常见的货币简称?

veb是信息安全保护是对保险信息保护的一种方式保护方式有以下几种防火墙：防火墙主要是借助硬件和软件的作用，在内部和外部网络的环境间产生一种保护的屏障，从而实现对计算机不安全网络因素的阻断，保护用户资料与信息安全性的一种技术。软件加密：软件加密就是用户在发送信息前，先调用信息安全模块对信息进行加密，然后发送，到达接收方后，由用户使用相应的解密软件进行解密并还原。目前已经存在标准的安全API产品(ApplicationProgrammingInterface，应用程序编程接口)、方便实现、兼容性好。硬件加密：硬件加密是通过专用加密芯片或独立的处理芯片等实现密码运算。将加密芯片、专有电子钥匙、硬盘一一对应到一起时，加密芯片把加密芯片信息、专有钥匙信息、硬盘信息进行对应并做加密运算，保障信息安全。微铂（VEB）的加密技术便是这三种主流信息安全保护方式中的一种——硬件加密。依托密码技术，将“理论研究”与“实际应用”结合，在支持国密及国际通用密码算法的同时，自研高强度密码算法，为信息安全保护产品赋能。

VEB 旨在为政军商高端人士打造世界上最安全的智能手机：1）采用专利的软硬件的双重加密来防止通话，短信和个人信息被盗窃。（全球唯一一家采用软硬件双重加密）2）手机结构采用奢华稀有金属、高强化玻璃、凯夫拉军用防弹材料，有高度的防水（可全面水洗），防尘，防摔功能。3）全球最低的手机辐射。iPhone的辐射值为1.11KW/Kg, VEB 的辐射值为0.066 KW/Kg.4）全面的会员制度服务，VEB专属微铂会，为VEB 用户提供贴心服务。公司名称：深圳市中易通网络技术有限公司 经营范围：电子产品外文名称： Shenzhen zhongyitong Network Technology CO.,Ltd　 注册资本：2千万总部地点：中国深圳

发动机制动作为一种刹车辅助系统，操作使用方式跟一般排气制动相似，但它并不是单纯的排气制动阀，VEB发动机制动，可以看成是一种高度集成在发动机气门部件中的缓速器。

你的问题太大概了，不过我知道有一个国产手叫veb，定位为奢侈品手机，售价偏高，不过这款手机拥有独家研发得硬件芯片，而且材质都是很高端的，有两年得售后联保，这三个字母还是尊贵安享卓越得开头字母，也是这款手机得品牌定位。

VEB安全智能手机采用钻石、白金、蓝宝石、18K金、钛合金等名贵材质，纯手工打造，缔造精致细节、尊贵品质，内部采用独特的镁金属防护结构确保内核安全，阻隔灰尘进入，可在一米深的水里浸泡30分钟，同时配备特制加强抗冲击康宁玻璃触摸屏，后盖采用最新防弹利器凯夫拉材质，面对1.5米的高空摔落毫无压力，为用户提供全方位的安全体验，保障用户的信息安全、通话安全、健康安全。 低辐射：经权威媒体报道，手机辐射致死率大于香烟。摩尔实验室测试V2手机辐射值为0.066W/kg，国际标准为2.0W/kg。为国际标准的3.3%，更能充分保证使用者的健康。可水洗：全面消毒，防细菌滋生。 防 水：防水等级IP67（一米水深浸泡30分钟），防水性能世界领先；防 摔：特制加强抗冲击康宁大猩猩2代玻璃触摸屏+镁制防滚架结构设计+钛合金立体前框+凯夫拉防弹材料后壳，确保内核安全。最大防摔高度1.5米；防 爆：2100毫安大容量高能聚合物电池，“胶态”锂离子的低活跃性，大大延长电池寿命，防止电池爆炸；防 尘：6级完全防尘，全面杜绝灰尘进入手机内部，阻止具有腐蚀性物质侵蚀手机内部元器件而造成手机故障。图片展示

信息安全V2底层硬件与软件双重加密，独创VEB密室，防个人信息泄露，防窃听，防盗追踪，安全升级程度堪称全球唯一，阻止一切黑客软件窃取手机的数据信息。健康安全低辐射：经权威媒体报道，手机辐射致死率大于香烟。摩尔实验室测试V2手机辐射值为0.066W/kg，国际标准为2.0W/kg。为国际标准的3.3%，更能充分保证使用者的健康。可水洗：全面消毒，防细菌滋生。结构安全防 水：防水等级IP67（一米水深浸泡30分钟），防水性能世界领先；防 摔：特制加强抗冲击康宁大猩猩2代玻璃触摸屏+镁制防滚架结构设计+钛合金立体前框+凯夫拉防弹材料后壳，确保内核安全。最大防摔高度1.5米；防 爆：2100毫安大容量高能聚合物电池，“胶态”锂离子的低活跃性，大大延长电池寿命，防止电池爆炸；防 尘：6级完全防尘，全面杜绝灰尘进入手机内部，阻止具有腐蚀性物质侵蚀手机内部元器件而造成手机故障。拥有强大的技术团队，数十载的行业研发经验，致力于手机信息安全领域的研发，获得全球唯一的底层硬件加密技术专利，同时荣获了29项软件著作权认证证书，18个专利证书，并通过ISO9000质量管理体系认证。公司依照 ISO9000：2008建立了质量管理体系，在实践中不断发展、完善手机信息安全领域产品系列，向用户提供安全优质的产品和服务。

首先打开我的电脑，点击上面的“工具---文件夹选项---查看”把下面“高级设置”框里面的“隐藏已知文件类型的扩展名”前面的勾去掉，然后应用，确定，这时你在看你桌面的"新建文本文档"会变成“新建文本文档.txt” 这时，你把后面的txt换成你想要的后缀名就行了

1、文件所在的文件夹中，直接改后缀名。2、另存为该文件时，自己加后缀.veb注：小心点，这样做可能是恶搞。也有可能是黑客通过这个来获取你的隐私信息。

准确说：三极管Vbe 不是发射结，Vcb也不是集电结。应该是：Vbe是发射结电压，Vcb是集电结电压。通常叫正向电压，而Veb和Vbc称反向电压。而BE结才叫发射结，BC结叫集电结。这是两个PN结。与Vbe ，Vcb并不是一回事。

是不是vbe?一个脚本程序. 如果有关机倒计时的话你可以迅速打开运行 输入 shutdown -a就好了.

你好，手机关机，同时按开机键+音量上键（有的手机为音量下键）直到手机开机，将会出现以下部分选项： reboot system now: 重启系统 wipe data/factory reset: 清空数据/设定工厂模式 其中音量键为光标选择键，可以用来移动光标，电源键则是确认键。 选择wipe data/factory reset，确定，然后选择yes确定。电话号码、短信、非自带应用、都会清理掉。然后返回到上一级，选择reboot system now确定，等待数分钟直到手机正常开机。

1美元=2.6玻利瓦尔大约253人民币

三种,饱和、截止和放大 拿NPN型三极管说： 放大：给基极加一定范围的波动电压（正极）,发射极有较大的波动输出（波形与加在基极的相似,只是波动范围较大）. 饱和：给基极加一定范围的波动电压（正极）,当超出该范围时,发射极输出电压 = 输入电压,此时不管给基极加的电压怎么波动,发射极电压不变. 截止：不给基极加电,发射极输出 = 0V. PNP与NPN的情况基本一样,只是给基极的电压为负时才会出现以上二种情况（放大、饱和）. 这是比较通俗易懂的说法,理解之后请看： 一、截止状态：Veb>0,Vcb>0;发射极和集电极反偏 二、放大状态:Veb0;发射极正偏,集电极反偏 三、饱和状态:Veb

手机收不到短信验证码，可能是以下原因导致：1.获取次数超限解决方法：每天只能获取三次验证码，如果今日已超过次数请明天再尝试。2.手机安全软件拦截（针对已安装安全软件的智能手机用户）解决方法：打开手机安全软件，暂时关闭拦截功能，然后再次尝试获取验证码。3.短信网关拥堵或出现异常解决方法：短信网关拥堵或出现异常时会导致已发送的短信出现延时或丢失的情况，建议过段时间再尝试获取。4.手机在境外使用或使用境外手机解决方法：受手机服务运营商业务影响，手机在境外使用或使用境外手机都无法接收验证码，建议更换手机尝试。5.周围的人可以正常使用，但自己始终收不到解决方法：可能是手机本身的原因，建议将手机卡换到别人的手机上再次进行尝试。

设hfe=40，veb=0.7v.1.求ce的电流和电压是多少,如果射极没有电阻re，则基极电流：ib=（vcc-veb）/rb=(12-0.7)/120k=0.09417(ma），那么，ce的电流:ice=hfe*ib=40*0.09417=3.77(ma），ce的电压:vce=vcc-ice*rc=（12-3.77*2k）=4.47(v）。2.80k电阻在基极b分压,且设射极电阻re为3k,则基极电压:vb=vcc*[rb"/(rb+rb")]=12v*[80k/(120k+80k)]=4.8(v）,射极电压:ve=vb-veb=4.8-0.7=4.1(v）,射极电流：ie=ve/re=4.1/3k=1.37(ma），那么，ce的电流:ice=ie-ib=ie-（ie/hfe）=1.37-（1.37/40）=1.34(ma），ce的电压:vce=vcc-vc-ve=vcc-ice*rc-ve=12-1.34*2k-4.1=5.23(v）。

你好；主菜单“工具”—Internet选项—安全—自定义级别， 将“安全设置”中“对没有标记为安全的ActiveX”控件进行初始化和脚本运行由“禁用”改为“启用”。你可以使用QQ浏览器，它的架构新，稳定性能极强，速度很快，可以瞬间加载精彩内容。它可以屏蔽有害网站垃圾短信，让您上网更安全。它的无痕浏览。可以让您的访问记录不进入访问历史，更好的保护你的个人隐私。谢谢望采纳。

问你大师兄悟空去

Vcb是指C极和B极的反向耐压，这个和三极管型号有关Vbc这个是B极和C极的正向压降，0.5~0.7V这个参数很少用到Vbe就是经常使用的放大偏置压降。0.5~0.7VVce是指整个三极管的耐压。C极和E极之间的耐压

E发射极B基极C集电极

排气制动大小

以下是我的收藏：奉献给你吧！三极管的参数解释△ λ---光谱半宽度△VF---正向压降差△Vz---稳压范围电压增量av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）Cn---中和电容（外电路参数）Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容（外电路参数）Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP---集电极最大允许脉冲电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。ICM---最大输出平均电流Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IDR---晶闸管断态平均重复电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流IEM---发射极峰值电流IE---发射极直流电流或交流电流的平均值IF（AV）---正向平均电流IF(ov)---正向过载电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IFMP---正向脉冲电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流iF---正向总瞬时电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IGT---晶闸管控制极触发电流IH---恒定电流、维持电流。Ii--- 发光二极管起辉电流IL---光电流或稳流二极管极限电流IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流Iop---工作电流Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IP---峰点电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流Irp---反向恢复电流IRRM---反向重复峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）ir---反向恢复电流iR---反向总瞬时电流ISB---二次击穿电流Is---稳流二极管稳定电流IV---谷点电流Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM---稳压二极管浪涌电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流n---电容变化指数；电容比PB---承受脉冲烧毁功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pc---集电极耗散功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pd---耗散功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率PGM---门极峰值功率PG---门极平均功率Pi---输入功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率Pn---噪声功率Pomax---最大输出功率Posc---振荡功率Po---输出功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率Ptot---总耗散功率Ptot---总耗散功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率Q---优值（品质因素）r δ---衰减电阻R(th)ja----结到环境的热阻R(th)jc---结到壳的热阻r(th)---瞬态电阻rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）RBB---双基极晶体管的基极间电阻RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RB---外接基极电阻（外电路参数）Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）RE---射频电阻RE---外接发射极电阻（外电路参数）RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RG---信号源内阻rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻RL---负载电阻RL---负载电阻（外电路参数）roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻Rs(rs)----串联电阻Rth---热阻Rth----热阻Rz(ru)---动态电阻Ta---环境温度Ta---环境温度Tc---管壳温度Tc---壳温td---延迟时间td----延迟时间tfr---正向恢复时间tf---下降时间tf---下降时间tgt---门极控制极开通时间tg---电路换向关断时间Tjm---最大允许结温Tjm---最高结温Tj---结温toff---关断时间toff---关断时间ton---开通时间ton---开通时间trr---反向恢复时间tr---上升时间tr---上升时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度Tstg---贮存温度ts---存储时间ts---存贮时间Ts---结温V n---噪声电压V v---谷点电压V（BR）---击穿电压VAGC---正向自动增益控制电压VB2B1---基极间电压VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VBE10---发射极与第一基极反向电压VBE---基极发射极（直流）电压VB---反向峰值击穿电压VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCB---集电极-基极（直流）电压Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压VCE---集电极-发射极（直流）电压Vc---整流输入电压VDRM---断态重复峰值电压VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB---饱和压降VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）VF（AV）---正向平均电压VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VGT---门极触发电压Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值Vn---中心电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vo---交流输入电压Vp---穿通电压。Vp---峰点电压VRM---反向峰值电压（最高测试电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VSB---二次击穿电压Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压Vth---阀电压（门限电压）Vz---稳定电压δvz---稳压管电压漂移η---单结晶体管分压比或效率λp---发光峰值波长

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1．半导体三极管的结构（1）半导体三极管从结构上可分为NPN型和PNP型两大类，它们均由三个掺杂区和两个背靠背的PN结构成，但两类三极管的电压极性和电流方向相反。（2）三个电极：基极 b、集电极 c、和发射极 e。从后面工作原理的介绍中可以看到，发射极和集电极的命名是因为它们要分别发射与接收载流子。（3）内部结构特点：发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度；基区很薄，且掺杂浓度最低。（4）三个区作用：发射区发射载流子、基区传输和控制载流子、集电区收集载流子。2．电流的分配和控制作用（1）条件 内部条件：三极管的结构。外部条件：发射结正偏、集电结反偏。 对NPN型：Ｖc> ＶB> ＶE Si管：ＶBE=0.7V Ge管：ＶBE=0.2V 对PNP型：Ｖc< ＶB< ＶE Si管：ＶBE=-0.7V Ge管：ＶBE=-0.2V（2）内部载流子的传输过程（参阅难点重点）（3）电流分配关系　　在众多的载流子流中间，仅有发射区的多子通过发射结注入、基区扩散和复合以及集电区收集三个环节，转化为正向受控作用的载流子流Ic，其它载流子流只能分别产生两个结的电流，属于寄生电流。　　为了表示发射极电流转化为受控集电极电流Ic的能力，引入参数α，称为共基极电流传输系数。其定义为α=Ｉc／ＩE　　　　令β＝α／（１－α），称为共射极电流传输系数。3．各极电流之间的关系 ＩE＝Ｉc＋ＩB （1）共基接法 (ＩE对Ｉc 的 控制作用) Ｉc＝αＩE +ＩCBO ＩB＝（1-α）ＩE -ＩCBO （2）共射接法 (ＩB对Ｉc 的 控制作用) Ｉc＝βＩB +ＩCEO ＩE＝（1+α）ＩB +ＩCEO ＩCEO＝（1+β）ＩCBO 4．共射极电路的特性曲线(以NPN型管为例)（1）输入特性曲线 ＩB=f(ＶBE，ＶCE )　　输入特性曲线是指当ＶCE为某一常数时，ＩB和BE之间的关系。　　特点：ＶCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着ＶCE增大，输入特性曲线右移；继续增大ＶCE，输入特性曲线右移很少。　　在工程上，常用ＶCE=1时的输入特性曲线近似代替ＶCE>1V时的输入特性曲线簇。（2）输出特性曲线　　输出特性曲线是指当ＩB为某一常数时，ＩC和ＶCE之间的关系，可分为三个区： 截止区：发射结反偏，集电结反偏，发射区不能发射载流子，ＩB≈0，ＩC≈0。　　放大区：发射结正偏，集电结反偏。其特点是：ＶBE≈0.7V(或0.2V)，ＩB>0，ＩC与ＩB成线性关系,几乎与 ＶCE无关。　　饱和区：发射结正偏，集电结正偏，随着集电结反偏电压的逐渐减小（并转化为正向偏压），集电结的空间电荷 区变窄，内电场减弱，集电结收集载流子的能量降低，ＩC不再随着ＩB作线性变化，出现发射极发射有 余，而集电极收集不足现象。其特点是：ＶCE很小，在估算小功率管时，对硅管可取0.3V（锗0.1V）。 对PNP型管，由于电压和电流极性相反，所以特性在第三象限。4．主要参数　电流放大倍数，集电极最大允许电流ＩCM，集电极耗散功率PCM，反向击穿电压Ｖ（BR）CEO等3.2共射极放电电路1．放大的原理和本质（以共发射极放大电路为例）　　交流电压ｖi通过电容Ｃ1加到三极管的基极，从而使基极和发射极两端的电压发生了变化：由ＶBE→ＶBE ＋ｖi，　　由于PN结的正向特性很陡，因此ｖBE的微小变化就能引起ｉE发生很大的变化：由ＩE→ＩE+ △ＩE，　　由于三级管内电流分配是一定的，因此ｉB和ｉC作相同的变化，其中ＩC→ＩC +△ＩC。　　ｉC流过电阻Ｒc，则Ｒc上的电压也就发生变化：由ＶRc→ＶRc +△ＶRc。　　由于ｖCE=ＶCC-ｖRc，因此当电阻Ｒc上的电压随输入信号变化时，ｖCE也就随之变化，由ＶCE→ＶCE+△ＶCE，ｖCE中的变化部分经电容Ｃ2传送到输出端成为输出电压ｖo。如果电路参数选择合适，我们就能得到比△ｖi大得多的△ｖo。　　所以，放大作用实质上是放大器件的控制作用，是一种小变化控制大变化。2．放大电路的特点　交直流共存和非线性失真3．放大电路的组成原则 正确的外加电压极性、合适的直流基础、通畅的交流信号传输路径4．放大电路的两种工作状态 （1）静态：输入为0，ＩB、ＩC、ＶCE都是直流量。 （2）动态：输入不为0，电路中电流和电压都是直流分量和交流分量的叠加。保证在直流基础上实现不失真放 大。5．放大电路的分析步骤 （1）先进行静态分析：用放大电路的直流通路。 直流通路：直流信号的通路。放大电路中各电容开路即可得到。 （2）在静态分析的基础上进行动态分析：用放大电路的交流通路。 交流通路：交流信号的通路。放大电路中各电容短接，直流电源交流短接即可得到 3.3图解分析法1．静态分析 （1）先分析输入回路　　首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。在线性部分，其端特性方程为ＶBE＝ＶCC－ＩB*ＲB将相应的负载线画在三极管的输入特性曲线上，其交点便是所求的（ＩBQ，ＶBQ）。（2）再分析输出回路　　用同样的方法，可得到输出回路的负载线方程（直流负载方程）为ＶCE＝ＶCC－ＩC*ＲC将相应的负载线（直流负载线，斜率为1/Rc）画在三极管的输出特性曲线上，找到与ＩB=ＩBQ相对应的输出特性曲线，其交点便是所求的（ＩCQ，ＶCEQ）。2．动态分析（参阅难点重点）　　交流负载线：是放大电路有信号时工作点的轨迹，反映交、直共存情况。其特点为过静态工作点Q、斜率为 1/（Rc//RL）。3．放大电路的非线性失真及最大不失真输出电压（1）饱和失真：静态工作点偏高，管子工作进入饱和区（NPN管，输出波形削底；PNP管，输出波形削顶）　　（2）截止失真：静态工作点偏低，管子工作进入截止区（NPN管，输出波形削顶；PNP管，输出波形削底）　　观看动画 （3）最大不失真输出电压Vom　　如图 Vom1=VCE-VCES 且因为ICEO趋于0 ， Vom2=ＩCQ*（ＲC//ＲL）　　所以Vom为Vom1及Vom2中较小者，以保证输出波形不失真。 4．图解分析法的特点　　图解分析法的最大特点是可以直观、全面地了解放大电路的工作情况，并能帮助我们理解电路参数对工作点的影响，并能大致估算动态工作范围，另外还可帮助我们建立一些基本概念，如交直流共存、非线性失真等。　　图解分析法实例（工作点移动对输出波形的影响） 3.4小信号模型分析法指导思想：在一定条件下，把半导体三极管所构成的非线性电路转化为线性电路。1．半导体三极管的小信号模型（1）三极管小信号模型的引出，是把三级管作为一个线性有源双口网络，列出输入和输出回路电压和电流的关系，然后利用取全微分或泰勒展开的方法得到Ｈ参数小信号模型。（2）关于小信号模型的讨论：　①小信号模型中的各参数，如ｒbe、β均为微变量，其值与静态工作点的位置有关，并非常数。　②受控电流源的大中、流向取决于ｉb　③小信号模型适用的对象是变化量，因此电路符号不允许出现反映直流量或瞬时总量的大下标符号。2．用H参数小信号模型分析共射基本放大电路（1）画出小信号等效电路 方法：先画出放大电路的交流通路（电容及电源交流短接），然后将三极管用小信号模型代替。（2）求电压放大倍数（3）求输入电阻（4）求输出电阻　　以下给出了一共射基本放大电路的分析过程，观看动画。3.5放大电路的工作点稳定问题偏置电路：一是提供放大电路所需的合适的静态工作点；二是在环境温度、电源电压等外界因素变化时，保持静态工作点的稳定。1．温度对放大电路静态工作点的影响Ｔ↑→VBE↓、β↑、ＩCBO↑→ＩC↑　　静态工作点变化，可能导致放大电路输出波形失真。2．稳定静态工作点方法：在放大电路中引电流负反馈（常用射极偏置电路）、采用补偿法。3．射极偏置电路　　稳定静态工作点的过程：（1）利用Ｒb1和Ｒb2组成的分压器以固定基极电位；（2）利用Ｒe产生的压降反馈到输入回路，改变ＶBE，从而改变ＩC。 3.6共射极电路、共集电极电路和共基极电路特点1．共射极电路 共射极电路又称反相放大电路，其特点为电压增益大，输出电压与输入电压反相，低频性能差，适用于低频、和多级放大电路的中间级。2．共集电极电路　　共集电极电路又称射极输出器、电压跟随器，其特点是：电压增益小于1而又近似等于1，输出电压与输入电压同相，输入电阻高，输出电阻低，常用于多级放大电路的输入级、输出级或缓冲级。3．共基极电路　　电路特点：输出电压与输入电压同相，输入电阻底，输出电阻高，常用于高频或宽频带电路。3.7放大电路的频率响应1．频率响应的基本概念（1）频率响应：放大电路对不同频率的稳态响应。（2）频率失真：包括幅度失真和相位失真，均属于线性失真。2．RC低通电路的频率响应（1）幅频响应：（2）相频响应：　　　　　　　　ψ=-argtg(ｆ／ｆH) 3．RC高通电路的频率响应　　RC高通电路与RC低通电路成对偶关系。4．波特图　　为了能同时观察到低频和高频段幅频变化特性，在绘制幅频特性曲线时，通常横坐标和纵坐标均采用对数坐标形式，称之为波特图。5．放大电路存在频率响应的原因　　放大电路存在容抗元件（例如外接的耦合电容、旁路电容和三极管的极间电容），使的放大电路对不同频率的输出不同。通常外接电容可以等效为RC高通电路，因而影响下限频率，而三极管的极间电容可以等效为RC低通电路，因而影响上限频率。 例1．半导体三极管为什么可以作为放大器件来使用，放大的原理是什么？试画出固定偏流式共发射极放大电路的电路图，并分析放大过程。答：放大的原理是利用小信号对大信号的控制作用，利用ｖBE的微小变化可以导致ｉC的大变化。固定偏流式共发射极放大电路的放大过程，参阅“内容提要——第2页”。例2．电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。 解：（1）当开关Ｋ置A，在输入回路ＩB．Ｒb+ＶBE=Vcc，可得ＩB=Vcc/Ｒb=0.3mA　　假设工作在放大区，则ＩC=β．ＩB=24mA，ＶCE=Vcc-ＩC．Ｒe< 0.7V，故假设不成立，三级管工作在放大区。此时，ＶCE=ＶCES=0.3V，ＩC=Vcc/Ｒe=3mA（2）当开关Ｋ置B，同样的方法可判断三级管工作在放大区，ＩC=β．ＩB=1.92mA（3）当开关Ｋ置C，三级管工作在截止状态，ＩC=0例3.某固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线如图所示，试求：（1）电源电压ＶCC、静态电流ＩB、ＩC和ＶCE。（2）电阻Rb、Rc的值。（3）输出电压的最大不失真幅度。（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅度是多少？解： （1）直流负载线与横坐标的交点即ＶCC值,ＩB=20uA,Ｉc=1mA ＶCE=3V（2）因为是固定偏听偏流放大电路,电路如图所示Ｒb=ＶCC/ＩB=300KΩ Ｒc=(ＶCC-ＶCE)/ＩC=3KΩ（3）由交流负载线和输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压ｖCE从3V到0.8V,变化范围为2.2V，在输入信号的负半周,输出电压ｖCE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。综合考虑，输出电压的最大不失真幅度为1.6V。（4）同样的方法可判断输出基极电流的最大幅值是20μA. 例4.电路如图所示，已知三极管的β=100，VBE=-0.7V（1）试计算该电路的Q点；（2）画出简化的H参数小信号等效电路；（3）求该电路的电压增益AV，输入电阻Ri,输出电阻Ro。（4）若VO中的交流成分出现如图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？解：(1)ＩB=ＶCC/Ｒb=40μAＶCE=-(ＶCC-ＩC.ＲC)=-4V(2)步骤：先分别从三极管的三个极（b、e、c）出发，根据电容和电源交流短接，画出放大电路的交流通路；再将三极管用小信号模型替代；并将电路中电量用瞬时值或相量符号表示，即得到放大电路的小信号等效电路。注意受控电流源的方向。（图略）(3)ｒbe=200+(1+β)26mA/ＩEQ =857ΩＡV=-β(ＲC//ＲL)/ｒbe=-155.6(4)因为ｖEB=-ｖi+ＶCb1=-ｖi+ＶEB从输出波形可以看出，输出波形对应ｖs正半周出现失真，也即对应ｖEB减小部分出现失真，即为截止失真。减小Ｒb，提高静态工作点，可消除此失真。说明：分析这类问题时，要抓住两点：（1）发生饱和失真或截止失真与发射结的电压有关（对于NPN型管子，为ｖBE；对于PNP型管子为ｖEB），发射结电压过大（正半周），发生饱和失真；过小（负半周），发生截止失真。（2）利用放大电路交、直流共存的特点，找出发射结电压与输入信号之间的关系。这里，要利用耦合电容两端的电压不变（因为为大电容，在输入信号变化的范围内，其两端的电压认为近似不变），如上题式子中的ＶCb1=ＶEB。 例5.电路如图所示为一两级直接耦合放大电路，已知两三极管的电流放大倍数均为β，输入电阻为ｒbe，电路参数如图，计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。解：本放大电路为一两级直接耦合放大电路，两极都是共集电极组态。计算其性能指标时，应注意级间的相互影响。（1）求电压放大倍数 ＡV=ＶO/Ｖi画出放大电路的小信号等效电路。ＡV1=ＶO1/Ｖi=（1+β）（Re1//RL1）/[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）]ＡV2=ＶO/ＶO1=（1+β）（Re2//RL）/[ｒbe+（1+β）（Re2//RL）]ＡV=ＶO/Ｖi=ＡV1*ＡV2其中：RL1为第一级放大电路的负载电阻，RL1=ｒbe+（1+β）（Re2//RL）（2）输入电阻RiRi=Ｖi/Ii=Rb1//[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）（3）输出电阻RoRo=Re2//[（ｒbe+Ro1）/（1+β）]其中：Ro1为第一级放大电路的输出电阻，Ro1=Re1//[（ｒbe+（Rb1//Rs））/（1+β）]难点重点1．半导体三极管内部载流子的传输过程（1）发射区向基区注入电子　　由于发射结外加正向电压，发射结的内电场被削弱，有利于该结两边半导体中多子的扩散。流过发射极的电流由两部分组成：一是发射区中的多子自由电子通过发射结注入到基区，成为集区中的非平衡少子而形成的电子电流ＩEN，二是基区中的多子空穴通过发射结注入到发射区，成为发射区的非平衡少子而形成的空穴电流ＩEP。由于基区中空穴的浓度远低于发射区中电子的浓度，因此，与电子电流相比，空穴的电流是很小的，即　　　　　　　　ＩE=ＩEN+ＩEP（而ＩEN>>ＩEP）（2）非平衡载流子在基区内的扩散与复合　　由发射区注入基区的电子，使基区内少子的浓度发生了变化，即靠近发射结的区域内少子浓度最高，以后逐渐降低，因而形成了一定的浓度梯度。于是，由发射区来的电子将在基区内源源不断地向集电结扩散。另一方面，由于基区很薄，且掺杂浓度很低，因而在扩散过程中，只有很少的一部分会与基区中的多子（空穴）相复合，大部分将到达集电结。（3）集电区收集载流子　　由于集电结外加反向电压，集电结的内电场被加强，有利于该结两边少子的漂移。流过集电极的电流ＩC，除了包括由基区中的热平衡少子电子通过集电结形成的电子电流ＩCN2和集电区中的热平衡少子空穴通过集电结形成的空穴电流ＩCP所组成的反向饱和电流ＩCBO以外，还包括由发射区注入到基区的非平衡少子自由电子在基区通过边扩散、边复合到达集电结边界，而后由集电结耗尽层内的电场将它们漂移到集电区所形成的正向电子传输电流ＩCN1，因此　　　　ＩC=ＩCN1+ＩCN2+ＩCP=ＩCN1+ＩCBO式中ＩCBO＝ＩCN2+ＩCP　　基极电流由以下几部分组成：通过发射结的空穴电流ＩEP，通过集电结的反向饱和电流ＩCBO以及ＩEN转化为ＩCN1过程中在基区的复合电流（ＩEN-ＩCN1），即　　　　ＩB=ＩEP+（ＩEN-ＩCN1）-ＩCBO

判断一个电路是否具有放大功能，只要看输出比上输入是否大于1就行了。有电流、电压、功率放大电路

实际应用中，VBE都是很小的电压就可以工作了，除非故障否则BE不会出现较大电压

委内瑞拉

很多人太久没让他根据那个人帖帖

缺少晶体管直流放大倍数（倍它）

1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿. (5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc<PCM. PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.

whether we bring our enemies to justice or bring justice to our enemies justice will be done. 我们是否把我们的敌人绳之以法,或我们的敌人司法带来正义将得到伸张. 希望我的答案对你有所帮助!

可以用IE浏览器打开软件的话就算了打开只能看到代码我看不懂估计你也看不懂呵呵

调整双车轮仰角射束的

E发射极B基极C集电极

三种，饱和、截止和放大拿NPN型三极管说：放大：给基极加一定范围的波动电压（正极），发射极(电流）有较大的波动输出（波形与加在基极的相似，只是波动范围较大）。饱和：给基极加一定范围的波动电压（正极），当超出该范围时，发射极输出电压 = 输入电压，此时不管给基极加的电压怎么波动，发射极电压不变。截止：不给基极加电，发射极输出 = 0V。PNP与NPN的情况基本一样，只是给基极的电压为负时才会出现以上二种情况（放大、饱和）。这是比较通俗易懂的说法，理解之后请看：一、截止状态：Veb>0,Vcb>0;发射极和集电极反偏二、放大状态: Veb<0,Vcb>0;发射极正偏，集电极反偏三、饱和状态: Veb<0,Vcb<0;发射极和集电极正偏e：发射 b：基极 c:集电

　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻 　　RE---射频电阻 　　RL---负载电阻 　　Rs(rs)----串联电阻 　　Rth----热阻 　　R(th)ja----结到环境的热阻 　　Rz(ru)---动态电阻 　　R(th)jc---结到壳的热阻 　　r ;u03b4---衰减电阻 　　r(th)---瞬态电阻 　　VB---反向峰值击穿电压 　　Vc---整流输入电压 　　VB2B1---基极间电压 　　VBE10---发射极与第一基极反向电压 　　VEB---饱和压降 　　VFM---最大正向压降(正向峰值电压) 　　VF---正向压降(正向直流电压) 　　△VF---正向压降差 　　VDRM---断态重复峰值电压 　　VGT---门极触发电压 　　VGD---门极不触发电压 　　VGFM---门极正向峰值电压 　　VGRM---门极反向峰值电压 　　VF(AV)---正向平均电压 　　Vo---交流输入电压 　　VOM---最大输出平均电压 　　Vop---工作电压 　　Vn---中心电压 　　Vp---峰点电压 　　VR---反向工作电压(反向直流电压) 　　VRM---反向峰值电压(最高测试电压) 　　V(BR)---击穿电压 　　Vth---阀电压(门限电压、死区电压) 　　VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) 　　VRWM---反向工作峰值电压 　　V v---谷点电压 　　Vz---稳定电压 　　△Vz---稳压范围电压增量 　　Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 　　av---电压温度系数 　　Vk---膝点电压(稳流二极管) 　　VL ---极限电压 　　Ta---环境温度 　　Tc---壳温 　　td---延迟时间 　　tf---下降时间 　　tfr---正向恢复时间 　　tg---电路换向关断时间 　　tgt---门极控制极开通时间 　　Tj---结温 　　Tjm---最高结温 　　ton---开通时间 　　toff---关断时间 　　tr---上升时间 　　trr---反向恢复时间 　　ts---存储时间 　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度 　　a---温度系数 　　u03bbp---发光峰值波长 　　△ ;u03bb---光谱半宽度 　　u03b7---单结晶体管分压比或效率

明天看看书给你说吧。

二极管参数符号：CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii--- ；发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流Ⅳ---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压扩展资料：其他参数：PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半"是一半的‘半"；而二极管也是只有一‘半"电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。参考资料：二极管-百度百科

龙葵啦，百度图片对照

委内瑞拉。拓展：1、Venezuela[英][u02ccvenu0259"zweu026alu0259][美][u02ccvenu0259"zweu026alu0259]n.委内瑞拉（南美洲北部国家）; 2、委内瑞拉玻利瓦尔共和国（西班牙语：República Bolivariana de Venezuela）是位于南美洲北部的国家，也是南美洲国家联盟的成员国，首都加拉加斯。北临加勒比海，西与哥伦比亚相邻，南与巴西交界，东与圭亚那接壤。它被称为“瀑布之乡”，面积912050平方千米。海岸线长2813千米。原为印第安人居住地。1498年哥伦布航行美洲时到此。1523年西班牙人建立第一个殖民地。1567年沦为西班牙殖民地。1811年7月5日独立。1830年建立共和国。1974年6月28日同中国建交。委内瑞拉的国名“Venezuela”其实源自意大利文“小威尼斯”之义，其典故出于意大利探险家阿美利哥·维斯普西（Amerigo Vespucci）当初在马拉开波湖见到美洲印地安人（Amerindian）所居住的水上高脚屋村落，联想到欧洲的水都威尼斯而如此命名。至于委内瑞拉正式国名里的“玻利瓦尔”，是1999年委国重修宪法时才加入，用以纪念被视为开国英雄的西蒙·玻利瓦尔。委内瑞拉为石油输出国组织成员，世界主要的产油国之一。石油产业是其经济命脉，该项所得占委内瑞拉出口收入的约80%。

有三个抓子的

如果能进入recovery，刷机。进入Recovery模式方法：方法一：如果手机是开机状态，请先关机，抠下电池再装上，在关机情况下，同时按住电源键 + 小房子（Home）键，直到出现Recovery界面为止。方法二：如果以上方法无法进入，那么再开机，先按住音量+键不放，然后再长按电源开机键，直到出现Recovery界面为止。recovery刷机，步骤如下：⒈）将从网上下载的对应手机刷机rom，然后复制到SD卡的根目录，rom为zip格式（可以打开验证一下，zip包里必须有META-INF这个文件夹的才是刷机包，但是不要改动zip包里的文件），不解压。复制完成后可以断开手机和电脑的连接。⒉）彻底关机（最好关机后抠一下电池），然后通过特殊按键组合进入recovery界面。⒊）选中 wipe data/factory reset按电源键确定，再用选中yes按确定；然后再选中wipe cache partition按确定，选中yes后确定。(这就是传说中的双wipe，了解刷机的朋友一定听过)。⒋）选第五项install zip from sdcard 按电源键确定，然后再选 choose zip from sdcard按电源键确定，然后选择rom刷机文件 按电源键确定, 再选yes按电源键确定开始刷。⒌）刷完，也就是进度条走完后的界面，返回到recovery主界面。这时选reboot system now按电源键手机重启。第一次重启时间长，要耐心等！到此刷机结束即可。

放大，饱和，截止。当发射结和集电结都正偏时为饱和状态，输出电压UCE几乎为零。当发射结正偏集电结反偏时为放大状态。当发射结和集电结都反偏时为截止状态，输出电压近似为电源电压。

Werkzeug是工具 fabrik是工厂的意思 复合词的话 可能是卖什么工具的工厂konig 是国王 see有湖或者海的意思 很难确定是国王湖、国王海呢 还是单纯音译成柯尼希湖网上搜索了下 最接近的就是Werkzeugmaschinenfabrik Glauchau GmbH 卖各种磨床的生产商如果就是这家公司的话 他的中文名字叫威马格劳豪 卖威马磨床Glauchau这个地方离开姆尼茨很近 在萨克森州

3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下：耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)最大集电极电流ICM=20mA最高结温TJM=175℃集电极-基极反向击穿电压BVCBO： (IC=100μA)3DG6A≥30V; 3DG6B≥45V; 3DG6C≥45V; 3DG6D≥45V集电极-发射极反向击穿电压BVCEO： (IC=100μA)3DG6A≥20V; 3DG6B≥30V; 3DG6C≥30V; 3DG6D≥40V发射极-基极反向击穿电压BVEBO≥4V (IE=100μA)集电极-发射极饱和压降VCE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)基极-发射极饱和压降VBE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)集电极-基极反向漏电流ICBO≤10nA (VCB=10V)集电极-发射极反向漏电流ICEO≤10nA (VCE=10V)发射极-基极反向漏电流IEBO≤10nA (VEB=2V)直流电流放大倍数HFE≥30特性频率fT：3DG6A≥100MHz; 3DG6B≥150MHz; 3DG6C≥250MHz; 3DG6D≥150MHz

L8050QLT1 NPN三极管 40V 800mA/0.8A 100~600 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 1Yhttp://www.1688eric.com/product.aspx?id=365955

主动安全系统有下述这些系统：防抱死制动系统 （ABS）驱动防滑调节装置（ASR）电子稳定程序 （ESP）电子制动力分配 （EBV）车距自动调节（ACC）电子差速锁（EDS）

C1815Type Designator: 2SC1815Material of Transistor: SiPolarity: NPNMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.4 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 VMaximum Collector Current |Ic max|: 0.15 AMax. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °CTransition Frequency (ft): 80 MHzCollector Capacitance (Cc): 3.5 pFForward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 70Noise Figure, dB: -Package: TO92BL011不存在

主动安全系统是提前提醒车主，车无事故才是好车，再多的保险、气囊又有什么用？只有把事故避免在发生之前才是好产品，国内我了解有一家在做，叫东莞市美保驭汽车智能科技有限公司的，它有自主研发疲劳驾驶系统：车道偏离、夜视系统、抬头显示、前碰撞系统、行车记录仪等主动安全产品。

先算出等效电流 Ke^2/r=m（v^2）/r 求出v veB=F M=Fr 力矩 然后就可以算出磁力矩了