电容电阻的误差如何表示

如果整流侧采用500A的晶闸管 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5 F 选用2.5 F,1kv 的电容器 电阻的选择： R=((2-4) ×535,

1、R=100V/20=5Ω
　　接200V交流时,阻抗为z=U/I=200/28.2=7.07Ω
由Z²=X²+R²得感抗为X=5Ω
由X=2πfL得电感L=X/（2πf）=5/(2X3.14X50)=0.016H=16mH
2．由Z²=XL²+R²得阻抗为Z＝10Ω
总电压超前电流的相位差=π/2
　　u=20√2sin（314t+π/6）V
　　则i=u/Z=2√2sin（314t+π/6） 电流有效值I=2A
电阻上电压UR=IR=2X6=12V,电感电压UL=IXL=2X8=16V
3．由Z²=Xc²+R²得阻抗为Z＝10Ω
总电滞后电流的相位差=π／2
　　u=20√2sin（314t+π/6）V
　　则i=u/Z=2√2sin（314t+π/6） 电流有效值I=2A
电阻上电压UR=IR=2X6=12V,电感电压Uc=IXc=2X8=16V
4．电压和电流之间相位差是-π/3
电路功率因素cosΦ=0.5
有功功率P= UIcosΦ=20X10X0.5=100W
无功功率Q=UIsinΦ=20X10X0.87=174Var
视在功率S=UI=200V·A

摘自wi.ki.pedia（可恶的百度百科不让发维基百科的名字）:
It is customary to use the symbol L for inductance,possibly in honour of the physicist Heinrich Lenz.
大意：习惯上使用L作为电感的符号,应该是为了纪念物理学家Heinrich Lenz,中文名叫海因里希·楞次,就是我们所知道的楞次定律的那位.

1、周期性非正弦电流ic=（3√2sinωt+√2sin3ωt）A,其基波分量是（ 3√2sinωt ）,基波电流有效值I1=（ 3 ）A,三次谐波分量是（ √2sin3ωt ）,其有效值I3=（1 ）A.
2、在某一电路中,已知电路两端的电压是u=[50+20√2sin(ωt+20°）+6√2sin(2ωt+80°）]V,电路中电流i=[20+10√2sin(ωt-10°)+5√2sin(2ωt+20°)]A.求电压和电流有效值以及电路消耗的平均功率.
这个题让我考虑考虑
1、在纯电感正弦交流电路中,电压有效值与电流有效值之间的关系为（U=IXL=IωL）,电压与电流在相位上的关系为（电压超前电流90度 ）.
2、感抗是表示（ 电感线圈对交流电阻碍作用 ）的物理量,感抗与频率成（ 正 ）比,其值XL=（ωL =2πfL ）,单位是（亨 ）；若线圈的电感为0.6H,把线圈接在频率为50Hz的交流电路中,Xl=(188.4 )Ω.
3、在纯电感正弦交流电路中,有功功率P=( 0　)W,无功功率Ql与电流l、电压Ul、感抗Xl的关系是Ql=（UI ）=（I^2 ωL ）=（U^2/(ωL) ）.
4、一个纯电感线圈若接在直流电源上,其感抗Xl=（ 0 ）Ω,电路相当于（短路 ）.
5、在正弦交流电路中,已知流过电感元件的电流I=10A,电压u=20√2sin（1000t）V,则电流i=(10√2sin（1000t-90度） )A,感抗XL=（ 2 ）Ω,电感L=（0.002 ）H,无功功率QL=（200 ）var.
1、在纯电容正弦交流电路中,电压有效值与电流有效值之间的关系为（U=IXc ）,电压与电流在相位上的关系为（电压滞后电流90度 ）.
2、容抗是表示（ 电容器对交流电阻碍作用 ）的物理量,容抗与频率成（ 反 ）比,其值Xc=（1/(ωC)或1/(2πfC) ）,单位是（ 欧姆 ）；100pF的电容器对频率是106Hz的高频电流和50Hz的工频电流的容抗分别是（ 15.02 MΩ ）和（ 31.85 MΩ ）.
3、在纯电容正弦交流电路中,有功功率P=( 0 )W,无功功率Ql=（ UcI ）=（Uc^2/Xc ）=（I^2 Xc ）
4、一个电容器若接在直流电源上,其容抗Xc=（ ∞ ）,电路稳定后相当于（ 开路 ）.
5、在正弦交流电路中,已知流过电容元件的电流I=10A,电压u=20√2sin（1000t）V,则电流i=( 10√2sin（1000t+90度） ),容抗Xc=（ 2Ω ）,电容C=（500μF ）,无功功率Qc=（200 var ）.
1、串联正弦交流电路发生谐振的条件是（ Xl= Xc ）.谐振时的谐振频率品质因数Q=（Xl /R或Xc /R ）,串联谐振又称（电压谐振 ）.
2、在发生串联谐振时,电路中感抗与容抗（相等 ）,此时电路中阻抗最（ 小 ）,电流最（ 大 ）,总阻抗Z=（ R ）.
3、有一RLC串联正弦交流电路,用电压表测得电阻、电感、电容上电压均为10V,用电流表测得电流为10A,此电路中R=（ 1Ω ）,P=（100W ）,Q=（ 1 ）,S=（ 100W ）
请您先看看,若有问题我们再讨论,注意平方和下标.

二极管是单向导通用的
三极管是放大用的
电容是滤波的
电阻是分压的

从电路中可以看出是个增益可调（不大于500倍）的同相放大电路,电位器W2起到负反馈作用使电路处于闭环工作状态下,并且和R4构成比例电阻决定电路的放大倍数,调整W2的阻值就可以调整电路的放大倍数；R1、R5和W1起到消除传感器输出信号中的共模电压作用；R2可有可无.
其中并没有电容.

电阻本来就是通电的无所谓漏电,主要看测定值和标称值是否相符.
正表笔接电容正极,负接负,读数就是正向漏电电阻..

与电容的大小和负载的大小有关!裂相产生的三相电不经济（与负载有关）,不稳定.

画了个最简单的串接式稳压电路原理图给您参考：

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多大的瓷片电容配不到?瓷片电容很好配的!
不能说老板说的不对50V2200UF 的电容造价要比16V的高很多,如果用在电源电路上肯定比16V的好.
但是电容不止容量上的区别,充放电的性能相差很大,在音频电路体现的特别明显
比如 1UF的电解电容和1UF的瓷片 性能是完全不一样的.
功率大的电阻用是没问题的,可老板下料也太猛了
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ZYF04297205278 2008-11-27 22:22:14
你好刚才你回答的电容问题能在仔细点吗,我想了解一下好吗,比如1UF电解和涤纶电容用在音频电路上有什么不同
a6538662 18:11:44
[编辑本段]电容一般的选用 低频中使用的范围较宽,如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了,一旦选择不当会影响电路的整体工作状态；
一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容,就不可以使用绦纶的电容,和电解的电容,因为它们在高频情况下会形成电感,以致影响电路的工作精度.
a6538662 18:12:18
电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量.
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度.
精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取.
2、额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏.
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.
当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好.
电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积.
4、损耗
电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗.各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的.
在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关.
5、频率特性
随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律.
a6538662 18:16:28
区别
名称：铝电解电容
符号：
电容量：0.47--10000μ
额定电压：6.3--450V
主要特点：体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用：电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
名称：高频瓷介电容（CC）
符号：
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小,稳定性好
应用：高频电路
名称：低频瓷介电容（CT）
符号：
电容量：10p--4.7μ
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小,价廉,损耗大,稳定性差
应用：要求不高的低频电路
名称：独石电容
容量范围：0.5PF--1ΜF
耐压：二倍额定电压.
应用范围：广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路.
独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等.
最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.
就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.
就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.
里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0.2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般.

电容：C;电阻：R；电感:L

所有电子产品都要用到电阻、电容；不过许多电阻电容已集成化在模块里了.

电容一般80摄氏度以下或105摄氏度以下,但是一般是在50摄氏度以下工作,以确保稳定、寿命；电阻只要在额定功率工作状态下就没问题,一般有1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W等级别,温升范围依次逐渐增大.贴片封装表面积小,温升要求更严格.关于你的问题补充：130℃~~150℃是在焊接时候或其它功率元件传递的局部温度吗?（这个没问题,关键是持续时间不能太久,详见贴片焊接技术）如果不是,那是不可能的.

电路刚闭合时左回路总电阻为零,但是C1带电C2不带电,所以会有一个极短时间的C1放点C2充电过程直到C1和C2的电压相等,这个过程的持续时间趋于零.所以C1两端电压的初始值不是U1而是U1C1/(C1+C2).相当于原来C1带电分配给C1和C2并联.微分方程及结果如下：

串联电路中流经每个元件的电流是相同的电阻两端电压与此电流同相,但是电感上的电压超前于这个电流90°,电容两端电压滞后90°电压是有方向的,求总电压要用矢量求和的方法

1、R=100V/20=5?　　接200V交流时,阻抗为z=U/I=200/28.2=7.07?由Z2=X2+R2得感抗为X=5?由X=2?蒐得电感L=X/（2?5/(2X3.14X50)=0.016H=16mH 2