砷化镓GaAs核外电子总数与哪种元素2个原子的核外电子总数相等?

你被狼吃了2022-10-04 11:39:541条回答

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mingl200020001 共回答了25个问题 | 采纳率100%
Ge
Ga比Ge少1个电子,As比Ge多1个电子
1年前

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下列材料中不属于半导体的是?1.硅 2.砷化镓 3.二氧化硅 4.锗是不是选c?
yubujian1年前3
白龙山 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
是.二氧化硅就是沙子,可以用来给电器灭火,是绝缘体.
(2014•西安二模)Ⅰ.砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少.已知砷化镓的晶胞结构如图1所示.请回
(2014•西安二模)Ⅰ.砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少.已知砷化镓的晶胞结构如图1所示.请回答下列问题:
(1)下列说法正确的是______(填序号).
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同B.第一电离能As>GaC.电负性As>GaD.原子半径As>Ga
(2)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的化学方程式为
:(CH33Ga+AsH3
700℃
.
GaAs+3CH4
:(CH33Ga+AsH3
700℃
.
GaAs+3CH4

(3)AsH3空间形状为______;已知(CH33Ga为非极性分子,则其中嫁原子的杂化方式为______.
Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,局金属中的第二位,大量用于电气工业.
(4)请解释金属铜能导电的原因______;Cu2+的核外电子排布式为______.
(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH34]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有______和______.
(6)NiO晶体结构与NaCl晶体类似,其晶胞的棱长为acm,则该晶胞中距离最近的两个阳离子核间的距离为
2
2
a
2
2
a
cm(用含a的代数式表示).在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层“(如图2),可以认为氧离子做致密单层排列,镍离子填充其中,列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为
74.7
6.02×1023×4×1.4×10−10×1.4×10−10×
3
2
=1.83×10-3
74.7
6.02×1023×4×1.4×10−10×1.4×10−10×
3
2
=1.83×10-3
g(氧离子的半径为1.40×10-10m).
KEKE小昆1年前1
im123 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%
解题思路:(1)A.对比GaAs与NaCl中阴阳离子在晶胞中的分布可判断晶胞结构是否一样;
B.同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大;
C.同周期元素从左到右电负性逐渐增大;
D.同周期自左而右原子半径减小;
(2)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,根据原子守恒可知还生成CH4
(3)根据中心原子成键与含有孤电子对数判断分子的空间构型可杂化方式;
(4)根据金属晶体的构成微粒分析解答;根据能量最低原理书写电子排布式;
(5)[Cu(NH34]SO4晶体属于配合物,配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键.
(6)根据氯化钠的结构知,氧离子和相邻的镍离子之间的距离为 [1/2]a,距离最近的两个阳离子核间的距离是距离最近的氧离子和镍离子距离的
2
倍,根据图片知,每个氧化镍所占的面积=1.40×10-10m×1.40×10-10m×sin60°,每个氧化镍的质量=
74.7
NA
g,每个氧化镍的质量乘以每平方米含有的氧化镍个数就是每平方米含有的氧化镍质量.

(1)A.GaAs晶体中As分布于晶胞体心,Ga分布于顶点和面心,而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心,二者结构不同,故A错误;
B.同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大,则第一电离能:As>Ga,故B正确;
C.同周期元素从左到右电负性逐渐增大,则电负性:As>Ga,故C正确;
D.同周期自左而右原子半径减小,故原子半径As<Ga,故D错误,
故答案为:BC;
(2)反应为(CH33Ga和AsH3,生成为GaAs,根据原子守恒可知还应有和CH4,反应的化学方程式为(CH33Ga+AsH3

700℃
.
GaAs+3CH4
故答案为:(CH33Ga+AsH3

700℃
.
GaAs+3CH4
(3)AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对,为三角锥形,(CH33Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp2杂化,
故答案为:三角锥型;sp2
(4)铜为金属晶体,由铜离子与自由电子构成,自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动,故可以导电,Cu2+的核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d9
故答案为:铜为金属晶体,由铜离子与自由电子构成,自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动;1s22s22p63s23p63d9
(5)[Cu(NH34]SO4晶体属于配合物,配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,)[Cu(NH34]SO4晶体属于配合物,氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键,四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键,
故答案为:离子键;配位键;
(6)根据氯化钠的结构知,氧离子和相邻的镍离子之间的距离为 [1/2]a,距离最近的两个阳离子核间的距离是距离最近的氧离子和镍离子距离的
2倍,所以其距离是

2
2acm;
根据图片知,每个氧化镍所占的面积=
4×1.40×10−10m×8×1.40×10−10m×sin60°
8,则每平方米含有的氧化镍个数=[1
4×1.4×10−10×1.4×10−10Sin60°,每个氧化镍的质量=
74.7
NA g,所以每平方米含有的氧化镍质量=
74.7
NA g×
1
4×1.4×10−10×1.4×10−10Sin60°=
74.7
6.02×1023×4×1.4×10−10×1.4×10−10×

3/2]=1.83×10-3
故答案为:

2
2a;
74.7
6.02×1023×4×1.4×10−10×1.4×10−10×

3
2=1.83×10-3

点评:
本题考点: 晶胞的计算.

考点点评: 本题考查学生对物质结构与性质模块的掌握情况,重点考查结构知识,涉及电离能、电负性、原子半径、空间结构、杂化轨道、化学式、金属晶体电子气理论,考查知识全面、覆盖广,难度适中,可以衡量学生对该模块主干知识的掌握情况.

砷化镓可由(CH3)3Ga和ASH3在700℃时制得.(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为
依山之海1年前1
豪肚柚肚 共回答了24个问题 | 采纳率87.5%
(1)使用等电子原理:
-CH3等电子于-Cl
那么Ga(CH3)3的结构,应当与GaCl3等同.
(2)使用VSEPR理论,m=3,n=0
由于m+n=3,所以中心原子是sp2杂化.
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有一半导体砷化镓发光管,它发出波长为0.9微米的红外光,发光区为直径AB等于3毫米的圆盘,发光面上覆盖一折射率n=2.4
有一半导体砷化镓发光管,它发出波长为0.9微米的红外光,发光区为直径AB等于3毫米的圆盘,发光面上覆盖一折射率n=2.4的半球形介质,如图所示,问:要使发光区发出的全部光线在球面上都不发生全反射,介质半球的半径R至少应该多大?
twtfnygah1年前3
danwuhen 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
我来解答吧,球内是对称的,我们只取其中一个截面进行分析.
设我画的图中AB就是此截面的一条直径,在直径上任取一点B',
由正弦定理可知,sinθ4=OC'/r ,sinθ3=OB'/r,又 OB' > OC',所以θ3必大于θ4,即只有光线垂直于圆盘向上射出时,入射角最大.
又改变发光位置B',当B'与B重合时,入射角sinθ1=(d/2)/r,因为d/2>OB',所以sinθ1最大,即θ1最大,也就是在圆盘边缘垂直向上射出时的光线入射角最大.
若不发生全反射有如下关系,
sinθ1 (d/2)/r<1/n
r>nd/2=2.4*3=3.6 mm
答案是至少3.6毫米.
砷化镓(GaAs)是一种“LED”绿色节能光源材料。GaAs中As的化合价为-3,则Ga的化合价为 A.-5 B.-3
砷化镓(GaAs)是一种“LED”绿色节能光源材料。GaAs中As的化合价为-3,则Ga的化合价为
A.-5 B.-3 C.+3 D.+5
没烟的日子苦1年前1
redrain906 共回答了11个问题 | 采纳率90.9%
C

(2008•南京)当前高效能的砷化镓(GaAs)太阳能电池.产生能量的效率高达33%.已知GaAs中,As元素化合价为-
(2008•南京)当前高效能的砷化镓(GaAs)太阳能电池.产生能量的效率高达33%.已知GaAs中,As元素化合价为-3价,则Ga元素的化合价为(  )
A.-l
B.+l
C.+2
D.+3
lok6661年前1
文至 共回答了13个问题 | 采纳率76.9%
解题思路:根据砷化镓的化学式为GaAs,利用已知GaAs中,As元素化合价为-3价,然后根据化合物中正负化合价的代数和为0来解答.

因砷化镓的化学式为GaAs,As元素化合价为-3价,
设该化合物中Ga元素的化合价为x,
根据化合物中正负化合价的代数和为0,则
x+(-3)=0
解得x=+3
故选D.

点评:
本题考点: 有关元素化合价的计算.

考点点评: 本题较简单,习题中的信息把化学式和其中一种元素的化合价都明确给出,学生可直接利用化合价计算的原则代入计算即可.

砷化镓属于哪类化合物
德烈桑德罗1年前2
kkk11 共回答了25个问题 | 采纳率92%
化学式 GaAs.黑灰色固体,熔点 1238℃.它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀.
跟SiC是等电子体,也就是结构性质相似!SiC是原子晶体,GaAs也是原子晶体!也可以从他的熔点1238进行判断!
以下物体中,不属于半导体材料的是(  ) A.锗 B.硅 C.食盐水 D.砷化镓
5416881年前1
nirvana_114 共回答了15个问题 | 采纳率80%
酸、碱、盐水溶液是导体,常见的半导体有:锗、硅、砷化镓.故A、B、D不符合题意.
故选C.
砷化镓(GaAs)是一种“LED”绿色节能光源材料.GaAs中As的化合价为-3,则Ga的化合价为(  ) A.-5 B
砷化镓(GaAs)是一种“LED”绿色节能光源材料.GaAs中As的化合价为-3,则Ga的化合价为(  )
A.-5 B.-3 C.+3 D.+5
sa20041年前1
东家很有钱 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
GaAs中As的化合价为-3价,设Ga元素的化合价是x,根据在化合物中正负化合价代数和为零,可得:x+(-3)=0,则x=+3价.
故选C.
GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第Ⅴ
GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。
(1)Ga和As的最外层电子数分别是:Ga________、As________。
(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是:Ga________价、As________价。
(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为________。
泪过无恨1年前1
zwaqs 共回答了12个问题 | 采纳率100%
硅四氟化硅二氧化硅硅酸钠硅酸

由硅元素的特征性质推断。
有人知道三甲基镓这种东西么,他的制成,他的用途,特别是他是怎么跟砷化镓发生关系的,他的性质,
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这个我也搜到了,来点真才实学的好么宝贝
2005年9月24日1年前1
天空的飞鱼 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%
三甲基镓trimethylgallium分子式:(CH3)3Ga分子量:114.82CAS登录号:1445-79-0重量百分比:>=99.9998%(相对于主要金属杂质的金属镓的含量)外观:无色透明液体(室温)熔点:-15°C沸点:55.8°C(760mmHg)密度:...
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z2772665881年前1
流浪卡其424 共回答了20个问题 | 采纳率95%
解题思路:根据在化合物中正负化合价代数和为零,进行解答本题.

根据在化合物中正负化合价代数和为零,可得砷化镓(GaAs)中As的化合价为:x+(+3)=0,则x=-3,
故选A.

点评:
本题考点: 有关元素化合价的计算;化合价规律和原则.

考点点评: 本题考查学生根据在化合物中正负化合价代数和为零进行计算化合物中指定元素的化合价的能力.

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根据在化合物中正负化合价代数和为零,可得砷化镓(GaAs)中As的化合价为:x+(+3)=0,则x=-3,
故选A.

点评:
本题考点: 有关元素化合价的计算;化合价规律和原则.

考点点评: 本题考查学生根据在化合物中正负化合价代数和为零进行计算化合物中指定元素的化合价的能力.

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电视机遥控器中有一半导体砷化镓发光管,它发出波长为0.9μm的红外光脉冲,用来控制电视机的各种功能.已知这种发光管的发光区是直径为2mm的圆盘,发光面封装在折射率n=2.5的半球形介质中,如图所示.问:要使发光区发出的全部光线在球面上不发生全反射,介质半球的半径R至少应该为多大?(  )
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bbghd1年前1
wangjinyou 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%
解题思路:发光盘边缘发出的光与AB垂直时,入射角最大,若这条光线不发生全反射,则所有光线都不发生全反射,结合几何关系和折射定律求出R的最小值.

由三角形知识可知,当由发光盘边缘A发出光与AB垂直时,入射角i最大.
如果这条光线不发生全反射,则其它所有光线均不会发生全反射,由折射定律得,
n=[sinγ/sini] ①
不发生全反射的条件是入射角小于全反射的临界角,即sini<sinC=[1/n] ②
由几何关系知,sini=[r/R] ③
联立①②③得,R=[r/sini]>nr=2.5mm.故C正确.
故选:C

点评:
本题考点: 光的折射定律.

考点点评: 对于几何光学问题,关键作出光路图,确定临界情况,结合折射定律和几何关系求解.