载流子的迁移率和浓度的单位分别是什么

模拟电子技术判断题 二、判断题(每小题1分,1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.（ ）2、用万用

模拟电子技术判断题
二、判断题(每小题1分,
1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.（ ）
2、用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电
极是二极管的正极.（ ）
3、发射结处于正偏的BJT,它一定工作在放大区.（ ）
4、放大器能将微弱的输入信号放大成能量较大的信号输出,因此说,BJT具有能量放大的作用.
（ ）
5、放大电路处于静态时,电路中的电流、电压均为直流；当它工作在动态时,电路中的电流、
电压则均为交流.（ ）
6、在固定偏置电路的基础上,在BJT基极增加一个下偏置电阻RB2,就构成了分压偏置电路.( )
7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,只要负载电阻选择得当,输出电压就可比输入
电压大得多.（ ）
8、乙类功放电路的交越失真是由BJT输入特性的非线性引起的.（ ）
9、与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量减小了.（ ）
10、在运放电路中,闭环增益Àf是指电压放大倍数.（ ）

wobuzhidaotashis1年前1

tuifeiyi 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%

1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.（x ）
2、用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电
极是二极管的正极.（y）
3、发射结处于正偏的BJT,它一定工作在放大区.（ x ）
4、放大器能将微弱的输入信号放大成能量较大的信号输出,因此说,BJT具有能量放大的作用.
（x）
5、放大电路处于静态时,电路中的电流、电压均为直流；当它工作在动态时,电路中的电流、
电压则均为交流.（x）
6、在固定偏置电路的基础上,在BJT基极增加一个下偏置电阻RB2,就构成了分压偏置电路.( x )
7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,只要负载电阻选择得当,输出电压就可比输入
电压大得多.（x）
8、乙类功放电路的交越失真是由BJT输入特性的非线性引起的.（y）
9、与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量减小了.（y）
10、在运放电路中,闭环增益Àf是指电压放大倍数.（y）

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什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能否说P型半导体带正电、N型半导体带负

oo小病猫1年前1

PUJING19870827 共回答了28个问题 | 采纳率92.9%

1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.
2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子
P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子
3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.

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导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子．现代广泛应用

导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子．现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类，一类为N型半导体，它的载流子是电子；另一类为P型半导体，它的载流子是“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与前后侧面垂直．长方体中通入水平向右的电流，测得长方体的上、下表面M、N的电势分别为φ M 、φ N ，则该种材料（　　） A．如果是P型半导体，有φ M ＞φ N B．如果是N型半导体，有φ M ＜φ N C．如果是P型半导体，有φ M ＜φ N D．如果是金属导体，有φ M ＜φ N

wo11221年前1

Ymirs 共回答了14个问题 | 采纳率78.6%

A、如果是P型半导体，载流子是正电荷，根据左手定则，正电荷向下偏，则下表面带正电，则φ _M ＜φ _N ．故A错误，C正确．
B、如果是N型半导体，载流子是负电荷，根据左手定则，负电荷向下偏，则下表面带负电，则φ _M ＞φ _N ．故B错误．
D、如果是金属导体，则移动的自由电子，根据左手定则，负电荷向下偏，则下表面带负电，则φ _M ＞φ _N ．故D错误．
故选C．

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【求助】霍尔效应测试载流子浓度为何有正有负?

武汉人1年前1

话长话短 共回答了16个问题 | 采纳率100%

liujun_81(站内联系TA)你测试的样品是不是p型的?jasson216(站内联系TA)我测试的样品应该是N型的,因为主要靠 内部的金属相导电,请问该怎样分析,大家帮帮忙吧deadseazhu(站内联系TA)只改变电流,同一块样品没道理会变号的.
!如果你确定测量没有问题的话!
可以再多做一点数据,看看载流子浓度 -- 随电流的变化关系,
仅仅从你已有的三个点来看
8# -1.243E18 3mA
8# -2.009E15 5mA
8# 6.369E19 10mA
是单调变化的,电流增加,载流子从n型到接近本征再到p型.
一个不是太可能的解释是电流的发热导致的温度的增加,影响了材料里面的激发之类的.jasson216(站内联系TA)各位帮帮忙,霍尔效应测试时,可以通过改变电流获得多组数据,请问应该选择哪组数据为准呢?hawkchai(站内联系TA)或许你的电极做的很差,没有对准.所以其它方向的电导也贡献进来了,jasson216(站内联系TA)样品电阻比较小,1.400E-2Ωcm,会不会是电阻小引起的呢?fah(站内联系TA)不知道具体样品电极怎么做的,这个样品电阻大吗?五电极还是四电极?gdfollow(站内联系TA)我做的时候被告知之所以有正负 是正向一次反向一次jasson216(站内联系TA)也就是说载流子浓度看绝对值就可以吗?cord(站内联系TA)采用什么电极啊?
注意半导体跟金属接触时的带隙弯曲,这个会影响测量结果.jasson216(站内联系TA)电极的具体成分我也不太 清楚,但是制作电极时挺麻烦的,老是焊接不上.

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为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

babywanli1年前1

kdh7801 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%

本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.
少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.
多数载流子通常有10的15次方以上
少数载流子通常为10的5次方以下

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掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系

xxyong12341年前1

nowqi 共回答了28个问题 | 采纳率89.3%

温度.导体在任何温度下,都将遵从
热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少
数载流子是相互制约着的.多数载流子主要
来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激
发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大
多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载
流子相互复合的机会增加,将使得少数载流
子浓度减小；当升高温度,少数载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复
合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.
在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度
将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因
此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基
本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.
当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大
到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以
本征载流子导电为主的半导体了,即为本征
半导体,这时掺杂的贡献即可忽略了.

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为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.

为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.
既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,空穴在移动,负离子不是也相当于在移动(电子转移使负电荷转移)吗,为什么不把负离子也当做多子呢
P型半导体电流是空穴电流和负离子电流之和吗
如果能给出一个具体的情景描述就好了,比如在电场左右下,电子怎么从某某共价键跃迁至某某空穴形成新的共价键,这个空穴是正电或是负电(应该正负都有吧),在宏观下怎么看成电流（正电流、负电流也都有吗,是否总电流是两者之和呢）?

远水涵秋1年前1

cgsyw841026 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

首先空穴不是真实存在的,是人们虚拟.当一个电子有价带跃迁到导带的同时,价带中就产生了一个空量子态,人们虚拟为空穴.且空穴（空位）也不能移动的,只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上,这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位,其效果就好像空位在移动.
下面来回答您的问题：
P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴,但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）.具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键,而有个共价键是空的.如果有一个电子填充这个“空”位,因为此时的硼原子带负电,它的能量必须比价电子的能量高.但是,占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带,它的能量远小于导带底能量.当硼原子引入的空位被填满时,其他价电子的位置将变空.可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴.空位的不断被填充,不断有新的空位产生,我们可以看出空位在移动,因此多子为空穴.您提到的负离子即填充空位的负离子,仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子.整个过程就是这样的,在价带产生了空穴,而不再导带产生电子.
N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子,但并不产生价带空穴.（N表示带负电的电子）

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1.__型半导体,_____型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是__________,主要特性是____

1.__型半导体,_____型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是__________,主要特性是_____

mimix1年前1

哈利波特特特 共回答了30个问题 | 采纳率93.3%

__n___型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是_____D_____,主要特性是__单向导电性_.

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帮我解释下detrapping carriers 到底是什么载流子呢?

有毒xx1年前1

为天宇vv0 共回答了26个问题 | 采纳率80.8%

脱陷载流子
The transport model of detrapping carriers of the PTFE electret which shifted towards the back electrode of the sample was investigated by means of the heat pulse technique,and the LIPP method in combination with the TSD experiment.
利用热脉冲技术和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型.

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半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料．参与半导体导电的粒子--载流子有两种：自由电子和空穴，自由电子导电是大家所熟悉

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料．参与半导体导电的粒子--载流子有两种：自由电子和空穴，自由电子导电是大家所熟悉的，不过半导体中的自由电子浓度比金属中小得多．“空穴”可以看成是带正电粒子，空穴的定向移动也形成电流，那就是空穴导电，这样我们就可以以参与导电的载流子不同而将半导体分为两类：P型半导体和N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体，以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体．如图所示，是为了检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的装置示意图，图中一块半导体样品板放在垂直于板平面水平向里的匀强磁场中，当有大小为I的恒定电流垂直于磁场方向通过样品板时，在板的上、下两个侧面之间会产生个恒定的电势差U₁-U₂．
（1）如果测得U₁-U₂＞0，则这块样品板的载流子是正电荷还是负电荷？说明理由．
（2）设磁场的磁感应强度为B，样品板的厚度为d，宽度为b，每个载流子所带电量的绝对值为e．证明，样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为n=[BI/ed]•[1U1−U2

林泽亮1年前1

汤正武 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%

解题思路：定向移动的电子在磁场中受洛伦兹力发生偏转，在上下表面间形成电势差，最终电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，根据平衡求出单位体积内导电的自由电子数目．

（1）上极板电势高，说明上极板带正电荷，结合左手定则可知，载流子带正电，是P型半导体；
（2）载流子的洛伦兹力与电场力平衡，即：
F_洛=F_电
evB=e
U1−U2/b]
故U₁-U₂=Bbv
根据电流的微观表达式，有：I=nbdv
联立解得得n=
BI
ed(U1−U2)
答：（1）带电粒子定向移动受洛仑兹力偏向上，使板的上侧面带正电；
（2）证明如上所示．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键掌握电流的微观表达式，以及知道最终电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡．

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1、半导体中有空穴和电子两种载流子_____导电,这一点与金属导体的导电机理_______

1、半导体中有空穴和电子两种载流子_____导电,这一点与金属导体的导电机理_______
填空,急

一个---人1年前2

zhangwj1978 共回答了23个问题 | 采纳率82.6%

空、相同.

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本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然相等?

行云游鹤1年前4

神墓主人 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%

两种载流子的乘积与费米能级无关,对于一定的半导体材料,乘积只决定于温度T.在一定温度下,对不同的半导体材料,因禁带宽度Eg不同,乘积也将不同.
所以,本征半导体温度升高后,两种载流子浓度都会发生变化,根据对本证载流子的推导,两种载流子浓度的表达式一样,因此会相等.
乘积公式不好打,我就省略了哦、

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半导体载流子空穴是怎么一种粒子?

半导体载流子空穴是怎么一种粒子?
都没学过哎!

acrocodile1年前1

狂人再来 共回答了21个问题 | 采纳率100%

不是真实的粒子,是为了研究半导体导电特性假想的
共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴.---baidu百科

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温度一定时,半导体中的本征载流子浓度是一定的吗?

付申1251年前1

DIY_aqiong 共回答了28个问题 | 采纳率82.1%

是一定,因为本征激发与温度和禁带宽度有指数函数关系,对于一定的半导体材料,在温度一定时,本征载流子浓度就将一定.

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半导体中存在着两类载流子,其中带正电的载正电的载流子称为什么?

单手1年前4

可爱的兔子精 共回答了20个问题 | 采纳率75%

空穴

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怎样闭着眼想象半导体中载流子（自由电子和空穴）在通电时的运动?

怎样闭着眼想象半导体中载流子（自由电子和空穴）在通电时的运动?
在脑袋里建立一个半导体在通电或不通电情况下的图象.

jikegao1年前1

a2183728 共回答了25个问题 | 采纳率88%

先画一幅图,典型的PN结的,电子与空穴图,左边N型区,右边P型区,中间是耗尽层,先搞明白了它们的运动关系,再闭上眼就会很容易想象到了

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当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度：A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小

yajiaomu1年前0

共回答了个问题 | 采纳率

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什么是少数载流子?

峰峰的海1年前1

onwalk 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

这是半导体物理学中经常出现的名词.在半导体中,载流子有电子和空穴两种,如果半导体导电的过程中,电子其主要作用,那么空穴相对于电子就是少数载流子,反之,电子相对于空穴就是少数载流子.另一种表达就是,n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴称之为多数载流子,而n型半导体中的空穴和p型半导体中的电子称之为少数载流子.

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霍尔系数 与半导体中载流子类型有何关系

shark01261年前1

不爱大波波 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

P型半导体 空穴导电 霍尔系数R=1/pq>0
N型半导体 电子导电 霍尔系数R=-1/nq

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处于放大状态的三极管集电极电流是由什么载流子的运动所形成的

也想飞1年前1

parkjin 共回答了13个问题 | 采纳率100%

对PNP结构三极管来说是集电极电流是由空穴载流子的运动所形成的；对NPN管是电子.

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1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有（ ）PN结.A

1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有（ ）PN结.A
1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.
A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子
2、三极管有（ ）PN结.
3、 A、 1 B、4 C、3 D、2
3、触发器属于（ ）逻辑电路.
A、时序 B、计数器 C、组合 D、寄存器
4、逻辑代数运算中,1+1＝（ ）.
A、 0 B、2 C、1 D、3
5、一只三极管的β＝50,当时,集电极电流是（ ） .
A、0．51 B、0.5 C、1 D、0.49
6、三极管具有（ ）放大作用.
A、电压 B、功率 C、电流 D、电阻
7、将二进制数01101写成十进制数应是（ ）.
A、15 B、13 C、11 D、12
8.根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v,VE = -7v,VC = -4v,可以判定此晶体管是 管,处于 .［ ］
A PNP管,放大区 B NPN管,饱和区
C PNP管,截止区 D NPN管,放大区
9、数字电路有（ ）种电平状态.
A、1 B、2 C、3 D、4
10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈.[ ]
A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
1、在差分放大电路中,将大小相等、方向相反的输入信号称为（1） ＿＿＿＿＿＿信
号；将大小相等、方向相同的输入信号称为（2） ＿＿＿＿＿信号.差分放大电路有放大（3） ＿＿＿＿＿＿信号,抑制（4） ＿＿＿＿＿＿＿信号的作用.（同相输入、反相输入、共模输入、差模输入）
2、三极管的工作状态有：（5）＿＿＿＿＿＿＿；（6）＿＿＿＿＿＿＿＿＿；（7）＿＿＿＿ ＿三种.
3、理想运放的两个重要特点（即结论）是：（8） ＿＿＿＿＿＿＿＿；（9） ＿＿＿＿＿＿＿.（虚断、虚地、虚短、虚假）
4、硅管的导通电压比锗管的（10）＿＿＿＿＿＿＿＿.
1、触发器是构成时序逻辑电路的基本单元.（ ）
2、施密特触发器是一种单稳态触发器.（ ）
3、模拟信号在时间上是一种连续变化的量,而数字信号则是一种离散量.（ ）
4、在稳压电路中,二极管起滤波作用,电容起整流作用.（ ）
5、差动式放大电路抑制零漂作用强,放大作用也强.（ ）
1、简述三极管处于放大区的条件及放大区的主要特征.
2、简述直接耦合放大器的特点.
3、简述三极管三个区的特点?
4、简述桥式整流电路的优点.
2、如图所示,求出流过D的电流 iD 及D两端的电压uD.

没有实现的诺言1年前1

wuyitang 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%

选择题：
1B
2D
3D
4C
5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值（Ic=Ib×β）
6C
7B
8D
9B
10C
填空题
1（1）差模 （2）共模输入 （3）差模输入（4）共模输入
2（5）放大 （6）截止 （7）饱和（补充：截止于饱和共同组成开关状态）
3（8）放大倍数无穷大 （9）输入阻抗无穷大（即,虚假接地、虚假短路）
4（10）高
判断：
正确、错误、正确、错误、错误
问答：
楼主请翻阅电子技术基础教材,很容易回答的.
以上是十多年前学的老知识了,楼主认真听课,做好笔记,模拟数字电子技术基础部分很容易掌握的,祝福楼主学有所成!

1年前查看全部

（2009•金山区二模）热敏电阻是由半导体材料制成的，其中的载流子数目是随温度的升高按指数规律迅速增加的．载流子数目越多

（2009•金山区二模）热敏电阻是由半导体材料制成的，其中的载流子数目是随温度的升高按指数规律迅速增加的．载流子数目越多，导电能力越强，其电阻率也就越小，因此热敏电阻的电阻值随着温度的升高将按指数规律迅速减小．如图所示的电路图是一个应用“非”门构成的一个简易火警报警电路，则图中X框，Y框中应是（　　）
A．X为可变电阻，Y为热敏电阻
B．X为热敏电阻，Y为开关
C．X为热敏电阻，Y为可变电阻
D．X，Y为热敏电阻

lena221年前1

想不通了1 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%

解题思路：门电路可以看作是一种条件开关．它有一个或多个输入端和一个输出端．只有当输入信号满足一定的条件时，门才开启，信号才能通过．条件得不到满足，门就关闭，信号就不能通过．换句话说，门电路的输出和输入之间存在着一定的逻辑关系．不同的门电路，输出与输入之间的逻辑关系也不同．

由图可知，D点接地，电势为0．当温度较低时，由于Y的电阻非常大，A点的电势接近5V，非门的输入端为高电势，因此非门的输出端为低电势，蜂呜器两端没有电压，蜂鸣器不报警．当火警发生时，温度升高导致Y的阻值变得很小，从而使输入端A点的电势接近0，非门输出端为高电势，这样蜂鸣器两端获得一个能发声的工作电压，蜂鸣器就会发出声音报警．所以Y为热敏电阻，X为可变电阻，用来调节报警器的灵敏度．故A正确；
故选：A

点评：
本题考点： 简单的逻辑电路．

考点点评： 这部分内容相对比较抽象，理解三种逻辑电路的基本逻辑关系是重点．

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自由电子.空穴.载流子.和正负离子的特点和区别?

我拍A片只为艺术1年前1

jjb129899 共回答了20个问题 | 采纳率95%

电子挣脱共价键的束缚就成为了自由电子!
共价键中就留下一个空位,这个空位就叫做空穴!
空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点
原子失去最外层电子后,便带正电而成为正离子
原子得到电子带负电,而成为负离子

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给PN结加正向偏压,这时什么载流子参与漂移运动?什么载流子参与扩散运动?

盈盈酒窝孰依依1年前1

菜刀李 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓度大于N区空穴的浓度,...

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请教高手：半导体霍尔元件通电流时,判断电势高低,载流子是电子,还是空穴?

推普1年前1

yuntianxia01 共回答了13个问题 | 采纳率100%

我只说电磁学里接触的霍尔元件啊.它有个特性是,通有电流的金属导体或倒班,在磁场中运动时,因为,我们知道电流时电子的定向运动.但是在磁场中运动的电子洛伦磁力会向导体或导体版的上下运动,发生电荷的转移,而电荷的转移又会形成电压.所以,他是由电子产生的.其次,这里电子,和正电荷都会移动.

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霍尔效应载流子有正电荷吗?

叽叽歪歪吱喳1年前2

aotian2008 共回答了20个问题 | 采纳率80%

金属的载流子就是电子,所以负电荷.
半导体载流子有电子和空穴,空穴就是带正电荷的

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怎样根据霍尔效应判断半导体中载流子的种类

rainy01年前1

末_ㄖ_秀 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

根据霍尔板两端的电压高低

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导体中的电流减半,则以下几个量如何变化?1.载流子密度 2.电流密度 3.载流子漂移速度 4.

导体中的电流减半,则以下几个量如何变化?1.载流子密度 2.电流密度 3.载流子漂移速度 4.
均碰撞时间

中部数据1年前1

su1616shan 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%

载流子密度减半
电流密度减半
载流子漂移速度不变

1年前查看全部

1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有（ ）PN结.A

s390191年前1

althars 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

选择题：1B 2D 3D 4C 5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值

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电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）A、晶体缺陷B、温度C、

电子电路基础题.帮下小弟.
第48题 (2.0) 分
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
第49题 (2.0) 分
半导体中的少数载流子产生的原因是( )
A、外电场
B、内电场
C、掺杂
D、热激发
第50题 (2.0) 分
测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在（ ）
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区

wendy19851171年前1

wlgu012xu399b 共回答了20个问题 | 采纳率80%

第48题 多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度密切相关
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区

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如何测量载流子浓度

我爱三三小老虎1年前1

兔兔王 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

好像电化学s_v的方法,电解质溶解,有红外光谱仪的方法根据吸收峰,等离子震荡波长法,前两天我们刚好做了一个关于这个方面的答辩.有好多种方法的~

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位移电流与传导电流一样,是由载流子的宏观定向运动产生的,正确吗?

桔子酱女孩1年前3

独步云端 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%

(1)位移电流的本质是变化着的电场,而传导电流则是自由电荷的定向运动； (2)传导电流在通过导体时会产生焦耳热,而位移电流则不会产生焦耳热； (3)位移

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物理洛伦兹力方面的一个问题!导体导电是导体中的自由电荷定向移动,这些可以移动的电荷又叫载流子,例如金属导体的载流子是自由

物理洛伦兹力方面的一个问题!
导体导电是导体中的自由电荷定向移动,这些可以移动的电荷又叫载流子,例如金属导体的载流子是自由电子.现代广泛应用的半导体材料分为两大类,一类是n型半导体,它的载流子为电子；另一类是p半导体,它的载流子是“空穴”,相当于带正电的粒子,p型半导体导电,相当于带正电的粒子做定向移动.如果把半导体材料制成的长方体放在匀强磁场中,如图所示,磁场方向与前后侧面垂直.半导体中通有方向水平向右的电流,测得长方体的上、下表面M、N的电势分别为UM和UN.则有：
如果是P型半导体UMUN
解析中说P型正电粒子受向上洛伦兹力,聚集在M表面,电势高,这个我能理解.
但说N型中电子受向下的洛伦兹力,聚集在N表面,电势低,这点有疑问,电子移动方向与电流方向相反,根据左手定则,应受向上的洛伦兹力呀?
（图是一个长方体,中有水平向右的电流,垂直纸面向外的磁场）

flash_0081年前1

快步踏清秋 共回答了12个问题 | 采纳率100%

你说的没错,都对,但电子是负电荷,所以用左手定则判断出来的洛伦磁力应与大拇指反向.

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n型半导体中多数载流子（电子）数量大于少数载流子（空穴） 那是不是n型半导体总体带负电是不是啊!

niyaya1年前1

weiqing83 共回答了20个问题 | 采纳率95%

当然不是.
你想想好了,这些多数载流子是怎么来的?无非是从共价键里跑出来的.但没有跑到这块半导体的外面去.
对于一块物质而言,如果它里面没有发生特殊的反应,那么电子的总数与质子的总数一定相等.这样就形成了电中性.

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物体导电是由其中的自由电荷定向移动引起的,这些可以移动的自由电荷又叫载流子.金属导体的载流子是自由电子,现代广泛应用的半

物体导电是由其中的自由电荷定向移动引起的,这些可以移动的自由电荷又叫载流子.金属导体的载流子是自由电子,现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体,它的载流子为电子；另一类是P型半导体,它的载流子为“空穴”,相当于带正电的粒子,如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图所示,且与前后侧面垂直,长方体中通有方向水平向右的电流,设长方体的上下表面M、N的电势分别为φ_M和φ_N,则下列判断中正确的是

A．如果是P型半导体,有φ_M>φ_N
B．如果是N型半导体,有φ_M<φ_N
C．如果是P型半导体,有φ_M<φ_N
D．如果是金属导体,有φ_M<φ_N网上的答案都有争议,如果按答案说是C.但我选BCD啊解析说如果是N型半导体或金属导体,载流子是电子,根据左手定则,电子向下偏,所以下表面带负电,上表面失去电子带正电．所以φ_M＞φ_N．故B、D错误．
怎么可能呢?

ivymm1年前1

ypscom 共回答了22个问题 | 采纳率95.5%

里面有一个电流I 如果里面是正电子流动 也就是p型,正电子向下所以c对,如果是负电子流动 也就是N型 负电子也想向下 所以b错 同理 可证d也是错的

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N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,

N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,
N型半导体的多数载流子是电子,P型半导体的多数载流子是空穴.所以说N型半导体带负电,P型半导体带正电,

aaawai201年前1

katrina3 共回答了12个问题 | 采纳率83.3%

不对,载流子指可移动的电荷,半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了
还有空穴是一个概念性的东西,实际是不存在的.

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半导体中载流子数量与电导率的关系

半导体中载流子数量与电导率的关系
我想确认一下二者有关系吗?
我的理解是,无论是掺杂半导体还是本征半导体,载流子数量增大,导电能力越强,电导率也越高啊,对吗?
最好可以给出量化公式,谢谢诶!

sdv5211年前1

yz007 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p）,一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为电子电荷；第三个字母μn（P型用μp）称为电子（空穴）迁移率,与浓度无关. 再补充一句,你理解的很对,但在半导体中不适用“数量”这个词,一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~

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填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极

填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极
填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.
双极型晶体管从结构上看可以分成（）和（）两种类型,它们工作时有（）和（）两种载流子参与导电.

wwzxdbh1年前1

xiangxiang89 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%

杂质电离,PNP,NPN,电子,空穴

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PN结中什么是载流子载流子是什么

平胸的我91年前1

暮色沧浪 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

就是承载电子的东西
满意请采纳

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粗细不同的均匀铜棒串联,两铜棒（单位体积内载流子数目）n与（载流子漂移速度）v都分别相同吗?

粗细不同的均匀铜棒串联,两铜棒（单位体积内载流子数目）n与（载流子漂移速度）v都分别相同吗?
设两铜棒横截面积分别为S1,S2（S1

dhszly1年前1

robert0082 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%

“两铜棒内部场强相等”——这不对!假设两棒长度相同,那粗棒的电阻小,它两端的电压就比细棒的端电压小,因此,粗棒内场强小（E=U/L）,所以,其中的漂移速度就小.

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金属氧化物导电性金属氧化物能否导电?以氧化铝为例若能,电阻率大约多少?金属氧化物为离子晶体,那么载流子是什么?若不能,那

金属氧化物导电性
金属氧化物能否导电?
以氧化铝为例
若能,电阻率大约多少?金属氧化物为离子晶体,那么载流子是什么?
若不能,那么用铜铝做电极 浓HNO3做电解质,制成原电池,会有如何反应?

lanjing1881年前2

flywingirl 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

1.大部分不能在常温下导电
2.氧化铝电阻率很大（不清楚具体多少,反正比金属高N倍）
3.载流子是离子（载流子就是指传递电荷的载体）

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半导体中载流子的平均自由程与半导体的晶格常数,其相对大小如何?

andrewkoktj1年前1

佬咩 共回答了24个问题 | 采纳率95.8%

半导体中载流子的平均自由程大约为数百埃（晶体中的杂质、缺陷越少,晶格越完整,自由程就越大）,比半导体的晶格常数大得多.
晶格常数是晶体单胞（晶胞）的边长,与原子间距差不多,大约为几埃.
为什么平均自由程远大于晶格常数呢?这是由于完全规则排列的原子并不散射载流子,这些规则排列的原子（产生周期性势场）只是决定载流子的能量状态（能带状态）；散射载流子的因素是破坏晶格周期性势场的那些东西——杂质和缺陷.

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在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么?

trynews1年前2

neui 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%

既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但
1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是增加电子载流子的数量.
2.提高温度和增加的电子载流子的数量的数量和空穴载流子,电子和空穴成对.

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请问怎么计算电阻中的载流子速度?

xiaoshi10061年前1

冷眼瞧人 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

I=nesv
这是一个公式 I代表电流 n代表电子个数 e代表电子电量 s代表导体横截面积 v就是速度
我没记错的话就是这个

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对半导体言,其正确的说法是?(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2）N型半导体中由于多数载流子为自由

对半导体言,其正确的说法是?
(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.
（2）N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.
（3）P型半导体和N型半导体本身都不带电.
以上哪个答案正确?请专家解答.

侯三叔1年前1

vv巨星李公公 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%

（3）对.
这个道理就如同一段普通金属导体,它是不带电的,但它主要是有自由电子来导电的.

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英语翻译越快越好在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

英语翻译
越快越好
在某些半导体材料的pn结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。pn结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称led。发光二极管是由p 型和n 型半导体组成的二极管。在led 的p - n 结附近,n 型材料中多数载流子是电子,p 型材料中多数载流子是空穴。p -n 结上未加电压时构成一定的势垒,当加正向偏压时,在外电场作用下,p 区的空穴和n 区的电子就向对方扩散运动,构成少数载流子的注入,从而在p - n结附近产生导带电子和价带空穴的复合,同时释放出相对应的能量hν(h 为普朗克常数,ν为光子频率)而发光。该能量相当于半导体材料的带隙能量eg(ev) ,其与发光波长λ(nm) 的关系为λ= 1239.6peg。
***是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。

风沙啦1年前5

饮水如人 共回答了11个问题 | 采纳率90.9%

1.the faster,the better
2.as soon as possible
3.the sooner the bette

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为什么霍尔效应可以判断载流子的类型?

为什么霍尔效应可以判断载流子的类型?
我觉得,就算NMOS传导介质是靠空穴,那么既然可以把空腔看作是正粒子,那么这个正离子的质量相应应该是负的啊,然后负负得正,霍尔效应还是一样啊.

kutry1年前1

chembio 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%

需要判断载流子聚集在何方
实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律,速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力,向霍尔电场作用力方向偏转,速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力,向洛伦兹力方向偏转.
这样使得一侧高速载流子较多,相当于温度较高,而另一侧低速载流子较多,相当于温度较低.这种横向温差就是温差电动势VE,这种现象称为爱延豪森效应.

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PN结两端加正向电压或反向电压参与导电时是多数载流子还是少数载流子?

PN结两端加正向电压或反向电压参与导电时是多数载流子还是少数载流子?
作业哟!

flyovery271年前1

虫毛 共回答了10个问题 | 采纳率90%

加正向电压时,是多数载流子.加反向电压时,是少数载流子,称为反向电流

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半导体中由农度差引起的非平衡载流子运动形成什么电流

a2z01年前1

CHINA木糖醇 共回答了10个问题 | 采纳率80%

扩散电流,

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