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大气层备份NAND（AtmosphericRadiationBack-upNAND）是一种特殊的闪存芯片，可以防止宇航员在太空遭受辐射损伤时丢失重要数据。大气层备份NAND不仅可以在太空任务中使用，也可以应用于别的高辐射环境中的数据存储，例如核电站和高能物理实验。NAND的高抗辐射性能和可靠性使得其成为关键的备用存储设备，确保重要数据不会丢失。

选择内置NAND接口的处理器或控制器的好处很多。如果没有这个选择，有可能在NAND和几乎任何处理器之间设计一个“无粘接逻辑(glueless)”接口。NAND和NOR闪存的主要区别是复用地址和数据总线。该总线被用于指定指令、地址或数据。CLE信号指定指令周期，而ALE信号指定地址周期。利用这两个控制信号，有可能选择指令、地址或数据周期。把ALE连接到处理器的第五地址位，而把CLE连接到处理器的第四地址位，就能简单地通过改变处理器输出的地址，任意选择指令、地址或数据。这容许CLE和ALE在合适的时间自动设置为低。为了提供指令，处理器在数据总线上输出想要的指令，并输出地址0010h；为了输出任意数量的地址周期，处理器仅仅要依次在处理器地址0020h之后输出想要的NAND地址。注意，许多处理器能在处理器的写信号周围指定若干时序参数，这对于建立合适的时序是至关重要的。利用该技术，你不必采用任何粘接逻辑，就可以直接从处理器存取指令、地址和数据。

NAND存储产品是工艺越老可擦写次（PE)数越多，3D NAND是指内部可以多层堆叠封装，现在国内半导体工艺不够成熟，在先进工艺上短期内追赶的可能性不大，但在NAND产品方面则可以通过使用老一代工艺的多层堆叠来实现弯道超车（老工艺的生产的成本更低）

是nand型的，这种特点是页读写，对于大数据量速度是块的，而且便宜，所以适合用来存放日常数据。而nor的特点是像EEPROM一样，具体可以达到bit的读写，因此对于小数据的access能力强，但是要读写大数据的话，速度没nand来得快，而且贵，因此nor一般用来存放mcu的执行代码。希望对你有帮助。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。 NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度 emmc设备上有一个控制器，和嵌入设备的host控制使用emmc协议交互。对于host设备来说，只需了解emmc协议就能驱动emmc进行读写。emmc上的控制器负责具体的对memrory的管理。对于嵌入式设备厂商来说轻松很多。因为不需要了解各个nand产品的不同了。 DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。 前两者是非易失性存储器，即为ROM，DDR属于易失性存储器，即为RAM。

XNOR也叫同或门

去上VB创一个tang文件

　　Fisrt part ：　　NAND flash和NOR flash的不同　　NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。　　● NAND的写入速度比NOR快很多。　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。　　---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》　　Second part：　　NAND Flash结构与驱动分析　　一、NAND flash的物理组成　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。　　NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：　　Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位　　Page Address ：页地址　　Block Address ：块地址　　对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。　　二、NAND Flash地址的表示　　512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。　　例如64MB（512Mb）的NAND flash（实际中由于存在spare area,故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。　　由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 为例：　　第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读　　写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。　　第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；　　第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；　　第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；　　因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。　　下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。　　三、NAND flash驱动解读　　以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。　　在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，有关NAND flash的驱动都在driver/mtd/nand/下，该目录中包含的源文件：smc_core.c是NAND flash的主要驱动。　　NAND flash 芯片定义了一个很长的结构，这个结构中包含了操作NAND flash的函数和一些必要的变量（include/mtd/nand.h）。　　struct nand_chip {　　#ifdef CONFIG_MTD_NANDY　　void (*hwcontrol)(int cmd);　　void (*write_cmd)(u_char val);　　void (*write_addr)(u_char val);　　u_char (*read_data)(void);　　void (*write_data)(u_char val);　　void (*wait_for_ready)(void);　　int page_shift;　　u_char *data_buf;　　u_char *data_cache;　　int cache_page;　　struct nand_smc_dev *dev;　　u_char spare[SMC_OOB_SIZE];　　#else　　……　　#ifdef CONFIG_MTD_NAND_ECC　　u_char ecc_code_buf[6];　　u_char reserved[2];　　#endif　　#endif　　};　　纵观对NAND flash的各种操作（read、write、erase），无外乎如下几种操作：　　1．选择flash nand_select()　　2．发送命令 nand_command()　　3．进行相应操作 read，write……　　4．反选NAND flash nand_deselect()　　下面是以上四步的实现代码：　　1、选择NAND flash　　#define nand_select() this->hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE); 　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1); 　　udelay (10);　　hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE)的作用是设置2410的NAND FLASH CONFIGURATION (NFCONF) REGISTER的NAND Flash Memory chip enable位为0，这位寄存器在自动重启后就被系统自动清零。如果要访问NAND flash的内存，这位必须置1。　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1)；向flash发送命令，此命令为reset，即为重置NAND flash。　　然后是10us的延迟，给flash个反应时间。　　2、发送命令　　Nand_command()同样在smc_core.c中实现。NAND flash的命令有如下几种：　　命令 命令值 描述　　NAND_CMD_READ0 0 读操作　　NAND_CMD_READ1 1 读操作　　NAND_CMD_PAGEPROG 0x10 页编程操作　　NAND_CMD_READOOB 0x50 读写OOB　　NAND_CMD_ERASE1 0x60 读写操作　　NAND_CMD_STATUS 0x70 读取状态　　NAND_CMD_STATUS_MULTI 0x71 读取状态　　NAND_CMD_SEQIN 0x80 写操作　　NAND_CMD_READID 0x90 读Flash ID号　　NAND_CMD_ERASE2 0xd0 擦写操作　　NAND_CMD_RESET oxff 复位操作　　按照程序的注释，可以将该函数的实现分为如下几步：　　1、Begin command latch cycle　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETCLE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_OUT);　　找到第二条语句的定义，发现什么都么做，不解!!希望达人解答。我猜想可能是一个数据读出的使能操作，允许数据读出。　　Command Latch Enable(CLE) and Address Latch Enable(ALE) are used to multiplex command and address respectively, via the I/O pins. The CLE input controls the path activation for commands sent to the command register. When active high, commands are latched into the command register through the I/O ports on the rising edge of the nWE signal. 看了这段英文相信对第一条语句的作用已经十分清楚了，他就是用来控制向命令寄存(COMMAND SET (NFCMD) REGISTER)发送命令的。　　2、 Write out the command to the device　　这部分对于不同的命令来说，操作的步骤也不太相同，如果为写操作，那么还有根据flash不同的容量决定操作步骤，具体可以参看代码。如果为其他命令，那么就是简单的一行：　　this->write_cmd (command);　　将命令直接想到命令寄存器（NFCMD[7:0]）中。　　3、 Set ALE and clear CLE to start address cycle & Serially input address　　1中已经提到了ALE和CLE的作用，现在开始发送地址。　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRCLE); // clear the command latch enable　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETALE); // set the address latch enable　　然后按位操作，是用函数write_addr()将地址写到NAND FLASH ADDRESS SET (NFADDR) REGISTER中。　　4、 Latch in address　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRALE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_IN);　　地址发送完毕，清楚ALE。　　5、 Pause for 15us　　我使用的VIVI中，使用udelay (15)延时15us，但这个时间会因NAND Flash的不同而不同。　　三、Operation　　根据函数的不同，操作部分会不一样，但是主要的是对NAND FLASH DATA (NFDATA) REGISTER的操作，或写（编程）或者读。通过读或写函数的参数来返回或传递读出的值或写入的值。写得操作通常比较麻烦，他要将写到flash的内容重新读出后进行ECC校验，如果数据正确则在重新真正的写（编程），如果错误，则将数据写入flash的另一个块。读和写都是以页为单位进行操作。而擦除则以块为单位，三个周期发送完地址。擦除完毕后同样需要进行检察以确定是否擦除成功。　　四、De-select the NAND device　　实现代码：　　#define nand_deselect() this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRNCE);　　反选flash吧，不知这样叫正确与否，跟select the NAND device相反，亦即使用完后将使能flash位清0，代码是NFCONF位于0x4e00_0000的位置（NFCONF |= NFCONF_nFCE_HIGH;），有兴趣的可以读读代码，看看这是怎么实现的，我的感觉就是关于寄存器的清置读起来都比较晕。　　　　　　　　基于三星K8F2G08U0M存储芯片的读写操作，如命令、地址、数据的读写时序，读芯片ID、页读、页写、随机读、随机写，坏块的检测、标记及处理。　　（1）写命令子函数　　void Write_Command(unsigned char Com)　　{　　FLASH_CLE = 1;　　FLASH_ALE = 0;　　　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Com;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（2）写地址子函数　　void Write_Address(unsigned char Addr)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Addr;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（3）写数据子函数　　void Write_Data(unsigned char dat)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_RE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = dat;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（4）读数据子函数　　unsigned char Read_Data(void)　　{　　unsigned char dat;　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_WE = 1;　　FLASH_RE = 0;　　dat = XBYTE[XP];　　FLASH_RE = 1;　　return dat;　　}　　(5) 读ID函数　　FLASH_CEN = 0; //读ID　　Write_Command(0x90);　　Write_Address(0x00);　　AA1 = Read_Data(); //0xEC　　AA2 = Read_Data(); //0xDA　　AA3 = Read_Data(); //无所谓　　AA4 = Read_Data();　　FLASH_CEN = 1;

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口

简单的说就是psp的系统所在的位置，具体的看下面PSP-NANDPSP主基板上有一颗三星的K5E5658HCM-D060的芯片,这是一颗整合芯片,包括PSP的内存(32MB 333MHz DDR SDRAM)和闪存(32MB NAND FlashROM).-内存内存是分成两部分的.8MB的系统内存和24MB的用户内存.由于MIPS R4000处理器的启动地址是0xBFC00000,所以在PSPSDK的kdumper那个例子里,这句:dump_memregion("ms0:/boot.bin", (void*) 0xBFC00000, 0x100000);dump的是PA/PB的主/副Boot区(各512KB).0x88000000到0x883FFFFF这4MB空间是用来在启动时加载系统核心和modules的.-闪存闪存也分成两个部分.1MB的引导区和31MB的数据区.数据区又包括24MB的Flash0(系统文件,固件)和4MB的Flash1(配置文件).lflash: 块设备,用来访问整个闪存,块大小为512字节,读/写lflash0:0,0(可写)flash0: FAT设备,只读lflash0:0,1(可写)flash1: FAT设备,只读lflash0:0,2lflash0:0,3fatfmtflashfat2flashfat3: 不详网上很多备份软件，搜索一下就能找到

NAND其实不是缩写 是Not AND 说白了就是与非NOR 就是或非是这样的NAND 里面的单元是按照所谓与非 的方式连起来的 NOR同理NAND线少 所以便宜 但是性能不如NOR所以大容量的完全是NAND的天下你放心 我解释的绝对没错 我就是学这个的

一直等。或者按住关机键8秒强制关机。还有个问题手机升级，没有网络。电脑端下载最新版本的itunes，不然重装时可能会造成未知错误。2.iphone连接itunes，将iphone关机，同时按住HOME键和关机键10秒，松开关机键，继续按住home键，直到在电脑上看到识别在DFU状态下的设备，电脑出现提示后，松开home键，选择itunes上的恢复选项按钮，在弹出来的选择框里点击确认恢复。3.接下来itunes会弹出页面提示将会抹掉一切内容，还将会与 Apple 服务器验证恢复，当验证以及提取文件完成以后，iTunes 就会自动为iphone重新安装下载好的固件版本了，等待安装成功后重新激活一下iphone就可以了。

一句话，nor只能读不能写，而nand可以读可以写，区别nand和nor的方法也很简单，直接向nor里面写入一个数据然后再读出来，如果读出的数据等于写入的数据就是nand，否则就是nor。

3D NAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会更多。传统的2D NAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3D X point则和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技术，而x point则是基于phase change material。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而x point是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，x point会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yield lost问题，会改变以后存储世界的格局。

看这儿吧， pdosgk说得很清楚：http://zhidao.baidu.com/question/6606107.html?si=4

NANDFLASH应该就是NANDMEMORY吧，就是指手机或者MP4的内存，就像电脑的内存一样，为程序的运行保存一些参数变量，断电后会自动清除。他的大小当然也要影响到手机的运行速度。相关的内存数据还有一个就是FreeExecutableRAMMemory，这个是实际可用内存，就是除手机自带程序占用的内存之外，用户可以自己支配的内存，比如开个QQ阿，或者打开个游戏阿，实际可用内存的大小会影响到这些程序的运行速度；

NAND是存放手机固件代码的存储器，比如手机的操作系统、一些应用程序如游戏等。 C盘存大约在70兆左右希望可以帮到你

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

建议按以下方法操作：1 、首先，最好取出SIM卡，以免丢失联系人信息 。2 、用布或纸巾擦拭手机的每个部分，不要过多地移动或摇晃手机，以免水在手机内部到处游走。3、尝试用布或纸巾包住手机几分钟，吸出过多的水分。吹风机开启凉风档，在距离手机大概30cm处对着手机的孔吹，最少持续吹一个小时。4、最后，把手机用纸巾薄薄包裹住，放入一个满大米的罐子或袋子里至少24小时，在此期间不能开机。大米的吸水性能很好，可以挽救受潮的手机。5、以上只是挽救措施，若开机后仍然出现故障，请前往售后维修。

1.Nor的成本相对高，容量相对小，比如常见的只有128KB，256KB，1MB，2MB等等，优点是读写数据时候，不容易出错。所以在应用领域方面，NorFlash比较适合应用于存储少量的代码。2.Nandflash成本相对低，说白了就是便宜，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大，现在常见的NandFlash都是1GB，2GB，更大的8GB的都有了，相对来说，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。Norflash，有类似于dram之类的地址总线，因此可以直接和CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对norflash进行访问，而NandFlash没有这类的总线，只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对NandFlash内部数据进行访问。相比之下，norflash就像是并行访问，NandFlash就是串行访问，所以相对来说，前者的速度更快些。但是由于物理制程/制造方面的原因，导致nor和nand在一些具体操作方面的特性不同。希望对你有用。请参看《如何编写Linux下NandFlash驱动》。]

nand容量=（page大小）*（1block中的page数目）*（1die中的block数目）*（1device中的die数目）一般每个page大概有4k或8k byte；一个block大概有64或者128page；1die大概有4096或8192block，1device大概有2或4die。假设1 page = 4K byte；1block= 64page；1die=4096block；1device=2die。那么一颗nand芯片容量=4K*64*4096*2 byte=2G byte

NAND还是国内第一电子乐团【与非门】创立的服装品牌：被誉为中国第一电子乐队的与非门乐队，在今年初签约新东家中天门文化后，就移师北上发展。在刚刚推出新作《我们是小孩》不久，与非门乐队又涉水服装行业，火速推出自创品牌nand，其首款T恤已在日前面世并在他们的官网进行销售。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。 我的回答你还满意吗？望采纳，谢谢！

一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR. 简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。参考资料： http://zhidao.baidu.com/question/6606107.html

最新的是ipodnano。现在都是第七代了。ipodclassic才有2代。ipodclassic是纯音乐播放器。ipodnano功能强大。功能多。可以看电子书，上网，看视频等等。

NANO-SIM卡是手机SIM卡类型之一。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。nano-SIM目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。据国外媒体报道，iPhone5已确认将采用Nano-SIM卡，而Nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。扩展资料：手机sim卡、小卡、nano卡区别：1、从大小上看：Nano SIM卡尺寸为12mm x 9mm；SIM卡：尺寸为25mm、15mm；小卡Micro SIM卡尺寸是12mm、15mm。2、从先后顺序看：SIM卡是第一代，小卡是第三代，Nano SIM卡是第四代。Nano-SIM卡目标是替代安装在手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。Nano SIM卡是第四代sim卡标准，是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积。

CTRL+C不行么

你好意思上该手机可以安放两张Nano格式（小型号码卡）的号码卡望采纳，祝您生活愉快(^_^)

就是手机SIM卡的一种尺寸，参看下图：

从大小上看:Nano? SIM卡尺寸为12mm x 9mm;SIM卡:尺寸为25mm、15mm;小卡Micro SIM卡尺寸是12mm、15mm

一般情况下没有区别。但是如果电脑配置不是很高的话，当玩到某些大型的游戏，如：永恒之塔效果全开时，usb鼠标就会因为供电不足而跳标或不好使用等情况。而ps2则没有这种情况。

手机电话卡的三种规格，以前那大的，后来带小齿一推的，最小的要裁卡（/剪卡）的，现在塞进手机的主流是nano。

nano自身不带下载上网的功能，因此要先下个itunes再将nano连接电脑，最好先注册（应该可以省去），然后在资源库里点击文件项“将文件（夹）导入……”选择你要导入的电影，然后回到nano界面时直接一键同步即可，或者到nano影视项中点击要导入的电影再同步即可。小提示：itunes与windows不同，windows里你可以剪切复制删除，但itunes不可，它只有不断地同步（即不断地覆盖），而且在操控nano时是无法删除的，只有在连接电脑的时候进行修改。还有问题吗？

SIM卡介绍：1、标准sim卡：尺寸：15×25mm；2、Micro sim卡（SIM小卡）：尺寸：15×12mm ；3、Nano sim卡（微型SIM卡）：尺寸：12.3×8.8mm。可以点击网页链接查看图文说明，若有更多使用疑问，可以点击网页链接咨询在线客服反馈。

ナノ（nano）是美国归国子女，双语歌手。2010/12/29,在视频网站“ニコニコ动画”投稿自编英语歌曲『モザイクロール』。短短3天位居视频网站排行榜第1的记录。2011/1/4发布的「ローリンガールを洋楽っぽく歌ってみた」，两日便位居第4位，2作品的动画同时进入了排行榜前10名。此后有许多VOCALOID乐曲的英语整理和西洋音乐翻唱乐曲的投稿，卓越的歌唱力 强有力的中性声音与地道的英文为特点 歌词映射个人的世界观 获得了很多听众的支持。NICONICO上投稿的动画被多次转载，从海外的评语也大量地寄来。2011/1/12,投稿原创曲子「EMPTY SHELL」

不是一个称呼吗 你怎么给分开了 以下是复制nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比正在使用的micro-SIM面积更小，更薄。苹果和诺基亚为nano-SIM卡的设计标准展开了竞争，并于2012年3月提交了设计方案，等待欧洲电信标准协会的投票表决。2012年9月13日报道，国内运营商采购Nano-SIM卡，首批或将在2012年9月21日面市。

娜楼~~

缩写为GSCGreenandSustainableChemistry《绿色与可持续化学》的缩写为GSC，是一本由科研出版社出版的关于绿色与可持续化学领域最新进展的国际期刊。科研出版社（ScientificResearchPublishing）作为开放读取（OpenAccess）的先行者、世界最大的开源期刊之一，目前已有180多种期刊及配套的电子版本，内容涵盖自然科学、农业科学、医药科学、工程与技术科学、社会科学等领域。多个期刊已被CAS，EBSCO，CABAbstracts，ProQuest，IndexCopernicus，LibraryofCongress，Gale，CSP等数据库全文或摘要收录。GSC的免费下载网址:http://www.scirp.org/journal/gsc.绿色化学是一门从源头上解决污染的学科和科学,是结合了化学,环境,物理,生物等多学科技术的科学,是一个可持续发展的科学.本文介绍了绿色化学的原理及绿色化学与可持续发展的内在联系.并对绿色化学未来的发展趋势进行了相关阐述.

?51.44乘27.94乘19.56cm。根据查询美国GREGORY官网信息显示，nano16运动旅行户外通勤背包尺寸为?51.44乘27.94乘19.56厘米。nano16采用BioSync弹性臀部腰带和肩带，可随着身体的自然动作进行拉伸和移动。

NanoSIM卡是手机sim卡的其中一种标准规格。nano-SIM卡比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的面积，其具体尺寸为12mmx9mm，厚度也减少了15%。诺基亚和苹果公司都参与了这种sim卡标准的制定，2012年9月13日报道，国内运营商采购Nano-SIM卡，首批在2012年9月21日面市。nano-SIM的设计意图：nano-SIM卡最初的设计目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。2012年6月1日据美国媒体报道，尽管对4FF(Nano-SIM)标准的不同提案存在反对和批评的声音，但苹果的Nano-SIM卡设计提案还是被欧洲电信标准协会(ETSI)采纳，诺基亚、RIM和摩托罗拉联合提交的提案落选。以上内容参考：百度百科-nano sim卡

nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比正在使用的micro-SIM卡面积更小，更薄。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。nano-SIM卡目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。扩展资料：相关信息——Nano SIM制造商捷德公司(Giesecke&Devrient)确认，Nano SIM卡比普通SIM卡和Micro SIM卡要薄15%，即便通过剪卡将前两代SIM卡剪到Nano SIM卡的大小，在厚度上也存在区别，无法放入Nano SIM卡卡槽，从而不能直接用于iPhone5。但Nano SIM卡通过卡套转换为前两代SIM卡则在技术上是可行的。据国外媒体报道，iPhone5已确认将采用Nano-SIM卡，而Nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比目前国内正在使用的micro-SIM面积更小，更薄。也就是说，大陆用户在购买iPhone5后，SIM卡如果剪裁到Nano-SIM的大小，势必会破会SIM卡芯片，将无法使用。目前广泛使用的SIM卡是由Giesecke & Devrient发明的，nano-SIM同样出自Giesecke & Devrient之手。遗憾的是，该公司表示，由于nano-SIM卡的厚度较前两代产品薄了15%，因此即使将micro-SIM卡剪成与之长、宽相同的尺寸，依然无法适应nano-SIM卡插槽。参考资料来源：百度百科-Nano-SIM卡

nano SIM卡是一种比micro sim卡还小的sim卡，本由苹果推出，现在已经运用到多款安卓旗舰上，例如HTC ONE M8等等

The nano editor is designed to emulate the functionality and ease-of-use of the UW Pico text editor. There are four main sections of the editor. The top line shows the program version, the current filename being edited, and whether or not the file has been modified. Next is the main editor window showing the file being edited. The status line is the third line from the bottom and shows important messages. The bottom two lines show the most commonly used shortcuts in the editor. Shortcuts are written as follows: Control-key sequences are notated with a "^" and can be entered either by using the Ctrl key or pressing the Esc key twice. Meta-key sequences are notated with "M-" and can be entered using either the Alt, Cmd, or Esc key, depending on your keyboard setup. Also, pressing Esc twice and then typing a three-digit decimal number from 000 to 255 will enter the character with the corresponding value. The following keystrokes are available in the main editor window. Alternative keys are shown in parentheses: ^G (F1) Display this help text ^X (F2) Close the current file buffer / Exit from nano ^O (F3) Write the current file to disk ^R (F5) Insert another file into the current one ^W (F6) Search forward for a string or a regular expression ^ (M-R) Replace a string or a regular expression ^K (F9) Cut the current line and store it in the cutbuffer ^U (F10) Uncut from the cutbuffer into the current line ^J (F4) Justify the current paragraph ^T (F12) Invoke the spell checker, if available Invoke the linter, if available Invoke formatter, if available ^C (F11) Display the position of the cursor ^_ (M-G) Go to line and column number M-U Undo the last operation M-E Redo the last undone operation M-A (^6) Mark text starting from the cursor position M-6 (M-^) Copy the current line and store it in the cutbuffer M-] Go to the matching bracket M-W (F16) Repeat the last search Search next occurrence backward Search next occurrence forward ^B (Left) Go back one character ^F (Right) Go forward one character ^Left (M-Space) Go back one word Right( Space) Go forward one word ^A (Home) Go to beginning of current line ^E (End) Go to end of current line ^P (Up) Go to previous line ^N (Down) Go to next line M-- (M-_) Scroll up one line without scrolling the cursor M-+ (M-=) Scroll down one line without scrolling the cursor ^Up (M-7) Go to previous block of text ^Down (M-8) Go to next block of text M-( (M-9) Go to beginning of paragraph; then of previous paragraph M-) (M-0) Go just beyond end of paragraph; then of next paragraph ^Y (F7) Go one screenful up ^V (F8) Go one screenful down M- (^Home) Go to the first line of the file M-/ (^End) Go to the last line of the file M-< (M-,) Switch to the previous file buffer M-> (M-.) Switch to the next file buffer ^I (Tab) Insert a tab at the cursor position ^M (Enter) Insert a newline at the cursor position ^D (Del) Delete the character under the cursor ^H (Bsp) Delete the character to the left of the cursor Cut backward from cursor to word start Cut forward from cursor to next word start M-T Cut from the cursor position to the end of the file M-J Justify the entire file M-D Count the number of words, lines, and characters M-V Insert the next keystroke verbatim ^L Refresh (redraw) the current screen ^Z Suspend the editor (if suspension is enabled) M-} (Tab) Indent the current line (or marked lines) M-{ (Sh-Tab) Unindent the current line (or marked lines) M-3 Comment/uncomment the current line (or marked lines) ^] Try and complete the current word M-: Start/stop recording a macro M-; Run the last recorded macro ^Q Search backward for a string or a regular expression ^S Save file without prompting M-X Help mode enable/disable M-C Constant cursor position display enable/disable M-O Use of one more line for editing enable/disable M-S Smooth scrolling enable/disable M-$ Soft wrapping of overlong lines enable/disable M-# Line numbering enable/disable M-P Whitespace display enable/disable M-Y Color syntax highlighting enable/disable M-H Smart home key enable/disable M-I Auto indent enable/disable M-K Cut to end enable/disable M-L Hard wrapping of overlong lines enable/disable M-Q Conversion of typed tabs to spaces enable/disable M-B Backup files enable/disable M-F Reading file into separate buffer enable/disable M-M Mouse support enable/disable M-N No conversion from DOS/Mac format enable/disable M-Z Suspension enable/disable

你可以这么理解疑问句原文 やったのは本当にお前なのですか。变成简体（です变成だ或者干脆省略です）就有了やったのは本当にお前なのか。最后省略掉末尾的　かやったのは本当にお前なの？の　在广辞苑中有个解释：终助词，疑问句句尾省略掉か后的形式。例：何を话しているの（か）なの是因为结尾是名词或者形容动词的原因陈述句同理，なの就是なのです的简体

指的是这一个网络连接到另一个网络的关口。在Internet网里，网关的作用是一种连接内部网与Internet上其它网的一种中间设备，通俗来说，也叫做路由器。网关地址是能够理解成内部网与Internet网信息传输的一种通道的地址。

是相对于以前接收器的概念。就是说是一个很小的接收器。以前的接收器有优盘那么大，甚至更大。连接鼠标或者键盘用的。一般都是支持2.4g的设备。现在有些也是支持5g设备的。他其实是一个信号接收器，用于设备和电脑之类的连接使用。

nano技术不是科学。而是技术。

亲 是 那喏噶 希望能够帮到你 不懂的话 欢迎追问哦

您好，手机卡损坏后，用户携带身份证到当地运营商营业厅办理补卡业务即可，目前运营商支持异地补卡的，回答仅供参考，更多安徽电信套餐，业务资讯可以关注安徽电信公众号。

那努

nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比正在使用的micro-SIM卡面积更小，更薄。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。nano-SIM卡目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。扩展资料：相关信息——Nano SIM制造商捷德公司(Giesecke&Devrient)确认，Nano SIM卡比普通SIM卡和Micro SIM卡要薄15%，即便通过剪卡将前两代SIM卡剪到Nano SIM卡的大小，在厚度上也存在区别，无法放入Nano SIM卡卡槽，从而不能直接用于iPhone5。但Nano SIM卡通过卡套转换为前两代SIM卡则在技术上是可行的。据国外媒体报道，iPhone5已确认将采用Nano-SIM卡，而Nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比目前国内正在使用的micro-SIM面积更小，更薄。也就是说，大陆用户在购买iPhone5后，SIM卡如果剪裁到Nano-SIM的大小，势必会破会SIM卡芯片，将无法使用。目前广泛使用的SIM卡是由Giesecke & Devrient发明的，nano-SIM同样出自Giesecke & Devrient之手。遗憾的是，该公司表示，由于nano-SIM卡的厚度较前两代产品薄了15%，因此即使将micro-SIM卡剪成与之长、宽相同的尺寸，依然无法适应nano-SIM卡插槽。参考资料来源：百度百科-Nano-SIM卡

Micro-SIM卡的大小尺寸保持在12mm×15mm，比原来的SIM卡要小很多，也就是我们常说的小卡。现在，除了iPhone4，安卓版本的智能手机都是使用Micro-SIM卡的。同时，苹果还成功申请了相关的专利，这是一种与Micro-SIM卡有关系的连接器，可以帮助使用者快速将SIM卡拔出来，插进去，可以保证SIM卡不会受到损害。Nano-SIM卡nano-SIM卡是迄今为止见到的最小的手机卡，只有原来SIM卡体积的60%，大小尺寸保持在12mm×9mm，厚度只有原来的SIM卡的75%。这款nano-SIM在2012年9月份的时候，第一次出现在国内。对于使用iPhone5、iPhone5s、iPhone5c手机的人来说，就必须使用nano-SIM卡了。

NaNO3硝酸钠NaNO2亚硝酸钠

般若NANO继承般若Hannya系列一如既往的强烈设计感，在时下众多的同质化的产品中做到独树一帜，极具辨识度。 黑白两种机身配色，搭配附送的挂绳，让你做圈里最潮的仔~ 整机做工上乘，随机附送两套可拆卸的磁力面板，采用浮雕处理，质感出色，随意搭配，极具个性。 ③般若NANO采用陶瓷雾化芯，口感细腻，无炸油体验，解析力对比其他家陶瓷芯小烟优势明显，最大程度还原烟油口感。般若NANO机身采用600毫安大电量电池，保证一天强度使用，烟弹容量为2ml，底部四颗金属磁力触点，搭配1.2Ω电阻，保证烟雾量； 值得一提的是，般若NANO烟弹吸口的内凹设计，将冷凝液留在凹槽内，保证烟油口感，抽满三仓都没有发生吸入冷凝液的现象。 总结，解析力虽然略逊于UWELL系列的棉花芯，但般若NANO的个性的产品设计，不炸油，零冷凝，综合体验更好 如果习惯陶瓷芯的细腻口感，值得购买。

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nano卡一般是指小卡的，手机卡分为普通SIM卡，Nano-SIM 卡，Micro-SIM卡等，任意剪裁的普通SIM放入您的手机中，很有可能会出现不能正常打电话或不能上网等一系列问题出现，甚至损坏或烧毁您手机的硬件，我们一般是不提供剪卡服务的，建议您可到当地的营业厅进行换卡，更多详情请您亲临当地的营业厅进行咨询了解。—————iPhone SE已正式发售，了解合约机的最新消息请点击http://www.10010.com/02M1t； 您可能还关注：优惠大赠送！【4G全国套餐存费送优惠！】【4G主副卡，一人付费，全家打！】还等什么，点击下列相应链接进行办理吧!【4G全国套餐】：http://u.10010.cn/sAbMM；【4G主副卡】：http://www.10010.com/02upy；

lv贝壳包有很多个尺寸。lv贝壳包专柜有nano、bb、小号、中号四个尺寸。nano是最小的底长17cm,算是超迷你吧,bb底长25cm,算迷你号,小号底长32cm,中号36cm

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Nano-SIM卡简介nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比正在使用的micro-SIM面积更小，更薄。苹果和诺基亚为nano-SIM卡的设计标准展开了竞争，并于2012年3月提交了设计方案，等待欧洲电信标准协会的投票表决。2012年9月13日报道，国内运营商采购Nano-SIM卡，首批或将在2012年9月21日面市。产品介绍nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。nano-SIM目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。据国外媒体报道，iPhone5已确认将采用Nano-SIM卡，而Nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。 它比目前国内正在使用的micro-SIM面积更小，更薄。也就是说，大陆用户在购买iPhone5后，SIM卡如果剪裁到Nano-SIM的大小，势必会破会SIM卡芯片，将无法使用。 目前广泛使用的SIM卡是由Giesecke & Devrient发明的，nano-SIM同样出自Giesecke & Devrient之手。遗憾的是，该公司表示，由于nano-SIM卡的厚度较前两代产品薄了15%，因此即使将micro-SIM卡剪成与之长、宽相同的尺寸，依然无法适应nano-SIM卡插槽。

没有区别，微型卡就是nano卡。我个人一直觉得Nano这个尺寸是belt中最有魂最活泼的，也是165左右女孩子上身大小比例最好的，上身完全不显小，反而显高瘦。很多小红书网友表示Nano容量一点都不小其实很能装雨伞化妆包钱包统统能放下，相反170左右的女孩子我就建议Micro这个尺寸上身比例会更协调。nano，SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比正在使用的micro至SIM面积更小，更薄，苹果和诺基亚为nano，SIM卡的设计标准展开了竞争，并于2012年3月提交了设计方案，等待欧洲电信标准协会的投票表决。nano，SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro至SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。nanoSIM目标是替代安装在iPhone手机上的microSIM，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。

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NANO-SIM卡是手机SIM卡类型之一。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。nano-SIM目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。据国外媒体报道，iPhone5已确认将采用Nano-SIM卡，而Nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。扩展资料：手机sim卡、小卡、nano卡区别：1、从大小上看：Nano SIM卡尺寸为12mm x 9mm；SIM卡：尺寸为25mm、15mm；小卡Micro SIM卡尺寸是12mm、15mm。2、从先后顺序看：SIM卡是第一代，小卡是第三代，Nano SIM卡是第四代。Nano-SIM卡目标是替代安装在手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。Nano SIM卡是第四代sim卡标准，是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积。

NanoSIM卡是手机sim卡的其中一种标准规格。nano-SIM卡比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的面积，其具体尺寸为12mmx9mm，厚度也减少了15%。诺基亚和苹果公司都参与了这种sim卡标准的制定，2012年9月13日报道，国内运营商采购Nano-SIM卡，首批在2012年9月21日面市。nano-SIM的设计意图：nano-SIM卡最初的设计目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。2012年6月1日据美国媒体报道，尽管对4FF(Nano-SIM)标准的不同提案存在反对和批评的声音，但苹果的Nano-SIM卡设计提案还是被欧洲电信标准协会(ETSI)采纳，诺基亚、RIM和摩托罗拉联合提交的提案落选。以上内容参考：百度百科-nano sim卡

uim与nano区别，nano sim卡和sim卡的主要区别就是尺寸大小不同。目前有三种sim卡的标尺寸标准都被称为标准卡。 Sim卡大卡的标准尺寸是25毫米×15毫米。 Micro sim卡的尺寸是12毫米×15毫米。拉动sim卡是目前最小的微型卡，尺寸是12毫米×9毫米。动手能力强的人可以把前两种sim卡剪成nano sim卡。 nanoSim卡也可以通过卡套变成Micro sim卡或者是sim卡大卡。

nano-SIM卡

1.Nano卡即Nano SIM卡,被称为第四种形状因子集成电路板,是新一代手机SIM卡。2.SIM卡包括Nano SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡和

Nano SIM 和 Micro SIM三种SIM卡比较就是这个。Nano-SIM卡nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的 面积，其具体尺寸为12mm x 9mm，厚度也减少了15%。

NanoSIM卡是手机sim卡的其中一种标准规格。nano-SIM卡比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的面积，其具体尺寸为12mmx9mm，厚度也减少了15%。诺基亚和苹果公司都参与了这种sim卡标准的制定，2012年9月13日报道，国内运营商采购Nano-SIM卡，首批在2012年9月21日面市。nano-SIM的设计意图：nano-SIM卡最初的设计目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。2012年6月1日据美国媒体报道，尽管对4FF(Nano-SIM)标准的不同提案存在反对和批评的声音，但苹果的Nano-SIM卡设计提案还是被欧洲电信标准协会(ETSI)采纳，诺基亚、RIM和摩托罗拉联合提交的提案落选。以上内容参考：百度百科-nano sim卡

是。经查询太平洋电脑网网站可知nano-SIM卡又被称作第四形式要素集成电路板，是新一代的手机SIM卡。它比正在使用的micro-SIM卡面积更小，更薄。苹果和诺基亚为nano-SIM卡的设计标准展开了竞争。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的面积，其具体尺寸为12mmx9mm，厚度也减少了15%。nano-SIM卡目标是替代安装在iPhone手机上的micro-SIM卡，其更小的尺寸将会为增加的内存和更大的电池与更密集的主板排布释放空间，有助于手机厂商生产更轻薄的产品。

mini的大。nano-SIM卡是12mm x 9mm，miniSD卡是21.5x20。miniSD卡是在数码相机，PDA等所用的Flash Memory Card（中文名：快闪存储卡）基础上发展出的一种更小更适合小型手机用的存储卡。nano-SIM卡是一种手机微型SIM卡，比Micro-SIM卡更小，只有第一代SIM卡60%的面积，厚度也减少了15%。分类根据外型，可以大致将SD卡划分为：SD卡、mini SD卡、Micro SD卡（旧称TF卡）这三种。标准SD是最大的一种，目前市面上大多数消费级数字相机和摄像机均使用此标准的SD卡，这种卡有标准的“缺角”设计。Mini SD卡小于标准SD卡，这种卡原本是为笔记本电脑而设计，但由于笔记本已兼容标准尺寸的SD卡，现在非常少见了。Micro SD是最小的一种SD卡标准，也就是通常意义上我们说的TF卡，大多数手机支持此卡。

外观一样，不过 nano 的品控没有anker nano pro的好。 nano 款在左边可以看到有明显的胶水痕迹。anker nano pro和 nano 款充电的速度基本上是没有区别的，都可以做到30分钟给我的 iPhone 12 mini 充入50％的电。唯一一点区别就是应该是体积的优势折叠款的发热量相比 nano 款来说稍微低一点点。anker nano pro相比 nano 款最大的优势是插头可以折叠起来。携带更加方便，体积稍大，价格便宜点。而 nano 款最大的优势就是体积。和苹果5A祖传充电头一样的大小，做到了20w的充电功率。

很好，nano品牌服装因追求信誉和口碑所以在质量上通常都严格把关，nano品牌衣服穿几年之后基本上不会破损或掉色

nano英文是小的意思，即迷你接收器，因为以前的无线鼠标接收器比较大，像u盘那么大，现在小了，所以叫nano接收器

MP3播放器。nano盒子是苹果电脑结合iPod shuffle与iPod mini特点于一身的第4代MP3播放器，于2005年9月7日发行，取代了iPod mini。苹果iPhone是苹果公司研发及销售的智能手机系列，搭载着苹果公司自行研发的iOS移动操作系统，第一代iPhone于2007年1月9日由发布。苹果iPhone所采用的多点触控技术和它友好的用户界面对其他制造商的智能手机设计产生了深远影响。美国的时代周刊将其称为“2007年的年度发明”。

vi是Unix世界里极为普遍的全荧幕文书编辑器，几乎可以说任何一台Unix机器都会提供这套软体就像Windows的记事本一样。 键入 vi /etc/hosts 进入vi界面，把光标移动到文件未尾。按ESC键进行命令模式，然后输入A，新起一行 输入你要配置的host ，如...

纳米假发。nano是纳米假发，材质易于打理还不失真，发丝是工人在仿真发底上一根一根钩织上去的。假发使用几年后，需要保养，修理后，还会戴几年，这款假发最长的使用时间有3~5年。

不太明白的说~~是什么名字？

你的设备需要一张nano手机卡，就是通常说的小卡，插起了才能上网或者定位。

是纳米的意思