PIN光电二极管作用及工作原理简介

光敏二极管原理光敏二极管是一种特殊的二极管，它的特殊之处在于它可以感受到光线的强弱，并将光线转换成电信号。它的工作原理是：当光线照射到光敏二极管的P型半导体表面时，会产生电子和空穴，这些电子和空穴会在P型半导体表面形成一个电荷层，这个电荷层会影响到N型半导体表面的电子流动，从而产生电流。因此，当光线照射到光敏二极管时，就会产生电流，从而产生电信号。

光敏二极管，也称为光电二极管或光感二极管，是一种特殊的二极管，具有对光有敏感性的器件。它包含一个带有光敏材料的小孔，可以将光能转换为电能。当光照射到光敏二极管上时，光敏材料会产生光电子，这些光电子会在半导体材料中的空穴中流动，导致半导体的电子能带发生变化。这样，当照射光强度变化时，光敏二极管的电流也会发生变化。因此，光敏二极管可以用来测量光强度或作为光强度控制器。光敏二极管的电路特性与普通二极管类似，只是它们在工作时需要光照。在没有光照的情况下，光敏二极管的电流很小，因此它也可以用作光强度控制器。通常，光敏二极管的光敏材料是硅、锗或砷化镓。这些材料都是半导体材料，在照射光后，会产生光电子，导致半导体的电子能带发生变化。有一种常用的光敏二极管叫做光电池。光电池具有非常高的光电转换效率，因此它经常用于太阳能电池和太阳能跟踪系统中。

在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光电二极管的工作原理：光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二、三极管以光激发载流子而改变导通电阻，自己不能产生能源，所以需要加反向偏压，光照越强，电流越大，无光照则几乎不导通。

将指针万用表置于r*1k挡，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10kω左右，反向电阻值为500kω以上。测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500kω以上减小至50~100kω之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。

光敏二极管（photodiode）是一种可以通过光线的强弱来控制电流的半导体器件。光敏二极管通常被用来检测光线的强弱，并转换成电信号。当光敏二极管接受到光线时，就会产生电流。这种电流通常是在很短的时间内产生的，因此，光敏二极管在检测光线的强弱时会有一定的滞后性。这是因为光敏二极管内部的电子有一定的质量，在接受光线的时候需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流。此外，光敏二极管也有一定的响应时间。这是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能将能量转化为电流。这个时间通常被称为光敏二极管的响应时间，它决定了光敏二极管在检测光线的强弱时的速度。总的来说，光敏二极管的滞后原理是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流，这就导致了光敏二极管在检测光线的强弱时存在一定的滞后性。

一、这里的电桥的四个桥臂分别是FETR2Rw的中心滑动端以上的电阻Rw的中心滑动端以下的电阻和R3二、FET是场效应管三、在光照下，光敏二极管导通，因此A点的电压会下降，由于A点电压就是场效应管的栅极电压，栅极电压下降会使场效应管的导通程度下降，导通沟道电阻增加，这就是R2上电流减小的原因。由于场效应管栅极和源极之间的电阻极大，几乎等于绝缘状态，所以A点和B点之间没有电流流过。流过R2的电流来自场效应管的漏极。无论光照强度大小有无，R2只要有电流，都是从电源E正极经开关K、场效应管漏极、场效应管源极、R2，然后再返回电源E的负极。

光敏二极管的特性有五个：光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。一般情况下基极不引出，但有些的基极有引出，引出的基极有温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时，就会形成光电流，产生的光生电流由基极进入到发射极，进而在集电极回路中得到一个放大了的信号电流。用不同材料制作而成的光敏极管具有不同的光谱特性。典型光敏二极管电路图（一）典型光敏二极管电路图（二）图是光敏二极管的应用电路实例。因（a）是对数压缩电路，反馈电路中采用对数二极管VD，可以对输出电压进行对数压缩，测光范围较宽，一股用于模拟光信号电路。图（b）是定位用传感器电路．采用对偶型光敏二极管，放大VD1与VD2的差动信号。图（c）是与FE丁（VT）组合的调制光传感器电路．用于光控电路，响应速度快，噪声低，它是一种调制光等的交流专用放大器，但不适合于模拟信号电路中。典型光敏二极管电路图（三）典型光敏二极管电路图（四）图4-5是光敏二极管VD与运放A组合应用实例．图4-5（a）为无偏置方式，图4-5（b）为反向偏置方式。无偏置电路可以用于测量宽范围的入射光，例如照度计等，但响应特性比不上反向偏置的电路，可用反馈电阻Rf调整输出电压，如果Rf用对数二极管替代．则可以输出对数压缩的电压。反向偏置电路的响应速度快．输出信号与输入信号同相位典型光敏二极管电路图（五）典型光敏二极管电路图（六）如下图电路中通过压电元件传感器S将压力转换为电信号送至SD3或SD3A集成电路，并通过发光二极管显示。图中虚线框内两个等效电阻分别为工作室和补偿室（双电离室）。典型光敏二极管电路图（七）LM358该测试器可对发光二极管进行不区分极性地检测，从而判定其发光性能。在批量检测中，与用万用表等测试手段相比，省时省力、简单直观。电路如下图所示，一路运算放大器接成低频自激振荡器，在输出端间歇输出高电平或低电平。另一路运放接成反相器形式。当振荡电路输出高电平时，反相器则输出低电平；振荡电路输出低电平时，反相器输出高电平。若在两输出端跨接一支发光二极管，不论跨接的极性如何，发光二极管总是要随着振荡电路的振荡频率，间歇地导通发光。LED为电源指示管，兼作发光强度的比较管。运放IC可选用LM358或LM324。

光敏三极管(PhotoTransister)又称之为光电三极管，它的作用是将光信号转换为电信号提供给电路，是一种光电传感器。光敏三极管的基本结构和普通三极管一样，有两个PN结，吸收入射光，基区面积较大，发射区面积较小。 当光入射到基极表面，产生光生电子-空穴对，会在b-c结电场作用下，电子向集电极漂移，而空穴移向基极，致使基极电位升高，在c、e间外加电压作用下(c为+、e为-)大量电子由发射极注入，除少数在基极与空穴复合外，大量通过极薄的基极被集电极收集，成为输出光敏流。 总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换;二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。光敏三极管具有塑封、金属封装以及陶瓷封装等几种类型，它最大的特点就是输出电流大，而且在温度效应方面也比光敏二极管高很多。

1、普通二极管在正向电压作用下处于导通状态，在反向电压作用下处于截止状态，仅仅能通过相当微弱的反向电流。 2、光电二极管工作在反向电压作用下，我们将无光照时极微弱的反向电流称为暗电流，将有光照时迅速增至几十微安的反向电流称为光电流。光强的变化引起反向电流的变化，即将光信号转换为电信号，可作为光电传感器件存在于电路中。 3、当有光照时，反向电流又是如何增大的呢?有光照时，携带能量的光子进入PN结，将能量传递给共价键上的束缚电子，束缚电子能量增至一定程度就后挣脱共价键的束缚，成为光生载流子，同时产生电子空穴对。载流子在反向电压作用下发生漂移，从而使得反向电流迅速增大，且其增大的程度与光强成正比。

一、光敏二极管的符号及其工作原理：（一）电路符号：PN LED — + 是一种将光信号变为电信号的半导体器件。（二）光敏二极管的结构： P区要比N区薄得多，管壳没有光线的入窗口或管壳做成透明。 光敏二极管在反向工作电压下工作： 1. 无光照： 反向电阻很大，通过管子的电流较小，约为0.1微安 2. 有光照： 反向电阻显著减小，反向电流显著增加，光电流的大小与光的强度，波长有关。二、光敏二极管的主要参数：1、最大工作电压Vrmax：光照条件下，反向电流不超过0.1微安所能承受的最高反向工作电压。Vrmax越大，管子性能越稳定。 2、暗电流ID：无光照条件下，在最高反向电压作用下所测得的反向电流。ID越小，管子性能越稳定，对光的敏感度就越高。3、 光电流IL：光敏二极管在光照条件下所产生的电流IL越大，性能就越好。N型： 2CU P型： 2DU 主要用于自动控制，光电耦合。

光敏电阻 ，纯阻性原件，遇光电阻变小光敏二极管，反向电压作用之下工作的。没有光照时反向电流很小，遇光方向电流大光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。遇光在PN结两端产生电压，接入电路就会有电流

相同点：工作原理理论都建立在光电效应上，结构中都具有光阴极。不同点：一、原理特点不同1、光电倍增管：光电倍增管建立在外光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上，结合了高增益、低噪声、高频率响应和大信号接收区等特征，是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件，可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区。2、光电管：光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。二、结构上的区别1、光电倍增管：光电倍增管包括阴极室和由若干打拿极组成的二次发射倍增系统两部分。2、光电管：用碱金属（如钾、钠、铯等）做成一个曲面作为阴极，另一个极为阳极，两极间加上正向电压。三、特点不同1、光电倍增管：能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200~1200纳米的极微弱辐射功率。2、光电管：光电管灵敏度低、体积大、易破损，已被固体光电器件所代替。参考资料来源：百度百科-光电倍增管百度百科-光电管

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PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大， 放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。

光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管,它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管,是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。当光照强度增加时,pn结两侧的p区和n区因本征激发产生的少数载流子浓度增多,如果二极管反偏,则反向电流增大,因此,光电二极管的反向电流随光照的增加而上升。光电二极管是一种特殊的二极管,它工作在反向偏置状态下。常见的半导体材料有硅、锗等。如我们楼道用的光控开关。还有一种是电子管类型的光电管,它的工作原理用碱金属(如钾、钠、铯等)做成一个曲面作为阴极,另一个极为阳极,两极间加上正向电压,这样当有光照射时,碱金属产生电子,就会形成一束光电子电流,从而使两极间导通,光照消失,光电子流也消失,使两极间断开。光照射到某些物质上,引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应,发射出来的电子叫做光电子。

光敏二极管所利用的是光生伏特效应（错误）。光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小一般小于0.1微安，称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。

光敏二极管是一种光电转换元件，老的叫法我们叫做光电二极管，光导管，光单元。他的封装形式有很多中，例如，金属壳封装（代表型号 LXD66MK , LXD44MK , LXD1010MK）这些在生产中一般都是工业级产品使用。由于他们的测量精度比较高，常用在分析仪器上面。开关上面光敏电阻用的比较多（代表型号 LXD20528 , LXD12528 ,LXD11537 等）。火焰探测上面也有用到例如（LXD7606，LXD12516）等等吧。在民用产品中，低成本的光敏二极管是关键，在玩具中，照明，光电开关多数有采用环氧树脂封装的光敏二极管，例如（LXD/GB5-A1DEL, LXD/GB5-A1DPS , LXD/GB5-A1ELB），也有采用光敏电阻的，因为光敏电阻便宜。（代表型号LXD5516，LXD5528 ,LXD5537 , LXD5549 ）,。还有光通讯领域，（LXD/GB3-A1ELS）,应用太多了。科研方面，主要看你那光敏二极管做什么产品用，实现一个什么效果。就这些，记得给分。还有你可以咨询一些这类的公司。www.lxdcn.com ，他们有在线的客服，你找他们可以咨询的。

1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增 光敏二极管加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。 　　2.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。3.基本特性:(1)光谱特性 (2)伏安特性(3)光照特性(4)温度特 5)频率响应性编辑本段工作原理　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。 　　它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。 　　光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光敏三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样，光敏三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二极管的线性特性较差 , 而光敏晶体管有很好的线性特性是不正确的。光敏二极管，又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。

图示电路能随光线的强弱自动调节灯光的亮度。它主要是通过光敏二极管V11的光电藕合作用来控制晶体管V8集电极电流的大小，即控制电容C充电的快慢，也就控制了单结晶体管的导通时刻，改变了电灯两端的电压，使灯光亮度得到调节。当光线较强时，光敏二极管控制V8的集电极电流减小，电容C充电放慢，单结晶体管导通时刻后移，控制角增大，电灯两端电压减小，则灯光亮度减弱。当光线较弱时，情况相反。

利用雪崩倍增效应实现内部电流增益的半导体光电转换器件

光照很小时，电流 I 很小，Ui接近于5V。此时反相器输入端为逻辑高电平，因此输出低电平0V。光照逐渐变大时，电流I逐渐变大，Ui逐渐下降。当Ui低于反相器输入端的VIL时，判定为逻辑低电平，因此输出高电平5V。

首先你要明白光电管的原理。光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。当光照强度增加时，PN结两侧的P区和N区因本征激发产生的少数载流子浓度增多，如果二极管反偏，则反向电流增大，因此，光电二极管的反向电流随光照的增加而上升。光电二极管是一种特殊的二极管，它工作在反向偏置状态下。常见的半导体材料有硅、锗等。如我们楼道用的光控开关。还有一种是电子管类型的光电管，它的工作原理用碱金属（如钾、钠、铯等）做成一个曲面作为阴极，另一个极为阳极，两极间加上正向电压，这样当有光照射时，碱金属产生电子，就会形成一束光电子电流，从而使两极间导通，光照消失，光电子流也消失，使两极间断开。光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发射出来的电子叫做光电子。光波长小于某一临界值时方能发射电子，即极限波长，对应的光的频率叫做极限频率。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关，这一点无法用光的波动性解释。还有一点与光的波动性相矛盾，即光电效应的瞬时性，按波动性理论，如果入射光较弱，照射的时间要长一些，金属中的电子才能积累住足够的能量，飞出金属表面。可事实是，只要光的频率高于金属的极限频率，光的亮度无论强弱，光子的产生都几乎是瞬时的，不超过十的负九次方秒。正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。这种解释为爱因斯坦所提出。光电效应由德国物理学家赫兹于1887年发现，对发展量子理论起了根本性作用，在光的照射下，使物体中的电子脱出的现象叫做光电效应(Photoelectric effect)。 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏打效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关 ，光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子射出方向产生影响。所以随着加在光电管两端的正向电压的增大,回路中的光电流会增大并进而达到饱和。

CCD的工作原理 CCD是由在硅片上整齐排列的光敏二极管单元组成的，它们整齐地排成一矩形方阵（图6-1），其中每一个光敏单元称为像元，当光照射到硅片上的方阵时， 每一个像元中的原子在具有一定能量的光子作用下，电子从原子中逃逸，形成了一对自由电子和失去电子的原子空穴。投射到光敏单元上的光线越强，产生的电子—空穴越多。 在硅片上这些电子可以和空穴分离，并可以收集起来，电子—空穴对的分离和收集用半导体中的势阱就可以完成，就象用水桶收集雨水一样。图6-2中排列的水桶相当于排列的光敏单元（像元），它们象收集雨水似的收集由光子作用产生的电子。电子数主要取决于光照强度和收集（积分）时间的长短，收集完成后，最右边的桶将桶中的电荷倒入一设在输出端的电子测量单元，电荷/电压转换单元将电子转换成相应的电压，形成了一个像元的视频信号。最右边桶中的电子倒空后，又可以接收从旁边桶中倒入的电子，这样相邻桶之间不断向输出端倒换（移位）桶中的电荷，直至倒换（移位）到输出端的电子测量单元，转换成像元电压。 CCD的突出特点是以电荷作为信号的载体，不同于大多数以电流、电压为信号载体的器件。所以如何将成千上万个像元中的光感应所获得的电荷取出来是CCD图像传感器的关键。构成CCD的基本单元是MOS（金属—氧化物—半导体）结构，在半导体和金属栅电极之间加上足够的电压时，例如加上电压（10V）后，形成了一个能存储电荷的势阱，图6-3 （a），当光线射在这个二极管上时，能在势阱中产生与光能量成正比的电荷；同时，这个势阱还有累积功能，当光线在一时间段内照射时，它能将这一时间段内，由光线强弱产生的电荷累积起来。当多个栅极紧紧排列在一起（间隙宽度小于3μm），并在它们上面加上按一定规律变化的电压时，存储在势阱中的电荷就可以移动起来。 当电极②从2V变为10V时，电极①势阱中的电荷流向第②个电极，并和第一个电极平均分配，图6-3（b）和（c），也称电荷耦合，第①个电极由10V降为2V时，电极①中的电荷全部倒入电极②下的势阱，这样电极①中代表像元光照强度的电荷移位到电极②下的势阱了。这种电荷从一个电极（电荷寄存器）到另一个电极的移位就是CCD的基本动作，使用这种移位将阵列中的每一个像元电荷逐行、逐列地转移至输出端的电荷/电压转换单元，形成了以电压表示像元光照强度的视频信号。这也是为什么将CCD称为电荷耦合器件的原因。 CCD的结构 CCD的结构主要由下列功能块构成： a.光敏区（成像区）由MOS光积分电容或PN结构光电二极管阵列构成，将投影进来的光图像转换成电荷图像阵列，而且阵列中的每一个像元势阱，能像水桶似的在固定时间间隔内累加电荷。 b.电荷移位寄存器阵列：存储和移位像元电荷的寄存器阵列，光敏区光转换并累集完电荷后，将整个阵列的像元电荷转移到电荷移位寄存器的对应阵列中，然后按照电视扫描的规律，逐行、逐列地将电荷移位输出。 c.转移栅：光敏区和电荷移位寄存器由转移栅相连。通过转移栅上的控制电压的高低将光敏阵列与电荷移位寄存器阵列连接起来。当光敏区光注入，并不断积累电荷时（又称光积分），转移栅上加低电压将它们隔离起来，反之当光敏区光积累完成后，转移栅加高电压，光敏区所积累的信号电荷通过转移栅转移到电荷移位寄存器阵列，这种转移是极快的，只需一个极短的正脉冲就可完成转移动作。所以光敏区和电荷移位寄存区的连通时间很短，绝大部分时间是隔离的，在隔离期间它们分别作光电转换和移位输出的动作。 d.电荷/电压转换器和电压放大器：将移位寄存器输出的电荷转换成电压，并将其放大输出形成视频信号。 从上述CCD的结构可以看出，只要控制光敏区上的转移栅上的电压，就可以控制电荷累加的时间长短，这就是电子快门的基础。当电荷累集结束，并在转移栅上加一极短脉冲后，电荷就转移至电荷移位寄存器了，也就是CCD已获取了光图像。下面只是将电荷传送出去的扫描过程了。

工作原理就是通过光像进行转换，也是一种很好的信号；他们是通过芯片以及信号进行传输传递读取，排列顺序比较一致。

雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的P区和I区）。在APD制造上，需要在器件表面加设保护环，以提高反向耐压性能；半导体材料以Si为优（广泛用于检测0.9um以下的光），但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs（噪音和暗电流较大）。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程，这将产生较大的散粒噪音（降低p区掺杂，可减小隧道电流，但雪崩电压将要提高）。一种改进的结构是所谓SAM-APD：倍增区用较宽禁带宽度的材料（使得不吸收光），光吸收区用较窄禁带宽度的材料；这里由于采用了异质结，即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度，使得其隧道电流得以减小（如果是突变异质结，因为ΔEv的存在，将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度，这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv的影响）。

电荷藕合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并清洁感光元件表面借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组成，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。CCD和传统底片相比，CCD 更接近于人眼对视觉的工作方式。只不过，人眼的视网膜是由负责光强度感应的杆细胞和色彩感应的锥细胞，分工合作组成视觉感应。 CCD经过长达35年的发展，大致的形状和运作方式都已经定型。CCD 的组成主要是由一个类似马赛克的网格、聚光镜片以及垫于最底下的电子线路矩阵所组成。目前有能力生产 CCD 的公司分别为：SONY、Philps、Kodak、Matsushita、Fujifilm和Sharp，大半是日本厂商。互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。然而，CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。

光控路灯控制器是一种用来控制路灯的装置，它使用光传感器来感测周围环境的亮度。当环境亮度低于一定值时，光控路灯控制器会启动路灯，而当环境亮度达到一定值时，光控路灯控制器会关闭路灯。这样一来，就可以在白天的时候节省电力，在夜间保证路灯的正常工作。光控路灯控制器一般由光传感器、控制电路和开关三部分组成。当光传感器感测到周围环境的亮度时，会发出信号给控制电路。控制电路根据信号的大小来决定是否启动路灯。如果信号较大，则意味着环境较亮，控制电路会关闭路灯。如果信号较小，则意味着环境较暗，控制电路会启动路灯。光控路灯控制器的工作原理很简单，但它对于节省电力和保证路灯正常工作具有很大的意义。

负极接负极。 电阻分压电源电压的一半就好。外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流。

当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示M=1/[1-(V/VB)n]式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。

将光信号转换为电信号.

用半导体材料制成的晶体二极管具有单向导电的属性，即只允许电流从一个方向通过，不允许电流反方向通过。

dwg是cad文件下个cad可以打开，不顾不晓得是什么版本的你可以下个最新的。网上还有专门的dwg文件查看器，能看不能改。你到百度上搜，应该可以下的。这个东西很小，只有几十Mcad比较大你想下的话给你个地址2008http://hi.baidu.com/631839168/blog/item/91ccaced8335b7ddb31cb1ad.html

I can bear hardships and stand hard work, and good at learning, I will continue to work hard to achieve goals.

你好！dear teens,I think I have a bad memory亲爱的孩子,我认为我有一个糟糕的记性

通俗的讲就像电话线一样,联通各个部件用来通信的,传输数据

核芯显卡是什么意思？和独立显卡有什么区别？ 1.核心显卡是新一代的智能图形核心，它整合在智能处理器当中，依托处理器强大的运算能力和智能能效调节设计，在更低功耗下实现同样出色的图形处理性能和流畅的应用体验。 2. 独立显卡，简称独显，是指成独立的板卡存在，需要插在主板的相应接口上的显卡。独立显卡具备单独的显存，不占用系统内存，而且技术上领先于集成显卡，能够提供更好的显示效果和运行性能。独立显卡分为内置独立显卡和外置显卡。 　低功耗是核心显卡的最主要优势，还有就是体积小，一般用于笔记本电脑上。 独立显卡具备单独的显存，不占用系统内存，而且技术上领先于集成显卡，能够提供更好的显示效果和运行性能。 综上所述，如果笔记本推荐核心，台式机推荐独显。 独立显卡，核芯显卡有什么区别 显卡是电脑中负责处理图像信号的专用设备，在显示器上显示的图形都是由显卡生成并传送给显示器的，因此显卡的性能好坏决定着机器的显示效果。显卡分为主板集成的显示芯片的集成显卡和独立显卡，在品牌机中采用集成显卡和独立显卡的产品约各占一半，在低端的产品中更多的是采用集成显卡，在中、高端市场则较多采用独立显卡。 独立显卡是指显卡成独立的板卡存在，需要插在主板的AGP接口上，独立显卡具备单独的显存，不占用系统内存，而且技术上领先于集成显卡，能够提供更好的显示效果和运行性能；集成显卡是将显示芯片集成在主板芯片组中，在价格方面更具优势，但不具备显存，需要占用系统内存（占用的容量大小可以调节），性能相对较大。 显示芯片是显卡的核心芯片，它是负责系统内视频数据的处理，它决定着显卡的级别、性能。不同的显示芯片，无论从内部结构设计，还是性能表现上都有着较大的差异。显示芯片在显卡中的地位，就相当于电脑中CPU的地位，是整个显卡的核心。目前应用于品牌机中的显示芯片主要有：（独立显卡）Nvidia公司的Geforce2 MX400、Geforce4 MX440、Geforce4 MX4000、Geforce FX5200、Geforce FX5200U、Geforce4 FX5600，ATI公司的Radeon9200SE、Radeon9200、Radeon9600等；集成显卡有845G系列、865G、nForce2-G等芯片组，性能上差异较大。在目前品牌机中所采用的显卡，其中集成显卡和MX400、MX440、MX4000都属于性能有限的显卡，对于普通应用、一般的3D游戏能比较好的支持；FX5200、FX5200U、Radeon9200SE、Radeon9200则属于较中端的显卡，支持DX9.0，能够提供不错的显示效果，但性能与低端产品差异并不大，在运行新的3D游戏时，也较为吃力；而FX5600、FX5700、Radeon9600等则是高端的显卡，显示效果和性能都很出众，但采用此类显卡的产品一般价格都较高。（注：以上分类都针对品牌机主流的产品而进行，与目前DIY市场中所存在的显卡分类有差异）。以上各类显卡都能满足目前家庭、商业用户的办公、普通娱乐、学习的要求。 显存同样也是一个决定显卡性能的关键因素，在品牌机中更多的表现在显存容量上，目前市场中的产品主要采用64MB、128MB显存，其实就目前品牌机产品中所采用的这些级别的显示芯片而言，由于显示芯片性能的局限，64MB和128MB显存容量在实际应用中，差异并不大，而大的显存容量在经销商的宣传单中，总是被反复强调的重点，因此用户在选择时，应该更为理智些，不要被JS的花言巧语所迷惑。 上面讲述了显存容量的不重要性，下面再来强调一下显存位宽的重要性，它的重要性要远远超出显存容量。显存位宽是显存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是显存的重要参数之一。显存位宽的概念，用户不必去刻意理解，只需要理解目前市场上的显存位宽有64位、128位和256位三种，三者在采用同样的显存时，所能决定的显存与显示芯片间的数据传输速度差异很大，如果64位的显存为1，那么128位的为2，而256位的为4，而这个速度的大小决定着显示芯片性能是否能够得到彻底发挥，可见显存位宽的重要性。目前应用于品牌机中256位显存的产品并不多，大多是64位和128位的，而厂商在产品配置单上，大多也不会标示显存位宽，只有少部分标示为128位，因此在选择机型时，最好能多多查询一下，了解出该显卡的位宽，否则象FX5200之类即能支持64位显存，又能支持128位显存的显示芯片，性能上可能会有着巨大的差异。 笔记本的核芯显卡和独立显卡有什么区别 一般而言笔记本的独显性能要强于核心显卡。 核心显卡是新一代的智能图形核心，整合在智能处理器当中，依托处理器强大的运算能力和智能能效调节设计，在更低功耗下实现同样出色的图形处理性能和流畅的应用体验。 核心显卡和一些低端的独显性能相当，但还是比不上中高端的独显。 独立显卡是指以独立板卡形式存在，可在具备显卡接口的主板上自由插拔的显卡。独立显卡具备单独的显存，不占用系统内存，而且技术上领先于集成显卡，能够提供更好的显示效果和运行性能。 核芯显卡与独立显卡有什么区别？不同的显卡芯片又有什么区别？ 和台式机没区别 独显: 在主板上单独有一个显示芯片. 和南北桥一个封装内置独立显卡又有纯粹的独立显卡和混合显存显卡两种，前者不用说，就是一块 核芯显卡和独立显卡有什么区别？最好的是哪个？ 指核心显卡是新一代的智能图形核心，它整合在智能处理器当中，依托处理器强大的运算能力和智能能效调节设计，在更低功耗下实现同样出色的图形处理性能和流畅的应用体验。但玩像星际2这类大型游戏还是有些不给力。简称独显，是指成独立的板卡存在，需要插在主板的相应接口上的显卡。独立显卡具备单独的显存，不占用系统内存，而且技术上领先于集成显卡，能够提供更好的显示效果和运行性能。独立显卡分为内置独立显卡和外置显卡。玩大型游戏要买高端独显，像gtx590（发烧友专用） 核芯显卡+独立显卡Optimus智能显卡切换有什么好处？ 和同样显存的独立显卡有什么区别？ optimus智能显卡切换时英伟达公司的专利技术，也就是集成显卡与独立显卡热切换技术，在你看小说或做一些对显卡要求较低的任务时，使用集成显卡以降低功耗，延长续航时间，在玩游戏或做一些对显卡要求较高的任务时，使用独立显卡以保证有比较流畅的效果，同样显存的显卡在做要求较低的任务时功耗降低不下来，不能有延长续航时间，就是这个差别。 深度解析：核芯显卡与独立显卡哪个好 有什么区别 看你干嘛用了，如果办公上网，核显好，功耗低成本低，如果玩游戏，当然独显，可以按需选购，毕竟核显不够用总不能砍掉换个性能高的核显是不？ 32M显卡,256M显卡有什么区别?还有独立显卡是什么意思? 显存越大表示显示的速度和质量都好，独立显卡是单独的一快板子，集成显卡是集成在主板上的，不是单独的一个板，同型号的独立显卡较好 集成显卡，独立显卡，核芯显卡，有什么区别，家用哪个最好？ 独立显卡性能比最其他的要高，除了很低端的独显 如果玩游戏的话，装个独显还是比较好的， 只是看网页的话，也不需要用到独显 希望你满意

wdg奶茶杯可以在蒸汽小嘟嘟这个公众号上拿到，我入手了一些确实不错。终身受益

Treat work earnestly actively,self-motivated,team consciousness,willing to bear hardships and stand hard work

创建到命名锚记的链接的过程分为两步: 创建命名锚记和链接到命名锚记。 若要创建命名锚记，请在Dreamweaver编辑视图中，将光标置于需要命名锚记的地方。选择“插入记录”工具栏，选择“命名锚记”选项。出现命名锚记对话框。图1 创建命名锚记对话框 在“锚记名称”文本框中输入锚记的名称。一般锚记若在网页顶部，可输入top；锚记名不能含有空格，而且不应置于层内。 定义了锚记 后，就可以链接到命名的锚记了。选择要从其创建链接的文本或图像，例如文本“返回顶部”。在属性面板“链接”文本框中输入“#锚记名称”, 如：“#top”。如图2所示。链接到锚记保存网页后按F12键预览该网页。当在浏览器中单击链接文本（返回顶部）时，网页转向命名锚记为“top”所在的行。PS：若要链接到其他 文档中的名为“top”的锚记，格式为：文件绝对路径+文件名#top。锚记名称区分大小写。返回顶部 查看源代码到实验室调试源代码直接运行源代码01.<html>02.<head>03.<title>锚点链接练习</title>04.<meta http-equiv=Content-Type content=text/html;charset=gb2312>05.</head>06.<body bgcolor=#ffffff>07.<b>网站基础知识</b><a href=#bottom>返回页尾</a> <a name=top> <br />08.为什么交换链接？<br />09.　链接交换，在英文中即为Linkexchange。交换链接，是互联 网上宣传自己 主页时常使用的一种方法。主要作用有以下两点: <br />10.　①通过和其他站点的交换链接,可以吸引更多的用户点击访 问。<br />11.　②搜索引擎会根据交换链接的数量，以及交换链接网站质量等对一个网站 做出综合评 价，这也将是影响网站在搜索引擎排名的因数之一。<br />12.交换链接在吸引更多用户访问 的同时起到SEO(搜索引擎优化)的作用。<br />13.　如何进行网站链接交换？<br />14.<BR>　您可以一个一个去喜欢的网站，联系他们的站长， 寻求交换友情链接。<br />15.　去论坛等站长聚积的地方，发布信息交换链接。<br />16.　【如何建立超级链接】<br />17.　在网页中，单击了某些图片、有下划线或有明示链接的文字就会跳转到相 应的网页中 去。<br />18.　1、在网页中选中要做超级链接的文字或者图片。<br />19.　2、在属性面板中单击黄色文件夹图标，在弹出的对话框里选中相应的网 页文件就完成 了。做好超级链接属性面板出现链接文件显示。<br />20.　3、按F12预览网页。在浏览器里光标移到超级链接的地方就会变成手 型。<br />21.　〖提示〗你也可以手工在链接输入框中输入地址。给图片加上超级链接的 方法和文字完 全相同。<br />22.　如果超级链接指向的不是一个网页文件。而是其他文件例如zip、 exe文件等等， 单击链接的时候就会下载文件。<br />23.　超级链接也可以直接指向地址而不是一个文件，那么单击链接直接跳转到 相应的地 址。<br />24. [邮件地址的超级连 接]<br />25.　在网页制作中，还经常看到这样的一些超级链接。单击了以后，会弹出邮 件发送程序， 联系人的地址也已经填写好了。这也是一种超级链接。制作方法是：在编辑状态下，先选定要链接的图片或文字（比如：天比高工作室！），再插入栏点26.　或点插入菜单选“电子邮件链接”弹出如下对话框，填入E-Mail地 址即 可。<br />27.　提示：还可以选中图片或者文字，直接在属性面板链接框中填写 “mailto：邮件地址”。<br />28.　例如自己想 嘻嘻29.　创建完成后，保存页面，按F12预览网页效果。<br />30.　[制作图片上的超级链接]<br />注意，我们这里所说的图片上的超级链接是指在一张图片上实现多个局部区域指向不同的网页链接。比如一张中国地图的图片，单击了不同的省跳转到不 同的网页。可点的区域就是热区。为了演示制作效果下面的中国地图我加了一些链接，你可以用鼠标测试。鼠标移动到省份的热区，会显示提示，如果有预先设置的 网站，点击会进入对方的网站。<br />31.<a name=bottom><a href=#top>返回顶部</a>32.</body>33.</html>

迟日江山丽,春风花草香.

晚十几岁

一种现场总线，主要应用在汽车、船舶等设备间或者控制信号的数据通讯，实时性比较好

有效应力原理是土力学区别其他力学的一个重要原理。土是三相体系，对饱和土来说，是二相体系。外荷载作用后，土中应力被土骨架和土中水气承担，但只有通过土颗粒传递的有效应力才会使土产生变形，具有抗剪强度。通过孔隙的水气传递的孔隙压力对土的强度和变形没有贡献。有效应力原理阐明了碎散颗粒材料与连续固体材料在应力—应变关系上的重大区别,有效应力原理表示研究平面上的总应力、有效应力与孔隙水压力三者之间的关系：当总应力保持不变时，孔隙水压力与有效应力可以相互转化，即：有效孔隙水压力减小等于有效应力的等量增加。扩展资料太沙基在1923年提出了有效应力原理的基本概念，阐明了粒材料与连续固体材料在应力--应变关系上的重大区别，使土力学成为一门独立学科的重要标志。饱和土体内任意平面上受到的总应力可分为有效应力和孔隙水压力两部分，其间关系总是满足：σ =σ′+μ。土的变形（压缩）与强度的变化都只取决于有效应力的变化。根据这一原理，通常采取加强土体排水措施，促使孔隙水压力消散，以便增大有效应力，达到提高工程稳定性的目的。在岩石力学和地震学中，也有人用这一原理来解释岩石强度的变化和地震前兆。参考资料来源：百度百科——有效应力原理

仨 sā三个（后面不能再接“个”或其他量词）：～人。哥儿～。[方言]中国北方话称三人为仨──后面不再用量词“个”。如：哥儿仨；吃了仨苹果；一传俩，俩传仨，把养马人和佃户都串连起来

bear hardships and stand hard work，stick-at-itiveness

磁簧开关(Reed Switch)也称之为干簧管，它是一个通过所施加的磁场操作的电开关。 基本介绍 中文名 ：磁簧开关 外文名 ：Reed Switch 专利号 ：2264746 别称 ：干簧管 套用 ：家电、汽车、通讯、工业、医疗 定义,磁簧开关的结构,原理,特点,优点,缺点,构建,簧片触点,玻璃密封性,工作特性,磁铁,激励形式,选择,性能,套用,磁簧继电器,干簧感测器, 定义 1936年，贝尔电话实验室的沃尔特.埃尔伍德（Walter B. Ellwood）发明了磁簧开关，并于1940年6月27日在美国申请专利，专利号为2264746 。 磁簧开关 基本型式是将两片磁簧片密封在玻璃管内，两片虽重叠，但中间间隔有一小空隙。当外来磁场时将使两片磁簧片接触，进而导通。 一旦磁体被拉到远离开关，磁簧开关将返回到其原来的位置。 磁簧开关的结构 磁簧开关是由两片磁簧片(通常由铁和镍这两种金属所组成的)u2002密封在玻璃管内。u2002两片磁簧片呈重迭状况但中间间隔有一小空隙，外来适当的磁场将会使两片磁簧片接触。u2002 这两片簧片上的触点镀有层很硬的金属，通常都是铑和钌，这层硬金属大大提升了切换次数的寿命。玻璃管内通常注入了氮气或一些相等的惰性气体，而部份磁簧开关为了提升切换电压的性能，更会把内部做成真空状态。 原理 磁簧开关的工作原理非常简单，两片端点处重叠的可磁化的簧片(通常由铁和镍这两种金属所组成的)密封于一玻璃管中，两簧片呈交迭状且间隔有一小段空隙(仅约几个微米)，这两片簧片上的触点上镀有层很硬的金属，通常都是铑和钌，这层硬金属大大提升了切换次数及产品寿命。玻璃管中装填有高纯度的惰性气体(如氮气)，部份干簧开关为了提升其高压性能，更会把内部做成真空状态。 簧片的作用相当与一个磁通导体。在尚未操作时，两片簧片并未接触；在通过永久磁铁或电磁线圈产生的磁场时，外加的磁场使两片簧片端点位置附近产生不同的极性, 当磁力超过簧片本身的弹力时，这两片簧片会吸合导通电路；当磁场减弱或消失后,干簧片由于本身的弹性而释放，触面就会分开从而打开电路。 Form A ( 常开 ) 磁簧开关的基本结构与组件 基本的全密封形态 Form A ( 常开 ) 干簧开关的基本结构与组件 上图描述的是Form A (常开 (N.O.)或单刀单掷 (SPST) 干簧开关。 Form B 是代表一个常闭开关，Form C (单向双掷(SPDT))是代表一个开关带有一个共用簧片，一个常开片和一个常闭片(见下图)。 Form C (单刀双掷 (SPDT) 三个簧片的干簧开关的基本结构 Form C (单刀双掷 )三簧片磁簧开关结构 可切换的簧片，在没有磁场时是与常闭片接触，当足够强度的磁场产生时,该簧片会移向常开片，而常开片与常闭片都是固定不动的。这两固定片与可摆动切换的簧片均为铁磁片，只是常闭的干簧片触点表面部份是由非磁性的金属熔焊于干簧片上的。置于磁场下时，两旁位于常开与常闭的固定片具相同极性，且和可摆动簧片极性相反，常闭端的非磁性金属会隔离磁通，因此当常开端与可摆动簧片之间的磁力够大时, 摆动簧片将与常开片接触闭合。 通常有两种方式可以令磁簧开关的干簧片吸合： 使用永久性磁铁 如下图所示，干簧开关在永久磁铁产生的磁场下之基本操作情况，两簧片呈相反极性而在两簧片间产生足够的吸力而互相接触　 　 干簧管原理1 使用外加线圈 　 如右图所示：将磁簧开关放置线上圈中心轴位置，磁场在这部份是最强的两干簧片呈相反极性，在两簧片间产生足够的吸力而互相接触。当有一个永久 磁铁接近干簧开关时，此两片簧片会被磁化成可相互吸引的不同极性，当磁场够大时，可让两簧片间产生足够的吸引力而互相接触。干簧片都是经过回火处理的，以 便消除剩磁，所以当磁场退去后，在干簧片上的磁场随即消失。如果有任何残留的磁力存在于干簧片上，干簧开关的特性就会改变，在制造过程中，适当的制程和退 火处理是非常重要的。 干簧管原理2 根据磁簧开关这种特性，磁簧开关可做成非常小尺寸体积的切换组件，并且切换速度非常快速、且具有非常优异的信赖性。永久磁铁的方位和方向确定何时以及多少次开关打开和关闭。 特点 优点 触点与惰性气体一起密封在玻璃管内，不会受到外部气氛的影响。 动作回答速度迅速。 动作系统和电路都位于相同的轴上，适宜使用于高频率传输的套用产品。 小型，重量轻。 触点具有优越的耐蚀性和耐磨损性，使用寿命长，可获得稳定的开关动作。 与永久磁铁组合，就能经济简易地构成非接触式开关。 缺点 磁簧开关触点和簧片是相当小而精致的，不适合处理大的电压或电流导致的簧片引发切换。 磁簧开关提供开关典型的电压和电流额定值。 仅在操作的继电器线圈与磁簧开关的继电器电路切换高电流才是必要的。 故障排查工序多。故障干簧管需要用专用仪器（如AT值测试器、绝缘耐压测试器、内阻测试器等）检测。 不适合误差范围小的产品设计中：AT值范围大，从成本角度考虑不能保证批量产品的AT值都相同，并且配套磁石也不尽相同。 磁簧开关加工损耗大。磁簧开关采玻璃封装，在运送和加工过程中容易受损，影响产品及寿命。 构建 簧片触点 良好的电气连线是通过对两个簧片的接触部分进行镀一层很厚的非磁性贵金属来实现的，低电阻率的银比耐腐蚀的金更适合做为镀层材料.同样也有使用水银的湿簧管，湿簧管的触点必须成对安装使用。 磁簧开关簧片触点构造 两个簧导线制成镍/铁（镍铁）合金（52%的镍）。 受影响的，通过磁场的磁簧引线必须是铁磁性的。 三种最流行的材料性质，容易退火的铁磁性：铁，钴和镍。 两个簧片触点的尖端是镀或溅射铑，钌或铱。 干簧管簧片触点构造 触点材料 铑触点 镀铑触点最常使用。这种触点从低负荷至重负荷具有非常稳定的工作特性和很长的工作寿命，这是因为铑具有高熔点及高硬度的性能。 水银接点 水银接点磁簧开关具有无跳动操作特点，因此不需要额外的抑制跳动电路。它们具有大功率开关能力、很低且稳定的接触阻抗特性以及工作寿命长的特点。他们亦可以用于高浪涌电流的开关。 钌触点 钌的硬度比铑更高。镀铑触点具有较好的机械磨损及热损耗特性，但仅用于小负载的开关。因为钌的这些特点，华壬电子已成功开发了氧化钌覆盖于铑或者铂上面的双镀触点。这些双镀触点自低负荷至重负荷均具有极良好的开关特性。 玻璃密封性 用于玻璃管的外封装，其温度膨胀系数（TCE）完全匹配的NiFe合金。 在玻璃管的两端部被加热和玻璃熔化，形成气密密封涵盖两端。 在玻璃封接过程中玻璃腔通常是填充有惰性气体（通常为氮气）或腔体，可能会产生真空，抽真空。 该真空通常支持高电压开关 （超过1000伏特）。 干簧管玻璃密封性 工作特性 吸合（PI） 是打开磁簧开关接触点 断开（Do） 磁簧开关接触点断开点 大多数公司测量安培匝（AT）的簧片开关，也有公司使用毫特斯拉（mT）作为磁测量单位。 磁铁 激励形式 激励磁簧开关最常用的方法是用一块磁铁。典型的激励形式示于下面图中： 水平激励 磁簧开关水平激励 垂直激励 磁簧开关垂直激励 横向激励 磁簧开关横向激励 旋转激励 磁簧开关旋转激励 选择 一般来说，用于磁簧开关（干簧管）的磁铁选择需要考虑不同的套用因素，如工作温度、退磁效应、磁场强度、环境特性、运动以及用途等。 NdFeB 钕铁硼 最高能源产品 非常高remanance矫顽力 价格相对较低 机械强度比钐钴 某些级别可使用至200°C 不建议在氢气 粘结方式可机械加工，但并非螺纹 SmCo 钐钴 高磁能积 适合高性能套用 高抗退磁 优良的热稳定性 高耐腐蚀性 最昂贵的磁铁 最多可以使用到300°C 易切削-不应该作为一个结构 AlNiCo 铝镍钴 比稀土磁铁便宜 最高工作温度为550℃ 最低温度系数 相对于其他类型低矫顽力 高感应水平 Ferrites 铁氧体 脆 热稳定性差 最便宜所有类型 最多可以使用到300°C 需要研磨，以满足严格的公差 高耐腐蚀性 性能 磁簧开关是一项独特的技术，全密封的特性使得它可以在几乎所有环境下使用。磁簧开关的结构虽然简单但是其制作加工过程中却包含了多项工艺。这些年来，磁簧开关的尺寸已经由大约50毫米 (2寸) 发展到细如6毫米 (0.24寸)，这些小的尺寸的出现使它能套用到更多领域中，尤其满足了射频和快速时域的需求。 磁簧开关的性能如下： 能够切换高达10,000 伏 能够切换高达 5安培 能够切换或者负载低至 10nanoVolts（纳伏）而没有信号损失 能够切换或者负载低至1femptoAmps(毫微微安)而没有信号损失 能够切换或者负载高达 6 GigaHertz(十亿赫兹)而只有少量的信号损失 触点间绝缘为 10 Ω 接触电阻通常为50 milliOhms（毫欧）(mΩ) 在常开的情况下无需耗费任何能源或电力能够提供双稳态功能 操作时间范围100μs至300μs 能在从-55°C至200°C的极端的温度范围下使用 能够于各种环境下操作。包括空气中，水中，真空中，油中，燃料中和含尘环境 能够承受高达200Gs 撞击力 在 高 达 3 0 G s （ 高 斯 ） 的 磁 感 应 强 度 下 能 承 受50Hz至2000Hz的震荡 使用寿命长，在 5 伏 10毫安工作条件下，可以操作达十亿次 套用 磁簧开关在家电、汽车、通讯、工业、医疗、安防等领域得到了广泛的套用。简单说明一下磁簧开关在磁簧继电器和干簧感测器的套用。 磁簧继电器 放置一个线圈周围的磁簧开关，使电流通过的线圈相当于一个永久磁铁产生的磁场。 交换机周围放置一个同轴禁止，使高频信号被切换到20GHz。 因为干簧开关无易损件，触点可切换低电平信号。 干簧继电器被广泛用于整个测试测量领域。 测试系统，矩阵，RF，数据机，报警器，非常适合用于磁簧继电器： 1、高循环计数 2、高电压套用 3、低电流，低电压开关 干簧感测器 使用磁簧开关， 干簧感测器可以感知各类机芯采用永久磁铁。 干簧开关在开启状态下汲取电流为零，这使他们在节能设备套用中成为理想的选择。 即使当空气、塑胶和金属分离，磁体是可套用的 磁铁和磁簧开关一般分为物理外罩或其他障碍物隔开。 干簧感测器用于检测运动，计数，检测液面高度，液位测量，开关恶劣的环境下，植入设备等。