共源极放大器电路如图所示,画出微变等效电路,试求下列表达式(1)电压增益(2)输入电阻(3)输出电阻

lipurple112022-10-04 11:39:541条回答

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狐狸泡乌鸦 共回答了25个问题 | 采纳率92%
输入阻抗是R1//R2,输出阻抗是RD,增益是gm*RD,查数据手册知道gm,但一般不会超过40d
1年前

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如何理解管效应管中的栅极源极漏极
朴风1年前1
小rr 共回答了15个问题 | 采纳率73.3%
栅极相当于晶体管的基极,源极相当于晶体管的射极,漏极相当于集电极,你可以连电路试一下就知道了
MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏?
luxb1年前1
仍在 共回答了15个问题 | 采纳率100%
这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.
MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿.
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把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连也不是可以出现导电沟道?
khtrre1年前1
bunnya 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作.
补充:衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢.同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能使管子正常工作.再细心的看看课本去……
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电路理论与制作顶尖高手出场!
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测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏.具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极.然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的.要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.”此为百度知道电路理论高手之回答!但我非常希望知道:测量结型场效应管源极S与漏极D之间的电阻,通常在“几十欧”到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),请电子电路理论高手高调举出一只源极S与漏极D之间电阻在“几十欧”的管子型号?
牙疼睡不着1年前1
肥皂花 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
源极S与漏极D之间 在没有导通之前是没有电阻的!
一定是你在测量的时候红笔点到了栅极,栅极和源极会结电容,所以会导通,所以你测得才会是几十欧.你再次测量时应该把栅极和源极短路再测.
铃木雅臣的场效应管电路设计中,刚开始在选择电源的时候,说“为使场效应管工作预先流过电流,希望在源极电阻RE上加1-2V电
铃木雅臣的场效应管电路设计中,刚开始在选择电源的时候,说“为使场效应管工作预先流过电流,希望在源极电阻RE上加1-2V电压"是什么意思,x09大神们帮帮忙
zhongteng1年前1
ohooo 共回答了17个问题 | 采纳率100%
这个意思是说要先给场效应管加上适当的偏置电压,相当于三极管功放中给三极管加偏置电压预置偏流.
简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 V
简单电路问题,求解.
一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs ------书上说的.
对于上面这句话,有两个疑问:
1:所谓的 负电压加在栅极(相对于源极)……此时 Vg > Vs,那么假如在一个电路中,场效应管栅极电压为 -1V, 源极为0V,那么流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs = -1V > 0V ? 此时不是应该 V s > Vg 吗?
2:所谓的 负电压加在栅极(相对于源极),假如输入电压为栅极 -1 V,源极 0V,电路正常工作,那么把输入电压改为 栅极 0V , 源极 1V,就是颠个倒,两者压差不变,这个电路是不是还可以正常工作?
3:所谓的 当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,如果流经漏极到源极的电流减小,那么 漏极的电压不是要升高,源极的电压不是要减小?假如一个负载接在源极与地之间,是不是就不会工作了?假如负载串接在漏极上面,当加在栅极的负电压负得更多时,是不是负载上的电压越高?
garfieldmm231年前3
常光照 共回答了20个问题 | 采纳率90%
"一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs ------书上说的."这句话是错误的,应该是VG
为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
蓼花1年前1
7pippo21 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的.
当UGS从0开始,逐步增大(UGS〉0)的时候,G极会积聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴(带正电)会被G排斥,逐步远离G极,这样在衬底(P区)里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层.当UGS增大后,耗尽层会逐步加宽,同时,由于电场力的吸引,衬底P区中的自由电子开始向G极移动,由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层,因此自由电子并不能达到G极,而是积聚在耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型的薄层,也就是反型层(反型层与G极合起来看,类似一个平行板电容).
SW7N60场效应管,漏源电阻是460,用正表笔接栅极,负接源极,再测漏源电阻变6了,用手确栅极,电阻又回到460好吗
toby781年前1
佘诗man 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%
好的场效应管我以前用三用表(数字的)没有测出过电阻(至少电阻很大,500K以上,)
参考
要使N沟道结型场效应晶体管处于放大状态,栅极和源极之间加正向电压还是反向电压,
aning20051年前1
风月寒天 共回答了20个问题 | 采纳率85%
反向电压!
N沟道结型场效应管工作时,需要在栅-源极间加一负电压(vGS<0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右).在漏-源极间加一正电压(vDS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD.iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响.因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD(或沟道电阻)的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响.