flash

flash这句话中解释为一闪,flashes就是好几道 lightning就解释为闪电 great flashes of lightning 意思好几道闪电

我好象回答了这个问题，其实这个问题不是简单的问题哟。 import flash.display.Shape;var ballN:uint = 20;//此为最大球的半径var ballR:Number = 50;var gAr:Array=new Array();var ballAr:Array = [];const stageW:Number = stage.stageWidth;const stageH:Number = stage.stageHeight;//格子的数量var gw:uint = uint(stageW / ballR);var gh:uint =uint( stageH / ballR);if (ballN>gw*gh){ ballN = gw * gh;}//我们创建一个没有任何球的空格子数组，用以将重复的球填充到这些空格子中var nullAr:Array = [];var 重复格子:Array = [];//现在创建一个绘制球的函数function drawBall(vol:Number):Shape{ var ball:Shape=new Shape(); with (ball.graphics) { beginFill(0x880000,1); drawCircle(0,0,vol); endFill(); } return ball;}//现在创建球，并随机分布在舞台上for (var i:uint=0; i<ballN; i++){ var ball:Shape = drawBall(Math.random() * ballR * 0.25 + ballR * 0.25); ballAr[i] = ball; ball.x = Math.random() * stageW; ball.y = Math.random() * stageH; addChild(ball);}//创建格子数组for (var gm:uint=0; gm<gh; gm++){ for (var gn:uint=0; gn<gw; gn++) { //我们在这创建二维数组，第个格子看成一个二维数组中的成员 var 格子数组:Array = []; gAr.push(格子数组); }}//现在我们用另外一个循环来将格子推进这个二维数组for (var k:uint=0; k<ballAr.length; k++){ var m:uint = Math.floor(ballAr[k].x / ballR); var n:uint = Math.floor(ballAr[k].y / ballR);//下面我们把坐标重新排列一下， ballAr[k].x = m * 50; ballAr[k].y = n * 50; gAr[gw * n + m].push(ballAr[k]);}//下面我们来看一下有哪个格子有重复的;for (var mm:uint=0; mm<gAr.length; mm++){ if (gAr[mm].length == 0) { nullAr.push(mm); } else if (gAr[mm].length>1) { 重复格子.push(gAr[mm]); }}var 重复格子数 = 重复格子.length;var index:uint = 0;//现在把重复的从新填充到空格子中for (var _i:uint=0; _i<重复格子数; _i++){ //这个的前提是球的总是不能大于gw*gh for (var _m:uint=0; _m<重复格子[_i].length-1; _m++) { index++; var num:uint = nullAr[index]; 重复格子[_i][_m].x = (num % gw) * ballR; 重复格子[_i][_m].y = Math.floor((num / gh)) * ballR; }}

要看你选择的单位

用造梦西游修改器是弹出flash设置点不了？答：用造梦西游修改器是弹出flash设置需要激活一下，否则不能点。

U盘物理损坏有两种情况，一是存储芯片损坏，二是主控板（主控IC和电路板）损坏。第一种是没有必要修复的，因为存储芯片损坏是无法修复的。第二种情况，可以将存储芯片取下，焊接到一个新的并且和原U盘的主控板完全相同型号的主控板上，这样完成焊接后的U盘就可以使用了，并且存储芯片内的数据不会丢失，这需要专业人员完成。

就是一个叫做rot的变量，其初始值=0

用处：删除字符串左右的占位空字符（以下简称空格），比如空格，回车，换行，制表Tab等符号，并返回删除后的String。 代码：第一个函数：ltrim() 消除字符串左边空格的函数，返回一个新的字符串function ltrim(str:String):String{var size =str.length;for(var i = 0; i < size; i++){if(str.charCodeAt(i) > 32) //解释：空格，tab,回车，换行charCode小于32{return str.substring(i);}}return “”;}第二个函数：rtrim() 消除字符串右边空格的函数，返回一个新的字符串：function rtrim(str:String):String{var size = str.length;for(var i = size; i > 0; i–){if(str.charCodeAt(i) > 32)//同上{return str.substring(0, i + 1);}}return “”;}第三个函数：trim() 消除字符串两边空格的函数，返回一个新的字符串：function trim(str:String):String{return rtrim( ltrim(str) );}字符串子串替换函数 replace()功能：将指定字符串中某子串替换成另一个字符串，并返回新字符串。用处极广。用法：replace (原字符串，要替换的子串，用来替换的子串)原字符串为 “Hi, a river is a story “,使用replace (”Hi, a river is a story “,”a”,”their”) ，则返回字符串“Hi, their river is their story”。常常用来替换词，屏蔽不好的用语等。function replace (str:String, replace:String, replaceWith:String):String{var sb:String = new String();var found:Boolean = false;for (var i = 0; i < str.length; i++){if(str.charAt(i) == replace.charAt(0)){found = true;for(var j = 0; j < replace.length; j++){if(!(str.charAt(i + j) == replace.charAt(j))){found = false;break;}}if(found){sb += replaceWith;i = i + (replace.length - 1);continue;}}sb += str.charAt(i);}return sb;}字符串子串删除函数remove()原理很简单，使用replace函数，将要删除的子串替换为空字符即可。用法 ：remove ( 原字符串， 要删除的子串);function remove(str:String, remove:String):String{return replace(str, remove, “”);}

帮助中如是说：Loader 类可用于加载 SWF 文件或图像（JPG、PNG 或 GIF）文件。 使用 load() 方法来启动加载。 被加载的显示对象将作为 Loader 对象的子级添加。使用 URLLoader 类加载文本或二进制数据。Loader 类会覆盖其继承的以下方法，因为 Loader 对象只能有一个子显示对象 -- 其加载的显示对象。 调用以下方法将引发异常：addChild()、addChildAt()、removeChild()、removeChildAt() 和 setChildIndex()。 要删除被加载的显示对象，必须从其父 DisplayObjectContainer 子级数组中删除 Loader 对象。注意：在 ActionScript 3.0 中使用的不是 ActionScript 2.0 MovieClipLoader 和 LoadVars 类，而是 Loader 和 URLLoader 类。

这个是优酷网站自行选择的，应该是没有办法改变，除非使用低版本不支持html5的浏览器，但是这是指在电脑上，如果是手机，那么只有html5格式的。

an适合什么样的人物模型热门频道_首页_博客_研修院_VIP_APP_问答_下载_社区推荐频道_活动_招聘_专题打开CSDNAPPCopyright1999-2020,,AllRightsReserved__打开APP__人物照片生成人物模型_人物通知翻译2020-08-2314:42:46_weixin_26739079_码龄8年关注人物照片生成人物模型InAndroid11,we"remakingAndroidmorepeople-centricandexpressive,reimaginingthewaywehaveconversationsonourphones,andbuildinganOSthatcanrecognizeandprioritizethemostimportantpeopleinyourlife.Aspartofthatexperience,conversationnotificationsinAndroid11appearinadedicatedsectionatthetopoftheshade,withapeople-forwarddesignandconversationspecificactions,suchasopeningtheconversationasabubble,creatingaconversationshortcutonthehomescreen,orsettingareminder.在Android11中,我们使Android更加以人为本和更具表现力,重新想象了我们在手机上进行对话的方式,并构建了一个可以识别并确定生活中最重要人物的优先级的OS。作为这种体验的一部分,Android11中的对话通知会显示在阴影顶部的专用区域中,具有人性化的设计和特定于对话的操作,例如以气泡形式打开对话,在家庭中创建对话快捷方式屏幕或设置提醒。Thisposttakesalookanumberoffactorswhichcanaffectanotification"srankingtohelpyouunderstandhowthenotificationsyourappsendsmightbeprioritizedforyourusers.这篇文章介绍了许多可能影响通知排名的因素,以帮助您了解如何为您的用户确定应用发送的通知的优先级。什么是通知?(Whatisanotification?)NotificationsaresignalsintheUIthatconveysomesortofinformationtotheuser,suchasnewsalerts,achatmessagefromafriend,orareminderaboutanupcomingevent.通知是UI中的信号,可将某种信息传达给用户,例如新闻警报,来自朋友的聊天消息或即将发生的事件的提醒。Therearedifferenttypesofnotifications,butinthisblogpostwewillfocusonpeoplenotificationsastheyplayacriticalroleinthewayweuseourphonesandareoneofthecorefunctionalitiesandusagesofmobiledevicestoday.通知的类型不同,但是在此博客文章中,我们将重点关注人员通知,因为它们在我们使用电话的方式中起着至关重要的作用,并且是当今移动设备的核心功能之一。人物通知(Peoplenotifications)Peoplenotificationsaremessagesthathaveapersonorpersons(s)incontext.SinceAndroid8(Oreo),peoplenotificationshavereceivedelevatedtreatmentinthevisualhierarchyofnotificationsinthedrawer,prioritizedafterongoingorcritical/majornotifications.Withinpeoplenotifications,therankingofyournotificationishigherwhenanotificationhasapersoncontextandacontactURIassigned.人员通知是在上下文中包含一个或多个人员的消息。自Android8(Oreo)以来,人员通知在抽屉式通知的视觉层次结构中得到了提升的处理,在进行中或重要/重大通知之后将其优先处理。在人员通知中,当通知具有人员上下文和分配的联系人URI时,通知的排名会更高。_Notificationdrawervisualhierarchy通知抽屉视觉层次Asanappdeveloper,itisimportanttoensurethatyouusenotificationsfortherightpurpose,andthatyoudon"tmisuseaspacewhichisnotmeantforyourparticularnotification.Forexample,anotificationaboutanupcomingeventonacalendarappshouldnotappearasanurgentnotificationintheconversationspace.AlthoughAndroidempowersitsusers,vianotificationchannels,toconfigurethefrequency,visibility,andimportanceofanotification,violatinggoodpracticestakesawayfromthevalueandcredibilityofyourapp,andcannegativelyimpactyourstandinginthePlayStore.作为应用程序开发人员,重要的是要确保您将通知用于正确的目的,并且不要滥用不适合您的特定通知的空间。例如,有关日历应用程序中即将发生的事件的通知不应在对话空间中显示为紧急通知。尽管Android通过通知渠道授权用户配置通知的频率,可见性和重要性,但违反良好做法会损害应用程序的价值和信誉,并可能会对您在Play商店中的地位产生负面影响。通知排名(Notificationranking)Forthoseinterestedinthedetailsofrankingorhownotificationsareordered,prioritized,andsorted,theNotificationRecordisworthnoting.Itcontainsalltherelevantinformationusedtorankanotificationandwhererankingcalculationsoccur.Notificationsarerankedbasedonvariousfactors:channelsettings(priorityforpre-channelnotifications,preAndroid8.0),noisiness,freshness,andcontext.Toseethevariouscriteriathatdeterminearanking,lookintoalltheclassesthatimplementtheNotificationSignalExtractor.对于那些对排名或通知的排序,优先级和排序方式的细节感兴趣的人,通知记录是值得注意的。它包含用于对通知进行排名以及排名计算发生位置的所有相关信息。通知会根据各种因素进行排名:渠道设置(渠道前通知的优先级,Android8.0之前的版本),噪音,新鲜度和上下文。要查看确定排名的各种条件,请查看实现NotificationSignalExtractor的所有类。TheValidateNotificationPeopleextractorisworthnotingasitrelatestopeople.FollowingthroughthevalidatePeoplemethodcall,itsetsanaffinitybitasthecriteriatosortnotificationsbyimportance.ValidateNotificationPeople提取器与人有关,因此值得注意。在通过validatePeople方法调用之后,它将亲和力位设置为按重要性对通知进行排序的标准。privateRankingReconsiderationvalidatePeople(Contextcontext,finalNotificationRecordrecord){...finalPeopleRankingReconsiderationrr=validatePeople(context,key,extras,(),affinityOut);finalfloataffinity=affinityOut[0];(affinity);...returnrr;}Theaffinityincreasesbasedonthefollowing:ifthenotificationisavalidcontact,ifthevalidcontactisfromtheuser"scontactsandifthecontactisstarredorafavorite.亲和力的增加基于以下因素:如果通知是有效联系人,有效联系人来自用户的联系人以及该联系人已加星标或收藏夹。Android11和对话(Android11andConversations)InAndroid11,therearechangesfurtherhighlightingtheimportanceofpeoplerelatedfunctionality.Messagingstylenotificationsnowhaveadedicatedsectioninthedrawer/shade.在Android11中,所做的更改进一步突出了与人相关的功能的重要性。消息样式通知现在在抽屉/阴影中有一个专用部分。Inadditiontothenewconversationspace,Bubbles,whichwerepreviewedinAndroid10,arebuiltontopofnotifications,andallowforeasylinkingtoyourconversationsfromafloatingoverlay.除了新的对话空间外,在通知10的基础上还构建了在Android10中预览的Bubbles,可轻松地从浮动叠加层链接到您的对话。_Thededicatedconversationspaceandbubbleselevatesthepeoplefocusexperience专用的对话空间和气泡提升了人们的专注体验IfyoutakealookatthepublishingofshortcutsintheConversationAPIs,conversationscanalsobesurfacedthroughoutvariouspartsofthesystembyfollowingcertainguidelines;facilitatingsharingandallowingforcertainactionswithapersonincontext.如果您查看对话API中快捷方式的发布,则遵循某些准则,对话也可以在系统的各个部分中浮出水面。促进共享并允许在上下文中与某人进行某些操作。以人为本(Peoplefirst)ThesechangesinAndroid11signifytheplatform"sdirectioninfurtherinvestinginandimprovingpeoplecommunication.FormoreinformationaboutthesechangesinAndroid11andAPIguidance,pleasecheckoutconversationsintheAndroidDeveloperdocs.Android11中的这些变化标志着该平台在进一步投资和改善人员沟通方面的方向。有关Android11和API指南中这些更改的更多信息,请查看AndroidDeveloper文档中的对话。相关信息(RelevantInformation)Conversations对话内容AndroidnotificationsAndroid通知翻译自:人物照片生成人物模型原文链接:文章知识点与官方知识档案匹配Python入门技能树人工智能深度学习208242人正在系统学习中打开CSDNAPP,看更多技术内容__Unity3D动态生成模型好东西,值得与大家分享。本文要实现的功能是动态生成模型。为这个系列的第一章。其目标在于根据用户的输入生成出指定的模型。本文实现的是简单的隧道模型,如果对于复杂的模型,需要精细的数学知识扩充,但对于unity3d的使用则无两样,均通过指定的一些方法实现。这个需求,在非静态工厂的监控很为强烈,因为场景经常变化,不可能让工程人员或者研发人员在现场一直维护。最新发布一键生成?从照片生成人脸3D模型#AvatarMeMixlab制作数字人的工具非常多,2D类制作工具包括Live2D、VroidStudio;超写实类制作工具包括Avatary、MetaHumanCreator等。知识库除了使用设计工具进行数字人制作,也可以使用算法直接生成数字人模型。AvatarCLIP就是通过输入文本来输出动态数字人模型。小杜AvatarMe也是可自动生成数字人模型的算法,输入信息可以...继续访问_【浅谈如何基于人像照生成2D、3D虚拟形象】浅谈如何基于人像照片生成2D、3D虚拟形象(Photo-to-Avatar)为什么写这样一篇文章?从技术上如何实现——自动生成虚拟形象?可能用到的技术、工具有哪些?结语为什么写这样一篇文章?近年来,元宇宙概念已经从娱乐、工作、文旅等多个方面偷偷溜进我们的生活,关于元宇宙的概念这里不做普及,相信看过《头号玩家》、《失控玩家》之类的电影,会让我们对元宇宙有了一些自己的想法,但首先都需要存在一个可以代替自己在元宇宙的虚拟形象。那么如何生成一个可以代表自己的虚拟形象就是一个问题。在已有的一些角色扮演等类型的游戏继续访问_python人像生成_GAN漫画人物生成实战MyMangaGAN!-BuildingMyFirstGenerativeAdversarialNetworkAcompletewalkthroughtobuildaGenerativeAdversarialNetworktomakeyourveryownanimecharacterswithKeras.Ihavealwaysbeenama...继续访问AI技术|PIFuHD-由高清图片生成3D人物模型对BIM的启示AI技术|PIFuHD-由高清图片生成3D人物模型对BIM的启示AI技术|PIFuHD-由高清图片生成3D人物模型对BIM的启示AI技术|PIFuHD-由高清图片生成3D人物模型对BIM的启示最近在知乎上逛着看到一个非常有意思的AI技术,叫PIFuHD,这个技术可以由一张人物的高清图片,进行一系列的像素处理,生成人物的3D模型结构,很多关于人物的细节都处理得很好,还原度很高,下面是官网的展示:更有趣的是这个技术在GitHub上开源了,目前star是4.8K,在GoogleCoLab继续访问照片转3d模型_CVPR2020:高逼真度2D照片生成3D人像模型研究AvatarMe6月19日青亭网报道,此前我们报道过很多类似的基于2D图片生成3D模型或3D人像的技术,不过大部分都是支持将人脸部分贴图到3D模型中。而在近期的CVPR2020会议上,伦敦帝国学院的一篇论文正在结合AI和机器学习技术,与面部数据分析公司研究人员共同发布这个名为“AvatarMe”的机器学习模型。据了解,该系统的特点是可以根据一个一张简单的头部2D照片,即刻生成一个高质量的3...继续访问如何通过DCGAN实现动漫人物图像的自动生成?背景基于生成对抗网络(GAN)的动漫人物生成近年来兴起的动漫产业新技术。传统的GAN模型利用反向传播算法,通过生成器和判别器动态对抗,得到一个目标生成模型。由于训练过程不稳定,网络难以收...继续访问_Unity2D图片生成简单3D模型UCLAMeshCreatorUCLAMeshCreator2D图片生成对应简单3D效果1、png的2D图片效果更佳2、导入Unity直接使用MAX人物生成器可以随意拉出来一个人脸来进行编辑更方便快捷超精细写实的3D人物模型,这可不是照片!细节做得很到位且生动看看下面几个模型还有放大的细节图栩栩如生3D人物模型一般制作使用的软件如下图文章推荐阅读【学习企鹅圈:1072172722】:3D游戏建模前景如何?是做什么的?大牛分享月薪2万教程工具笔记【自提】次世代3D游戏究竟有什么不同,看人物建模与场景搭建,第一眼就有答案!什么是次世代游戏?科普次世代游戏角色制作过程游戏行业很赚钱?那是你继续访问RPG角色生成器(C++)角色生成器需要记录玩家输入的名字,选择的性别,种族,职业,并且根据不同职业所随机生产的属性也不相同。1.设计思路首先建一个基类Base用来保存和实现,保存玩家输入的姓名和性别的选择,同时需要声明两个友缘类Output,File可以访问该类中的数据。在基类Base基础上建一个派生类Race,用来记录玩家选择的种族,和职业,同时规定什么种族可以选择什么职业,人类可以选择全部职业;精灵不能选继续访问[Unity][live2D][独立游戏][Unity功能]二维图片3D人物模型互动化,独立游戏开发选择之一live2D,能做什么。主要用于游戏类型:立绘游戏,推理游戏。通过绘画来弥补2D图片互动的不足,达到类似3D模型的互动效果。工作量比纯2D绘画(组成的动作)要小,比3D精确建模难度要小。也可以实现绅士游戏、DNF类型、阴阳师类型、某些手机游戏。实现原理图:参考资料:1.在unity项目中使用live2D,以及RenderTexture的简单使用。2.怎样制作属于自己的Live2D角色?3...继续访问RPG角色生成器java编写的简单的RPG角色生成器,使用了jdbc数据库连接继续访问热门推荐C语言版RPG角色生成器1.功能描述几乎所有的RPG游戏(一种源自《龙与地下城》的游戏类型)在进入游戏时都会让用户自己来创建自己喜欢的角色。本次上机要求编写一个简化的创建游戏角色的程序。继续访问【深度学习】人物图片标签生成简介图片处理的时候,经常会给图片标签处理,Illustration2Vec是网上一个比较好的任务标签开源库,用于生成人物特征的标签。Illustration2Vec下载地址:并且在/releases下载模板文件和标签文件。I...继续访问_能做出跟照片一样真实的游戏模型,是如何做到的?先来欣赏一组Artstation3D建模师的作品,超精细写实的3D人物模型,这可不是照片!细节做得很到位且生动,看看下面几个模型,还有放大的细节图,栩栩如生!他一般制作使用的软件如下图能做出以上优秀作品肯定离不开这些常用软件Maya软件是美国Autodesk公司出品的世界顶级的三维动画软件,应用对象是专业的影视广告,角色动画,电...继续访问_Java:RPG角色生成器RPG角色生成器1.功能描述几乎所有的RPG游戏(一种源自《龙与地下城》的游戏类型)在进入游戏时都会让用户自己来创建自己喜欢的角色。2.游戏角色应有的属性本题目要求的游戏角色应有以下属性:名字、性别、种族、职业...继续访问python机器学习人工智能_写评论_评论_1_点赞_踩_分享flash中动画素材在哪里可以找到？flash是矢量动画软件,所以可以去找一些矢量图的素材。这些是FLASH和AI通用的。一般是后缀为.ai或者.swf的文件另外百度搜索flash动画素材就会出现很多素材例如:正方形立体旋转flash动画素材人物剪影flash动画素材跳跃姿势flash矢量动画FLASH中所能使用的素材有哪些？如何将其导入到舞台flash中可以导入的素材有一下几种:声音,一般的mp3,wav格式都可以,(但有例外详见)图片,gif,jpg等格式都可以。视频,wmv,mpg,flv等格式都可以。导入方法:(导入图片的与声音的方法相似)文件>导入>导入到舞台,然后找到你要导入的图片后声音就可以了。导入视频的方法为,文

Adobe FlashPlayer 是一个播放视频的插件播放器，用于播放网页中的视频等……一般都应该要装的，如果你的网页想看视频的话。装完系统后会自动提醒你安装。

提示安装Flash不成功或是版本过低而导致无法使用，可以通过以下方法进行解决：1、安装不成功可以在腾讯电脑管家里面进行下载安装。打开管家，在软件管理里面搜索栏进行搜索后，点击安装。2、Flash版本过低，开始-控制面板-FlashPlayer设备管理器-高级-立即更新。就可以进行更新版本。

内存条擦下就可以了

Flash序列号，从原则上来讲，是客户自己设定的某一个指定区域的某一些有规律的数值或数字。周立功的SmartPRO 5000U+支持客户序列号的增加，如图：如果你要读取Flash的序列号，首先要知道这些规则，如果不知道规则，在这些数据里面，你是找不到的。当然，如果Flash的数据被加密，那就更不肯能获取这些数据了。

装网卡不能解决。具体解决方法如下：从提示来看，应是主板集成网卡的MAC地址失效，即MAC地址全部为零。但BIOS类型为AMI；通过查看AMIFLASH帮助，没有发现相关集成网卡MAC的写入的参数。只要在纯DOS下使用华网卡MAC软件，即可以方便将网卡MAC地址写入。文件可百度BIOS维修网站下载：MAC.RAR下载 P4S55FX+主板，MAC文件下载MAC.RAR下载。在纯DOS环境下，只要运行压缩包中的MAC.BAT软件，即可方便将默认的网卡MAC写入。默认MAC地址为：000B6A574D0F；也可以手动输入自己确定的MAC地址。1、从BIOS维修网站，下载到MAC文件，直接将文件解压缩到相应的目录中，如果使用其默认的MAC地址，直接输入MAC.BAT，回车后，即可自动完成写入。2、如果不想使用默认的MAC地址，可用记事本等，打开解压目录中的MA文件，将其中的默认MAC地址改成所需要的即可。

建议装Flash8和CS3吧，这两个结合用已经可以满足你的所有需求了(三维动画除外)另外提醒:MacromediaFlashMXProfessional2004(相当于Flash7)没有滤镜，没有动作补间的渐变曲线自定义功能(比如说做一个拳头往返击打动画，Flash7就要做几个补间动画，Flash8就可以做一个补间，然后通过调这曲线做往返运动)

在场景中ctrl+A,然后再到你想粘贴的场景中右键,粘贴到当前位置

点击套索工具，在工具栏的选项图标（工具栏的最下边）中就能看到了呀，但是只有将位图打散才能使用魔棒工具~

UC界面上或是广告上或是网页等等,有一些动画,就是FLASH动画,要播放这些动画就要用特定的播放软件,目前网上有许多播放这种动画的软件,你的操作系统默认的是无法播放FLASH动画时就下载这种软件,就是FLASH Player插件.目前有好几个版本,好象第9版是最新的.

百度知道上的人的智商是不是都跟悬赏分一样的

同志，我建议你用flash cs3而不是8

如何制作flash如何制作FLASH啊?教教我啊?动画制作软件很多，Director 、LiveMotion ，等等，不过大家最熟悉的，可能还是 Macromedia 公司的 Flash 了。Flash之所以如此盛行，原因在于： Flash 既可以生成自动可执行文件(*.exe)，还可生成用 Flash 播放器播放的文件 (*.SWF)；既可以做成单独的动画，如自制的小电影、MTV，也可以嵌入网页文件，成为网页的一部分，如网站内容导航条；Flash 采用流式传输方式，用它制作出来的动画可以边下载边进行播放，从而保证了播放质量，打破了网络速度的束缚。下面正式进入 Flash 5.0 的学习。我们以 Flash 5.0 英文版为标准，附带中文版的说明。适用对象：无 Flash 与动画制作基础的网友。教学方式：共分三个章节，每章节将抽参考资料：http://ghong.blogchina.com/1282787.html那里有介绍如何制作FLASH课件的地方送你一个从基础到精通全套教程http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/dzflash/ 或许有点用如何制作flash当然，你可以用楼上的地址，不过那是旧版了，新出的FLASH 8.0我感觉还不错，你可以去下载：http://nj.onlinedown.net/soft/9866.htm官方教程：http://nj.onlinedown.net/soft/22498.htm全部都是权威资料哦，当然，你也可以选择一本合适的书去学习，一般它们都比较易懂，推荐新手学习。http://www1.flash8.net/soft/闪吧很好的flash专业网站有视频教程和flash8免费版下载用讯雷网或际快车下载比较快那里的论坛也很好http://dl.pconline.com.cn/html/1/8/dlid=11328&dltypeid=1&pn=0&.htmlflashMAx下载安装的时候添数字的地方把序列号添进去flash8的序列号PFD800-81349-77248-49366PFD800-82440-67248-49376两个任选一个flashMAx的序列号WPD700-53505-50294-31307如何制作flash下两者可以很好地编辑SWF文件：（后有使用教程）Macromedia Flash MX 2004 简体中文版软件简介:Flash MX终于发布了，它将作为全新的Macromedia MX战略计划的急先锋。Flash MX提供了一个Macromedia叫做富客户（rich client）的东西，一个在内容、通信以及应用程序上的高度继承的瘦客户（thin-client）环境。Flash 5 还仅仅具有在现有的Web页面上整合多媒体元素的功能，而在新的版本中，Flash的功能得到极大的扩展，可以用它创建完整的动态站点，从内容显示到数据库连通，以及视频调试，带来的结果是空前的，Flash的整合多媒体编著的能力，已经接近原有的网站标准。Flash 2004 最新特性一览：1、时间线效果： 加速和简化时间线上可重复使用的通用交互任务。 例如：改变时间线效果允许用户快速为一个对象设置动画。位置。缩放。不透明和颜色变化。2、行为： 可以通过面板快速应用ActionScript而无需了解代码。 用户可以创建自己的行为。行为是什么？用过DW的朋友应该很清楚3、PDF & EPS 支持： 你现在可以直接导入PDF和Adobe Illustrator 10文件。4、CSS 样式表： 允许HTML和Flash内容设计一致。 文本框(Text field)对象现在支持一个新的方法。 setStyleSheet 将映射可载入的XML和HTML文件样式规范。5、锯齿文字： 为显示清晰易读的小字体做了优化。文字首先以无反锯齿(即。锯齿文字)显示然后转换成矢量文字。 因此确保了高清晰字体以小尺寸显示 (该想法是为了在移动设备上显示)。6、模板： 增加了许多模板。7、开始页面： 该新窗口可以让用户选择从哪个项目开始工作。8、帮助： 新的帮助系统整合全部帮助信息到应用程序中。9、视频导入向导： 当导入视频片断时。这个新的多步向导提供控制指定范围的视频被导入。可重复使用的编码设置和颜色修正新性能。10、外部FLV支持： 你现在可以直接播放硬盘上的FLV(Flash视频)文件(不需要导入)。 这样可以用有限的内存播放很长的视频文件而不需要从服务器下载完全部文件。11、改良的性能： 重大的改进已经增强了全部性能。用户将会注意到编译后的文件将不仅在Flash Player 7中执行效果好。同样在以前版本的播放器中也很好。12、拼写检查 / 全局查找替换：对整个FLA文件进行全局查找和替换。并且支持正规表达式13、辅助功能： 改进MSAA(Microsft Active Accessibility)标准支持。14、动作脚本2。0： 为支持面向对象编程做了非常大的改进。15、历史面板和命令16、万国码(Unicode) & 字符串面板： 完全支持全球语言字符集。 字符串面板允许本地语言直接成为多国语言。17、扩展性： 新的可扩展架构。将有几个三方软件提供支持。18、发布设置： 增强了报表功能。安装序列号：WPD700-54008-48194-75587WPD700-51501-74594-20133WPD700-56204-84494-57528WPD700-59103-36594-77852WPD700-52000-25394-86610WPD700-53109-11694-42724WPD700-55901-32894-11035WPD700-54606-87294-56168WPD700-52406-02694-64708WPD700-59705-52294-85418http://www.51pjb.com/Software/Catalog175/556.htmlMacromedia Flash 8.0 简体版http://www.onlinedown.net/soft/9866.htm使用教程：Macromedia Flash MX 2004 官方简体教程http://fjxx.lqedu.org/Soft_Show.asp?SoftID=24Macromedia Flash 8.0 官方简体教程Flash是交互式矢量图和Web动画的标准。网页设计者使用Flash能创建漂亮的、可改变尺寸的、以及极其紧密的导航界面、技术说明以及其他奇特的效果。Flash 8 官方简体教程。PDF格式：建议使用Adobe Reader阅读http://www.onlinedown.net/soft/22498.htm洪恩在线 －> 电脑乐园 －> Flash教程flash1.轻松起步 初识flash 熟悉工作环境设置动画大小和颜色 生成符号 设置运动插入新层 改变球体演员的大小 制作渐变背景文字处理 遮膜层2.基本操作3.高级使用1、初识flashflash是Macromedia公司的一个的网页交互动画制作工具。 我们可以从Macromedia公司的主页上下载flash的试用版。与gif和jpg不同，用flash3.0制作出来的动化是矢量的，不管怎样放大、缩小，它还是清晰可见。 用flash制作的文件很小，这样便于在互联网上传输，而且它采用了流技术，只要下载一部分，就能欣赏动画，而且能一边播放一边传输送数据。 交互性更是flash动画的迷人之处，可以通过点击按钮、选择菜单来控制动画的播放。正是有了这些优点，才使flash日益成为网络多媒体的主流。下面我们一起来学习flash3.0的使用。如果您感兴趣，这里还有Flash制作实例http://www.hongen.com/pc/homepage/flash/fla101.htm如何制作flash，请高手帮忙！"Macromedia flash"视频使用教程：http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/flashhot/http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/dzflash/http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/flash/http://design.yesky.com/flash/33/2023533.shtmlhttp://www.pconline.com.cn/pcedu/videoedu/flash/0507/665563.html参考资料：http://www.27160.cn/flash-564/

出现这个情况说明，你看的swf是flashcs3或者以上的版本做的，里面有的as已经不是flashplayer8.0能够处理的了，所以建议你升级下你的flashplayer到高级的版本，下面给你链接：http://www.flash8.net/images/SAFlashPlayer.rar

去找flash教程啊~

原理插件是一种遵循一定规范的应用程序接口编写出来的程序。很多软件都有插件，插件有无数种。例如在IE中，安装相关的插件后，WEB浏览器能够直接调用插件程序，用于处理特定类型的文件。常见插件Flash插件、RealPlayer插件、MMS插件、MIDI五线谱插件、ActiveX插件等等；再比如Winamp的DFX，也是插件。还有很多插件都是程序员新开发的。

很早以前Macromedia Flash就被Adobe收购了，现在是Adobe Flash，目前最新版应该是CS6，下面是官方试用版下载地址：http://www.adobe.com/cfusion/tdrc/index.cfm?product=flash&loc=cn其实，你百度一下 Adobe Flash CS6， 应该会有很多的，还有破解方法的，希望对你有所帮助，有不明白的Hi我。。。。。。

动画制作软件很多，Director 、LiveMotion ，等等，不过大家最熟悉的，可能还是 Macromedia 公司的 Flash 了。Flash之所以如此盛行，原因在于： Flash 既可以生成自动可执行文件(*.exe)，还可生成用 Flash 播放器播放的文件 (*.SWF)；既可以做成单独的动画，如自制的小电影、MTV，也可以嵌入网页文件，成为网页的一部分，如网站内容导航条；Flash 采用流式传输方式，用它制作出来的动画可以边下载边进行播放，从而保证了播放质量，打破了网络速度的束缚。 下面正式进入 Flash 5.0 的学习。我们以 Flash 5.0 英文版为标准，附带中文版的说明。 适用对象：无 Flash 与动画制作基础的网友。 教学方式：共分三个章节，每章节将抽 参考资料：http://ghong.blogchina.com/1282787.html 那里有介绍如何制作FLASH课件的地方 送你一个从基础到精通全套教程 http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/dzflash/ 或许有点用 如何制作flash 当然，你可以用楼上的地址，不过那是旧版了，新出的FLASH 8.0我感觉还不错，你可以去下载： http://nj.onlinedown.net/soft/9866.htm 官方教程： http://nj.onlinedown.net/soft/22498.htm 全部都是权威资料哦，当然，你也可以选择一本合适的书去学习，一般它们都比较易懂，推荐新手学习。 http://www1.flash8.net/soft/ 闪吧 很好的flash专业网站 有视频教程和flash8免费版下载 用讯雷网或际快车下载比较快 那里的论坛也很好 http://dl.pconline.com.cn/html/1/8/dlid=11328&dltypeid=1&pn=0&.html flashMAx下载 安装的时候添数字的地方把序列号添进去 flash8的序列号 PFD800-81349-77248-49366 PFD800-82440-67248-49376 两个任选一个 flashMAx的序列号WPD700-53505-50294-31307 如何制作flash 下两者可以很好地编辑SWF文件：（后有使用教程） Macromedia Flash MX 2004 简体中文版 软件简介: Flash MX终于发布了，它将作为全新的Macromedia MX战略计划的急先锋。Flash MX提供了一个Macromedia叫做富客户（rich client）的东西，一个在内容、通信以及应用程序上的高度继承的瘦客户（thin-client）环境。Flash 5 还仅仅具有在现有的Web页面上整合多媒体元素的功能，而在新的版本中，Flash的功能得到极大的扩展，可以用它创建完整的动态站点，从内容显示到数据库连通，以及视频调试，带来的结果是空前的，Flash的整合多媒体编著的能力，已经接近原有的网站标准。 Flash 2004 最新特性一览： 1、时间线效果： 加速和简化时间线上可重复使用的通用交互任务。 例如：改变时间线效果允许用户快速为一个对象设置动画。位置。缩放。不透明和颜色变化。 2、行为： 可以通过面板快速应用ActionScript而无需了解代码。 用户可以创建自己的行为。行为是什么？用过DW的朋友应该很清楚 3、PDF & EPS 支持： 你现在可以直接导入PDF和Adobe Illustrator 10文件。 4、CSS 样式表： 允许HTML和Flash内容设计一致。 文本框(Text field)对象现在支持一个新的方法。 setStyleSheet 将映射可载入的XML和HTML文件样式规范。 5、锯齿文字： 为显示清晰易读的小字体做了优化。文字首先以无反锯齿(即。锯齿文字)显示然后转换成矢量文字。 因此确保了高清晰字体以小尺寸显示 (该想法是为了在移动设备上显示)。 6、模板： 增加了许多模板。 7、开始页面： 该新窗口可以让用户选择从哪个项目开始工作。 8、帮助： 新的帮助系统整合全部帮助信息到应用程序中。 9、视频导入向导： 当导入视频片断时。这个新的多步向导提供控制指定范围的视频被导入。可重复使用的编码设置和颜色修正新性能。 10、外部FLV支持： 你现在可以直接播放硬盘上的FLV(Flash视频)文件(不需要导入)。 这样可以用有限的内存播放很长的视频文件而不需要从服务器下载完全部文件。 11、改良的性能： 重大的改进已经增强了全部性能。用户将会注意到编译后的文件将不仅在Flash Player 7中执行效果好。同样在以前版本的播放器中也很好。 12、拼写检查 / 全局查找替换：对整个FLA文件进行全局查找和替换。并且支持正规表达式 13、辅助功能： 改进MSAA(Microsft Active Accessibility)标准支持。 14、动作脚本2。0： 为支持面向对象编程做了非常大的改进。 15、历史面板和命令 16、万国码(Unicode) & 字符串面板： 完全支持全球语言字符集。 字符串面板允许本地语言直接成为多国语言。 17、扩展性： 新的可扩展架构。将有几个三方软件提供支持。 18、发布设置： 增强了报表功能。 安装序列号： WPD700-54008-48194-75587 WPD700-51501-74594-20133 WPD700-56204-84494-57528 WPD700-59103-36594-77852 WPD700-52000-25394-86610 WPD700-53109-11694-42724 WPD700-55901-32894-11035 WPD700-54606-87294-56168 WPD700-52406-02694-64708 WPD700-59705-52294-85418 http://www.51pjb.com/Software/Catalog175/556.html Macromedia Flash 8.0 简体版 http://www.onlinedown.net/soft/9866.htm 使用教程： Macromedia Flash MX 2004 官方简体教程 http://fjxx.lqedu.org/Soft_Show.asp?SoftID=24 Macromedia Flash 8.0 官方简体教程 Flash是交互式矢量图和Web动画的标准。网页设计者使用Flash能创建漂亮的、可改变尺寸的、以及极其紧密的导航界面、技术说明以及其他奇特的效果。Flash 8 官方简体教程。 PDF格式：建议使用Adobe Reader阅读 http://www.onlinedown.net/soft/22498.htm 洪恩在线 －> 电脑乐园 －> Flash教程 flash 1.轻松起步 初识flash 熟悉工作环境 设置动画大小和颜色 生成符号 设置运动 插入新层 改变球体演员的大小 制作渐变背景 文字处理 遮膜层 2.基本操作 3.高级使用 1、初识flash flash是Macromedia公司的一个的网页交互动画制作工具。 我们可以从Macromedia公司的主页上下载flash的试用版。与gif和jpg不同，用flash3.0制作出来的动化是矢量的，不管怎样放大、缩小，它还是清晰可见。 用flash制作的文件很小，这样便于在互联网上传输，而且它采用了流技术，只要下载一部分，就能欣赏动画，而且能一边播放一边传输送数据。 交互性更是flash动画的迷人之处，可以通过点击按钮、选择菜单来控制动画的播放。正是有了这些优点，才使flash日益成为网络多媒体的主流。下面我们一起来学习flash3.0的使用。 如果您感兴趣，这里还有Flash制作实例 http://www.hongen.com/pc/homepage/flash/fla101.htm 如何制作flash，请高手帮忙！ "Macromedia flash"视频使用教程： http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/flashhot/ http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/dzflash/ http://www.enet.com.cn/eschool/zhuanti/flash/ http://design.yesky.com/flash/33/2023533.shtml http://www.pconline.com.cn/pcedu/videoedu/flash/0507/665563.html 参考资料：http://www.27160.cn/flash-564/

1、FlashFlash是一种动画创作与应用程序开发于一身的创作软件，Flash广泛用于创建吸引人的应用程序，它们包含丰富的视频、声音、图形和动画。可以在Flash中创建原始内容或者从其它Adobe应用程序导入它们，快速设计简单的动画，以及使用Adobe3.0开发高级的交互式项目。2、flash7Flash是美国的MACROMEDIA公司于1999年6月推出的优秀网页动画设计软件。它是一种交互式动画设计工具，用它可以将音乐，声效，动画以及富有新意的界面融合在一起，以制作出高品质的网页动态效果。3、flash8flash8分为两个版本一个是Flash Basic 8，另一个是Flash8。区别就在于Flash Basic 8的操作界面比较简单，适合于初学者，而Flash8是flash的标准版，适合于专业人士。4、Adobe FlashAdobe Flash是美国Macromedia公司所设计的一种二维动画软件。通常包括Adobe Flash，用于设计和编辑Flash文档，以及Adobe Flash Player，用于播放Flash文档。5、Macromedia FlashMacromedia Flash 是一个计算机软件，是美国Macromedia公司开发的专门用于制作二维动画的软件，导出的是SWF文件，适合在网络上流传，无论是专业还是业余人士都很喜欢。

Adobe Flash Player非常讨厌，总修复，极度流氓

Macromedia Flash8.0序列号如下：WPD800-59139-79632-69240WPD800-58234-26932-48567WPD800-59333-30732-39735WPD800-53331-11232-23653WPD800-52234-44732-81432WPD800-53133-13732-86617WPD800-54630-85832-52755WPD800-56030-83832-97910WPD800-59139-79632-69240WPD800-55335-37532-15947WPD800-56438-08332-00729WPD800-51137-35932-85117WPD800-53731-57632-55238WPD800-57535-90532-01341WPD800-53337-53532-05380WPD800-59337-31932-86129WPD800-51139-93932-06077WPD800-53133-13732-86617WPD800-56030-83832-97910WPD800-54630-85832-52755WPD800-57333-52432-51868WPD800-59739-38832-62882WPD800-50238-69332-38488WPD800-58632-41632-17028WPD800-53535-11932-17064WPD800-55133-73832-24081WPD800-54636-06332-30731注意：以上序列号来源于网络，不保证其真实性。

必须要有FLA的源文件

分类: 电脑/网络 >> 软件 >> 多媒体软件 问题描述: Macromedia Flash Player 7.0 r14,我播放不了,怎么办??? 我有一个课件不能看!!! 解析: 1、升级你的FLASH播放器到8.0或9.0; 2、用FLASH PRO8.0编辑软件处理一下，输出合适版本的课件，然后再看。3、有不清楚的地方再问我。

macromedia flash 8.0的序列号是： WPD800-51139-93932-06077

1在电脑上进入百度官网，在输入框中输入 “flash8.0下载”进入搜索。2在搜索到的页面上，选择一个网址进入。3将软件下载到电脑后，对软件进入解压 ，然后点击软件的安装包 Flash8-chs.exe 。4在页面上点“下一步”。5点一下“ 我愿意接受该许可证协议中的条款”前面的圈圈，再点“下一步”。6如果要更改软件的安装路径，可点页面上的“更改”。7选择软件安装的文件夹，如果要安装在D盘，可以直接将“C"改成”D“，接着，点“确定”。8将”在桌面上创建快捷方式“前面的方框勾上，再点“下一步”。9接着，再点“下一步”。10点击”安装“。11软件就开始进行安装了。12等软件成功安装完成后，就点”完成“。13在电脑桌面上用鼠标双击Macromedia Flash 8.0 软件。14打开软件后，软件就提示要激活软件，选择我有一个序列号那个选项，然后点”继续“。15打开自己在百度上搜索到的官方中文版Macromedia Flash 8.0 软件激活的序列号， 我选择的激活序列号是：WPD800-52234-44732-81432 。16在软件激活页面上输入激活序列号WPD800-52234-44732-81432 ，接着点”继续“。17如果序列号有效的话，页面上就会出现”已成功激活“，此时页面上还可以进行注册Macromedia Flash副本，如果不想注册，那么就选择”以后提醒我“。18接着，Macromedia Flash 8.0 软件就开始正式进入软件的工作页面。到此为止，官方中文版Macromedia Flash 8.0 软件的安装和破解已经全部完成了，在此，祝愿大家可以用Macromedia Flash 8.0 软件创作出更多的精彩作品。

Macromedia Flash Paper 是Macromedia推出的一款电子文档类工具，通过使用本程序，你可以将需要的文档通过简单的设置转换为SWF格式的Flash动画，原文档的排版样式和字体显示不会收到影响，这样做的好处是不论对方的平台和语言版本是什么，都可以自由的观看你所制作的电子文档动画，并可以进行自由的放大，缩小和打印，翻页等操作，对文档的传播非常有好处，而且由于Flash动画的普及性和强大的可调节性，可以让你制作出非常漂亮的专业电子文档！ FlashPaper是MACROMEDIA公司出的一款文件转换软件，允许你把任何的可打印的文档直接转换成Flash文档或PDF文档，并且保持原来的文件的排版格式。1、想下载到硬盘，在页面任何空白处点右键,选择察看源文件,用计事本或者是写字板打开以后,crtl+F进行查找‘swf‘,就可以看到flash的的真实地址,找到flash作品的地址，复制后，打开迅雷或网络蚂蚁，新建一个下载任务，选择“确定”，就可以下载了!或:在在线的情况下打开c:windowsTemporyInternetFiles找到后缀为.swf的文件（最后的、当前时间的），然后复制它即可。或利用第三方软件进行下载FlashSaver闪客利器2.02、利用FlashSaver可以轻松地将网页中自己喜欢的Flash下载下来。安装FlashSaver后，当鼠标指针移到网页中的Flash上时，在Flash的左上角会出现一个浮动工具条，点击工具条中的保存按钮，即可将此Flash保存下来。整个过程，只需点击两下鼠标。这是绝对是一款很实用、很好用的Flash下载工具！FlashSaver完全免费，小巧，安全，使用方便，全中文界面，帮助齐全。3、在线看的，不支持直接下载，点击浏览。 退出阅读，但千万不要关闭IE浏览器。 点击IE浏览器窗口上面的“工具”-“Internet选项”-“Internet临时文件”-“设置”-“查看文件”。 这时会弹出一个窗口，这个窗口里显示的就是你上网时产生的临时文件，找到名字叫“*.swf”的文件，选中，点鼠标右键，再左键点“复制”。打开硬盘里的任意一个文件夹，例如打开“我的文档”，在窗口空白处点右键，左键点“粘贴”就行了。 这个方法其实就是利用Internet临时文件夹的功能，所有在线玩的小游戏、在线观看的视频片段、在线听的歌曲、在线阅读，都是先下载到Internet临时文件夹中运行的，退出IE后，这些临时文件往往会自动删除，所以，在复制临时文件夹里的东西时，不要关闭IE。 注意事项： 一般进入Internet临时文件夹时，里面会有非常多的东西，要找自己想要的文件比较困难。所以，最好的办法，就是在打算在线阅读、试听之前，先按照上面的方法，在“Internet”选项窗口中，在“Internet临时文件”区域，点“删除文件”-确定，把临时文件夹里的东西事先全部清空，然后，再阅读，成功浏览后后，退出，马上到Internet临时文件夹里，这样就能很容易地找到自己想要的东西了。

这是一款做Flash文件的软件，现在Macromedia被Adobe公司收购了，Flash是一种在网络上广为传播的矢量动画格式，可以做成动画，游戏，MV等。这个软件有中文版的。

1、首先前往PC6.com/apple下载Adobe flash player for Mac的安装文件，所示。2、在下载栏中找到下载的flash安装文件，打开它3、在新弹出的窗口中，对着“Install Adobe flash XXX”点击鼠标右键--->打开，再点击提示窗口中的“打开”4、在“已阅读并同意XX”前面打勾，然后点击“安装”，在验证窗口中输入电脑的密码后点击“好”5、如果和一样安装flash时并没有关闭浏览器，那么需要先关闭浏览器，然后点击“重试”。注意：如果点击重试后还是不能安装，那么点击“强制关闭全部”6、等待安装完成。点击“完成”后即可关闭安装flash安装对话框7、打开浏览器后播放一个视频查看，成功。

因为他是动画处理播放器想什么QQ农场什么的都要用它才能运行的

演示机型：华为MateBook X 系统版本：win10 APP版本：Macromedia Flash 8.0Macromedia Flash Player 8是表现力强且广为应用的运行时环境，适用于所有主要平台和Web浏览器上的外观和运行性能都一致的互动式内容和应用程序。Macromedia Flash Player是网页Flash播放器，8是版本号。Macromedia Flash Player：Macromedia Flash Player是一款高级客户端运行时使用的播放器。它短小精悍，能够在各种浏览器、操作系统和移动设备上使用，功能强大，兼容性高。如果没有安装Flash player，很多网站（如56网、土豆网、酷6网等）上的视频就看不了；另外现在网站上都大量使用了Flash动画，没有Macromedia Flash Player，这些动画就显示不出来。还有很网络游戏也是用Flash做的（如QQ农场），没有它游戏就无法运行。

你打开一个电影网站它就会提示你需要安装FLASH控件，你右键单击-运行此控件-然后打开详细-总是运行就可以了，FLASH插件就安上了，你下载是不行的。

其实fireworks是做网页图片的，主要是把图片截取成HTML代码！

有swf文件是吗？x0dx0a如果没有，则打开源文件（fla格式的），按下Ctrl+回车，然后关掉弹出的窗口，在关掉源文件，这时，源文件旁边就会多出一个swf格式的文件x0dx0ax0dx0a可以直接将swf文件重命名改拓展名，swf和flv是可以直接转换的x0dx0a步骤：x0dx0a打开我的电脑----工具（在上面的工具栏里）----文件夹选项----查看（在上方的选项卡里）----把“隐藏已知文件类型的拓展名”的勾去掉----确定x0dx0ax0dx0a这时，swf文件的名字会从XXXXX变成XXXXX.swfx0dx0a（如果本来就是XXXXX.swf，那么上述的过程可以省略。）x0dx0ax0dx0a右键“XXXXX.swf”----重命名----把“swf”改成“flv”x0dx0a这时会弹出一个对话框“如果改变文件拓展名，可能会导致文件不可用。确实要更改吗？”x0dx0a不用理这个对话框，点“是”----成功x0dx0ax0dx0a打开改名后的文件，一样可以用FlashPlayer播放

禁用模式。flashromprotection是RON芯片刷写保护也就是通常说的刷BIOS，当升级BIOS时要要选DISABLE，其实一直设为禁用就可以了，开启是防止他人恶意刷BIOS导致损坏，关闭与否都不会对性能出生任何影响也不会影响正常使用。

都是手电筒的 意思。torch是以前是火炬的意思，但现在应该没人用火炬了吧，只有手电筒了。flashlight应该是更现代一点的手电筒。所以led torch 与led flashlight 都是LED手电筒，用法应该没多大区别，更多的时候不同人的叫法不一样。

torch和flashlight没有什么反义关系。Torch和Flashlight都是深度学习框架，但是它们的设计和实现方式不同，所以并没有反义关系。

都是手电筒的意思。torch是以前是火炬的意思，但现在应该没人用火炬了吧，只有手电筒了。flashlight应该是更现代一点的手电筒。所以ledtorch与ledflashlight都是LED手电筒，用法应该没多大区别，更多的时候不同人的叫法不一样。

区别不是很大。flashlight美英用得更多，torch英英更多。再看看别人怎么说的。

以手机为例，flashlight是闪光灯，torch是手电筒

Flash本身是一个二维动画制作软件，并不能直接做出三维效果，有时候我们又需要三维效果来体现作品，怎么做呢？可以在Flash中使用一些小的技巧，再配合上功能强大的Action动作脚本模拟出逼真的3D效果，我们就用这种方法在Flash中来模拟一个漫无边际的时空隧道，深邃的隧道一直通向遥远的时空，给人一种非常神秘的感觉。1、首先启动Flash，新建一个影片，设置影片的舞台大小为550pix×400pix（单位为像素），影片背景色为深绿色，颜色代码为#003300。2、新建一个图形元件，命名为bb，进入元件的编辑区后，打开混色器面板，在填充样式下拉列表中选择填充类型为“放射渐变”，然后分别设置色带下左右两个滑块的颜色，其中左边滑块颜色为绿色，RGB颜色代码为0、204、153，右边滑块颜色为黑色，设置好填充色后，选择椭圆工具，按下“Shift”键的同时在编辑区绘制一个正圆。3、新建一个影片剪辑元件，命名为b，进入元件的编辑区后，将元件bb从库中拖到编辑区中，然后在第15帧插入一个关键帧，将小球向左上方移动一段距离，然后在第30帧插入一个关键帧，再将小球向右下方移动一段距离，按照相同的方法分别在第45、60和75帧插入关键帧，并向不同方向移动一段距离，最后分别建立关键帧之间的运动过渡动画，这样目的是制造一种小球来回晃动的效果。4、回到主场景中，首先给影片制作一个背景。打开混色器面板，在填充样式下拉列表中选择填充类型为“放射渐变”，然后分别设置色带下左右两个滑块的颜色，其中左边滑块颜色为黑色，右边滑块颜色为绿色，RGB颜色代码为0、135、8。设置好填充色后，选择矩形工具，在舞台中绘制一个方形，大小稍稍超过舞台大小即可。5、在背景层上面插入一个图层，将元件b拖到此图层，并在属性面板中设置其实例名为b0，最后给第1帧添加如下Action:d=10;r=0;pai=3.14/180;i=0;do{FLASH5也提供了FOR循环setProperty("/b"+i,_xscale,i);setProperty("/b"+i,_yscale,i);setProperty("/b"+i,_x,d*Math.cos(pai*r)+200);setProperty("/b"+i,_y,d*Math.sin(pai*r)+200);//利用了最基本的画圆算法r=r+10;d=d+1;i=i+1;duplicateMovieClip("/b0","b"+i,i);//复制b0}while(i$#@60;540);//其中d是半径，r是角度，pai已经转换成了弧度。Action动作脚本说明：首先初始化半径d、角度r和循环次数i(复制影片的个数)，如果第一次进入循环，b0号Movieclip会被定义一个位置，然后复制出下一个位于相对于b0的第1层中Movieclip，并起名叫“b1”（千万注意表达式要用“+”，其中用到的sin和cos函数前面也一定要加“Math.”，不然就出错了）；“Math.cos(pai*r)+200”中的“200”是圆心的原始位置，200这个位置靠中心比较近了，以后的循环是这样的：后一个Movieclip总会比前一个大i个像点，名称依次是“b2，b3，b4”，圆的半径也会逐步以每次增1的速度增长，这样的Action做出来的圆就是那种从远方逐步靠过来的圆形通道。到此为止，这个不错的效果就制作完成了，看看，还不错吧？

time = new Date();Tshi = time.getHours();Tfen = time.getMinutes();Tmiao = time.getSeconds();if (Tshi>12) { Tshi = Tshi-12;} if (Tshi<1) { Tshi = 12; } Tshi = Tshi*30+int(Tfen/2);Tfen = Tfen*6+int(Tmiao/10);Tmiao = Tmiao*6;然后设置载入帧之后，各个指针的动作代码，没用过CS3，不知道能不能给影片剪辑上添加动作！

我也来说两句gotoAndPlay(2);这句话让这个程序能循环连续的执行下去，一播放到第五帧，就回到第二帧，执行i++,让雨滴渐渐多起来。但为什么不直接gotoAndPlay(1);呢？因为第一帧上i=1，每次都将i初始为1，显然不能达到雨滴增多的效果。gotoAndPlay(2);这句话放在第二帧后面的任何位置均可。由这句话可以看出，作者的as水平还比较初级，代码放在一帧的写法应该是：i=1;function rainy(){ duplicateMovieClip("rain", "rain"+i, i); setProperty("rain"+i, _x, random(550)); setProperty("rain"+i, _y, random(400)); i++;}setInterval(rainy, 1);这样就不需要第二到第五帧了，setInterval()这个函数每隔1毫秒调用一次rainy函数，执行复制雨滴影片剪辑，让其复制的实例名为"rain"+i，深度为i（相当于第i层，即每个雨滴在不同的层） ，而雨滴出现的位置在550*400的舞台的任意位置（随机）

看看这个网站吧。现成的下雪代码。还有使用说明。http://www.dream798.com/default.php?page=Display_Info&id=96免费下载的。

vari=1;//define一个变量，一般指int(整数型),且赋值=1onEnterFrame=function(){//循环执行这个动作if(i<=100){//如果i小于或等于100，这里是和i++构造一个循环函数。duplicateMovieClip("xx","xx"+i,i);/*复制MC“xx”并命名为“XX“+i,深度为i（举例：这里首先肯定会先复制MC”XX“，然后命名为”XX1“，深度为1。然后，再复制MC”XX“，然后命名为”XX2"，深度为2。。。。。。。。。。*/setProperty("xx"+i,_x,random(800));//设置MC“XX”+i的X坐标为：从（0-800）随机取一个。setProperty("xx"+i,_y,random(400));//设置MC“XX”+i的Y坐标为：从（0-400）随机取一个。setProperty("xx"+i,_xscale,20+random(30));//设置MC“XX”+i的大小，你可以理解为宽：20+[（0--30）随机取一个]setProperty("xx"+i,_yscale,20+random(30));//设置MC“XX”+i的大小，你可以理解为高：20+[（0--30）随机取一个]setProperty("xx"+i,_alpha,random(20)+80);//设置MC“XX”+i的透明度：随机从（0-20）取一个数+80，即80-100。i++;}else{i=1;gotoAndPlay(1);}}

这是 stage 的属性而已啊，哪有什么类包？非要说，那 stage 是 flash.display.Stage 类；nativeWindow 是 flash.display.NativeWindow 类。

将鼠标定义在时间线的第一桢上，我们要对它添加Action，做一些初始化工作。time = new Date(); //获取系统日期 hours = time.getHours(); //获取系统小时数(24小时制,0-23) minutes = time.getMinutes(); //获取系统分钟数 seconds = time.getSeconds(); //获取系统秒数 if (hours>12) { //假如系统时间大于12，系统时间可能是用24小时表示的 hours = hours-12; //系统时间数减去12赋予hours变量，因为我们的钟是12小时的 } if (hours<1) { //假如系统时间小于1 hours = 12; //则hours变量为12，因为钟上没有0点的说法 } hours = hours*30+int(minutes/2); hours变量=前面给的小时数+分钟数/2 ，这里是在计算时针应该旋转的角度 minutes = minutes*6+int(seconds/10); // minutes变量=前面给的分钟数+秒数/10 ，这里是在计算分针应该旋转的角度 seconds = seconds*6; //seccondes变量=前面获得的秒数×6,因为钟有360度 接着，对时针进行添加如下Action（讲鼠标定位于时针上）：onClipEvent (enterFrame) { setProperty (this, _rotation, _root.hours); //当该Movie Clip开始工作时，设置当前对象（当然是这个指针了）的角度为根目录下hours变量的值。 } 同样对分针和秒针分别添加如下Action:onClipEvent (enterFrame) { setProperty (this, _rotation, _root.minutes); } onClipEvent (enterFrame) { setProperty (this, _rotation, _root.seconds); }

你并没有加nClipEvent (enterFrame) 函数。。`

root指的主时间轴.那句的意思是:设置属性:主时间轴上的那个图片旋转20度

toggle是samsung和toshiba推的一个协议，用的技术也是DDR技术，不过是全异步的方式，不像ONFI 2.X使用的是源同步的方式，所以功耗比ONFI要低，而且速度也很快，跟ONFI不相上下吧。在toggle 2.0之后，ONFI 3.0也出台了，我看了一下，与toggle2.0方式很像了，也是异步的方式，感觉这两个标准有点融合的趋势。至于toggle1.0是在ONFI1.0之前还是之后推出的我就不清楚了。

歌名：flash dance what a feeling（闪舞）歌手：邓丽君First, when there"s nothing But a slow glowing dreamThat your fear seems to hideDeep inside your mindAll alone I have cried Silent tears full of prideIn a world made of steel,Made of stoneWell I hear the music, Close my eyes, Feel the rhythmWrap around,Take a hold of my heart(Chorus)What a feeling,Bein"s believin"I can"t have it all,Now I"m dancin" for my lifeTake your passion,And make it happenPictures come alive, You can dance right through your life(Solo)Now I hear the music, Close my eyes, I am rhythmIn a flash it takes hold of my heartchorus (with ... "now I"m dancing through my life")What a feelingWhat a feeling (I am music now),bein"s believin" (I am rhythm now)Pictures come alive,You can dance right through your lifeWhat a feeling (I can really have it all)What a feeling(Pictures come alive when I call)I can have it all(I can really have it all)Have it all(Pictures come alive when I call)(call, call, call, call, what a feeling)I can have it all(Bein"s believin") Bein"s believin"(Take your passion, make it happen) Make it happen(What a feeling)What a feeling... (to fade)

内flash慢的原因：1、电读片里面元件太多导致。2、IE设置可能出问题了。3、flash播放速度是跟帧数有关系，帧数太低。4、IE缓存太多。

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写，NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快。知识延展：SPI串行外围设备接口是一种常见的时钟同步串行通信接口，外置flash按接口分有总线flash，SPI flash，总线flash需要你的MCU上有外部总线接口。NADA flash又名闪存，是一种长寿命的非易失性存储器，它在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，闪存是电子可擦除只读存储器的变种，闪存比EEPROM的更新速度快。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

你的手机内存卡有128兆的储存空间。

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

目前市售的Nand Flash制程工艺不固定，基本在20nm—34nm范围内。民用产品主要是30nm左右的产品。制程技术最好的就是三星、海力士，还有IMFT（英特尔镁光）。

　　1. 区别　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●NOR的读速度比NAND稍快一些。　　●NAND的写入速度比NOR快很多。　　●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。（4）接口差别　　NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。（5）容量差别： NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。（6）可靠性和耐用性－寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。－位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。－坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。（7）易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。（8）软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行　　2. 趋势　　NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。　　　　　　3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。而1G2G4G8G16G是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。这里为什么会有多种选择呢？因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。当然，容量越小，价格越便宜。自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

一、优缺点不同1、MLC：为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC：复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。二、特点不同1、MLC：是容量大成本低，但是速度慢。2、SLC：成本高、容量小、速度快。三、架构不同1、MLC：MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC：SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。参考资料来源：百度百科-SLC MLC

nand flash. 虽比较有坏轨，但是ECC 已克服此问题!!

nandflash储存型快闪记忆体；闪存；储存型闪存例句筛选1.PricingintheNANDflashmemorychipmarkethasstayedfirmthisyearthankstostrongdemandfromsmartphoneandtabletmakers.由于来自智能手机和平板电脑制造商的强劲需求，NAND闪存芯片市场的价格今年保持坚挺。2.NANDflashinnegativedelaystoredtestingandmeasuringsystem运用NAND闪存的负延时存储测试系统

简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。

最佳答案性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说

sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。 nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；inand flash：是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。 Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。NANDFlash启动： NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nandflash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。 这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。NORflash启动：支持XIP即代码直接在NOR Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NORFlash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到NANDflash中，借助cpu内部RAM（SRAM）直接云行。 nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。 NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和nandflash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部nandflash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。 总结： Arm的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在arm开电的时候，要想让arm知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。 1当引脚OM0跟OM1有一个是高电平时，这时地址0会映射到外部nGCS0片选的空间，也就是Norflash，程序就会从Norflash中启动，arm直接取Norflash中的指令运行。 2当OM0跟OM1都为低电平，则0地址内部bootbuf（一段4k的SRAM）开始。系统上电，arm会自动把NANDflash中的前4K内容考到bootbuf（也就是0地址），然后从0地址运行。这时NANDFlash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把NANDFlash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）为什么会有这两种启动方式，关键还是两种flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。NAND FLASH 总容量大，但是读写都需要复杂的时序，更适合做数据存储器。这种不同就造成了NORflash可以直接连接到arm的总线并且可以运行程序，而NANDflash必须搬移到内存（SDRAM）中运行。在实际的开发中，一般可以把bootloader烧入到Norflash，程序运行可以通过串口交互，进行一定的操作，比如下载，调试。这样就很可以很方便的调试你的一些代码。Norflash中的Bootloader还可以烧录内核到Norflash等等功能关于为什么NAND Flash不能直接运行程序的说明：Nand Flash的命令、地址、数据都通过I/O口发送，管脚复用，这样做做的好处是，可以明显减少NAND FLASH的管脚数目，将来如果设计者想将NAND FLASH更换为更高密度、更大容量的，也不必改动电路板。 NAND FLASH不能够执行程序，本人总结其原因如下 ：1. NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。 2. NAND FLASH是顺序存取设备，不能够被随机访问，程序就不能够分支或跳转，这样你如何去设计程序。

是nand型的，这种特点是页读写，对于大数据量速度是块的，而且便宜，所以适合用来存放日常数据。而nor的特点是像EEPROM一样，具体可以达到bit的读写，因此对于小数据的access能力强，但是要读写大数据的话，速度没nand来得快，而且贵，因此nor一般用来存放mcu的执行代码。希望对你有帮助。

　　Fisrt part ：　　NAND flash和NOR flash的不同　　NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。　　● NAND的写入速度比NOR快很多。　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。　　---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》　　Second part：　　NAND Flash结构与驱动分析　　一、NAND flash的物理组成　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。　　NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：　　Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位　　Page Address ：页地址　　Block Address ：块地址　　对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。　　二、NAND Flash地址的表示　　512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。　　例如64MB（512Mb）的NAND flash（实际中由于存在spare area,故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。　　由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 为例：　　第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读　　写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。　　第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；　　第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；　　第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；　　因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。　　下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。　　三、NAND flash驱动解读　　以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。　　在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，有关NAND flash的驱动都在driver/mtd/nand/下，该目录中包含的源文件：smc_core.c是NAND flash的主要驱动。　　NAND flash 芯片定义了一个很长的结构，这个结构中包含了操作NAND flash的函数和一些必要的变量（include/mtd/nand.h）。　　struct nand_chip {　　#ifdef CONFIG_MTD_NANDY　　void (*hwcontrol)(int cmd);　　void (*write_cmd)(u_char val);　　void (*write_addr)(u_char val);　　u_char (*read_data)(void);　　void (*write_data)(u_char val);　　void (*wait_for_ready)(void);　　int page_shift;　　u_char *data_buf;　　u_char *data_cache;　　int cache_page;　　struct nand_smc_dev *dev;　　u_char spare[SMC_OOB_SIZE];　　#else　　……　　#ifdef CONFIG_MTD_NAND_ECC　　u_char ecc_code_buf[6];　　u_char reserved[2];　　#endif　　#endif　　};　　纵观对NAND flash的各种操作（read、write、erase），无外乎如下几种操作：　　1．选择flash nand_select()　　2．发送命令 nand_command()　　3．进行相应操作 read，write……　　4．反选NAND flash nand_deselect()　　下面是以上四步的实现代码：　　1、选择NAND flash　　#define nand_select() this->hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE); 　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1); 　　udelay (10);　　hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE)的作用是设置2410的NAND FLASH CONFIGURATION (NFCONF) REGISTER的NAND Flash Memory chip enable位为0，这位寄存器在自动重启后就被系统自动清零。如果要访问NAND flash的内存，这位必须置1。　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1)；向flash发送命令，此命令为reset，即为重置NAND flash。　　然后是10us的延迟，给flash个反应时间。　　2、发送命令　　Nand_command()同样在smc_core.c中实现。NAND flash的命令有如下几种：　　命令 命令值 描述　　NAND_CMD_READ0 0 读操作　　NAND_CMD_READ1 1 读操作　　NAND_CMD_PAGEPROG 0x10 页编程操作　　NAND_CMD_READOOB 0x50 读写OOB　　NAND_CMD_ERASE1 0x60 读写操作　　NAND_CMD_STATUS 0x70 读取状态　　NAND_CMD_STATUS_MULTI 0x71 读取状态　　NAND_CMD_SEQIN 0x80 写操作　　NAND_CMD_READID 0x90 读Flash ID号　　NAND_CMD_ERASE2 0xd0 擦写操作　　NAND_CMD_RESET oxff 复位操作　　按照程序的注释，可以将该函数的实现分为如下几步：　　1、Begin command latch cycle　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETCLE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_OUT);　　找到第二条语句的定义，发现什么都么做，不解!!希望达人解答。我猜想可能是一个数据读出的使能操作，允许数据读出。　　Command Latch Enable(CLE) and Address Latch Enable(ALE) are used to multiplex command and address respectively, via the I/O pins. The CLE input controls the path activation for commands sent to the command register. When active high, commands are latched into the command register through the I/O ports on the rising edge of the nWE signal. 看了这段英文相信对第一条语句的作用已经十分清楚了，他就是用来控制向命令寄存(COMMAND SET (NFCMD) REGISTER)发送命令的。　　2、 Write out the command to the device　　这部分对于不同的命令来说，操作的步骤也不太相同，如果为写操作，那么还有根据flash不同的容量决定操作步骤，具体可以参看代码。如果为其他命令，那么就是简单的一行：　　this->write_cmd (command);　　将命令直接想到命令寄存器（NFCMD[7:0]）中。　　3、 Set ALE and clear CLE to start address cycle & Serially input address　　1中已经提到了ALE和CLE的作用，现在开始发送地址。　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRCLE); // clear the command latch enable　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETALE); // set the address latch enable　　然后按位操作，是用函数write_addr()将地址写到NAND FLASH ADDRESS SET (NFADDR) REGISTER中。　　4、 Latch in address　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRALE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_IN);　　地址发送完毕，清楚ALE。　　5、 Pause for 15us　　我使用的VIVI中，使用udelay (15)延时15us，但这个时间会因NAND Flash的不同而不同。　　三、Operation　　根据函数的不同，操作部分会不一样，但是主要的是对NAND FLASH DATA (NFDATA) REGISTER的操作，或写（编程）或者读。通过读或写函数的参数来返回或传递读出的值或写入的值。写得操作通常比较麻烦，他要将写到flash的内容重新读出后进行ECC校验，如果数据正确则在重新真正的写（编程），如果错误，则将数据写入flash的另一个块。读和写都是以页为单位进行操作。而擦除则以块为单位，三个周期发送完地址。擦除完毕后同样需要进行检察以确定是否擦除成功。　　四、De-select the NAND device　　实现代码：　　#define nand_deselect() this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRNCE);　　反选flash吧，不知这样叫正确与否，跟select the NAND device相反，亦即使用完后将使能flash位清0，代码是NFCONF位于0x4e00_0000的位置（NFCONF |= NFCONF_nFCE_HIGH;），有兴趣的可以读读代码，看看这是怎么实现的，我的感觉就是关于寄存器的清置读起来都比较晕。　　　　　　　　基于三星K8F2G08U0M存储芯片的读写操作，如命令、地址、数据的读写时序，读芯片ID、页读、页写、随机读、随机写，坏块的检测、标记及处理。　　（1）写命令子函数　　void Write_Command(unsigned char Com)　　{　　FLASH_CLE = 1;　　FLASH_ALE = 0;　　　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Com;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（2）写地址子函数　　void Write_Address(unsigned char Addr)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Addr;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（3）写数据子函数　　void Write_Data(unsigned char dat)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_RE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = dat;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（4）读数据子函数　　unsigned char Read_Data(void)　　{　　unsigned char dat;　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_WE = 1;　　FLASH_RE = 0;　　dat = XBYTE[XP];　　FLASH_RE = 1;　　return dat;　　}　　(5) 读ID函数　　FLASH_CEN = 0; //读ID　　Write_Command(0x90);　　Write_Address(0x00);　　AA1 = Read_Data(); //0xEC　　AA2 = Read_Data(); //0xDA　　AA3 = Read_Data(); //无所谓　　AA4 = Read_Data();　　FLASH_CEN = 1;

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口

一句话，nor只能读不能写，而nand可以读可以写，区别nand和nor的方法也很简单，直接向nor里面写入一个数据然后再读出来，如果读出的数据等于写入的数据就是nand，否则就是nor。

NANDFLASH应该就是NANDMEMORY吧，就是指手机或者MP4的内存，就像电脑的内存一样，为程序的运行保存一些参数变量，断电后会自动清除。他的大小当然也要影响到手机的运行速度。相关的内存数据还有一个就是FreeExecutableRAMMemory，这个是实际可用内存，就是除手机自带程序占用的内存之外，用户可以自己支配的内存，比如开个QQ阿，或者打开个游戏阿，实际可用内存的大小会影响到这些程序的运行速度；

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

1.Nor的成本相对高，容量相对小，比如常见的只有128KB，256KB，1MB，2MB等等，优点是读写数据时候，不容易出错。所以在应用领域方面，NorFlash比较适合应用于存储少量的代码。2.Nandflash成本相对低，说白了就是便宜，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大，现在常见的NandFlash都是1GB，2GB，更大的8GB的都有了，相对来说，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。Norflash，有类似于dram之类的地址总线，因此可以直接和CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对norflash进行访问，而NandFlash没有这类的总线，只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对NandFlash内部数据进行访问。相比之下，norflash就像是并行访问，NandFlash就是串行访问，所以相对来说，前者的速度更快些。但是由于物理制程/制造方面的原因，导致nor和nand在一些具体操作方面的特性不同。希望对你有用。请参看《如何编写Linux下NandFlash驱动》。]