eeprom

存一些代码运行中要存的可以实时更新的数据，掉电不丢失，也可以Flash模拟eeprom。EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

6800错误——EEPROM出错按RESUME键选取不同的状态（1次为EEPROM测试打印页、2次为EEPROM重置、3次废墨水量重置）。

两者断电后，数据还能保存。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用 EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

wlan里的MAC存储也用

采用存储器离单片机做编程擦除MCU停止运行指令比AVR;些SuperFlash实现字节写入擦除必须块或者页单位;两者差别寿命查看原帖>>

重新编写程序。EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

存储器这个叫法 不同种类的用途都这么叫其中有工业、军用、民用等其中工业叫法一般用高温存储器 或者flash存储器军用叫跟工业一样民用的就很多了 什么闪存 内存 USB存储等等都是加用途的存储器。

EEPROM是“electricallyerasable,programmable,read-only”（电可擦写可编程只读存储器）的缩写。DRAM断电后存在其中的数据会丢失，而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。EEPROM是电可擦除可编程只读存储器。在平常情况下，EEPROM与EPROM一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常EEPROM芯片又分为串行EEPROM和并行EEPROM两种，串行EEPROM在读写时数据的输入／输出是通过2线、3线、4线或SPI总线等接口方式进行的，而并行EEPROM的数据输入／输出则是通过并行总线进行的。另外，EEPROM可以清楚存储数据和再编程。

相比 EPROM，EEPROM 不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来擦除芯片上的信息，以便写入新的数据。EEPROM 有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，芯片只需要 Vcc 低电压（一般+5V）供电。编程写入时，芯片通过 Vpp（一般+25V）获得编程电压，并通过 PGM 编程脉冲（一般50ms）写入数据。擦除时，只需使用 Vpp 高电压，不需要紫外线，便可以擦除指定地址的内容。为保证编程写入正确，在每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。由于EEPROM 的优秀性能，以及在线上操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的 ROM 芯片以及闪存芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的 RAM 芯片。它与高速 RAM 成为当前（21 世纪 00 年代）最常用且发展最快的两种存储技术。他可以直接利用电气讯号来更新程式，所以比 EPROM 更方便。

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory。EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Debice，一类是Charge Trapping Debice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。一：FLASH和EEPROM的区别1:相同点是两者都能掉电存储数据2：不同点是：A：FALSH写入时间长，EEPROM写入时间短。B：FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）二：单片机的数据存储器不能用FLASH，因为：1：FLASH有一定的擦除，写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。2：FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms，而且写FLASH需要加上9V的高压，麻烦。三：至于EEPROM，可以作为数据存储器，但是单片机如atmegal28，一般用RAM作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类数据往往不需要太多，所以一般的单片机都没在内部集成EEPROM，需要的时候可以让单片机外挂24C01一类的串行EEPROM。区别：1、 FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作2、 FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短3、 FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）4、 FLASH的电路结构简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高

是电可擦可编程只读存储器。1、eeprom故障是输入输出存储器错误，也是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。按照相关协议来看，EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。2、通常的解决办法是RMA回原生产厂家维修。

eeprom储存器，就跟TF储存卡一样，只是没大的空间，有片内和片外两种，

eeprom是电可擦可编程只读存储器的意思。以下为eeprom故障相关资料：1、输入输出存储器错误原因：输入输出存储器错误可能是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。按照SFF8472的相关协议来看EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。2、解决方法：通常的解决办法是RMA回原生产厂家维修。由于现在的光模块普遍采用MCU功能芯片可以要求厂家生产模块时做A0EEPROM区间的写保护（客户定制的方式）。

瞬间说的没错。EPROM有一个小玻璃窗口，用紫外线照射檫除，主要应用于存储单片机的程序代码，只能离线写入代码。EEPROM用电檫除，主要用于存储数据，掉电后数据也不会丢失，且可以在线编程写入数据。现在都还有应用。

简称：EEPROM标准：ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory中文：电子抹除式只读存储器非易失性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参数。{2IoG$[jerryer这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，带电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。由EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EEPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“on”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“off”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EEPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。 FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。 SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,百度百科上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写”。