 500 　　　　冰弹(Frost Bolt) ：甩出一块高速的碎冰片，击中敌人造成100点伤害，并且使敌人眩晕5秒 持续时间 间隔时间 法力耗费 作用距离 作用范围 作用目标 5秒 9秒 75 60 一个单位 所有敌军单位 雷霆一击 (Slam)：用沉重的身躯重击大地，产生的震动对周围单位造成70点的伤害并将其震晕4秒（英雄2秒）。免疫外壳 (Spell Immunity)：成熟的皮肤保护着马格纳托免受魔法的伤害。（被动技能）马格纳托撕裂者(Magnataur Reaver)有丰富经验的马格纳托战士，会利用冰雪和地形与你纠缠，最凌厉的招式是甩出破碎的冰片将你击昏。并且他们善于对空攻击。 等级 8 对地攻击力 54-61(平均57.5) 魔法回复 0.875 食物耗费 6 对空攻击力 41-45(平均43) 射程 近战/50 攻击类型 混乱 攻击间隔 1.5/1.35 白天视距 140 攻击方式 近程/远程 生命值 1500 夜晚视距 80 护甲类型 重型 生命回复 一直 移动速度 快速(300) 护甲强度 2 魔法值 350 　　　　冰弹(Frost Bolt) ：甩出一块高速的碎冰片，击中敌人造成100点伤害，并且使敌人眩晕5秒 持续时间 间隔时间 法力耗费 作用距离 作用范围 作用目标 5秒 9秒 75 60 一个单位 所有敌军单位 免疫外壳 (Spell Immunity) （同上魔免外壳描述）马格纳托武士(Magnataur Warrior)战斗力很强的马格纳托人，常年的冰天雪地的险恶生活使他们练就了一身结实的肌肉和筋骨。 等级 5 对地攻击力 27-30(平均28.5) 魔法回复 N/A 食物耗费 4 对空攻击力 － 射程 近战 攻击类型 普通 攻击间隔 1.5 白天视距 140 攻击方式 近程 生命值 900 夜晚视距 80 护甲类型 重型 生命回复 一直 移动速度 快速(300) 护甲强度 2 魔法值 － 　　　　免疫外壳 (Spell Immunity)（同上魔免外壳描述）

killer杀手