单片机C语言程序设计实训100例：基于PIC+Proteus仿真的目录

一、使用方式不同1、双向可控硅：不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。2、单向可控硅：是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。二、使用原理不同1、双向可控硅：是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。2、单向可控硅：可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。三、结构不同1、双向可控硅：可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。2、单向可控硅：单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。参考资料来源：百度百科-单向可控硅参考资料来源：百度百科-双向可控硅

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

你好：——★1、可控硅是电流控制器件，导通角度由触发电流驱动的。——★2、可控硅是电流触发、导通的。而电压也会影响电容器的充电时间，影响导通角度。但是，使可控硅导通的关键因素是（触发）电流。

双向可控硅其G极与T1极是相通的，再根据其双向导通的特性作进一步判别.具体方法如下：1、用指针万用表R×1Ω档测三引脚间阻值，与其余两脚均不通（正反阻值达几百KΩ以上）的为T2极。2、剩余两脚正反向均通（约为几百Ω），但阻值相对较小时黑表笔所接的为G极，红表笔所接的为T1极。3、接着测试工作情况，用红黑表笔分别接触T2极和T1极，再用接触T2的表笔同时碰触剩余的G极，若表针偏转角度都较大且能一直保持，则说明可控硅正常，否则质量欠佳不宜使用。扩展资料：“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。参考资料：百度百科--双向可控硅

应该是指双向二极管吧？在双向可控硅应用电路中，其控制端电路加有双向二极管的，其作用是将驱动电压设了一道门槛，驱动电压必须高于双向二极管的导通电压的才可使双向可控硅导通。这种情况适用于类似于照明灯的调光、发热体加热等电路，因为低到如10V、20V这样的电压对额定电压为220V照明灯及加热器等电器负载来说没有多大意义，灯光亮度如萤火则干脆不让它亮。拙见仅供参考！

因为电机是感性负载，关断时会出现一个反电动势，容易将可控硅击穿。根据楞次定律

1伏。

在下献丑了，你这个电路是用左边+24V的直流电来控制光耦的通断，通过光耦的通断控制双向可控硅的触发极导通来实现对双向可控硅控制，从而进一步控制风机。 R1,R2,R3都是限流电阻。R4和电解电容构成阻容吸收回路，并在可控硅两端目的用来保护可控硅，因为可控硅有一个参数叫做电流上升率dv /di，这个参数过大会烧毁可控硅。F为熔断器，限制回路电流过大烧毁其他东西。 如果换成是我来设计，我就把R3这个电阻这里取消掉，光耦的输出直接接可控硅的触发极。 至于R2电阻的阻值取多少我不敢乱说，建议你先用6K欧以上的的电阻试试看能不能让可控硅导通，不行的话再减少阻值。

双向可控，电阻，电位器

这个线路是比较简单的，当SA在1的位置时，接通电源后，C3电容两端电压逐渐升高，当稳压二极管V3两端的电压超过它的击穿电压时，V4导通，V5随即也导通，VD5发光二极管被点亮，于量KA就吸合，KA吸合后，双向可控硅也导通，于是，电机就开始运转。当SA在2的位置时，按下SB1时，V4导通，V5随即也导通，VD5发光二极管被点亮，于量KA就吸合，KA吸合后，双向可控硅也导通，于是，电机就开始运转。在这里，SB1、SB2似乎是联动开关，当放开SB按键时，即图示所示的SB位置时，V4即截止，V5也截止，KA失电，可控硅关闭，电机停转。

不可以。直流电机采用直流电源供电，可控硅导通后将无法关断。　　电扇用的无极调速器是一种双向可控硅（晶闸管）调速器。　　工作原理：　　R1、C1、L构成滤波电路，滤除可控硅开关时产生的谐波，减小对交流电源的电磁污染。　　交流电压通过VR+R2对C2充电，当充电电压高于DB3的击穿电压后，可控硅栅极才有触发抄电压，可控硅导通，当交流电压过零点时可控硅自行关断，为下一次触zhidao发做准备，在下次交流电压提升到高于触发可控硅在该时刻导通，从而形成固定的导通角，输出稳定的调压电压。VR的大小，改变充电时间的长短，从而调整可控硅的导通角，实际上就改变了吊扇的实际工作电压。　　如果工作电源为直流，只要输入电压够高，可控硅导通是没有问题的。但是，可控硅不会自行关断。因此，不能用来改变电机电压。

不可以。因为触发后不可关断。

此三极管应工作在开关状态，用它来控制可控硅的控制极或是其前级的光耦。

要看型号的。一般都似乎4到5v吧。直流。也有7v的。

单相交流电机调速器的工作原理是在电动机控制回路中串入双向可控硅，控制可控硅的导通角从而控制电动机的端电压。当外接电源电压或负载波动引起转速变动时，与电动机同轴联接的测速发电机输出信号通过积分器与转速给定信号比较,其误差放大后和过...

　　原理：当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及双向触发二假管VD1向双向可控硅VS的控制极放电.触发可控硅VS 导通。改变电位器RP的阻值便可改变向C充电的速度.也就改变了 双向可控硅的导通角。由于双向触发二极管在正、反电压下均能工作，所以整个电路可以工作于交流电的正 、负两个半周。　　触发二极管用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

gg右上端AC220V接交流电源上，有保险丝应是电源输入端，右下端绕组应该是用电器，RTD是热敏电阻，用来获取用电器的温度信息的，接温控器的5、6、7接线端，9接线端好象是接继电器控制线圈，可控硅的G脚接温控器的23接线端，T2脚接温控器的22接线端，同时接继电器的另一端和电源的应该是火线，T1脚接用电器。 双向可控硅的作用是相当于电闸，本电路是用温度感应来控制可控硅的通断的，从而来控制电器是否工作的（本电路没接过，只是读原理图而已）。

97A6 双向触发三极闸流晶体管 用途：主要用于变频电路及调光、调速电路等。 封装形式：TO-92(T2GT1) 极限值：(Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 断态重复峰值电压 VDRM 400 V VRRM 400 V 通态平均电流 IT(AV) 1 A 通态（不重复）浪涌电流 ITSM 10 A 控制极平均功率耗散 PG(AV) 0.1 W 最高结温 Tj 110 ℃ 贮存温度 Tstg -40~110 ℃ 电特性：(Ta=25℃) 参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位 断态重复峰值电流 IDRM VDRM=400V,G断开 - 1 mA IRRM VRRM=400V,G断开 - 1 mA 通态峰值电压 VTM IT=1A - 1.5 V 维持电流 IH VD=12V,IGT=0.1A - 50 mA 控制极触发电流 Ⅰ IGT VD=12VRL=100Ω - 5 mA Ⅱ - 5 mA Ⅲ - 5 mA Ⅳ - 10 mA 控制极触发电压 Ⅰ VGT VD=12VRL=100Ω - 2 V Ⅱ - 2 V Ⅲ - 2 V Ⅳ - 2.5 V

右上端AC220V接交流电源上，有保险丝应是电源输入端，右下端绕组应该是用电器，RTD是热敏电阻，用来获取用电器的温度信息的，接温控器的5、6、7接线端，9接线端好象是接继电器控制线圈，可控硅的G脚接温控器的23接线端，T2脚接温控器的22接线端，同时接继电器的另一端和电源的应该是火线，T1脚接用电器。双向可控硅的作用是相当于电闸，本电路是用温度感应来控制可控硅的通断的，从而来控制电器是否工作的（本电路没接过，只是读原理图而已）。

双向可控调压的工作原理是，通过改变可控的导通角把正弦波变成了丢失了前沿的非正弦波，也就是含有一些高次谐波。在这种情况下如果调的电压不是很低，像电动机和变压器还可以正常的使用。如果电压调的太低 ，交流电的正半周和负半周就不会很好的衔接起来，形成了脉动的交流电，这时的电动机和变压器就会有很大的声音伴随着发热，最后就烧毁了。建议还是用一个220变110的自偶变压器降一下压及经济又实惠，可以试一试。

导通角，检测交流电的过零信号。然后调整可控硅的导通角。

可控硅的触发方式，AG或者KG两种，接错了可能会爆的奥

　　单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。　　单、双向可控硅的判别　　先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。　　可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。　　单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。　　可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

正着拿从左往右依次是第一脚，第二脚，第三脚。第一脚和第二脚是可以视做是开关，第三脚是触发脚，也就是说你在第三脚上加个高电平第一脚和第二脚之间就通了，当然这个高电平是对地，一般的应用是用光耦隔离触发信号，然后在第一脚和光耦间串个电阻，然后接到第三脚上。这是成熟电路你可以直接应用。扩展资料：双向可控硅特点：双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。参考资料：百度百科-双向可控硅

一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转

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双向可控硅其G极与T1极是相通的，再根据其双向导通的特性作进一步判别.具体方法如下：用指针万用表R×1Ω档测三引脚间阻值，与其余两脚均不通（正反阻值达几百KΩ以上）的为T2极。剩余两脚正反向均通（约为几百Ω），但阻值相对较小时黑表笔所接的为G极，红表笔所接的为T1极。接着测试工作情况，用红黑表笔分别接触T2极和T1极，再用接触T2的表笔同时碰触剩余的G极，若表针偏转角度都较大且能一直保持，则说明可控硅正常，否则质量欠佳不宜使用。

简单地判断：T2与T1，T2与G，表测近无穷大。T1与G间呈二极管单向特性（不太确认这一点），某些管子此两脚间有可能内置了一个几十欧到几百欧的电阻以防误触发。

1、Z0409MF双向可控硅管。2、“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。3、双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

gg右上端AC220V接交流电源上，有保险丝应是电源输入端，右下端绕组应该是用电器，RTD是热敏电阻，用来获取用电器的温度信息的，接温控器的5、6、7接线端，9接线端好象是接继电器控制线圈，可控硅的G脚接温控器的23接线端，T2脚接温控器的22接线端，同时接继电器的另一端和电源的应该是火线，T1脚接用电器。双向可控硅的作用是相当于电闸，本电路是用温度感应来控制可控硅的通断的，从而来控制电器是否工作的（本电路没接过，只是读原理图而已）。

BT131这是1A/600V双向可控硅，有很多型号可以代替：双向可控硅：BT131-800E ，BT132-600D，Z0103MA，Z0103MA0，Z0103NA，Z0103NA0 ，，Z0107MA ，双向可控硅 Z0107MA0 。扩展资料：双向特点及应用双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。耐压级别的选择： 通常把VDRM(断态重复峰值电压)和 VR R M(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。 选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍，作为允许的操作过电压裕量。电流的确定： 由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 同时， 可控硅承受断态重复峰值电压VD R M 和反向重复峰值电压 V R R M 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。通态(峰值)电压 VT M 的选择： 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VT M 小的可控硅。维持电流： IH 是维持可控硅保持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高， 则 IH 越小。电压上升率的抵制： dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容。

双向可控硅只能使用在交流电上，你可能换上的型号不对，可控硅引脚T1和T2是电源的输出和输入端，（可以调换），G脚为控制脚，使用时关键是G脚不能装反，，另外散热片也要安装固定好，，若电流不能调整，是脉冲调整电路故障。可以细心检查一这部分。

1、软启动的原理是利用固态继电器（或双向可控硅），通过移相触发（或过零触发）， 进行电动机的调压调速。 而变频器启动电动机过程是变频调速，工作运行中可以对电动机进行正转调速、制动、反转调速、变频运行等工作。 2、变频是通过改变频率来起动，它可以带载起动，不会有冲击电流，软起动是通过降低电压来起动的，起动力矩会受一定影响，有一定的冲击电流。 3、软启动就是降压启动，只不过降压值可以连续平滑调节而以，同降压启动一样，都是以牺牲起动力矩为代价。变频器则是同时改变电压和频率，在不降低转矩的情况下，连续调节转速。 6、软启动器技术含量比较低，容易国产化，性能稳定，价格比变频器低很多！！所以软启动器在国内还有生存空间。 7、变频器的价格比软启动器要高的同时，带反馈的变频器更高。如：在特殊场合，如负载率小

通常使用的变压器分传统铁芯绕线式及电子开关式2种，前者体积较大且成本高，后者小巧且成本相对较低。风扇调速器是利用可控硅经可调电阻(电位器)改变控制极的触发角大小来调节输出电压的。电子产品将逐步取代传统的高成本产品。图中是风扇可控硅调速器：http://hi.baidu.com/%B3%C2%BC%E1%B5%C0/album/%B5%E7%C2%B7%CD%BC/index/1

用BT151代换

他固态继电器工作原理是什么？还是非常重要的，还是挺好的一个工作员

我想做一个，没原理图，我知道你这个是正反交换间隔时间不够造成。

(thyristor)是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅（SCR），其正式名称应是反向阻断三端晶闸管。除此之外，在普通晶闸管的基础上还派生出许多新型器件，它们是工作频率较高的快速晶闸管(fast switching thyristor，FST)、反向导通的逆导晶闸管(reverse conducting thyristor，RCT)、两个方向都具有开关特性的双向晶闸管(TRIAC)、门极可以自行关断的门极可关断晶闸管（gate turn off thyristor，GTO）、门极辅助关断晶闸管(gate assisted turn off thytistor，GATO)及用光信号触发导通的光控晶闸管(light controlled thyristor，LTT)等。一、结构与工作原理 晶闸管是三端四层半导体开关器件，共有3个PN结，J1、J2、J3，如图1(a)所示。其电路符号为图1(b)，A(anode)为阳极，K(cathode)为阴极，G(gate)为门极或控制极。若把晶闸管看成由两个三极管T1(P1N1P2)和T2(N1P2N2)构成，如图1(c)所示，则其等值电路可表示成图1(d)中虚线框内的两个三极管T1和T2。对三极管T1来说，P1N1为发射结J1，N1P2为集电结J2；对于三极管T2，P2N2为发射结J3，N1P2仍为集电结J2；因此J2（N1P2）为公共的集电结。当A、K两端加正电压时，J1、J3结为正偏置，中间结J2为反偏置。当A、K两端加反电压时，J1、J3结为反偏置，中间结J2为正偏置。晶闸管未导通时，加正压时的外加电压由反偏值的J2结承担，而加反压时的外加电压则由J1、J3结承担。 如果晶闸管接入图1(d)所示外电路，外电源US正端经负载电阻R引至晶闸管阳极A，电源US的负端接晶闸管阴极K，一个正值触发控制电压UG经电阻RG后接至晶闸管的门极G，如果T1（P1N1P2）的共基极电流放大系数为α1，T2（N1P2N2）的共基极电流放大系数为α2，那么对T1而言，T1的发射极电流IA的一部分α1IA将穿过集电结J2，此外，J2受反偏电压作用，要流过共基极漏电流i CBO1，因此图1(d)中的IC1可表示为 IC1=α1IA+i CBO1。 （1） 同理对T2而言，T2的发射极电流IC的一部分α2IC将穿过集电结J2，此外，J2受反偏置电压作用，要流过共基极漏电流i CBO2，因此，图1(d)中的I C2可表示为 IC2=α2IC+i CBO2。 （2） 由图1(d)中可以看出 IA=IC1+IC2=α1IA+α2IC+ i CBO1+ i CBO2=α1IA+α2IC+IO， （3） 式中，IO= i CBO1+ i CBO2为J2结的反向饱和电流之和，或称为漏电流。 再从整个晶闸管外部电路来看，应有 IA+IG=IC。 （4） 由式（3）和式（4），可得到阳极电流为 IA=（IO+α2IG）/〔1-（α1+α2）〕 （5） 晶闸管外加正向电压UAK；但门极断开，IG=0时，中间结J2承受反偏电压，阻断阳极电流，这时IA=IC很小，由式（5）得 IA=IC=IO/〔1-（α1+α2）〕≈0 （6）{{分页}} 在IA、IC很小时晶闸管中共基极电流放大系数α1、α2也很小，α1、α2都随电流IA、IC的增大而增大。如果门极电流IG=0，在正常情况下，由于IO很小，IA=IC仅为很小的漏电流，α1+α2不大，这时的晶闸管处于阻断状态。一旦引入了门极电流IG，将使IA增大，IC增大，这将使共基极电流放在系数α1、α2变大，α1、α2变大后，IA、IC进一步变大，又使α1、α2变得更大。在这种正反馈作用下使用α1+α2接近于1，晶闸管立即从断态转为通态。内部的两个等效三极管都进入饱和导电状态，晶闸管的等效电阻变得很小，其通态压降仅为1~2V，这时的电流IA≈IC；则由外电路电源电压US和负载电阻R限定，即IA≈IC≈US/R。一旦晶闸管从断态转为通态后，因IA、IC已经很大，即使撤除门极电流IG，由于α1+α2≈1，由式（5）可知IA=IC仍然会很大，晶闸管仍然继续处于通态，并保持由外部电路所决定的阳极电流IA=IC=US/R。二、晶闸管的基本特性 晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关第，称晶闸管的伏安特性。晶闸管的伏安特性位于第一象限的是正向伏安特性，位于第三象限的是反向伏安特性（如图2所示）。其主要特性表现如下。 （1） 在正向偏置下，开始器件处于正向阻断状态，当UAK=UA时，发生转折，经过负阻区由阻断状态进入导通状态（OA—正向阻断状态，AB—转折态，BL—负阻态，LD—导通状态，A—转折点，UA—转折电压）。从图2中可以看到，这种状态的转换，可以由电压引起，也可以由门极电流引起（门极触发导通）。 （2） 当IG2>IG1>IG时，UA2< SPAN>A1< SPAN>A，且一旦触发导通后，即使去掉门极信号，器件仍能维持导通状态不变。这是二极管、三极管所没有，晶闸管所特有的性质，称为自锁或擎住特性（L—擎住点，IL—擎住电流）。可见，晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。因此，触发电流常采用脉冲电流，而无需采用直流电流。 （3） 导通之后，只要流过器件的电流逐渐减小到某值，器件又可恢复到阻断状态（H—关断点、IH—维持电流）。这种关断方式称为自然关断，例如，可采用加反偏电压的方法进行强迫关断。 （4） 在反向偏置下，其伏安特性和整流管的完全相同（OP—反向阻断状态，PR—反向击穿状态，P—击穿点，UB—击穿电压）。三、晶闸管的主要特性参数1、 晶闸管的电压定额 （1） 额定电压UR。在门极开路（IG=0），器件额定结温度时，图2中正向和反向折转电压的80%值规定为断态正向重复峰值电压UDRM和断态反向重复峰值电压URRM这两个电压中较小的一个电压值规定为该晶闸管的额定电压UR。 由于在电路中可能偶然出现较大的瞬时过电压而损坏晶闸管，在实际电力电子变换和控制电路设计和应用中，通常按照电路中晶闸管正常工作峰值电压的2~3倍的电压值选定为晶闸管的额定电压，以确保足够的安全电量。 （2）通态峰值电压UTM。规定为额定电流时的管压降峰值， 一般为1.5~2.5V，且随阳极电流的增大而略微增加。额定电流时的通态平均电压降一般为1V左右。2、晶闸管的电流定额 （1）晶闸管的额定电流IR。在环境温度为40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在电阻性负载的单相，工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125℃时，所对应的通态平均电流值定义为晶闸管的额定电流IR。晶闸管的额定电流也是基于功耗发热而导致结温不超过允许值而限定的。如果正弦电流的峰值为I m，则正弦半波电流的平均值为 已知正弦半波的有效值（均方根值）为 由式（1）和式（2）得到有效值为 即产品手册中的额定电流为IR=IAV=100A的晶闸管可以通过任意波形、有效值为157A的电流，其发热温升正好是允许值。在实际应用中由于电路波形可能既非直流（直流电的平均值与有效值相等），又非半波正弦；因此应按照实际电流波形计算其有效值，再将此有效值除以1.57作为选择晶闸管额定电流的依据。当然，由于晶闸管等电力电子半导体开关器件热容量很小，实际电路中的过电流又不可能避免，故在设计应用中通常留有1.5~2.0倍的电流安全裕量。{{分页}} （2）浪涌电流ITSM。系指晶闸管在规定的极短时间内所允许通过的冲击性电流值，通常ITSM比额定电流IR大4л倍。例如，100A的元件，其值为(1.3~1.9)kA；1000A元件，其值为(13~19)kA。 （3）维持电流IH。使晶闸管维持导通所必须的最小阳极电流。当通过晶闸管的实际电流小于维持电流IH值时，晶闸管转为断态，大于此值时晶闸管还能维持其原有的通态。 （4）擎住电流IL。晶闸管在触发电流作用下被触发导通后，只要管子中的电流达到某一临界值时，就可以把触发电流撤除，这时晶闸管仍然自动维持通态，这个临界电流值称为擎住电流IL。擎住电流IL和维持电流IH都随结温的下降而增大。但是请注意，擎住电流和维持电流在概念上是不同的。通常擎住电流IL要比维持电流IH大2~4倍。3、动态参数 （1）开通时间ton和关断时间toff。承受正向电压作用但处于断态作用的晶闸管，当门极触发电流来到时，由于载流子渡越到基区P2需要一定时间，阳极电流IA要延迟td才开始上升，尔后再经过一个tr(使基区载流子浓度足够)，IA才达到由外电路所决定的阳极电流稳定值。晶闸管从断态到通态的开通时间ton定义为ton=td +t r，其中，td为延迟时间，tr为上升时间。 当已处于通态的晶闸管从外电路施加反向电压于晶闸管A—K两端，并迫使它的阳极电流IA从稳态值开始下降为0后，晶闸管中的各层区的载流子必须经过一定时间才能消失，恢复其正向阻断能力。晶闸管的关断时间toff定义为从阳极电流下降到0开始，到晶闸管恢复了阻断正向电压的能力，并能承担规定的du/dt而不误导通所必须的时间。 晶闸管的关断时间与元件的结温、关断前的阳极电流大小及所加的反向阳极电压有关。普通晶闸管的toff约为几十微秒左右。为缩短关断时间应适当加大反压，并保持一段反压作用时间，以使载流子充分复合而消失。快速晶闸管的toff可减小到10~20μs以下，可用于高频开关电路的高频晶闸管，其关断时间更短（小于10μs）。 （2）断态电压临界上升率du/dt。在规定条件下，不会导致从断态到通态转换的最大阳极电压上升率。其数值对于不同等级（共7级）的晶闸管是不同的，最差的A级器件为25V/μs，最好的G级晶闸管高达1000V/μs，一般的是（100~200）V/μs。 晶闸管阳极电压低于转折电压UA时，在过大的du/dt下也会引起误导通。因为在阻断状态下的晶闸管上突然加以正向阳极电压，在其内部相当于一个电容的J2结上，就会有充电电流流过界面，这个电流流经J3结时，起到了类似于触发电流的作用；因此过大的充电电流就会引起晶闸管的误触发导通。 为了限制断态电压上升率，可以在晶闸管阳极与阴极间并上一个R—C阻容缓冲支路，利用电容两端电压不能突变的特点来限制晶闸管A、K两端电压上升率。电阻R的作用是防止并联电容与阳极主回路电感产生串联谐振。此外，晶闸管从断态到通态时，电阻R又可限制电容C的放电电流。 （3）通态电流临界上升率di/dt在规定的条件下，为晶闸管能够承受而不致损害的通态电流的最大上升率。目前最差的A级晶闸管为25A/μs，最好的G级晶闸管为500A/μs，一般的是（100~200）A/μs。 过大的di/dt可使晶闸管内部局部过热而损坏，因为当门极流入触发电流后，晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通，然后导通区才逐渐扩大，直至全部结面都导通。如果电流上升太快，很大的电流将在门极附近的小区域内通过，造成局部过热而烧坏。{{分页}}四、晶闸管家族的其他主要电力电子器件1、快速晶闸管（FST）快速晶闸管通常是指那些关断时间toff≤50μs、速度响应特性优良的晶闸管。它的基本结构和特性与普通晶闸管完全一样；但是由于快速晶闸管的工作频率（f≥400Hz）比普通晶闸管的工作频率高，所以仅要求其关断时间短是不全面的。因此，在关断时间的基础上，还要求快速晶闸管的通态压降低、开关损耗小、通态电流临界上升率di /dt及断态电压临界上升率du/dt高。只有这样，它才能在较高的工作频率下安全可靠地工作。这种快速晶闸管主要应用于直流电源供电的逆变器的斩波器，在这种电路中，它的关断时间通常只有（20~50）μs，比普通晶闸管快一个数量级。2、 逆导型晶闸管（RCT） 普通晶闸管表现为正向可控闸流特性，反向高阻特性，称为逆阻型器件。 逆导晶闸管是一个反向导通的晶闸管，是将一个晶闸管与一个续流二极管反并联集成在同一硅片上构成的新器件，如图3（a）所示。 逆导晶闸管的工作原理与普通晶闸管相同，其伏安特性如图3（b）所示。正向表现为晶闸管正向伏安特性，反向表现为二极管特性。 与普通晶闸管相比，逆导晶闸管有如下特点：正向转折电压比普通晶闸管高，电流容量大，易于提高开关速度，高温特性好（允许结温可达150℃以上），减小了接线电感，缩小了装置体积。3、 双向晶闸管（TRIAC） 图4所示双向晶闸管TRIAC也是一个三端器件，它有两个主电极T1、T2和一个门极G，触发信号加在T2极和门极G之间，它在正反两个方向电压下均可用同一门极控制触发导通。双向晶闸管在结构上可以看做是一对普通逆阻型晶闸管的反并联。其符号、等效电路和阳极伏安特性如图4所示。其特性也反映了反并联晶闸管的组合效果，即在第一和第三象限具有对称的阳极伏安特性。这个特征与图1所示逆阻型晶闸管正向导通特性是相同的。对双向晶闸管在门极G和主电极T2之间送入正触发脉冲电流（IG从G流入，从T2流出）或负脉冲电流（IG从T2流入，从G流出）均能使双向晶闸管导通。根据T1、T2间电压极性的不同及门极信号极性的不同，双向晶闸管有4种触发和开通方式：{{分页}} （1） 主电极T1相对T2电位为正的情况下，门极G和T2之间加正触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通工作在第一象限，称为I+触发方式。 （2） 主电极T1相对T2电位为正的情况下，门极G和T2之间加负触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通也工作在第一象限，称为I-触发方式。 （3） 主电极T2相对T1电位为正的情况下，门极G和T2之间加正触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通工作在第三象限，称为Ⅲ+触发方式。 （4） 主电极T2相对T1电位为正的情况下，门极G和T2之间加负触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通也工作在第三象限，称为Ⅲ-触发方式。 I-、Ⅲ-两种触发方式灵敏度很高，在实用中常被采用，如图2（c）所示。双向晶闸管多在交流电路中采用，正、负半波都工作；因此要特别注意如下两个参数的意义。 （1）额定电流或额定通态电流：双向晶闸管的额定电流不像二极管和晶闸管那样按正弦半波电流平均值定义，而是用有效值来定义，即额定值为100A的双向晶闸管只能通过100A的有效值电流。而额定电流为100A的二极管、逆阻晶闸管则可通过157A的有效值电流。由额定电流的定义可知：在交流电流中一只有效值为IT的双向晶闸管能承载全波负载电流有效值为IT，半波负载电流为 ；若用晶闸管，其额定电流应为 。因此，电流为IT的双向晶闸管可代替两只并联的电流额定值为0.45IT的逆阻型晶闸管。 （2）如果负载电流是电感性滞后的，双向晶闸管在正向电流下降为0时电源电压早已反向，故相当于在电流刚刚降为0的晶闸管两端瞬时施加一阶跃反压。双向晶闸管在某个方向导通时管芯内各半导体层中分布一定的载流子电荷。电流下降为0时，内部载流子不可能瞬间消失；因此它必须在电流为0瞬间具有承受一定的du/dt反方向电压的能力。否则在反向触发脉冲还未到来时它可能在反方向电压作用下导通，而失去门极控制其导通的作用。如果其抗du/dt能力低，则应在元件T1、T2两端之间并联RC阻容吸收回路以限制过大的du/dt。必须指出，双向晶闸管抗du/dt的能力与导通时电流下降的di/dt有关。di/dt小，其能够承受du/dt值要大些。请特别留意这里所指的du/dt是双向晶闸管在工作中改变电流方向，即通常所说的换流时抗du/dt的能力，其值小于晶闸管已处于完全静态截止情况下所能承受的du/dt值。双向晶闸管是一种交流双向导电开关，它主要应用于交流电压斩波式电压调节控制（或交流电流调动器）和用做固态交流双向开关。4、光控晶闸管（LCT） 光控晶闸管是一种光触发导通的晶闸管，其工作原理类似于光电二极管。光控晶闸管的符号及其等值电路如图5所示。在阳极在正向外加电压时，J2结被反向偏置，在光照在偏的J2结上时J2结的漏电流增大，在晶闸管内正反馈作用下促使晶闸管由断态转为通态。 由于使用光导通信息信号，晶闸管主电路和控制电路可以完全与电绝缘；为此绝缘性和抗噪声性优越。由于这个特性，它具有在超高压直流输电等方面用途。 双向晶闸管它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏发特性,由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。下面介绍利用万用表R×1档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。1．判定T2极G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G-T1之间的正、反向电阻都很小。在用R×1档测任意两脚之间的电阻时，只有G- T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧。而T2-G、T2- T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其它两脚都不通，就肯定是T2极。另外，采用TO-220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通。据此亦可确定T2极。 2．区分G极和T1极（1）找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为T1极，另一脚为G极。（2）把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右,证明管子已经导通，导通方向为T1→T2。再将红表笔尖与G极脱开（但仍接T2），如果电阻值保持不变，就表明管子在触发之后能维持之后能维持导通状态。（3）把红表笔接T1极，黑表笔接T2极，然后使T2与G短路，给G极加上正触发信号，电阻值仍为十欧左右，与G极脱开后若阻值不变，则说明管子经触发后，在T2→T1方向上也能维持导通状态，因此具有双向触发性质。由此证明上述假定正确。否则是假定与实际不符，需从新作出假定，重复以上测量。显见，在识别G、T的过程中，也就检查了比向晶闸管的触发能力。实例：选择500型万用表档R×1档检测一只由日本三菱公司生产的BCR3AM型双向晶闸管。测量结果与上述规律完全相符，证明管子质量良好。注意事项：如果按哪种假定去测量，都不能使双向晶闸管触发导通，证明管子已损坏。为可靠起见，这里规定只用R×1档检测，而不用R×10档。这是因为R×10档的电流较小，采用上述方法检查1A的双向晶闸管还双较可靠，但在检查3A或3A以上的双向晶闸管时，管子很难导通状态，一旦脱开G极，即自行关断，电阻值又变成无穷大。双向晶闸管作电子开关使用，能控制交流负载（例如白炽灯）的通断，根据白炽灯的亮灭情况，可判断双向晶闸管的好坏。电路如图1所示。将220V交流电源的任意一端接T2，另一端经过220V、100W白炽灯接T1。触发电路由开关S和门极限流电阻R组成。S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。R的阻值取100～330Ω，R值取得过大，会减小导通角。下面个绍检查步骤：第一步，先将S断开，此时双向晶闸管关断，灯泡应熄灭。若灯泡正常发光，则说明双向晶闸管T1- T2极间短路，管子报废；如果灯泡轻微发光，表明T1-T2漏电流太大，管子的性能很差。出现上述两种情况，应停止试验。第二步：闭合S，因为门极上有触发信号，所以只需经过几微秒的时间，双向晶闸管即导通通，白炽灯上有交流电流通过而正常发光。具体工作过程分析如下：在交流电的正半周，设Ua＞Ub，则T2为正，T1为负，G相对于T2也为负，双向晶闸管按照T2-T1的方向导通。在交流电的负半周，设Ua＜Ub，则T2为负，T1为正，G相对于T2也为正，双向晶闸管沿着T1→T2的方向导通。综上所述，仅当S闭合时灯泡才能正常发光，说明双向晶闸管质量良好。如果闭合时灯泡仍不发光，证明门极已损坏。注意事项：（1）本方法只能检查耐压在400V以下的双向晶闸管。对于耐压值为100V、200V的双向晶闸管，需借助自耦调压器把220V交流电压降到器件耐压值以下。（2）T1和T2的位置不得接反，否则不能触发双向晶闸管。（3）具体到Ua、Ub中的哪一端接火线（相线），哪端接零线，可任选。（4）利用双向晶闸管作电子开关比机械开关更加优越。因为只需很低的控制功率，就能控制相当大的电流，它不存在触点抖动问题，动作速度极快，在关断时也不会出现电弧现象。实际应用时，图5.9.14中的开关S可用固态继电器、干簧继电器、光电继电器等代替。 它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏发特性,由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。下面介绍利用万用表R×1档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。1．判定T2极G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G-T1之间的正、反向电阻都很小。在用R×1档测任意两脚之间的电阻时，只有G- T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧。而T2-G、T2- T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其它两脚都不通，就肯定是T2极。另外，采用TO-220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通。据此亦可确定T2极。 2．区分G极和T1极（1）找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为T1极，另一脚为G极。（2）把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右,证明管子已经导通，导通方向为T1→T2。再将红表笔尖与G极脱开（但仍接T2），如果电阻值保持不变，就表明管子在触发之后能维持之后能维持导通状态。（3）把红表笔接T1极，黑表笔接T2极，然后使T2与G短路，给G极加上正触发信号，电阻值仍为十欧左右，与G极脱开后若阻值不变，则说明管子经触发后，在T2→T1方向上也能维持导通状态，因此具有双向触发性质。由此证明上述假定正确。否则是假定与实际不符，需从新作出假定，重复以上测量。显见，在识别G、T的过程中，也就检查了比向晶闸管的触发能力。实例：选择500型万用表档R×1档检测一只由日本三菱公司生产的BCR3AM型双向晶闸管。测量结果与上述规律完全相符，证明管子质量良好。注意事项：如果按哪种假定去测量，都不能使双向晶闸管触发导通，证明管子已损坏。为可靠起见，这里规定只用R×1档检测，而不用R×10档。这是因为R×10档的电流较小，采用上述方法检查1A的双向晶闸管还双较可靠，但在检查3A或3A以上的双向晶闸管时，管子很难导通状态，一旦脱开G极，即自行关断，电阻值又变成无穷大。双向晶闸管作电子开关使用，能控制交流负载（例如白炽灯）的通断，根据白炽灯的亮灭情况，可判断双向晶闸管的好坏。电路如图1所示。将220V交流电源的任意一端接T2，另一端经过220V、100W白炽灯接T1。触发电路由开关S和门极限流电阻R组成。S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。R的阻值取100～330Ω，R值取得过大，会减小导通角。下面个绍检查步骤：第一步，先将S断开，此时双向晶闸管关断，灯泡应熄灭。若灯泡正常发光，则说明双向晶闸管T1- T2极间短路，管子报废；如果灯泡轻微发光，表明T1-T2漏电流太大，管子的性能很差。出现上述两种情况，应停止试验。第二步：闭合S，因为门极上有触发信号，所以只需经过几微秒的时间，双向晶闸管即导通通，白炽灯上有交流电流通过而正常发光。具体工作过程分析如下：在交流电的正半周，设Ua＞Ub，则T2为正，T1为负，G相对于T2也为负，双向晶闸管按照T2-T1的方向导通。在交流电的负半周，设Ua＜Ub，则T2为负，T1为正，G相对于T2也为正，双向晶闸管沿着T1→T2的方向导通。综上所述，仅当S闭合时灯泡才能正常发光，说明双向晶闸管质量良好。如果闭合时灯泡仍不发光，证明门极已损坏。注意事项：（1）本方法只能检查耐压在400V以下的双向晶闸管。对于耐压值为100V、200V的双向晶闸管，需借助自耦调压器把220V交流电压降到器件耐压值以下。（2）T1和T2的位置不得接反，否则不能触发双向晶闸管。（3）具体到Ua、Ub中的哪一端接火线（相线），哪端接零线，可任选。（4）利用双向晶闸管作电子开关比机械开关更加优越。因为只需很低的控制功率，就能控制相当大的电流，它不存在触点抖动问题，动作速度极快，在关断时也不会出现电弧现象。实际应用时，图5.9.14中的开关S可用固态继电器、干簧继电器、光电继电器等代替。

人体是一特定波长红外线的发射体，由红外传感器检测到这种红外线的变化并予以放大选频处理后，可以推动适当的负载，此乃人体红外自动开关。这一检测技术较之超声、哑声、微波方式更为灵敏与准确。它要求PIR热释电人体红外传感器的信号放大处理电路有很高的灵敏度并要能准确鉴别生物体与非生物体的运动，使误动作率降到最低。且体积小，自耗电微少。采用热释电红外传感器及专用单片集成电路构成的这种开关能成为人到灯亮、人走灯灭。它安装方便，可直接替换86型面板式开关，无需改动市电线路。 PIR（HWTT)热释电红外传感器的输出信号幅度较小（小于1mV），频率低（约0.1～0.8Hz)，检测距离短，为此在PIR前加用一块半球面菲涅尔透镜，使范围扩展成90度圆锥型距离大于5米的检测面。集成电路内部含有二级运放、比较器、延时定时器、过零检测、控制电路、系统时钟等电路。PIR传感器检测到人体移动引起的红外热能之变化并将它转换为电压量，通过二级选频放大比较输入到控制电路中，由控制电路输出过零脉冲触发双向可控硅导通。采用交流过零触发能消除可控硅导通时浪涌电流，延长灯具的使用寿命。同时控制电路启动了延时定时器，直至PIR传感器在接收到信号后，触发可控硅的信号延时到设定的时间后关断可控硅，做到自动关闭。改变R5阻值或C4容量可控制延时定时器的时间。IC电路的9脚为光控输入端，由光敏电阻串联R8接地，白天亮阻小9脚为低电平，封锁控制电路输出，待天暗时亮阻增大9脚转为高电平，并解除控制电路，因此能自动做到天暗时自动开关进入工作。调整R8电阻可适应不同的感光度。要将其改为日夜均能工作时，只需将光敏电阻或R8拆下即可。探测灵敏度的调整也十分方便，增大R9电阻阻值提高放大器的增益，它能使检测距离加远，反之则可缩短检测距离，一般可在2～8米之间调整。该电路只要选择元件无误及接焊无错均可一次成功。 PIR（HWTT)热释电红外传感器的输出信号幅度较小（小于1mV），频率低（约0.1～0.8Hz)，检测距离短，为此在PIR前加用一块半球面菲涅尔透镜，使范围扩展成90度圆锥型距离大于5米的检测面。集成电路内部含有二级运放、比较器、延时定时器、过零检测、控制电路、系统时钟等电路。PIR传感器检测到人体移动引起的红外热能之变化并将它转换为电压量，通过二级选频放大比较输入到控制电路中，由控制电路输出过零脉冲触发双向可控硅导通。采用交流过零触发能消除可控硅导通时浪涌电流，延长灯具的使用寿命。同时控制电路启动了延时定时器，直至PIR传感器在接收到信号后，触发可控硅的信号延时到设定的时间后关断可控硅，做到自动关闭。改变R5阻值或C4容量可控制延时定时器的时间。IC电路的9脚为光控输入端，由光敏电阻串联R8接地，白天亮阻小9脚为低电平，封锁控制电路输出，待天暗时亮阻增大9脚转为高电平，并解除控制电路，因此能自动做到天暗时自动开关进入工作。调整R8电阻可适应不同的感光度。要将其改为日夜均能工作时，只需将光敏电阻或R8拆下即可。探测灵敏度的调整也十分方便，增大R9电阻阻值提高放大器的增益，它能使检测距离加远，反之则可缩短检测距离，一般可在2～8米之间调整。该电路只要选择元件无误及接焊无错均可一次成功。

嗯

可以，左右转的可控硅也能换电脑板上的可控硅是可以更换的，，换完之后要做防水处理不然会漏电的。按 可控硅型号换一个即可可控硅模块被击穿烧毁 —— 有过流装置不，快熔一般用于短路保护，并不等于能做过流保护。烧两个快熔说明负载或者可控硅模块存在短路问题(打火) 或者外部干扰时，而阻容保护的不合理，引起...我单位的二氧化碳气体保护焊机可控硅模块(PWB130A40)老烧坏怎么回事 —— 二保焊机明白么 主电路原理上分 变压器抽头的、晶闸管的、逆变的。可控硅整流模块炸坏了是什么原因引起导致谢谢了,大神帮忙啊 —— 一般是反相击穿，超压、超流户户通gprs模块坏了可以代换吗 —— 十多秒到数十秒不等。K宝损坏能修理吗? —— 不能修复，你可以在本地把外地办的消了，再从本地办一个北京斯达森软启动器硅击穿如何修复 —— 如果硅片被击穿，是不能修复的，需要更换。并且，每组里面只要其中一个被击穿，其它的可控硅可能也会瞬间被击穿!检测方法:拔下3个可控硅模块的触发线(要做好...套筒全自动洗衣机可控硅损坏,更换后洗涤正常,洗涤15分钟后再次损坏,而且坏的还是同一个可控硅怎么回事? 搜.. —— 用钳形表检测电机运转电流，看是否大于可控硅电流。如果小于可控硅额定电流，说明可控硅是个假货。如果大于可控硅额定电流，那么换大电流的可控硅。关于可控硅整流模块的问题 —— 你如果只是拿来当继电器用就简单了，最简单的就是用小继电器或者小开关直接控制模块上两个G，当两个G接通模块就导通，断开就关闭。只能用MTX或MTC的，只有这...三相100KW可控硅模块频繁击穿,感性负载,功率匹配没有问题,怀疑电源原因,用什么设备保护解决. —— 原因很简单1，主电路高电压原因。 方法.在每个可控硅阴阳极并阻容保护。 2.反向电动势 在主回路上串连电抗器和安装续流二极管和电阻 3触发电路缺陷 没有看...猜你感兴趣： 可控硅 可控硅 可控硅怎么测量好坏 可控硅调压控制器 可控硅图片及型号图片 可控硅的作用 可控硅工作原理及作用 可控硅模块 可控硅220v电子调压器 可控硅电源 可控硅整流器

直流接触器比交流的更适合用于频繁启动场合。

原理：当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及双向触发二假管VD1向双向可控硅VS的控制极放电.触发可控硅VS 导通。改变电位器RP的阻值便可改变向C充电的速度.也就改变了 双向可控硅的导通角。由于双向触发二极管在正、反电压下均能工作，所以整个电路可以工作于交流电的正 、负两个半周。触发二极管用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

第一脚和第三脚通了是不是就坏了

它是由触发延时电路和双向可控硅组成，开关的工作电压由负载的回路提供，如果负载是节能灯（关闭时无回路），开关就无法正常工作了。

高温!!!!!

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

看看书吧,很简单的~~`在这里面也说不清~~

光电耦合器原理及应用 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。光电耦合器的种类较多，常见有光电二极管型、光电三极管型、光敏电阻型、光控晶闸管型、光电达林顿型、集成电路型等。如下图1（外形有金属圆壳封装，塑封双列直插等）。 工作原理 在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。 基本工作特性（以光敏三极管为例） 1、共模抑制比很高 在光电耦合器内部，由于发光管和受光器之间的耦合电容很小（2pF以内）所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小，因而共模抑制比很高。 2、输出特性 光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。当IF>0时，在一定的IF作用下，所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。其测试连线如图2，图中D、C、E三根线分别对应B、C、E极，接在仪器插座上。 3、光电耦合器可作为线性耦合器使用。 在发光二极管上提供一个偏置电流，再把信号电压通过电阻耦合到发光二极管上，这样光电晶体管接收到的是在偏置电流上增、减变化的光信号，其输出电流将随输入的信号电压作线性变化。光电耦合器也可工作于开关状态，传输脉冲信号。在传输脉冲信号时，输入信号和输出信号之间存在一定的延迟时间，不同结构的光电耦合器输入、输出延迟时间相差很大。 光电耦合器的测试 1、用万用表判断好坏，如图3，断开输入端电源，用R×1k档测1、2脚电阻，正向电阻为几百欧，反向电阻几十千欧，3、4脚间电阻应为无限大。1、2脚与3、4脚间任意一组，阻值为无限大，输入端接通电源后，3、4脚的电阻很小。调节RP，3、4间脚电阻发生变化，说明该器件是好的。注：不能用R×10k档，否则导致发射管击穿。 2、简易测试电路，如图（4），当接通电源后，LED不发光，按下SB，LED会发光，调节RP、LED的发光强度会发生变化，说明被测光电耦合器是好的。 光电耦合器具体应用 1.组成开关电路 图1电路中，当输入信号ui为低电平时，晶体管V1处于截止状态，光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零，输出端Q11、Q12间的电阻很大，相当于开关“断开”；当ui为高电平时，v1导通，B1中发光二极管发光，Q11、Q12间的电阻变小，相当于开关“接通”．该电路因Ui为低电平时，开关不通，故为高电平导通状态．同理，图2电路中，因无信号(Ui为低电平)时，开关导通，故为低电平导通状态． 2．组成逻辑电路 图3电路为“与门”逻辑电路。其逻辑表达式为P=A．B.图中两只光敏管串联，只有当输入逻辑电平A=1、B=1时，输出P=1．同理，还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路． 3．组成隔离耦合电路 电路如图4所示．这是一个典型的交流耦合放大电路．适当选取发光回路限流电阻Rl，使B4的电流传输比为一常数，即可保证该电路的线性放大作用。 4．组成高压稳压电路 电略如图5所示．驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。当输出电压增大时，V55 的偏压增加，B5中发光二极管的正向电流增大，使光敏管极间电压减小，调整管be结偏压降低而内阻增大，使输出电压降低，而保持输出电压的稳定． 5.组成门厅照明灯自动控制电路 电路如图6所示。A是四组模拟电子开关（S1~S4）：S1，S2，S3并联（可增加驱动功率及抗干扰能力）用于延时电路，当其接通电源后经R4，B6驱动双向可控硅VT，VT直接控制门厅照明灯H；S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。当门关闭时，安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用，其触点断开，S1，S2，S3处于数据开状态。晚间主人回家打开门，磁铁远离KD，KD触点闭合。此时9V电源整流后经R1向C1充电，C1两端电压很快上升到9V，整流电压经S1，S2，S3和R4使B6内发光管发光从而触发双向可控硅导通，VT亦导通，H点亮，实现自动照明控制作用。房门关闭后，磁铁控制KD，触点断开，9V电源停止对C1充电，电路进入延时状态。C1开始对R3放电，经一段时间延迟后，C1两端电压逐渐下降到S1，S2，S3的开启电压（1.5v)以下，S1，S2，S3恢复断开状态，导致B6截止，VT亦截止，H熄来，实现延时关灯功能

吊扇调速器a和L，哪个是进线？现在吊扇调速器一般都是用的无极调速器，随便哪根线都一样接的，现在的调速开关一般都不分火线和零线的随便可以接。