na

名字哦

如果有空的话看看这些http://www.douban.com/group/topic/1838168/http://hi.baidu.com/weizhiwen/blog/item/db9aa251bf87d218377abe44.html

南希：优雅

1、nancy的寓意：友善的，圆融，自己的价值观非常牢固。 2、名字含义优雅，优雅的，古典的 优雅 以前是一个中世纪小的ANNIS，虽然自18世纪以来它一直是ANN的缩影。它现在通常被认为是一个独立的名称。在20世纪，它在美国非常受欢迎。法国洛林地区的一个城市拥有这个名称，虽然它源于不同的来源。

寓意：友善的，圆融，自己的价值观非常牢固nancy一、含义：n. 南希(女子名；Ann 的昵称)二、用法名字含义优雅，优雅的，古典的 优雅 以前是一个中世纪小的ANNIS，虽然自18世纪以来它一直是ANN的缩影。它现在通常被认为是一个独立的名称。在20世纪，它在美国非常受欢迎。法国洛林地区的一个城市拥有这个名称，虽然它源于不同的来源。Nancy planned to finish her report after she got over her illness.南希计划病愈后完成她的报告。扩展资料：情侣名：HankHank一、含义：汉克(男名)n. （一）把，（一）卷，（一）束二、用法配对理由：Hank 和 Nancy 取自影片《疯子：一个爱情故事》中的情侣角色，适合情侣专用。名字含义庄园的统治者，Henry的昵称 最初是汉金的一种简短形式，是约翰的中世纪缩影。自从17世纪在美国这个名字也被用作亨利的缩影，可能在荷兰小亨肯的影响下。Now it is time for Hank and Tim to go home.现在是汉克跟提姆该回家的时候了。

不错的！　　南茜

人名

中文意思是南西

南希

不是。一般疑问句的回答只能是yes或no，选择疑问句的回答是题目中给出的结果中选一。因此这是选择疑问句

名字 南希

简单的说 NAND包括 IPL IFlash IDStorage IPL是你程序初始化的加载器 神电的原理就是基于这个 IDStorage 保存着你所有的KEY文件 如果备份NAND的话 一般情况下 是备份IDStorage 有一点一定要注意 IDStorage绝对不能用别人的 要不肯定砖头了 Flash0 储存当前固件文件 一般刷XMB界面就是对Flash0动刀子 Flash 1 保存着你的所有设置 Flash2 只有当你用psp连接ps3或者电脑来登陆PlayStation网络的时候才会出现 Flash3 是被用来存储看电视功能的 如果像你说的你备份了NAND 那么当你变砖的时候（有点不吉利，呵呵） 用你备份的软件还原就行了 如果还有什么不懂的话 电玩巴士有详细的讲解 希望我的回答对你有帮助

UFS是一种高速的接口，存储的核心还是NAND Flash颗粒，如UFS的结构图：

可能是存储方面的原因，NAND] _FindFlashmediaAndKeepout:600 physical nand block offset 1发现媒体和隔离：600物理NAND块偏移1[NAND] start :355 this 0x90340999 PROVIDER=0x9005c380 flashmedia=0x9oo5c380开始：355本0x90340999提供商= 0x9005c380 Flash媒体= 0x9oo5c380[NAND] WMR_start:149 Apple PPN NAND Driver, Read/Writewmr_start：149苹果PPN NAND驱动器，读/写[NAND] WMR_start:174 FIL Init [OK]wmr_start：174文件初始化[确定]首先说智能手机和电脑是一样的，都是由主板、cpu、硬盘、内存、显示模组等等硬件组成。苹果手机存储好像用的是mcp，mcp是dram和NAND Flsha叠加的一种存储芯片，NAND Flsha相当于硬盘，dram相当于内存条。以上内容是说NAND物理模块偏移，应该是这里出了问题，造成系统加载项无法运行。这是个硬件问题没办法自己维修，去厂家返修吧，不是刷机能解决的问题。我的回答完全是基于个人的认为，如果有高手知道是什么问题或者我的回答有误欢迎拍砖，我也希望能够搞明白这个问题。

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

作用如下：NAND 的目的是储存各种类型的在伺服器使用寿命期间可能会变更的伺服器资料、组态资讯及程式。选取NAND 技术是因为它能够在整个系统彻底断电时保留资料，并可以重写多次。从Gen8 系列ProLiant 伺服器开始HPE 在ProLiant 伺服器中融入NAND 快闪装置。在使用HPE 整合式Lights-Out 5 (iLO 5) 的HPE Gen10 系列伺服器与使用HPE 整合式Lights-Out 4 (iLO 4) 的HPE Gen8 系列或Gen9 系列伺服器上，HPE 已更新NAND 实作。所做的变更包括使用一个仅供NAND 使用的eMMC 控制器，并使用最新的eMMC 通讯协定以取得更完整的NAND 运作状况资讯。

nand 相当于你用ghost对操作系统做的一个备份 但这个备份中还包括了硬件的信息所以不能用在别的psp上nand包括key key相当于硬件的驱动 有些key可以通用 有些不行 比如MAC地址的key

nand好。1、3DNAND颗粒可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，而3DTLC颗粒由于产品不同，所以规格也不尽相同。2、三层存储单元TLC读写速度比较慢，且使用寿命也比较短。3DNAND读写速度很快。

SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写，NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快。知识延展：SPI串行外围设备接口是一种常见的时钟同步串行通信接口，外置flash按接口分有总线flash，SPI flash，总线flash需要你的MCU上有外部总线接口。NADA flash又名闪存，是一种长寿命的非易失性存储器，它在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，闪存是电子可擦除只读存储器的变种，闪存比EEPROM的更新速度快。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

你的手机内存卡有128兆的储存空间。

目前市售的Nand Flash制程工艺不固定，基本在20nm—34nm范围内。民用产品主要是30nm左右的产品。制程技术最好的就是三星、海力士，还有IMFT（英特尔镁光）。

就是该手机硬盘容量为128G，闪存类型为nand。

nand写入量400T报废。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。1.5T左右的闪存容量×平均PE268=400多T的nand写入量。

　　1. 区别　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●NOR的读速度比NAND稍快一些。　　●NAND的写入速度比NOR快很多。　　●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。（4）接口差别　　NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。（5）容量差别： NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。（6）可靠性和耐用性－寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。－位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。－坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。（7）易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。（8）软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行　　2. 趋势　　NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。　　　　　　3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

备份是防止出错恢复用的神电V7V8都出来了F0都可以重建了现在备份NAND已经没有多大意义了

你没有分区的话..nand+ext是会报错的,只能NAND备份另外nand和你刷的ROM没啥关系即使是刷了ROM.NAND恢复后还是原来你备份的ROM..不停重启的话.你可能是装了一些什么软件恢复后不要开机,然后试试进入FASTBOOT里头链接ADB删除掉一些手机里头的软件.

固态硬盘（SSD）一般采用 NAND 闪存作为存储介质。NAND 闪存是一种非易失性存储器件，通常用于大容量数据存储，如固态硬盘、USB闪存驱动器等。与 NOR 闪存不同，NAND 闪存具有更高的存储密度和更快的读写速度。 由于 NAND 闪存具有更优秀的价格性能比和大容量存储能力，因此它已成为固态硬盘中的主流存储介质。同时，随着 NAND 闪存技术不断发展，固态硬盘等应用的性能和可靠性也在逐步提升。

3D NAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会更多。传统的2D NAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3D X point则和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技术，而x point则是基于phase change material。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而x point是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，x point会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yield lost问题，会改变以后存储世界的格局。

到手机维修店，查一下主板吧

华硕路由器nand闪存坏道可能是闪存器件坏了。NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储。三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高存储密度,降低存储成本。Nand Flash 是Flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

尺寸控制和线宽控制。1、nand和dram都包含许多微小的结构和电路，制造过程必须具有高精度的尺寸控制。意味着在生产过程中必须要有切实可行的测量和校正方法，以确保每个器件都在规定的尺寸范围内。2、在制造nand和dram时，必须保持精确的线宽控制，是由于电路中的许多功能和电路元素都需要非常细的线宽，例如晶体管的栅极线宽、线路和连接的线宽等。

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。而1G2G4G8G16G是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。这里为什么会有多种选择呢？因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。当然，容量越小，价格越便宜。自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

一、优缺点不同1、MLC：为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC：复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。二、特点不同1、MLC：是容量大成本低，但是速度慢。2、SLC：成本高、容量小、速度快。三、架构不同1、MLC：MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC：SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。参考资料来源：百度百科-SLC MLC

nand flash. 虽比较有坏轨，但是ECC 已克服此问题!!

Flash memory

nand颗粒封装die数量是16颗。根据查询相关公开信息显示：每颗颗粒里面有16颗die(3DNAND芯片)叠在一起封装，每颗die里面有高达92层wordline(100LinlcudingdummyWLsandselectors)，而且是一次穿孔。

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当a和b都是高电平时，下面的两只串联导通，上面并联的两只截止，所以输出低电平vss。当a或b只要有一只是低电平时，下面串联的两只合成结果是导通（因为若想要导通必须两个一起导通才行），上面的并联两只则至少有一只导通（就是低电平的那个管导通），高电平被连接下来，输出到输出端。望采纳。

是的。NAND闪存芯片中的层数越高，意味着存储容量越高。此前，存储芯片中使用的最高层数为128，而三星现在已接近生产160层或更高层的芯片。

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8mm乘6mm。nand存储是一个嵌入式存储解决方案设计的LGA8WSON小封装，颗粒封装尺寸只有8mm乘6mm，SD卡的操作与SD卡类似，是行业标准尺寸。

NAND其实不是缩写是NotAND说白了就是与非NOR就是或非是这样的NAND里面的单元是按照所谓与非的方式连起来的NOR同理NAND线少所以便宜但是性能不如NOR所以大容量的完全是NAND的天下你放心我解释的绝对没错我就是学这个的

未知。正在等待nand要等多久是未知的，没有准确的数值，正在等待nand是刷机时造成的参数错误。若是出现可以选择重新启动，若仍然出现便是手机损坏。

OR或，AND与，XOR异或，NOR或非，NAND与非，XNOR异或非。(1)“与”逻辑关系。可以表述为：“当有关条件A、B、C都具备时，事件F才能发生。”“与”逻辑可用“逻辑乘法”表示，写作：F=A*B*C。（2）“或”逻辑关系。可以表述为：“当有关条件A、B、C中只要有一个或一个以上具备时，事件F就能发生。”“或”逻辑可用“逻辑加法”表示，写作：F=A+B+C。关系逻辑是研究事物间任意性质关系的逻辑推演规律的理论。关系是指若干事物之间的某种相互联系，它是逻辑学的重要概念之一。

3个。前两个单独直连两个输入信号变成两个not，然后再接第三个，第三个输出为or

DRAM内存芯片是指用来做计算机普通内存使用的芯片,NAND闪存芯片是指用来做移动U盘的芯片.

nandflash储存型快闪记忆体；闪存；储存型闪存例句筛选1.PricingintheNANDflashmemorychipmarkethasstayedfirmthisyearthankstostrongdemandfromsmartphoneandtabletmakers.由于来自智能手机和平板电脑制造商的强劲需求，NAND闪存芯片市场的价格今年保持坚挺。2.NANDflashinnegativedelaystoredtestingandmeasuringsystem运用NAND闪存的负延时存储测试系统

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您有保基带升级吗？如果没有基带升级，可能会变砖的、

首先调用erase,将NAND全部擦除一遍,然后执行如下检测操作,如果页大于512字节,badblockpos = 0;badblockbytes = 2;如果页小于512字节,badblockpos = 5;badblockbytes = 1;读取每个block的前两页OOB区域的第badblockpos开始的后badblockbytes字节是否为0xff,如果是,那么说明该block是好的,否则该block是坏块[gliethttp_20080523]！UINT_T create_bbt(FlashBootType_T fbt){ UINT_T Retval; P_FlashProperties_T pFlashP = GetFlashProperties(fbt); UINT_T BlkSize,BlkNum; UINT_T flash_addr;#define page_size (2048)#define page_spare_size (64)#define block_size (64*page_size)#define tmp_buffer_addr (0x80200000 - page_size - page_spare_size)#define tmp_spare_buffer_addr (tmp_buffer_addr + page_size) int i,j; char *bbpos; bbpos = (char*)(tmp_spare_buffer_addr + 0); BlkSize = pFlashP->BlockSize; BlkNum = pFlashP->NumBlocks; for(i = 0;i < BlkNum;i++) { flash_addr = i * BlkSize; for(j = 0;j < 2;j++) { Retval = xdfc_read((UINT_T *)tmp_buffer_addr, flash_addr + j*page_size, page_size, (UINT_T *)tmp_spare_buffer_addr, GetNANDProperties()); if(Retval) { goto __create_bbt_mark; } if(bbpos[0] != 0xff)goto __create_bbt_mark; if(bbpos[1] != 0xff)goto __create_bbt_mark; } continue;__create_bbt_mark: RelocateBlock( i, &GetFMProperties()->BBT, fbt ); }}

同意楼上!

NAND还是国内第一电子乐团【与非门】创立的服装品牌：被誉为中国第一电子乐队的与非门乐队，在今年初签约新东家中天门文化后，就移师北上发展。在刚刚推出新作《我们是小孩》不久，与非门乐队又涉水服装行业，火速推出自创品牌nand，其首款T恤已在日前面世并在他们的官网进行销售。

简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。

3ds报nand错误修复方法如下：1、拆机飞线才能用NAND恢复真实系统。2、必须有误升级前备份的nand.bin文件。

NAND是闪存芯片，掉电后数据不会消失DRAM用于内存，掉电后数据会丢失，速度快

一、原因：这是刷机时造成的参数错误。二、解决办法：将iphone关机；同时按住HOME键和关机键10秒；松开关机键；继续按住home键；直到在电脑上看到识别在DFU状态下的设备。一、刷机：手机方面的专业术语；是指通过一定的方法更改或替换手机中原本存在的软件或者操作系统；刷机就是给手机重装系统；刷机可以使手机的功能更加完善；并且可以使手机还原到原始状态；Android手机出现系统被损坏通过刷机来解决。二、风险预警：苹果刷机后不可再享受免费维修政策；建议用户要慎重。

闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应，将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。 NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度 。当芯片磨损，抹除与程序的操作速度会降到相当慢。传递多个小型文件时，若是每个文件长度均小于闪存芯片所定义的区块大小时，就可能导致很低的传输速率。访问的迟滞也会影响性能，但还是比硬盘的迟滞影响小。闪存控制器的质量也是影响性能的因素之一。即使闪存只有在制造时做缩小晶粒(die-shrink)的改变，但如果欠缺合适的控制器，就可能引起速度的降级。 不同种类、不同工艺、不同技术水平的NAND闪存在读写速率上存在差异。同时，闪存产品的读写性能也与读写方式有关。一般闪存的数据接口为8位或者16位，其中8位较为常见。如果产品支持多通道并行读写，那么就会有更高的速度。 NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND闪存单元的大小比NOR要小(4F2：10F2)的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。此外，跟硬盘一样，NAND器件存在坏的扇区，需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品。NAND闪存用于几乎所有可擦除的存储卡。NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显；ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。NAND工作原理与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。ROM定义智能手机配置中的ROM指的是 EEProm (电擦除可写只读存储器)，类似于计算机的硬盘，一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像（ROM image）写入只读内存（ROM）的过程。智能手机的ROM指的是其存储空间，一般是由UFS等闪存制作，其硬件不是只读的，所谓只读是指软件层面对系统分区的读写权限设置。常见的 ROM image 有 img、zip 等格式，前者通常用fastboot程序通过数据线刷入（线刷），后者通常用 recovery 模式从 sd刷入（卡刷），固 img 镜像也被称为线刷包，zip 镜像也被称为卡刷包。因为 ROM image 是定制系统最常见的发布形式，所以通常玩家会使用 ROM 这个词指代手机的操作系统。

与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。

Naab owns 23 Nirvana CDs and several Nirvana T-shirts. Mrs . Naab said over coffee around her kitchen table. As the Naab Cycleway the path continues to the city of Regen *** urg. Wartensleben"s army retreated behind the Naab River on 18 August. In August, Naab brought her grandson to the council"s attention. The NAAB is a signatory to the Canberra Accord. It is situated on the river Naab , 23 km east of Amberg. The school is accredited by the National Architectural Accrediting Board ( NAAB ). Naab said to the council before the vote. Both documents are available on the NAAB website. It"s difficult to see naab in a sentence. 用 naab 造句挺难的 The National Architectural Accrediting Board ( NAAB ) accredited the architecture program in 1958. He then fought in Regen, on the river Naab , and near Linz. Naqvi is also the founder of the monthly magazine Masharab-e- Naab . The Master of Architecture degree is accredited by the National Architectural Accrediting Board ( NAAB ), Kallm黱z also has a medieval bridge, bearing masons"marks, over the river Naab . The " NAAB " is the sole authority for granting accreditation for professional architecture degree programs. There it discharges into the Naab . "Your neighbors must e first, " he said, addressing Naab in the audience. Under the advice of a school psychiatrist, Naab will keep Cope out of school until the fall. A new certification path for architects with a NAAB -accredited degree will launch in July, 2017. Naab , the plumber, says his *** children are struggpng more than he ever did to raise famipes. Home Depot tries to buy locally from regional buying offices, using full-time plant searchers pke Vincent Naab . When asked what the family will do, Naab said, " I don"t know ." It is situated on the river Naab , 12 km south of Schwandorf, and 23 km north of Regen *** urg. A triumph for students this year is the inclusion of a standardized NAAB four-year degree language in college catalogs. Naab asked the Town Council to grant her a waiver that would allow Cope to stay with her until he was 18. Jerry Lee Naab , a blunt-spoken former painting contractor, agreed, saying : " We are family oriented. The Master of Architecture professional degree is offered by our School, accredited by the National Architectural Accrediting Board ( NAAB ). Lynne Rae Naab , the boy"s grandmother, said, daubing her eyes after recalpng the Dec . 19 expulsion order. Local leaders hope to bring in trenching machinery to dig irrigation ditches to the nearby Naab -Kajshri river located to the southeast. It"s difficult to see naab in a sentence. 用 naab 造句挺难的 The U . S . Chamber of Commerce, an NAAB member, mocked the regulations as Cpnton"s parting gift to labor. The minimum standards that all NAAB -accredited programs must meet are described in " The 2014 NAAB Conditions for Accreditation ." The minimum standards that all NAAB-accredited programs must meet are described in " The 2014 NAAB Conditions for Accreditation ." The NAAB -accredited degree is accepted for registration in all 54 U . S . jurisdictions and is required in 37 of them. Baker said there have been no plaints about Cope pving with his grandmother, LynneRae Naab , in the year he"s been there. Popce in Regen *** urg said they had recovered the body of a woman drowned after apparently being swept from her bicycle by the overflowing Naab River. As Jourdan closed up to the Naab South of the Danube, Charles received reinforcements that brought his strength up to 60, 000 troops. "We"re struggpng to keep our house, " says plumber Glen Naab , 53, his bright blue eyes clouding over. In the United States, The National Architectural Accrediting Board ( NAAB ) is the sole agency authorized to accredit US professional degree programs in architecture. Colleges and universities in the United States where either an NAAB accredited Bachelor of Architecture or Master of Architecture degree can be obtained are psted below. She has chaired Mujeres Activas en Letras y Cambio Social ( MALCS ) as well as the Washington State Native American Advisory Board ( NAAB ). Mr . Naab , who graduated from the State Agricultural College in Farmingdale, N . Y . and whose area is from Virginia to New Hampshire. Now that Cope is able to stay in Youngtown, Naab said she"s not too concerned about getting the attorney general to investigate the ordinance. The ""Doctor of Architecture ""( D Arch ) degree program is accredited by the National Architectural Accrediting Board ( NAAB ). The Bavarians then colonized the area from the March of the Nordgau along the Naab river ( later called the Upper Palatinate ) up to the Merovingian vassal. Tyler Naab , 17, and Beth Dorenkamp, 17, could not make it to the original vigil and saw this as a second chance to pay their respects. To learn more about the process for continuing accreditation, candidacy, and initial accreditation, please read " The NAAB Procedures for Accreditation, " 2012 Edition. The successful design-build program began in 1999 . Dean Miller offered the architecture school a national presence through his activities with ACSA, AIA, NAAB and NCARB. The attacks may have inspired the building tradition initiated by Pacal and continued by his son, K"inich Kan Bahlam, and grandson, Akul Mo" Naab . The Architecture Program is accredited by the National Architectural Accrediting Board ( NAAB ); and the School of Management by the International Assembly for Collegiate Business Education ( IACBE ). It"s difficult to see naab in a sentence. 用 naab 造句挺难的

RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦，因此就有了Flash Memory的发展 ，Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处，又可以在需要的时候任意更改资料 ，不过单价也比普通的ROM要高。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。

nand是和意思。128MB的RAM才是内存。而16GB的空间相当于电脑的硬盘，用于给用户存储数据用的。NAND是一种闪存，也是用于存储东西的。但是它存储的东西是操作系统、启动程序和文件系统。

在电子上是指与或门！

NAND其实不是缩写 是Not AND 说白了就是与非NOR 就是或非是这样的NAND 里面的单元是按照所谓与非 的方式连起来的 NOR同理NAND线少 所以便宜 但是性能不如NOR所以大容量的完全是NAND的天下你放心 我解释的绝对没错 我就是学这个的

http://www.blog.edu.cn/user2/chenwenli/archives/2006/1236898.shtml这里很详细 你点开看吧！

在电子上是指与或门！

onasmallscale的意思是：小规模地（的）。onasmallscale的意思是：小规模地（的）。onasmallscale的网络解释是小规模地：onalevelwith和...同一水准|onasmallscale小规模地|onaccountof因为,由于。onasmallscale的例句是Doesthatmeanthatsolarenergycanonlybeusedonasmallscale,likeheatingahome?这是不是意味着太阳能只能在小范围内使用，比如为家庭供暖？AsHagginputit,Mendelssohn,asacomposer,wasaminormasterworkingonasmallscaleofemotionandtexture.正如哈金所说，门德尔松作为一个作曲家，是一个在小规模的情感和质地上工作的二流大师。Itcanstartonasmallscale.它可以从一个小范围开始。一、网络解释点此查看onasmallscale的详细内容1.小规模地：onalevelwith和...同一水准|onasmallscale小规模地|onaccountof因为,由于2.小规模的：onalargescale大规模的|onasmallscale小规模的|aheadofschedule提前3.onasmallscale在线翻译3.小法模地：tothepoint切中要害,切题58595|onasmallscale小法模地71672|indemand有要要,销路好855574.小规模的,小型的：ex-chiefn.前任首领,前任领导|2.onasmallscale小规模的,小型的|accusev.tosaythatsomeonehasdonewrong,orhasbrokenthelaw指控,控告二、例句Doesthatmeanthatsolarenergycanonlybeusedonasmallscale,likeheatingahome?这是不是意味着太阳能只能在小范围内使用，比如为家庭供暖？AsHagginputit,Mendelssohn,asacomposer,wasaminormasterworkingonasmallscaleofemotionandtexture.正如哈金所说，门德尔松作为一个作曲家，是一个在小规模的情感和质地上工作的二流大师。Itcanstartonasmallscale.它可以从一个小范围开始。onasmallscale的相关临近词on、onunit点此查看更多关于onasmallscale的详细信息

TLC是4G不是3G

nand是switch的存储，它是一个32GB的eMMC模块。nand是switch的向下硬盘驱动，它是一个32GB的eMMC模块，用来存储固件和游戏。switch的nand或者虚拟系统的EMUNAND文件，解密其中的存档操作起来有些麻烦。switch备份nand可以通过破解前备份的nand以后可以恢复洗白。前提是你没被ban，另外就有nand也是一个保险，万一砖了可以用来恢复。

最佳答案性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说

sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。 nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；inand flash：是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。 Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。NANDFlash启动： NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nandflash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。 这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。NORflash启动：支持XIP即代码直接在NOR Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NORFlash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到NANDflash中，借助cpu内部RAM（SRAM）直接云行。 nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。 NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和nandflash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部nandflash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。 总结： Arm的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在arm开电的时候，要想让arm知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。 1当引脚OM0跟OM1有一个是高电平时，这时地址0会映射到外部nGCS0片选的空间，也就是Norflash，程序就会从Norflash中启动，arm直接取Norflash中的指令运行。 2当OM0跟OM1都为低电平，则0地址内部bootbuf（一段4k的SRAM）开始。系统上电，arm会自动把NANDflash中的前4K内容考到bootbuf（也就是0地址），然后从0地址运行。这时NANDFlash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把NANDFlash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）为什么会有这两种启动方式，关键还是两种flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。NAND FLASH 总容量大，但是读写都需要复杂的时序，更适合做数据存储器。这种不同就造成了NORflash可以直接连接到arm的总线并且可以运行程序，而NANDflash必须搬移到内存（SDRAM）中运行。在实际的开发中，一般可以把bootloader烧入到Norflash，程序运行可以通过串口交互，进行一定的操作，比如下载，调试。这样就很可以很方便的调试你的一些代码。Norflash中的Bootloader还可以烧录内核到Norflash等等功能关于为什么NAND Flash不能直接运行程序的说明：Nand Flash的命令、地址、数据都通过I/O口发送，管脚复用，这样做做的好处是，可以明显减少NAND FLASH的管脚数目，将来如果设计者想将NAND FLASH更换为更高密度、更大容量的，也不必改动电路板。 NAND FLASH不能够执行程序，本人总结其原因如下 ：1. NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。 2. NAND FLASH是顺序存取设备，不能够被随机访问，程序就不能够分支或跳转，这样你如何去设计程序。

大气层备份NAND（AtmosphericRadiationBack-upNAND）是一种特殊的闪存芯片，可以防止宇航员在太空遭受辐射损伤时丢失重要数据。大气层备份NAND不仅可以在太空任务中使用，也可以应用于别的高辐射环境中的数据存储，例如核电站和高能物理实验。NAND的高抗辐射性能和可靠性使得其成为关键的备用存储设备，确保重要数据不会丢失。

选择内置NAND接口的处理器或控制器的好处很多。如果没有这个选择，有可能在NAND和几乎任何处理器之间设计一个“无粘接逻辑(glueless)”接口。NAND和NOR闪存的主要区别是复用地址和数据总线。该总线被用于指定指令、地址或数据。CLE信号指定指令周期，而ALE信号指定地址周期。利用这两个控制信号，有可能选择指令、地址或数据周期。把ALE连接到处理器的第五地址位，而把CLE连接到处理器的第四地址位，就能简单地通过改变处理器输出的地址，任意选择指令、地址或数据。这容许CLE和ALE在合适的时间自动设置为低。为了提供指令，处理器在数据总线上输出想要的指令，并输出地址0010h；为了输出任意数量的地址周期，处理器仅仅要依次在处理器地址0020h之后输出想要的NAND地址。注意，许多处理器能在处理器的写信号周围指定若干时序参数，这对于建立合适的时序是至关重要的。利用该技术，你不必采用任何粘接逻辑，就可以直接从处理器存取指令、地址和数据。

NAND存储产品是工艺越老可擦写次（PE)数越多，3D NAND是指内部可以多层堆叠封装，现在国内半导体工艺不够成熟，在先进工艺上短期内追赶的可能性不大，但在NAND产品方面则可以通过使用老一代工艺的多层堆叠来实现弯道超车（老工艺的生产的成本更低）

是nand型的，这种特点是页读写，对于大数据量速度是块的，而且便宜，所以适合用来存放日常数据。而nor的特点是像EEPROM一样，具体可以达到bit的读写，因此对于小数据的access能力强，但是要读写大数据的话，速度没nand来得快，而且贵，因此nor一般用来存放mcu的执行代码。希望对你有帮助。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。 NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度 emmc设备上有一个控制器，和嵌入设备的host控制使用emmc协议交互。对于host设备来说，只需了解emmc协议就能驱动emmc进行读写。emmc上的控制器负责具体的对memrory的管理。对于嵌入式设备厂商来说轻松很多。因为不需要了解各个nand产品的不同了。 DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。 前两者是非易失性存储器，即为ROM，DDR属于易失性存储器，即为RAM。

XNOR也叫同或门