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有源功率因数校正PFC电路主要有升压型、降压型、升压--降压型和回扫型等
基本电路形式,其中升压型有源PFC电路在一定输出功率下可减小输出电流,减小输
出滤波电容的容值和体积,故在电子镇流器中广泛应用。升压型有源PFC电路在控制方法上,有电感电流断续传导模式和峰值电流控制模式。其电路原理图如图2所示。
电路工作原理如下:Q1导通时,D5截止,电容C1向负载放电;Q1截止,电感L1储能经D5对电容C1充电。由于Q1和D5交替导通,使整流器输出电流经电感L1连续。这样输入电流也连续。图中,R1取样输入电压,保证通过电感L1的电流跟随输入电压按正弦规律变化,通过L1的高频电流包络正比于输入电压,其平均电流呈正弦波形,使输入电流呈正弦波;R2取样输出电压,控制APFC控制器的输出
占空比,稳定输出电压。
目前,APFC专用芯片很多,在电子镇流器中应用广泛,具体电路不做详细介绍,可参阅参考文献。
4 利用自振荡半桥PWM驱动器设计的APFC电路
在某些自振荡半桥PWM驱动器电路中,可以利用PWM驱动器输出固定频率的
脉冲来作APFC控制,这里介绍两种典型电路。
4.1利用自振荡输出波形控制的APFC电路
电路原理图如图3所示。
升压电感L1、二极管D5、电容C2和开关管Q3等组成APFC电路。由于PWM驱动器U1输出脉冲的频率和占空比都是固定的,Q3导通时,D5截止,C2向负载放电;Q3截止时,电感L1产生的突变电势使D5正向偏置而导通,电感L1通过D5向C2和负载释放储能,此时整流二极管电流经电感L1连续,使输入电流波形连续,呈正弦波形,可将线路功率因数提高到0.95以上,使输入电流总谐波失真度(THD)降低到10%以下。
4.2 利用自振荡PWM驱动器的定时电路
图3利用自振荡PWM驱动器输出波形控制的APFC原理电路图图4利用自振荡PWM驱动器的定时器设计的APFC原理电路图和波形图设计的APFC电路自振荡半桥PWM驱动器的振荡器是一个类似555的定时振荡器,CT端为锯齿波,可以用一电路产生同频、占空比可调的APFC电路。其原理电路如图4所示。
自振荡PWM驱动器的CT端波形为锯齿波,送到比较器U2的正端;将直流输出
电压分压送到比较器U2的负端。当C点的电压小于D点时,E点为高电平,Q4导通;
当B点为高电平时,F点为高电平,Q3导通,电感L1储能,电容C2向后级供电。当C
点电压高于D点时,E点为低点平,不论F点电平状态,Q4截止,Q3截止,电感L1经
D5向C2和后级释放储能。这样二极管电流经电感L1连续,各点相关波形如图4(B)所示。
从波形上可以看出F点波形脉冲宽度小于A或B,而且可调,但小于50%;通过
调整R1、R2的分压比,可调整输出电压和输出功率,构成可调输出电路,这在开关电源和电子镇流器中有较广泛的应用。
5 利用TOPSwitch开关构成的APFC电路
TOPSwitch是一种离线式PWM开关,其内部集PWM控制器和MOSFET开关管为
一体。由其构成的APFC电路如图5所示。
在图5中,控制器U1、电感L1、二极管D5、D6和电容C1构成APFC电路,当控制
器U1的C端(控制端)达到设定电压时,U1被启动。电阻R1取样输入瞬时电压,电阻
R2取样输出电压,U1的控制端输入电流影响输出占空比,其占空比与输入电流成反
比,随输入电压线性变化。通过U1的调整,输入平均电流呈正弦波形,且与输入电压保持同相位,是一种固定频率电流断续模式的APFC电路。可将线路功率因数提高到0.98左右。
此外,还可利用紧凑型自振荡半桥PWM驱动器(如IR51HXX系列)构成类似图
4和图5的APFC电路。紧凑型自振荡半桥PWM驱动器是集紧凑型自振荡PWM电路
和两只MOSFET管于一身,具有电路简单、紧凑的特点,只适合于节能灯和小型开关电源电路。
6 结束语
有源功率因数校正技术应用在高压钠灯电子镇流器上,使其输入侧的功率因数提
高到0.99以上,将总谐波失真度降低到10%以下,反馈到电网的谐波大为减少,起
到了节约能源、降低消耗和减少电网污染的作用。
mos线性稳压原理是什么
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)线性稳压器是一种电路,用于将输入电压稳定地调整为所需的输出电压。线性稳压器工作原理基于非线性特性,使用一个可变电阻来控制输出电压。输入电压变化时,可变电阻会自动调整以维持稳定的输出电压。MOS线性稳压器主要由三部分组成:一个MOSFET晶体管,一个电阻和一个运放。MOSFET晶体管作为可变电阻,它的电流控制特性提供了调整电阻的能力。电阻和运放用来组成环路,使得MOSFET晶体管能正确地工作。运放用来放大输入电压的微小变化,以便更精确地控制MOSFET的电流。MOS线性稳压器的优点在于其高效率和低成本。由于MOSFET晶体管具有很高的阻抗,因此它需要非常小的电流来控制电压。这意味着线性稳压器可以在很低的电流下工作,从而降低了散热量和功率损耗。MOS线性稳压器的缺点在于其稳定性较差。当MOSFET晶体管的温度发生变化时,其电阻会发生变化,导致输出电压的变化。另外,在高频下,MOSFET晶体管的电磁干扰和噪声会影响线性稳压器的性能。MOS线性稳压器的应用范围较广,如在电源电路、数字电路、模拟电路、通信电路中都有广泛使用。而且由于MOS线性稳压器的低成本,其在消费类电子产品中的应用也非常广泛另外需要注意的是,在设计MOS线性稳压器时,还需要考虑其其他因素,如噪声、纹波和线性度等。噪声:MOS线性稳压器的噪声是由MOSFET晶体管中的1/f噪声和运放中的噪声共同产生的,在高噪声环境下会影响输出电压的稳定性。纹波:纹波是指输出电压中的微小波动,通常是由于电路中电容和电感的影响导致的。线性度:线性度指的是输出电压对输入电压的变化率的精确度。为了解决这些问题,通常使用一些技术和方法来提高MOS线性稳压器的性能,如使用低噪声运放、使用滤波电路来减小纹波、使用负反馈来提高线性度等.2023-08-16 16:25:541
基于mosfet的固态继电器工作的原理是什么
固态继电器(SSR)是一种电子设备,它可以在接受到控制信号时通过晶体管来控制负载的电流。基于MOSFET的固态继电器使用一个MOSFET来控制负载电流。当控制信号为高电平时,MOSFET导通,允许电流流入负载;当控制信号为低电平时,MOSFET断开,阻止电流流入负载。2023-08-16 16:26:391
急啊 哪位帮帮我
力MOS场效应晶体管 电力MOS场效应管 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。 是一种单极型的电压控制全控型器件。 特点——用栅极电压来控制漏极电流 输入阻抗高 驱动电路简单,需要的驱动功率小。 开关速度快,工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 电力MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型。 电力MOSFET的结构 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET)。 按垂直导电结构的差异,分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET)。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 电力MOSFET的工作原理(N沟道增强型VDMOS) 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电 。 电力MOSFET的基本特性 (1)静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs。 (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区(对应于GTR的放大区) 非饱和区(对应GTR的饱和区) 工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。 漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时导通。 通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。 (3)动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 关断过程 关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度。 不存在少子储存效应,关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。 场控器件,静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电,仍需一定的驱动功率。 开关频率越高,所需要的驱动功率越大。 电力MOSFET的主要参数 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有: (1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额 (2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额 (3)栅源电压UGS—— UGS86>20V将导致绝缘层击穿 。 (4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS 另一种介绍说明: 场效应管(Fjeld Effect Transistor简称FET )是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件,只依靠一种载流子参与导电,故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比,它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类,结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET,后者性能更为优越,发展迅速,应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、结构与分类 图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区(用P 表示),形成两个对称的PN结,将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极(g),在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。在形成PN结过程中,由于P 区是重掺杂区,所以N一区侧的空间电荷层宽度远大 二、工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压,所以两侧PN结均处于反向偏置,栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发,经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。 1.栅源电压UGS对导电沟道的影响(设UDS=0) 在图Z0123所示电路中,UGS <0,两个PN结处于反向偏置,耗尽层有一定宽度,ID=0。若|UGS| 增大,耗尽层变宽,沟道被压缩,截面积减小,沟道电阻增大;若|UGS| 减小,耗尽层变窄,沟道变宽,电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时,两边耗尽层合拢,整个沟道被耗尽层完全夹断。(VP称为夹断电压)此时,漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态,ID=0。 2.漏源电压UGS对漏极电流ID的影响(设UGS=0) 当UGS=0时,显然ID=0;当UDS>0且尚小对,P N结因加反向电压,使耗尽层具有一定宽度,但宽度上下不均匀,这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻,因而漏源电压UDS沿沟道递降,造成漏端电位高于源端电位,使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端,因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然,在UDS较小时,沟道呈现一定电阻,ID随UDS成线性规律变化(如图Z0124曲线OA段);若UGS再继续增大,耗尽层也随之增宽,导电沟道相应变窄,尤其是近漏端更加明显。 由于沟道电阻的增大,ID增长变慢了(如图曲线AB段),当UDS增大到等于|VP|时,沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止,因为漏源两极间的场强已足够大,完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS (这种情况如曲线B点):当UDS>|VP|再增加时,耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分,形成夹断区 。 由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多,所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上,使夹断区形成很强的电场,它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极,形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变,于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变,管子呈恒流特性(如曲线BC段)。但是,如果再增加UDS达到BUDS时(BUDS称为击穿电压)进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能,这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应,产生大量的新生载流予,使ID急剧增加而出现击穿现象(如曲线CD段)。 由此可见,结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用,是场效应管具有放大作用的基础。 三、特性曲线 1.输出特性曲线 输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时,漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线,如图Z0124所示。由图可知,各条曲线有共同的变化规律。UGS越负,曲线越向下移动)这是因为对于相同的UDS,UGS越负,耗尽层越宽,导电沟道越窄,ID越小。 由图还可看出,输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。 ◆可变电阻区:预夹断以前的区域。其特点是,当0<UDS<|VP|时,ID几乎与UDS呈线性关系增长,UGS愈负,曲线上升斜率愈小。在此区域内,场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。 ◆恒流区:图中两条虚线之间的部分。其特点是,当UDS>|VP|时,ID几乎不随UDS变化,保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制,两者变量之间近乎成线性关系,所以该区域又称线性放大区。 ◆击穿区:右侧虚线以右之区域。此区域内UDS>BUDS,管子被击穿,ID随UDS的增加而急剧增加。 2.转移特性曲线 当UDS一定时,ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明,当UDS>|VP|后,即恒流区内,ID 受UDS影响甚小,所以转移特性通常只画一条。在工程计算中,与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示:Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp) 式GS0127中VP≤UGS≤0,IDSS是UGS=0时的漏极饱和电流。2023-08-16 16:26:591
气体传感器的原理有人知道吗?氢气啊之类的。
气体传感器的原理及发展方向http://news.zfa.cn/indexpage/zzym/zzym.jsp?id=10141&name=dzdjt2023-08-16 16:27:112
vmosirf640管工作的原理是什么
IRF640是一种N-MOSFET(N型场效应管),它具有较高的电流增益和较低的漏电流。它的工作原理是,当在源极和漏极之间施加一个正向电压时,在源极和漏极之间就会形成一个电场,这个电场会使漏极的电子流动,从而使漏极的电流增加,从而使源极的电流减少。2023-08-16 16:27:181
k1271元件有什么作用工作原理是怎样的
是一个MOS管,就是金属氧化物半导体绝缘栅型场效应管,K1271是N沟道的MOS管,全名2SK1271,NEC公司生产,耐压1400V,可过5-10A电流最大功率240W。 MOS管与双极型晶体管区别(百度百科,MOS管):双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。 场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。2023-08-16 16:27:271
mosfet管的测试原理是什么
为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),其具体工作原理为(参见下图):截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。2023-08-16 16:27:392
P沟道MOSFET的工作原理,说明下面原理图中2SJ355在什么情况下导通,导通情况下电路是干什么的?
前面的回答是对的,图中是有问题。要不然没有意义。 pmos就是相当于开关,当栅极接低电平时,它的漏极和源极就连通了,相当于开关闭合。在你的电路中源极接的是3.3V,漏极接的是D+,即当U1CONNECT给一个低电平时,开关闭合,D+的引脚就接通了3.3V。当U1CONNECT给一个高电平时,开关断开,D+的电压就只看U1D+的值了。就这样了。2023-08-16 16:27:492
三极管,MOS管如何工作的问题
错了,你不能用电阻接地。还有就是电压是不需要引的,只需要导线通上电,电压就来了,注意是并联哦。2023-08-16 16:27:592
与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力?
我觉得应该是以下两个原因:1.目前电力mosfet大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流。2.电力mosfet多了个低掺杂n区,该区由于掺杂浓度低,使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,因此能承受高电压。2023-08-16 16:28:092
JFET和MOSFET结构上的区别是什么
(1)MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。(2)MOSFET对于静电放电(ESD)的抵抗能力较差,因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。(3)JFET一般是耗尽型的器件,而MOSFET可以有增强型器件。因此,在使用时,JFET的栅极只能外加反向电压,对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型,则输入电压信号较大时也能够正常工作。 (4)JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内,则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。2023-08-16 16:28:543
什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET),本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。 功率MOSFET为多元集成结构,如国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。2.2功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。2.3功率MOSFET的基本特性2.3.1静态特性;其转移特性和输出特性如图2所示。 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。2.3.2动态特性;其测试电路和开关过程波形如图3所示。 开通过程;开通延迟时间td(on) —up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段; 上升时间tr— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段;iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关,UGS达到UGSP后,在up作用下继续升高直至达到稳态,但iD已不变。 开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。 关断延迟时间td(off) —up下降到零起,Cin通过Rs和RG放电,uGS按指数曲线下降到UGSP时,iD开始减小为零的时间段。 下降时间tf— uGS从UGSP继续下降起,iD减小,到uGS晶闸管是两个双极型晶体管的组合,又加上因大面积带来的大电容,所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说,它还存在一个导通区的扩展问题,所以也带来相当严格的限制。 功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒(而不是每微秒)的能力来估量。但尽管如此,它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。 图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外,还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。(就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样)。这几个方面,是研究MOSFET动态特性很重要的因素。 首先MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时,二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺,它有可能进入雪崩区,一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说,仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时,二极管有一阶段失去反向阻断能力,即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时,也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入,所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。 功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同,但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时,寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下,因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动,有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容(它是dv/dt的通道)都必须予以注意。 瞬态情况是和线路情况密切相关的,这方面在应用中应给予足够重视。对器件要有深入了解,才能有利于理解和分析相应的问题。3.高压MOSFET原理与性能分析 在功率半导体器件中,MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换,特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域,MOSFET没有竞争对手,但随着MOS的耐压提高,导通电阻随之以2.4-2.6次方增长,其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流,以折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。即便如此,高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下,耐压500V以上的MOSFET的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高,耐压800V以上的导通电压高得惊人,导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5,使应用受到极大限制。 3.1降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法 3.1.1 不同耐压的MOSFET的导通电阻分布。不同耐压的MOSFET,其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOSFET,其外延层电阻仅为总导通电阻的29%,耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。由此可以推断耐压800V的MOSFET的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压,就必须采用高电阻率的外延层,并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。 3.1.2 降低高压MOSFET导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻,但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降,但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流,开关损耗增加,失去了MOSFET的高速的优点。 以上两种办法不能降低高压MOSFET的导通电阻,所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样,是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现,而在MOSFET关断时,设法使这个通道以某种方式夹断,使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想,1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS,使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图5所示。 与常规MOSFET结构不同,内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间,使MOSFET关断时,垂直的P与N之间建立横向电场,并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。 当VGS<VTH时,由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成,并且D,S间加正电压,使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层,并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压,如图5(b)所示,这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。 当CGS>VTH时,被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷,从而恢复被耗尽的N型特性,因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率,因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。 通过以上分析可以看到:阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开,解决了阻断电压与导通电阻的矛盾,同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结,在相同的N-掺杂浓度时,阻断电压还可进一步提高。 3.2内建横向电场MOSFET的主要特性 3.2.1 导通电阻的降低。INFINEON的内建横向电场的MOSFET,耐压600V和800V,与常规MOSFET器件相比,相同的管芯面积,导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5, 1/10;相同的额定电流,导通电阻分别下降到1/2和约1/3。在额定结温、额定电流条件下,导通电压分别从12.6V,19.1V下降到6.07V,7.5V;导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低,发热减少,器件相对较凉,故称COOLMOS。 3.2.2 封装的减小和热阻的降低。相同额定电流的COOLMOS的管芯较常规MOSFET减小到1/3和1/4,使封装减小两个管壳规格,如表1所示。 表1封装与电流、电压额定值 由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3,使TO-220封装RTHJC从常规1℃/W降到0.6℃/W;额定功率从125W上升到208W,使管芯散热能力提高。 3.2.3 开关特性的改善。COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET,很明显,由于QG,特别是QGD的减少,使COOLMOS的开关时间约为常规MOSFET的1/2;开关损耗降低约50%。关断时间的下降也与COOLMOS内部低栅极电阻(<1Ω=有关。 3.2.4 抗雪崩击穿能力与SCSOA。目前,新型的MOSFET无一例外地具有抗雪崩击穿能力。COOLMOS同样具有抗雪崩能力。在相同额定电流下,COOLMOS的IAS与ID25℃相同。但由于管芯面积的减小,IAS小于常规MOSFET,而具有相同管芯面积时,IAS和EAS则均大于常规MOSFET。 COOLMOS的最大特点之一就是它具有短路安全工作区(SCSOA),而常规MOS不具备这个特性。COOLMOS的SCSOA的获得主要是由于转移特性的变化和管芯热阻降低。COOLMOS的转移特性如图6所示。从图6可以看到,当VGS>8V时,COOLMOS的漏极电流不再增加,呈恒流状态。特别是在结温升高时,恒流值下降,在最高结温时,约为ID25℃的2倍,即正常工作电流的3-3.5倍。在短路状态下,漏极电流不会因栅极的15V驱动电压而上升到不可容忍的十几倍的ID25℃,使COOLMOS在短路时所耗散的功率限制在350V×2ID25℃,尽可能地减少短路时管芯发热。管芯热阻降低可使管芯产生的热量迅速地散发到管壳,抑制了管芯温度的上升速度。因此,COOLMOS可在正常栅极电压驱动,在0.6VDSS电源电压下承受10ΜS短路冲击,时间间隔大于1S,1000次不损坏,使COOLMOS可像IGBT一样,在短路时得到有效的保护。 3.3关于内建横向电场高压MOSFET发展现状 继INFINEON1988年推出COOLMOS后,2000年初ST推出500V类似于COOLMOS的内部结构,使500V,12A的MOSFET可封装在TO-220管壳内,导通电阻为0.35Ω,低于IRFP450的0.4Ω,电流额定值与IRFP450相近。IXYS也有使用COOLMOS技术的MOSFET。IR公司也推出了SUPPER220,SUPPER247封装的超级MOSFET,额定电流分别为35A,59A,导通电阻分别为0.082Ω,0.045Ω,150℃时导通压降约4.7V。从综合指标看,这些MOSFET均优于常规MOSFET,并不是因为随管芯面积增加,导通电阻就成比例地下降,因此,可以认为,以上的MOSFET一定存在类似横向电场的特殊结构,可以看到,设法降低高压MOSFET的导通压降已经成为现实,并且必将推动高压MOSFET的应用。 3.4 COOLMOS与IGBT的比较 600V、800V耐压的COOLMOS的高温导通压降分别约6V,7.5V,关断损耗降低1/2,总损耗降低1/2以上,使总损耗为常规MOSFET的40%-50%。常规600V耐压MOSFET导通损耗占总损耗约75%,对应相同总损耗超高速IGBT的平衡点达160KHZ,其中开关损耗占约75%。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40%-50%,对应的IGBT损耗平衡频率将由160KHZ降到约40KHZ,增加了MOSFET在高压中的应用。 从以上讨论可见,新型高压MOSFET使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到解决;可简化整机设计,如散热器件体积可减少到原40%左右;驱动电路、缓冲电路简化;具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力;简化保护电路并使整机可靠性得以提高。4.功率MOSFET驱动电路 功率MOSFET是电压型驱动器件,没有少数载流子的存贮效应,输入阻抗高,因而开关速度可以很高,驱动功率小,电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大,输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为: 功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络,它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在,静态时栅极驱动电流几乎为零,但在开通和关断动态过程中,仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS,开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。 开关管关断过程中,CISS通过ROFF放电,COSS由RL充电,COSS较大,VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)的升高COSS迅速减小至接近于零时,VDS(T)再迅速上升。 根据以上对功率MOSFET特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低电阻放电回路,以提高功率MOSFET的开关速度;③为了使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压应高于管子的开启电压,为了防止误导通,在其截止时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流,功率管极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大。4.1几种MOSFET驱动电路介绍及分析 4.1.1不隔离的互补驱动电路。图7(a)为常用的小功率驱动电路,简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图7(b)所示驱动电路开关速度很快,驱动能力强,为防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。 功率MOSFET属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容,关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小,关断速度较快,但它不能提供负压,故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干扰性,可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路,产生一个负压,电路原理图如图8所示。 当V1导通时,V2关断,两个MOSFET中的上管的栅、源极放电,下管的栅、源极充电,即上管关断,下管导通,则被驱动的功率管关断;反之V1关断时,V2导通,上管导通,下管关断,使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电,包含有V2的回路,由于V2会不断退出饱和直至关断,所以对于S1而言导通比关断要慢,对于S2而言导通比关断要快,所以两管发热程度也不完全一样,S1比S2发热严重。 该驱动电路的缺点是需要双电源,且由于R的取值不能过大,否则会使V1深度饱和,影响关断速度,所以R上会有一定的损耗。 4.1.2隔离的驱动电路 (1)正激式驱动电路。电路原理如图9(a)所示,N3为去磁绕组,S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小,且从速度方面考虑,一般R2较小,故在分析中忽略不计。 其等效电路图如图9(b)所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1,它做为正激变换器的假负载,用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知,占空比D越小、R1越大、L越大,磁化电流越小,U1值越小,关断速度越慢。该电路具有以下优点: ①电路结构简单可靠,实现了隔离驱动。 ②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。 ③占空比固定时,通过合理的参数设计,此驱动电路也具有较快的开关速度。 该电路存在的缺点:一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡,故电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时,由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。 (2)有隔离变压器的互补驱动电路。如图10所示,V1、V2为互补工作,电容C起隔离直流的作用,T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。 导通时隔离变压器上的电压为(1-D)Ui、关断时为D Ui,若主功率管S可靠导通电压为12V,而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[(1-D)Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点: ①电路结构简单可靠,具有电气隔离作用。当脉宽变化时,驱动的关断能力不会随着变化。 ②该电路只需一个电源,即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压,从而加速了功率管的关断,且有较高的抗干扰能力。 但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时,负向电压小,该电路的抗干扰性变差,且正向电压较高,应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压,此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。 (3)集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路 电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号,载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波频率小于600kHz,4脚和6脚两端产生高频调制波,经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号,UC3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小,但太高抗干扰变差;隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小,UC3724发热越少,但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大,同样会使抗干扰能力降低。根据实验数据得出:对于开关频率小于100kHz的信号一般取(400~500)kHz载波频率较好,变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯,其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信号频率小于100kHz的场合,因信号频率相对载波频率太高的话,相对延时太多,且所需驱动功率增大,UC3724和UC3725芯片发热温升较高,故100kHz以上开关频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合,它是一种良好的驱动电路。该电路具有以下特点:单电源工作,控制信号与驱动实现隔离,结构简单尺寸较小,尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。2023-08-16 16:29:101
irfp460工作原理
这个就是NMOS管,内部D极与S极有反向保护二极管。当G极电压大于S极是,管子导通;反之,闭合。你分析这个管子的时候就当普通的NMOS管去分析就好了。2023-08-16 16:30:392
逻辑板cm501工作原理
逻辑板也叫屏驱动板,中心控制板,TCON板。通过处理移位寄存器存储将图像数据信号,时钟信号转换成屏能够识别的控制信号,行列信号RSDS控制屏内的MOSFET管工作而控制液晶分子的扭曲度。2023-08-16 16:30:461
为什么to252功率器件要测雪崩
与一般双极性晶体管的二次击穿不同,MOSFET雪崩击穿过程主要是由于寄生晶体管被激活造成的。MOSFET由于工作在高频状态下,其热应力、电应力环境都比较恶劣,一般认为如果外部电气条件达到寄生三极管的导通门槛值,则会引起MOSFET故障。在实际应用中,必须综合考虑MOSFET的工作条件以及范围,合理地选择相应的器件以达到性能与成本的最佳优化。2023-08-16 16:30:563
请问限流开关AAT4610A的工作原理?
AAT4610A是美国先进模拟科技公司(AATI)于2005年新推出的一种过电流保护电路,适配带USB接口的各种计算机外设及便携式系统。其同类产品还有美国Vishay公司生产的SiP4610A。AAT4610A的内部电路主要包括欠电压闭锁电路、过热保护电路、比较放大器、P沟道MOSFET(带续流二极管)、1.2V基准电压源和限流保护电路。当欠压锁定阈值电压为1.8V时,将P沟道MOSFET关断;当电压恢复正常时自动使P沟道MOSFET导通。AAT4610A的应用非常简单,只需串联在需要限流保护的电路中即可,需要控制的电流从IN端流入,从OUT端流出。C1、C2分别为输入端、输出端的滤波电容,宜采用陶瓷电容。RSET为极限电流设定电阻,其电阻值取决于所需极限电流ILIMIT,设定范围是130mA~1A。在决定RSET的阻值时,必须考虑ILIMIT的变化。造成ILIMIT变化的原因有以下3种因素。(1)从输入端到输出端的电压变化,这是由于P沟道功率MOSFET的压降而造成的;(2)极限电流随温度而变化;(3)极限电流还受输出电流的影响。2023-08-16 16:31:251
我做了一个电路,用IR2302驱动MOSFET,但是IR2302不工作,求大神解答。。。原理图在下面
1、r22太大,一般取几十欧姆;2、驱动Q6的电荷是通过+12V到D8到CC5再到负载,对CC5充电得的。所以需要在Q6关断的时候对CC5进行充电,负载阻抗太大,充电时间常数太大,或者负载在Q6关断后电势仍然高于12V,无法充电。3、SD是内部上拉到5V的,必须外部给个逻辑低电平。2023-08-16 16:31:341
变频器原理及应用的图书信息2
书号:48488ISBN:978-7-111-48488-2作者:王廷才印次: 责编: 开本:16字数:362千字定价:32.0所属丛书:普通高等教育“十一五”国家级规划教材 高等职业技术教育机电类规划教材 机械工业出版社精品教材装订:平出版日期:2015-02-26 前言 第1章 变频器的认识 1.1 变频器概述 1.1.1 变频器的发展 1.1.2 变频器的分类 1.1.3 变频器的应用 1.2 异步电动机变频调速原理 1.2.1 异步电动机变频调速机理 1.2.2 三相异步电动机的机械特性 1.2.3 三相异步电动机的变频起动 1.2.4 三相异步电动机的变频制动 1.3 变频器的结构与主要技术参数 1.3.1 变频器的外形 1.3.2 变频器的基本原理结构 1.3.3 变频器的铭牌 1.3.4 主要技术参数 本章小结 习题1 第2章 变频器常用电力电子器件 2.1 功率二极管 2.1.1 功率二极管的结构与伏安特性 2.1.2 功率二极管的主要参数 2.1.3 功率二极管的选用 2.1.4 功率二极管的分类 2.2 晶闸管 2.2.1 晶闸管的结构 2.2.2 晶闸管的导通和阻断控制 2.2.3 晶闸管的阳极伏安特性 2.2.4 晶闸管的参数 2.2.5 晶闸管的门极伏安特性及主要参数 2.2.6 晶闸管触发电路 2.2.7 晶闸管的保护 2.3 门极可关断(GTO)晶闸管 2.3.1 CTO晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 GTO晶闸管的特性与主要参数 2.3.3 GTO晶闸管的门极控制 2.3.4 GTO晶闸管的缓冲电路 2.4 电力晶体管(GTR) 2.4.1 GTR的结构 2.4.2 GTR的参数 2.4.3 二次击穿现象 2.4.4 CTR的驱动电路 2.4.5 GTR的缓冲电路 2.5 功率MOS场效应晶体管(P-MOSFET) 2.5.1 P-MOSFET的结构 2.5.2 P-MOSFET的工作原理 2.5.3 P-MOSFET的特性 2.5.4 P-MOSFET的主要参数 2.5.5 P-MOSFET的栅极驱动 2.5.6 P-MOSFET的保护 2.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2.6.1 IGBT的结构与基本工作原理 2.6.2 IGBT的基本特性 2.6.3 IGBT的主要参数 2.6.4 IGBT的驱动电路 2.7 集成门极换流晶闸管(ICCT) 2.7.1 IGCT的结构与工作原理 2.7.2 IGCT的特点 2.7.3 ICCT变频器 2.8 智能功率模块(IPM) 2.8.1 IPM的结构 2.8.2 IPM的主要特点 2.8.3 IPM选择的注意事项 本章小结 习题2 第3章 交-直-交变频技术 第4章 交-交变频技术 第5章 高(中)压变频器 第6章 变频器的接线端子与功能参数 第7章 变频器的控制方式 第8章 变频调速系统的选择与操作 第9章 变频器的安装与维护 第10章 变频器应用实例 第11章 变频器技术实训 附录 参考文献2023-08-16 16:32:041
lnk304gn开关电源芯片工作原理
LNK304在一个IC上面集成了一个700V的功率MOSFET、振荡器、简单的开/关控制电路、高压开关电流源、频率调制、逐周期的电流限制及过温保护。中文名LNK304属性集成电路器件作用替代输出电流小的特定电源用途家用电器及计时器原理作用用例TA说原理IC就是集成电路器件。就是在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。器件在启动及工作期间的功率消耗直接由漏极引脚的电压来提供,因此,在BUCK及反激式控制器中可节省偏置供电的相关电路。作用用来替代输出电流小于360mA的所有线性及电容降压式非隔离电源。其系统成本与所替代的电源相等,但性能更好、效率更高。2023-08-16 16:32:291
谁可以提供一些好听的英文歌啊
非主流英文金曲这是名字2023-08-16 16:32:224
激光治疗痘坑是最好的方法吗?原理是什么?
当然是的。原理就是通过激光把这些坏的皮肤组织去掉,促进新的皮肤组织生长。2023-08-16 16:32:254
有什么好听的英文歌?
第一组 Get down I want it that way As long as you love me 2 God is a girl 2005年德国新晋乐队Groove Coverage凭借一首Far away from home征服了全世界,富有震撼力和流行元素的音乐让你无法不爱上它们。更多Groove Coverage的歌曲: Moonlight Shadow这首歌曲的钢琴前奏超级有味道哦,小编可是特别特别喜欢呢! She 3 Never grow old如果你知道中国的王菲,那你就不得不好好听Cranberries的歌了,因为王菲的唱法可是他们的主唱小红莓哦!他们共同的特点就是:在不动声色中将一首歌演绎得如行云流水。在Zambie这首歌里你就可以感受到王菲的演唱风格,要耐心听哦,越往后越好听。 Dying in the sun 4 The day you went away这首歌不用小编再介绍了吧,M2M的这首歌一度红遍大街小巷,台湾的王心凌可是凭借翻唱这首歌而在演艺圈崭露头角的喔!这两个女生的歌用来练习英语听力可是非常合适呢!更多M2M的歌曲: Pretty boy Mirror, mirror What you do about me Girl in your dreams 5 Unwritten也许这首歌的名字你并不熟知,但是听听看……怎么样,熟悉吧,对了,就是林志玲做的潘婷广告的背景音乐。 6 芝华士广告歌 小编到现在也不知道这首歌的名字是什么,只是在看电视的时候,芝华士广告开始播放时,小编顿时觉得:太有味道了!相信你也会马上喜欢上它的! 7 Over the rainbow 这首歌被很多广告作为背景音乐,最近一直在中央3套播放的强生公益广告的背景歌曲就是出自这首歌! 8 Rhythm of the rain 绿箭口香糖的广告歌,歌曲就像绿箭一样,清新而自然。 9 Casablanca经典中的经典,百听不厌! 10 Forever和Behind blue eyes这两首歌很忧伤,但却很耐人寻味。 11 My humps Black eyes peas(黑眼豆豆)他们可是杰克逊演唱会的特邀嘉宾哦! 第二组: 1. Take me to your heart《吻别》的英文版,一度红遍大街小巷的不可多得的好歌,把它作为首推相信大家没有意见。 2. All rise Blue这支乐队可是很多网友的偶像呢,他们的实力自然没得说,这首歌曾经被台湾的BAD翻唱哦。 3. Try to remember 黎明的《玻璃之城》还记得吗?那么它的主题曲相信你也不会陌生。 4. Say you, say me.红遍世界的一首歌,应该是很多英语专业网友的最初挚爱哦! 5. Edelweiss《雪绒花》,好好感受世界名曲的魅力吧! 6. Losing grip发现现在很多网友对艾薇儿相当感冒,那么这首歌相信喜欢她的人不会拒绝了。 7. On my way home 恩雅的声音永远那么淡定和舒服,也许风格的保持未必是坏事。 8. Let me show you the way Lacoste香水的广告歌曲,真的很好听啊!发现用英文歌来做广告背景音乐真得很有感觉,例如,德芙广告主题歌:White flag;潘婷广告背景音乐:Unwritten;芝华士广告的主题歌;全智贤奥林巴斯广告歌: To be with you 等等。 9. By my side 电影《向左走,向右走》的插曲,孙燕姿演唱的《遇见》英文版。 10. Firefly 小编不知道该用什么语言来形容这首歌,这不是仅仅“好听”两个字能代替得了的,听听看吧,相信绝对不会让你失望。 11. Curtain falls,Stand up和 It"s alright 依旧是Blue的演唱曲目,依旧经典。 12. Soledad也许光看名字你并不会对它感兴趣,但是如果说它是S.H.E《紫藤花》英文版的话相信你就不会拒绝了。《紫藤花》是S.H.E慢歌里比较受网友欢迎的。 13. Without you《未来水世界》主题曲,电影不错,歌更是好听。 14. I"ll be there for you《老友记》主题曲。 15. San Francisco《阿甘正传》感动了多少网友,至今小编仍将其奉为经典,其中的主题曲更是让人不能忘怀。 16. Black heart《分开旅行》的英文版,英文版好听,中文版更是不赖,被刘若英 和黄立行演绎的相当到位。 17. One love这首歌的前奏超级好听的说。 18. A place nearby很清丽醇厚的一首歌,广受好评。 19. Nocturne。提琴手莎莉 那直如不食人间烟火的飘逸女声和她独特的柔美提琴轻轻划破夜的宁静后, 引领听者的思绪自然进入那方心灵深处的梦土。主体是以小提 琴为基调的纯音乐小品,只见夜风轻拂,树影婆娑,渲染出一种静谧的氛围,让你静夜独坐的时候,引领你步入这方自然的梦土。 20. 郭美美《我的答铃》英文版、《玫瑰玫瑰我爱你》英文版、林忆莲《Better man》英文版。 21. Juliet相当动感时尚的《朱丽叶》,印象里好像王力宏翻唱过这首歌。 22. Lark in the clear air爱尔兰总是出极品歌手啊,演唱者的嗓音只能用天籁来形容。 23. Gigolo 这首歌的前奏和王力宏的《星座》很接近,好听! 24. Cry me a river 一直知道贾斯汀很有名,但是却不知道究竟唱过什么歌。听完这首歌,明白了人家走红的原因。 25. Under a violet moon 和Stand这两首歌相当的好听,不听你绝对会后悔的,百听不厌,越听越喜欢。 26. I could be the one 也许名字你并不熟悉,但是歌曲本身肯定让你觉得是老朋友。 27. Spancil hill The Corrs来自爱尔兰的Dundalk——距都柏林向北50英里,正好介于爱尔兰和北爱尔兰交界上的一个小城。他们是爱尔兰史上最成功的一支家庭组合,成立于1990年,由3朵姐妹花Sharon、Caroline、Andrea和成熟、稳重的大哥Jim组成,由于父母都是歌手,所以这四兄妹从小就表现出对音乐的天赋,并将自己的姓氏——“Corr”作为乐队的名称。 28. Mondo Bongo 《史密斯夫妇》的原声带,精彩电影的精彩配唱。 29. Rabbit-Dance-Gelato 风靡一时的兔子舞,你可以说它很俗,但是你不得不承认,它确实一度成为所有人的挚爱。 30. Oh my love 淡淡的吉他,跟上来的是暖暖的钢琴,配上简单的歌词,特别的纯净。此刻心里很安静,也很塌实。 31. Loud and clear 卡百利(Cranberries)的歌,没有理由拒绝。用行云流水来形容其演绎歌曲的方式最合适不过。 32. California Dreaming 这个叫the papas&the mamas 的民谣乐队在六十年代的美国某个灰暗的天空下假装祈祷,悄悄做了一个加州的白日梦…… N年以后,远在东方的香港,一个叫“午夜特快”的便利店里,不停的飘荡着这曲子.而这只源于一个叫王家卫的东方人,他想给两个人一个california dreaming…… 今天的推荐暂告一段落,如果您有更好的英文歌曲想与大家分享,那就跟小编联系吧。请发E-mail至:xiaofang36973@hotmail.com,我们将会在第一时间为您送上最完美的经典。2023-08-16 16:32:311
有没有什么好听的英文歌
I am you a thousand years Despacito Do you remember Galway girl Higher 还有很多,一时记不起来了2023-08-16 16:32:412
有什么英语歌好听
If I Were A Boy2023-08-16 16:32:504
wanna和gonna什么意思啊
just want to ~go to ~2023-08-16 16:32:504
关于钢铁最近5年内的历史最低价和08年元旦左右钢铁价格走势?
1、钢铁最近5年的历史最低价?是在哪一年出现的?最近前5年的价格走势?麻烦你上http://www.mysteel.com/myspic/查询钢铁行业的历史走势图。想看什么年代的都行,左上角有钢铁指数,你勾选你想看的,再设置查询起始时间,点查询,就能出走势图了,一目了然啊。2、现在钢铁一直在降价,对2008年元旦左右,钢铁价格的估计?2009年元旦左右钢铁价格应该会和最近保持基本稳定,不会有大的起伏。而从长期看,你应该懂得分析理论,即人民币升值将削弱我国钢铁产品在国际市场的竞争力,从而使出口量不断下滑。人民币升值速度加快之后,钢铁出口量的变化与人民币汇率的变化正相关。2023-08-16 16:32:532
wanna北京谁唱的
wanna北京是——何琳娟唱的歌曲名《Wanna》,由VANNERKKK 演唱,收录于《Wanna》专辑中。2023-08-16 16:32:581
各位大虾有什么英文歌好听?
你要什么风格的呢?2023-08-16 16:32:584
水果电池原理
水果电池是由水果(酸性)、两金属片和导线简易制作而成。两金属片要是活动性强弱相差较大的金属片,一般采用是铜片和锌片,由于锌片的活动性较强,易失去电子,因此作为负极,相对而言,铜片的活动性较弱,不易失去电子,因此作为正极。铜片和锌片通过电解质(即水果中富含的果酸)和导线构成闭合回路,铜片置换出果酸中的氢离子产生正电荷,锌片失去电子产生负电荷,因此闭合回路中产生电流,若在该电路中再连接一个LED,灯泡便可以发光。2023-08-16 16:32:592
cctvwgg.com是中央电视台吗
不是,明显的骗子钓鱼网站。2023-08-16 16:32:591
一级钢,二级钢,三级钢的市场价格分别是多少?
查当地的物流公司也能查到的2023-08-16 16:33:043
求几首好学,听起来比较甜美可爱的歌。中文英文都要
pretty boy2023-08-16 16:33:082
热血江湖,三转弓用WG的还是G还是Q8的啊?升级用
升级肯定是WG的啊2023-08-16 16:33:095
卫星电话是什么
对方应该是打错了。卫星电话:卫星电话是基于卫星通信系统向通信器传输信息,也称为卫星中继通信器。卫星中继电话是现代移动通信的产物,它的主要功能是填补现有通信(有线通信、无线通信)终端无法覆盖的区域,为人们的工作提供更完善的服务。在现代通信中,卫星通信是其他通信方式所不能替代的。现有通用通信提供的通信功能已全部应用于卫星通信中。原理:高轨道卫星(GEO)移动通信业务的特点是使用赤道上空35800公里的地球同步卫星。在这个高度,卫星几乎可以覆盖整个半球,形成一个区域通信系统,可以向卫星范围内的任何一点提供服务。例如,美国的一颗卫星可以覆盖美国大陆的相邻部分,如阿拉斯加、夏威夷和距离海岸几百海里以内的波多黎各。在GEO卫星系统中,只需一个国内交换机就可以选择呼叫路径,信令和拨号方式也相对简单。任何移动用户都可以在不知道其位置的情况下被呼叫。与此同时,移动电话可以降落在任何方便的位置,而无需昂贵的长途连接,卫星通信的成本与距离无关,类似于提供本地服务的陆地系统。当卫星到地面的高度是巨大的(如20°56°在美国本土的经度范围),移动天线有一个upward-pointing梁,可以区别于地面的反射,因此几乎完全避免陆地系统中常见的深多路径衰落。2023-08-16 16:33:131
纳米光波技术有什么疗效?
纳米光波技术是美国CDC强烈推荐的一项新科研技术成果。作为该技术发源国,美国疾病控制和预防中心(CDC)通过该技术在治疗病毒疣、病毒性疱疹等多种性传播疾病方面疗效显著,且远期治疗效果理想。该技术是利用远红外纳米波热辐射所产生的能量,分三个步骤,循序渐进地杀灭顽固病毒并抑制M-RNA(信使核糖核酸)的复制作用,彻底拒绝复发。 第一步:杀灭病毒 释放远红外线光束,在患者体表形成高能量、高密度的清洁循环系统,能全面杀灭长期潜伏于人体或藏匿在死角的细菌和病毒。光源温和,安全有效,对人体无害。 第二步:修复创面 远红外线播深层扫描,能 识别受感染的细胞,加速血液循环,启动人体免疫系统,修复创面,疗效显著,治愈率高 第三步:持续对抗 通过前两步有效治疗,切断M-RNA(信使核糖核酸)的复制途径,在患者体内形成自愈性绿色屏障,阻隔病毒再次感染的可能性,能持续对抗病毒疣的复发,疗效稳定。 国济男子医院根据M-RNA(信使核糖核酸)纳米光波技术的各项诊疗优势并合理应用,现已经取得很好的效果。一次祛除去除疣体,并配合外用、内服标本兼顾杀除致病菌,最后采用传统中医疗法增加免疫力,彻底抑止病毒复法。2023-08-16 16:33:141
期货的价格跟现货的价格之间,是怎么去平衡的?
我认为期货有时候能控制现货的生产产量,两者是相互制约和相关依附的关系。还有就是买卖期货的合同或协议叫做期货合约。2023-08-16 16:32:154
wanna和want to的区别是什么?
定义不同1、wanna:wanna是want to的口语,表示想的意思。示例:I wanna be married to you. Do you wanna be married to me?译文:我想和你结婚。你想和我结婚吗?2、want:want表示想要,需要。示例:Do you want another cup of coffee?译文:你想要再来一杯咖啡吗?侧重点不同1、wanna:wanna侧重于口语表达。2、want:want多用于正规场合,但也可以用于口语表达。引证用法不同1、wanna:wanna被看成是美国英语里的俚语。2、want:want的基本意思是“想”“要”,指人希望、愿意或决心做某事或获得某物,是日常用语,强调主观愿望。引申可表示“缺少”“缺乏”“不够”“差”“没有”“应该”等。2023-08-16 16:32:091
钢铁原材料期货飘红的原因
根据Mysteel午报:钢价多数上涨,黑色期货飘红报告得知,钢铁原材料期货飘红的原因为当前钢厂利润空间有所修复、钢价的逐渐回升:1、一是当前钢厂利润空间有所修复,特别是电炉厂方面,因废钢成本下降,导致电炉厂扭亏为盈,生产积极性增加,这也是近期电炉厂频繁涨价的主要原因。因为废钢性价比相较铁水更具优势,大部分钢厂对废钢的使用积极性都有所提升。2、其次是随着钢价的逐渐回升,以及钢材去库存有所成效,部分钢厂生产积极性有所提高。再结合近期各钢厂到货持续走低,大部分钢厂有补库需求,因此预计短期内废钢价格将以涨为主。2023-08-16 16:32:051
wanna中文的音译歌词
KARA的wanna?还是谁的?2023-08-16 16:32:014
建筑钢材价格多少钱一吨麻烦说说
您是想了解哪个城市的建筑钢材价格呢,以上海为例,螺纹钢价格在3500-3900间浮动。价格是参考Mysteel。2023-08-16 16:31:582
先是拉拉拉的声音。后是ready or
《la la love》~~《我的答铃》的英文版2023-08-16 16:31:571
光波房有什么作用?
作为一种新型的卫浴用品开始受到消费者的关注。光波浴房是风靡于欧美的第三代保健沐浴设备,它以5.6微米至15微米的远红外线为主要能量,采取世界流行的低温出汗技术,在沐浴的同时还可轻松地享受音乐,对人体有良好的保健作用。从表面看,远红外光波浴房很像桑拿房。一样的木制结构、一样的坐椅,但是工作原理却完全不同。桑拿房内部有一个电热炉,通过泼水产生高温蒸汽,蒸汽传导热量促使人体排汗。而光波浴房的原理则是利用远红外线辐射,因为人本身既是远红外线的发射源,也是接受器,光波浴房发射出的远红外线接近人体细胞固有的频率,所以它能渗入皮肤及皮下组织达4厘米至5厘米,产生共振效应,使分子运动变得活跃,细胞活动也随之变得活跃起来,这样就起到增加血液流动速度,加速新陈代谢的作用。由于这一频率的远红外线只对人体起作用,所以光波浴房工作时,空气是不升温的,但人体在低温环境下也会出汗。由于不需要高温蒸汽,光波浴房与桑拿房相比就有了许多优点:首先是更舒适,空气可以流通,没有憋闷感,还可以在小屋内听听音乐,看看书;它的理疗作用,远红外波浴房对肩周炎、颈椎病等病症有治疗作用;光波浴房有着更方便的温度调节和控制装置,比桑拿房更节能。2023-08-16 16:31:562
光波房是什么原理,有辐射吗?
光波房原理是远红外线,远红外线是电磁波辐射,对人体有益的光波。这个辐射和放射性辐射不是一回事,像阳光一样,也是一种电磁波辐射。有些商家为了高价乱宣传无辐射,实际是违背科学常识的。2023-08-16 16:31:471
有什么好听的英文歌
第一组 Get down I want it that way As long as you love me 2 God is a girl 2005年德国新晋乐队Groove Coverage凭借一首Far away from home征服了全世界,富有震撼力和流行元素的音乐让你无法不爱上它们。更多Groove Coverage的歌曲: Moonlight Shadow这首歌曲的钢琴前奏超级有味道哦,小编可是特别特别喜欢呢! She 3 Never grow old如果你知道中国的王菲,那你就不得不好好听Cranberries的歌了,因为王菲的唱法可是他们的主唱小红莓哦!他们共同的特点就是:在不动声色中将一首歌演绎得如行云流水。在Zambie这首歌里你就可以感受到王菲的演唱风格,要耐心听哦,越往后越好听。 Dying in the sun 4 The day you went away这首歌不用小编再介绍了吧,M2M的这首歌一度红遍大街小巷,台湾的王心凌可是凭借翻唱这首歌而在演艺圈崭露头角的喔!这两个女生的歌用来练习英语听力可是非常合适呢!更多M2M的歌曲: Pretty boy Mirror, mirror What you do about me Girl in your dreams 5 Unwritten也许这首歌的名字你并不熟知,但是听听看……怎么样,熟悉吧,对了,就是林志玲做的潘婷广告的背景音乐。 6 芝华士广告歌 小编到现在也不知道这首歌的名字是什么,只是在看电视的时候,芝华士广告开始播放时,小编顿时觉得:太有味道了!相信你也会马上喜欢上它的! 7 Over the rainbow 这首歌被很多广告作为背景音乐,最近一直在中央3套播放的强生公益广告的背景歌曲就是出自这首歌! 8 Rhythm of the rain 绿箭口香糖的广告歌,歌曲就像绿箭一样,清新而自然。 9 Casablanca经典中的经典,百听不厌! 10 Forever和Behind blue eyes这两首歌很忧伤,但却很耐人寻味。 11 My humps Black eyes peas(黑眼豆豆)他们可是杰克逊演唱会的特邀嘉宾哦! 第二组: 1. Take me to your heart《吻别》的英文版,一度红遍大街小巷的不可多得的好歌,把它作为首推相信大家没有意见。 2. All rise Blue这支乐队可是很多网友的偶像呢,他们的实力自然没得说,这首歌曾经被台湾的BAD翻唱哦。 3. Try to remember 黎明的《玻璃之城》还记得吗?那么它的主题曲相信你也不会陌生。 4. Say you, say me.红遍世界的一首歌,应该是很多英语专业网友的最初挚爱哦! 5. Edelweiss《雪绒花》,好好感受世界名曲的魅力吧! 6. Losing grip发现现在很多网友对艾薇儿相当感冒,那么这首歌相信喜欢她的人不会拒绝了。 7. On my way home 恩雅的声音永远那么淡定和舒服,也许风格的保持未必是坏事。 8. Let me show you the way Lacoste香水的广告歌曲,真的很好听啊!发现用英文歌来做广告背景音乐真得很有感觉,例如,德芙广告主题歌:White flag;潘婷广告背景音乐:Unwritten;芝华士广告的主题歌;全智贤奥林巴斯广告歌: To be with you 等等。 9. By my side 电影《向左走,向右走》的插曲,孙燕姿演唱的《遇见》英文版。 10. Firefly 小编不知道该用什么语言来形容这首歌,这不是仅仅“好听”两个字能代替得了的,听听看吧,相信绝对不会让你失望。 11. Curtain falls,Stand up和 It"s alright 依旧是Blue的演唱曲目,依旧经典。 12. Soledad也许光看名字你并不会对它感兴趣,但是如果说它是S.H.E《紫藤花》英文版的话相信你就不会拒绝了。《紫藤花》是S.H.E慢歌里比较受网友欢迎的。 13. Without you《未来水世界》主题曲,电影不错,歌更是好听。 14. I"ll be there for you《老友记》主题曲。 15. San Francisco《阿甘正传》感动了多少网友,至今小编仍将其奉为经典,其中的主题曲更是让人不能忘怀。 16. Black heart《分开旅行》的英文版,英文版好听,中文版更是不赖,被刘若英 和黄立行演绎的相当到位。 17. One love这首歌的前奏超级好听的说。 18. A place nearby很清丽醇厚的一首歌,广受好评。 19. Nocturne。提琴手莎莉 那直如不食人间烟火的飘逸女声和她独特的柔美提琴轻轻划破夜的宁静后, 引领听者的思绪自然进入那方心灵深处的梦土。主体是以小提 琴为基调的纯音乐小品,只见夜风轻拂,树影婆娑,渲染出一种静谧的氛围,让你静夜独坐的时候,引领你步入这方自然的梦土。 20. 郭美美《我的答铃》英文版、《玫瑰玫瑰我爱你》英文版、林忆莲《Better man》英文版。 21. Juliet相当动感时尚的《朱丽叶》,印象里好像王力宏翻唱过这首歌。 22. Lark in the clear air爱尔兰总是出极品歌手啊,演唱者的嗓音只能用天籁来形容。 23. Gigolo 这首歌的前奏和王力宏的《星座》很接近,好听! 24. Cry me a river 一直知道贾斯汀很有名,但是却不知道究竟唱过什么歌。听完这首歌,明白了人家走红的原因。 25. Under a violet moon 和Stand这两首歌相当的好听,不听你绝对会后悔的,百听不厌,越听越喜欢。 26. I could be the one 也许名字你并不熟悉,但是歌曲本身肯定让你觉得是老朋友。 27. Spancil hill The Corrs来自爱尔兰的Dundalk——距都柏林向北50英里,正好介于爱尔兰和北爱尔兰交界上的一个小城。他们是爱尔兰史上最成功的一支家庭组合,成立于1990年,由3朵姐妹花Sharon、Caroline、Andrea和成熟、稳重的大哥Jim组成,由于父母都是歌手,所以这四兄妹从小就表现出对音乐的天赋,并将自己的姓氏——“Corr”作为乐队的名称。 28. Mondo Bongo 《史密斯夫妇》的原声带,精彩电影的精彩配唱。 29. Rabbit-Dance-Gelato 风靡一时的兔子舞,你可以说它很俗,但是你不得不承认,它确实一度成为所有人的挚爱。 30. Oh my love 淡淡的吉他,跟上来的是暖暖的钢琴,配上简单的歌词,特别的纯净。此刻心里很安静,也很塌实。 31. Loud and clear 卡百利(Cranberries)的歌,没有理由拒绝。用行云流水来形容其演绎歌曲的方式最合适不过。 32. California Dreaming 这个叫the papas&the mamas 的民谣乐队在六十年代的美国某个灰暗的天空下假装祈祷,悄悄做了一个加州的白日梦…… N年以后,远在东方的香港,一个叫“午夜特快”的便利店里,不停的飘荡着这曲子.而这只源于一个叫王家卫的东方人,他想给两个人一个california dreaming…… 今天的推荐暂告一段落,如果您有更好的英文歌曲想与大家分享,那就跟小编联系吧。请发E-mail至:xiaofang36973@hotmail.com,我们将会在第一时间为您送上最完美的经典。2023-08-16 16:31:461
国徽下面加一个船锚和船舵是哪个单位的?
海关吧,船政吧2023-08-16 16:31:421
螺纹钢期货最近走势如何?想做螺纹钢期货交易怎么入场?
最近国内期货市场黑色系开盘再度集体飘红,螺纹钢期货主力合约一度涨超5%,报4886元/吨,创逾九年半新高,并且接近历史最高纪录。整体而言,目前钢铁股具备较好防御性,未来业绩具有较大向上弹性。想做螺纹钢期货的话,不妨去银河期货开户,银河期货是银河证券旗下的全资子公司,国企背景实力雄厚,还能代理国内所有品种的期货交易。我自己就是在银河期货开户和交易的。2023-08-16 16:31:413
什么是光波消毒、微波消毒?有什么缺点?
光波消毒的原理:灯管通电发光产生辐射热,使在炉腔内的餐具表面达到一定的温度,从而杀死在其表面的细菌病毒。所以光波消毒不适合于不耐高温餐具,另在餐具照射不到的面温度低,热均匀性差,杀菌效果差。微波消毒原理:微波使细菌病毒本身所带的水分子发生震动,摩擦产生热量,温度升高后使细菌病毒死亡。因微波无法穿透金属,所以微波消毒不适合于金属餐具的消毒。2023-08-16 16:31:371
光波碎石治疗怎么样?
光波碎石治疗肝内胆管结石可以粉碎不能通过十二指肠乳头的结石。光波碎石治疗肝内胆管结石可以粉碎胆道结石(如大型结石,嵌顿的结石)光波碎石治疗肝内胆管结石可以粉碎在取石篮取石或球囊导管取石失败情况下的结石。光波碎石治疗肝内胆管结石可以粉碎在药物治疗结石没有效果情况下的结石。2023-08-16 16:31:271
有没有钢材价格查询的微信公众号
去搜一下关键词找一下,很方便的。2023-08-16 16:31:212
光波炉工作原理
光波炉的加热原理是利用光波而不是微波,光波加热相对于微波有更多不同的特性.光波炉实际上是利用一种灯发热,再利用高效能的反射盘把发出的热能集中传递到一个能耐高温的玻璃面板上。通过这个玻璃面板,高速将热量传递到满载食物的需要加热容器内。光波炉利用的这种发热等实际是上一种依靠远红外线卤素灯管(Halogen Light)发热,因此,光波炉有可以叫做远红外线卤素炉。通过这种卤素灯管发热后,再利用高效能的反射集中热量,就像凸透镜一样将热能集中起来,最后将这种高温通过耐高温的微晶玻璃面板传热。用户就就可以将摆放食物的器皿放在这种面板上加热了。这种传热的热效率约89%-93%左右,与高热传递的电磁炉热效率差不多,同样能达到快速加热食物的目的。正是由于这种加热方法,只要是耐高温的器皿就可以用于这种加热,并没有特别的限制。由于不是采用电磁场引起的发热,也就没有电磁炉产生的电池辐射大了,所有用户都可以安心使用。食物的加热也不会像微波炉一样把食物水分蒸发掉。光波炉是无火煮食中比较安全又环保健康的煮食用具。2023-08-16 16:31:191