dram

应该不会，就是出现问题，也可以通过刷bios解决。

SandraMartinezSandraMartinez是一名演员，其代表作品有《艾米利奥》。外文名：SandraMartinez职业：演员代表作品：《艾米利奥》合作人物：KimJorgensen

アキハバラフォーリンラブ【在秋叶原坠入爱河】（小野友树x花江夏树）已手机私信，满意请及时采纳~

dramatical murder戏剧性的谋杀双语对照-----------------------------------如有疑问欢迎追问！满意请点击右上方【选为满意回答】按钮

电视剧和电视连续剧有区别吗

TV series:电视系列剧TV show：电视节目TV drama：电视剧soap operal：电视泡沫剧

这两个词在日常使用时几乎没太大区别。硬要区分的话，drama比play所涵盖的面要广泛的多，drama包括了play的一切，并且延伸到音乐，服装，布景等等方面。play专指文字意义上的剧，比如剧作家叫playwriter，而不叫dramawriter，因为他负责纸面工作。而戏剧家叫dramatist，不叫playist， 因为他通晓包括剧本在内舞台上所有一切细节。至于series，可以叫系列剧，各集之间的故事可以完全没有关系，也可以说是连续剧。我们熟知的连续剧，尤其八点档狗血剧一类的，一般美国口语里叫soap opera。希望能帮到你，望采纳！

静态随机存储器 (SRAM)SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAMDDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。百度百科一下就好了。

16MB具体计算如下行地址12位，说明行数是2的12次方列地址8位，说明列数是2的8次方数据数就有2的20次方每个数据16位，就是2字节(B)所以是2的22次方字节，就是4MB片内有4组，所以总容量16M

以前当然还是用在电脑上面。现在应该主要是工控机在用了

DDR3的特点是容量高 前段总频率一般为1333和1666

SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。 DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

在quartus ii的mega function里找一下看有没有，如果你的FPGA芯片没有的话，那片外有没有？你不理解它的工作原理还是不理解如何使用还是什么？

D这是绝对可能的。7NS的话频率才 285MHZ，对SD来说，还不是技术上太大的难题，要知道 DDR突破过1000MHZ,DDR确实有1000MHZ，用在服务器上，2003年DDR刚风行的时候就有几家推出过DDR 1066，不过售价很高。还有当年的5950 U用的就是DDR 1000MHZ还有9800PRO限量版 用的也是DDR 1000MHZ

同样频率下ddr是sdram速度的两倍,ddr好,ddr2比ddr在同频率下,性能差,但是频率上限可以做的更高.

DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者，也是现时流行的存储器产品。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发。

DIMM是内存模组的一种。so-dimm指的是内存条中的小板。比一般的短，针脚也更少。一般用于上网本，SDRAM是内存的一种，就是 我们一般所认为的内存条。注意前一个内存比后一个内存包含的范围大SDRAM的最小容量是512Mb，可以看出内存条里面的颗粒容量比官网上的颗粒容量还要小。容量越小，采用的颗粒就越多。如果采用2块DDR2 SDRAM，数据线、地址线以及命令总线的数目都要翻倍，在Xilinx的IP核里面使用的控制器数目也要翻倍，而SODIMM是将数据线翻好几倍，一般是64，这无疑增大了吞吐量，而且地址线和命令总线只是做了相应的调整，相对于翻倍来说，调整的幅度就太小了。但是在硬件方面，SODIMM需要插槽，如果电路板经常工作在震动的环境下，插槽的稳定性就很难保证了，而DDR2 SDRAM是焊接上的，稳定性肯定比SODIMM要好很多。

耗电不小。sram读写速度快,但由于集成度低的原因,所以它的成本要高，sdram读写速度要次于sram,但它的集成度高,所以成本相对要低很多。同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。

电流标称 工作的条件/参数IDD0 操作电流，Active到Precharge，一个Bank工作，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化一次，地址和控制信号每两个时钟改变一次。IDD1 操作电流，Active-Read-Precharge，一个Bank工作，突发长度为2，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD2P 静态电流，预充电状态中，节电模式，CKE为低电平，所有Bank空闲。IDD2F 静态电流，预充电状态中，Standby模式，CKE高电平有效，片选信号未选中，所有 Bank空闲。IDD3P 静态电流，激活状态中，节电模式，CKE为低电平，一个Bank激活，其它Bank空闲IDD3N 静态电流，激活状态中，Standby模式，Active到Precharge，CKE为高电平，一个Bank工作，Active指令最大持续周期TRC = TRAS (max)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4R 操作电流，读操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4W 操作电流，写操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次。IDD5IDD6 最大自动刷新电流，TRC = TRC (min)。 正常自动刷新电流，TRC = 7.8125us，8K/64ms刷新率(有的Datasheet上只有IDD5)IDD7 内部自刷新电流，分为标准芯片和低功耗芯片两种情况。IDD8 操作电流，所有Bank交错读操作，突发长度为4，TRC = TRC (min)，地址和控制信号只在执行Read和Write指令时才改变状态。了解了这些电流的含义之后，我们就可以进行具体的功耗计算了。详细的分析可参见Micron公司的技术资料Calculating Memory System Power For DDR,TN-46-03。后台电源消耗（Background Power）：l CKE低电平节能状态的预充电模式：P (Pre_PND)= IDD2P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (Pre_STBY)= IDD2F*VDDl CKE低电平节能状态的激活模式：P (ACT_PND)= IDD3P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (ACT_STBY)= IDD3N*VDDl 自动刷新电流：P (REF)= (IDD5/6- IDD2P)*VDD。激活时操作电流（Activate Power）：l Active到Precharge操作过程中的消耗：P (ACT)= (IDD0- IDD3N)*VDD*[TRC(spec)/TACT(actual)]。读写操作电流（Read/Write Power）：l 写操作的功耗：P (WR)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*WR%l 读操作的功耗：P (RD)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*RD%l 读操作时I/O功耗：P (DQ)=(Vout* I out)*N*RD%其中WR%和RD%指写/读操作在ACT周期中占的比重，Vout和I out指DQ管脚的输出电压和电流，N指芯片上DQ和DQS的数目。需要注意的是，芯片厂商的Datasheet上提供的数据通常都是在比较苛刻的条件下测量的结果，比如VDD是工作在额定最大电压下（对DDR来说一般为2.7V）。遇到这种情况我们就要采取一些处理措施，办法就是根据实际电压和频率的变化，对计算的结果通过乘上变化因子进行调整，功率和频率及电压的平方成正比： 2P2=(V2/V1)(f2/f1)P1经过调整之后，得到的就是在实际工作电压和频率下的功耗。当然，这时候计算出来的仅仅是各部分工作状态下相对独立的电源消耗情况，如果综合起来计算整个芯片的功耗，则不是简单地把各项相加就行，还要合理考虑各种状态所占的比例等实际问题，比如：所有Bank预充电占的时间比例BNK_PRE%，处于预充电状态中CKE低电平占的比例CKE_LO_PRE%，处于激活状态中CKE处于低电平的比例CKE_LO_ACT%等等。这时，相应的公式要调整为：l P (Pre_PND)= IDD2P*VDD* BNK_PRE%* CKE_LO_PRE%l P (Pre_STBY)= IDD2F*VDD* BNK_PRE%* （1-CKE_LO_PRE%）l P (ACT_PND)= IDD3P*VDD*（1- BNK_PRE%）* CKE_LO_ACT%l P (ACT_STBY)= IDD3N*VDD*（1- BNK_PRE%）* （1-CKE_LO_ACT%）单个芯片电源消耗的计算方法学会之后，我们还可以类推到整个内存模块的功耗计算。下面我们就举例来分析一下4根1G的DIMM正常工作时的电源消耗，芯片采用Samsung K4H560838D DDR333 64MX4的芯片。

dqs？？？没有这个词吧！

你原来有条威刚的533 1G内存, 我可能判定你买的内存是DDR2代的，，

动态随机存取内存 DRAM：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见随机存取内存RAM：随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM内存时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。内存双通道：双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。 双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。 NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。 普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。 支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。 AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。 内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。

能通用，一个是插槽类型一个是内存技术。SDRAM和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。SDRAM都是采用了DIMM的形式。后面的udimm则是更细化的dimm的类型了，还有rdimm，具体百度吧。

SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 人们习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。而且其超频能力较弱，因其结构问题超频容易损坏。

DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

SDRAM里面的信息只能保留几十毫秒，所以需要不断刷新状态。这里面的同步指的是刷新和读写时钟和系统时钟公用，也就是同步。异步指的是刷新和读写时钟和系统时钟不同。系统时钟指的是总线时钟，比如PCI总线，CPU外部时钟等等。

一、指代不同1、DIMM：双列直插式存储模块，是指奔腾CPU推出后出现的新型内存条，提供了64位的数据通道。2、SO-DIMM：小外形双双列直插式内存模块，是一种采用集成电路的计算机存储器。二、结构不同1、DIMM：金手指两端不像SIMM那样是互通的，各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。2、SO-DIMM：在功率和电压额定值上或多或少等同DIMM，并且尽管存储器模块的尺寸较小，SO-DIMM技术并不会比较大的DIMM得到更低的性能。三、特点不同1、DIMM：采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。2、SO-DIMM：经常用于空间有限的系统，例如笔记本电脑、基于Mini-ITX主板的小体积个人计算机，高端可升级办公打印机，以及诸如路由器、NAS设备等网络硬件。参考资料来源：百度百科-SO-DIMM参考资料来源：百度百科-DIMM

传统的SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。内存从形态上区分，主要有simm内存条和dimm内存条两种。“simm”即单列直插存储模块，它有30线和70线之分，不过目前30线的simm内存条已经十分少见了，它主要使用在早期的486上，现在较多一些的是72线的simm内存条，这种simm在高档486和早期的586上比较常用。“dimm”即双列直插存储模块，它的引脚有168个，所以也叫做168线内存。这两种内存的识别方法十分简单，dimm内存采用了直接插入的边缘连接方式，而且dimm内存比较长，simm内存在尺寸上比dimm短许多，安装时必须倾斜插入内存插槽中，再用力扶正，simm两端有两个孔，当simm安装到位时，插槽两端的簧片会嵌入孔中，以固定内存。

1楼正解

1.SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAMDDR3内存。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。 　　DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。 　　CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engline）用来校准ODT（On Die Termination）内部中断电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。2.DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。这个也缩写为DDR，不过似乎与你问的没啥关系。拨号路由选择dial-on demand routing (ddr)是用公共电话网提供了网络连接。通常的，广域网大多数使用专线连接的，路由器连接到类似MODEM OR ISDNTAS 的数据终端DCE设备上，他们支持同步V.25BITS协议，你可以用SCRIPTS AND DIALER命令设定拨号串。3.RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 　　RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 　　普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

DIMM是内存模组的一种。so-dimm指的是内存条中的小板。比一般的短，针脚也更少。一般用于上网本SDRAM是内存的一种，就是 我们一般所认为的内存条。注意前一个内存比后一个内存包含的范围大SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器

张诚改编自原著同名篇章。

sdram的管教什么线是168线。台式机使用的SDRAM为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。

1、SDRAM要不停的刷新，按容量的不同,在64ms秒内，要auto refresh 2048/4096/8192行。刷新一行需要n个clock，时钟周期为T.2、如果时钟频率太低，则64ms不能完成所有行的刷新，导致数据丢失。3、最低频率：2048/4096/8192 x nT < 64ms。

IC:(integrated circuit)集成电路，通过特殊工艺在单一硅片上集成若干晶体管，实现需若干分立元件才能实现的功能。 EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,百度百科上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写”。DRAM：（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器。不知道你的模电、数电学得怎样，以及有没有实际接触过电子元器件，你问这些问题好像你对电子一无所知似的，所以我没法进一步跟你解释SDRAM和DRAM，以及他们的区别和优缺点，顺便问一句，你是做电子元器件销售的吗？

DRAM是用PN结电容存储0/1的，由于漏电的存在，时间长了两级板电位差会消失也就是1会变成0，所以过一段时间需要根据里面的内容补充电荷，这叫刷新。刷新过程中不能读写。SDRAM是DRAM的一种，增加了同步时钟，提高了读写速率。从原理来说现在的DDR3也是SDRAM的一种。不过约定俗成的说法是SDRAM只包含最早的单倍速读写SDRAMSARM存储数据的单元是D触发器，这种双稳态电路的0/1状态都是稳定的所以不需要刷新，只要有电就能一直存下去。从存储密度来说，DRAM/SDRAM每个bit需要一个晶体管，而SRAM最少需要4个，高速SRAM需要6个以上，而且由于晶体管之间的互联SRAM复杂得多，占了很大的空间，所以同制程的SRAM容量要小的多。从速度来说，DRAM/SDRAM需要刷新和回写，极速比不上SRAM。所以CPU的缓存是SRAM，主内存用SDRAM从省电的角度来说，DRAM/SDRAM要刷新比较费电，而省电设计的SRAM只要一个纽扣电池就可以保存数年之久（比如以前的游戏卡）

SDRAM是DDR的老爸

插槽不一样。 常见的电脑内存有SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM。 SDRAM是同步动态内存的意思。 DDR的意思是双倍传输速率。 SDRAM内存金手指是168线的，有两个缺口。 DDR内存金手指是184线的，一个缺口。 DDR2内存金手指是240线的，一个缺口。 DDR3内存金手指也是240线的，一个缺口，但缺口位置不一样。

插槽不一样。常见的电脑内存有SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM、DDR3SDRAM。SDRAM是同步动态内存的意思。DDR的意思是双倍传输速率。SDRAM内存金手指是168线的，有两个缺口。DDR内存金手指是184线的，一个缺口。DDR2内存金手指是240线的，一个缺口。DDR3内存金手指也是240线的，一个缺口，但缺口位置不一样。

都是PC上的内存么，不过是三个不同发展阶段的不同技术罢了。

肯定是不能混插了，虽然有一些古老的主板可以同时拥有两种插槽，但是无法同时使用。SDRAM和DDR的具体区别如下：1、传输速率存在差异：传统的sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr只能在信号的上升沿和下降沿传输数据,因此，ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍，这也是ddr双数据率、双数据率的含义。2、外观槽存在差异：ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。3、设计存在差异：与sdram相比，ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

SDRAM内存和DIMM内存的区别在于SDRAM内存和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。两者插槽形状不一样。SDRAM指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

DDR和SDRAM 是两种不同规格的内存

百度文库有相应的介绍：http://wenku.baidu.com/link?url=kG9Rk-E50Ppl9JY6SpK4wD_VLsq0ijsajg7qHGnIcy8ZCF0R9TYUAeX8z2LJkEicq7KY9mL96hTDm4rtLPLz5CrQ9i75eUhODXIdA7lmwEi

分类

SDRAM和DDR的具体区别如下：1、传输速率存在差异：传统的sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr只能在信号的上升沿和下降沿传输数据,因此，ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍，这也是ddr双数据率、双数据率的含义。2、外观槽存在差异：ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。3、设计存在差异：与sdram相比，ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。参考资料来源：百度百科-SDRAM参考资料来源：百度百科-DDR

品牌型号：华为MateBook D15 系统：Windows 11 sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr能在信号的上升沿和下降沿传输数据。ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍。ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。 ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是SDRSDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即DoubleDataRate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDRSDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

两种不同的内存内存

SDRAM内存是较早的主机上用的内存条，现在已经看不到了。DDR内存也已遭淘汰，现在主流内存是DDR2与DDR3内存。SDRAM，同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。内存（Memory）是计算机中重要的部件之一，由内存芯片、电路板、金手指等部分组成，它是与CPU进行沟通的桥梁。内存也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，内存的运行决定了计算机的稳定运行，因此内存的性能对计算机的影响非常大。在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

：SDRAM（同步动态随机存储器）是一种普通的内存类型，SDRAM的工作速度与系统总线速度是同步的，但目前已经很少被使用。：刷新频率设置为75HZ是消除闪烁的最低要求，只有把刷新频率设置为85HZ以上时，显示器的画面才能像纸一样平静。

目前使用的内存条类型(DIMM)主要有三种：UDIMM、RDIMM和LRDIMM。UDIMM由于并未使用寄存器，无需缓冲，同等频率下延迟较小。此外，UDIMM的另一优点在于价格低廉。其缺点在于容量和频率较低，容量最大支持4GB，频率最大支持2133 MT/s。此外，由于UDIMM只能在Unbuffered 模式工作，不支持服务器内存满配(最大容量)，无法最大程度发挥服务器性能。在应用场景上，UDIMM不仅可用于服务器领域，同样广泛运用于桌面市场。而RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，较UDIMM更为稳定，同时支持服务器内存容量最高容量。此外，RDIMM支持更高的容量和频率，容量支持32GB，频率支持 3200 MT/s 。缺点在于由于寄存器的使用，其延迟较高，同时加大了能耗，此外，价格也比UDIMM昂贵。因此，RDIMM主要用于服务器市场。LRDIMM可以说是RDIMM的替代品，其一方面降低了内存总线的负载和功耗，另一方面又提供了内存的最大支持容量，虽然其最高频率和RDIMM一样，均为3200 MT/s，但在容量上提高到64GB。并且，相比RDIMM，Dual-Rank LRDIMM内存功耗只有其50%。LRDIMM也同样运于服务器领域，但其价格，较RDIMM也更贵些。

Flash存储器：它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。DDR存储器：DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。RAM存储器：存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM，DRAM)。SRAM存储器：是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。DRAM存储器：DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

同问。。。

传输数据不同，作用不同。1、传输数据不同：SDRAM只能在频率上升时传输数据，表示一个频率周期只能做一次数据传输，但是DDR开始能够在频率上升及下降皆能够传输资料。2、作用不同：使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输，ddr作为运行内存使用。

自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。1、DDR时代DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。2、DDR2时代随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 RDRAMIntel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。3、DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

呵呵我刚学习嵌入式时也迷糊这两个概念，SD卡是照相机中用的存储器就跟手机内存卡一个性质，SDRAM是内存，就类似电脑内存，就是一名字。两个东西可以说是好无干系，不要被SD给迷糊了！

不能。

DDR3指第三代的DDR内存（DDR是个内存的技术）,SDRAM是内存的类型，一般说DDR3就代表了DDR3 SDRAM了。SDRAM具体的是指Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。 很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

主要是频率不一样 DDR快一倍

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。目前，RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四种规格。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能。

DDR 是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。 SDRAMDRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

内存芯片4M1个 一共4个 位宽16比特

SDRAM内存和DIMM内存的区别在于SDRAM内存和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。两者插槽形状不一样。SDRAM指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

笔记本上呀,最好加一个和原机一样的,不然有可能会有问题的.

自己到百度搜索啊很多的

RDRAM是内存总线式动态内存，SDRAM是同步动态随机存取内存。两个不同的内存存取方式。

SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。SDRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

原文链接地址 http://www.360doc.com/content/11/0615/14/6105442_127114777.shtml 行地址解码器（row decoder）将会首先确定行地址，然后列地址解码器（column decoder）将会确定列地址，这样就能确定唯一的存储数据的位置，然后该数据就会通过RAM数据接口将数据传到数据总线。 SRAM是“static RAM（静态随机存储器）”的简称，之所以这样命名是因为当数据被存入其中后不会消失（同DRAM动态随机存储器是不同，DRAM必须在一定的时间内不停的刷新才能保持其中存储的数据） Enable（OE）：有的SRAM芯片中也有这个引脚，但是上面的图中并没有。这个引脚同WE引脚的功能是相对的，它是让SRAM知道要进行读取操作而不是写入操作。从Dout引脚读取1bit数据需要以下的步骤： SRAM读取操作： 1)通过地址总线把要读取的bit的地址传送到相应的读取地址引脚(这个时候/WE引脚应该没有激活，所以SRAM知道它不应该执行写入操作)。 2)激活/CS选择该SRAM芯片。 3)激活/OE引脚让SRAM知道是读取操作。 第三步之后，要读取的数据就会从DOut引脚传输到数据总线。怎么过程非常的简单吧？同样，写入1bit数据的过程也是非常的简单的。 SRAM写入操作： 1)通过地址总线确定要写入信息的位置(确定/OE引脚没有被激活）。 2)通过数据总线将要写入的数据传输到Dout引脚。 3)激活/CS引脚选择SRAM芯片。 4)激活/WE引脚通知SRAM知道要进行写入操作。 DRAM通过DRAM接口把地址一分为二，然后利用两个连续的时钟周期传输地址数据。这样就达到了使用一半的针脚实现同SGRAM同样的功能的目的，这种技术被称为多路技术（multiplexing） 那么为什么好减少地址引脚呢？这样做有什么好处呢？前面我们曾经介绍过，存储1bit的数据SRAM需要4-6个晶体管但是DRAM仅仅需要1个晶体管，那么这样同样容量的SRAM的体积比DRAM大至少4倍。这样就意味着你没有足够空间安放同样数量的引脚（因为针脚并没有因此减少4倍）。当然为了安装同样数量的针脚，也可以把芯片的体积加大，但是这样就提高芯片的生产成本和功耗，所以减少针脚数目也是必要的，对于现在的大容量DRAM芯片，多路寻址技术已经是必不可少的了。 当然多路寻址技术也使得读写的过程更加复杂了，这样在设计的时候不仅仅DRAM芯片更加复杂了，DRAM接口也要更加复杂，在我们介绍DRAM读写过程之前，请大家看一张DRAM芯片内部结构示意图： 首先为了能存储1字节(8 bit)的信息,就需要8个1bit RAM基本存储单元堆叠在一起，这也意味着这8颗芯片被赋予了同样的地址。下面的示意图可以帮助你比较形象的了解这一点（下图所示的图例中仅仅画了4个存储单元，大家当成8个来看就可以了）。 通常这8颗1bit芯片是通过地址总线和数据总线在PCB（印刷电路板）上连接而成的，对于CPU来说它就是一颗8bit的RAM芯片，而不再是独立的8个1 bit芯片。在上图所示的地址总线位宽是22bit，这样这个地址总线所能控制的存储模块的容量应该是222=4194304bit,也就是4MB的容量；数据总线的位宽是8bit，就是通过刚才提到的8个1bit的基本存储单元的Dout并联在一起实现的－－这样也能够满足CPU的要求了。（对于这种存储颗粒我们称之为4194304 x 8模块或者4Mx8，注意这里的“M”不是“MByte”而是“Mbit”）。为了举例说明，我们用一条TI（德仪公司）出品的TM4100GAD8 SIMM内存为例来说明，因为这种内存的构造相对比较简单，便于大家理解。TM4100GAD8基于4M x 8模块制造，容量4MB，采用30线SIMM封装。如果前面我说的东西你看明白了，就应该知道这条内存采用了4Mx1 DRAM颗粒。下面的数据是我在TI官方网站上找到的（目前很少有公司的网站还提供自己以前产品的数据）：构造：4194304 × 8。工作电压：5-V。30线SIMM（Single In-Line Memory Module：SIMM）。采用8片4Mbit DRAM内存颗粒，塑料SOJs封装。长刷新期16 ms(1024周期)。 如果一个DRAM芯片具有8个数据引脚，那么这个基本储存单元一次就可以输出8bit的数据，而不像是在原来的TM4100GAD8 SIMM芯片中每次仅仅能输出1bit数据了。这样的话，如果我们需要制造一个同TM4100GAD8一样容量的内存，那么我们可以不使用前面所使用的4M x 1bit芯片，而是采用1M x 8bit芯片，这样仅仅需要4片芯片就可以得到一个容量为4MB，位宽为32bit的模组。芯片数目减少最直接的好处当然是可以减少功耗了，当然也简化了生产过程 1、首先行地址被传送到行地址引脚，在/RAS引脚被激活之前，RAS处于预充电状态，CAS也处于预充电状态，当然/WE此时依然是高电平，FPM至少知道自己不会进行写操作。 　　2、/RAS引脚被赋予低电平而被激活，行地址被送到行地址选通器，然后选择正确的行送到传感放大器，就在/RAS引脚被激活的同时，tRAC开始计时。 　　3、CAS一直处于预充电状态，直到列地址被传送到列地址引脚并且/CAS引脚得到一个低电平而被激活（tCRC时间开始计时），然后下面的事情我们也应该很清楚了，列地址被送到列地址选通器，然后需要读取的数据位置被锁定，这个时候Dout引脚被激活，第一组数据就被传送到数据总线上。 　　4、对于原来介绍的DRAM，这个时候一个读取周期就结束了，不过对于FPM则不同，在传送第一组数据期间，CAS失活（RAS依然保持着激活状态）并且进入预充电状态，等待第二组列地址被传送到列地址引脚，然后进行第二组数据的传输，如此周而复始直至4组数据全部找到并且传输完毕。 　　5、当第四组数据开始传送的时候，RAS和CAS相继失活进入到预充电状态，这样FPM的一个完整的读取周期方告结束。FPM之所以能够实现这样的传输模式，就是因为所需要读取的4个字节的行地址是相同的但是列地址不同，所以它们不必为了得到一个相同的列地址而去做重复的工作。 　　6、这样的工作模式显然相对于普通的DRAM模式节省了很多的时间，特别是节省了3次RAS预充电的时间和3个tRAC时间，从而进一步提高的效率。 那些t参数的意思 4.11 ACTIVE Command The ACTIVE command is used to open (or activate) a row in a particular bank for a subsequent access. (用于对一个特定的bank的行进行连续的访问,前提是open或者activate该行) This row remains active (or open) for accesses until a precharge command is issued to that bank. A PRECHARGE command must be issued before opening a different row in the same bank -----行active持续到一个precharge命令发出,在同一个bank中open不同行时需要发出一个precharge命令 4.12 PRECHARGE Command The PRECHARGE command is used to deactivate the open row in a particular bank or the open row in all banks. ----PRECHARGE命令是用来deactivate行或者activate行 in all banks

用cpu-z看看就知道了

DDR是一个时钟周期发送两次数据，SD是一次！就是说ddr提供的内存带宽是sd的两倍！

把cpu供电 硬盘供电检查一遍 还有主板连接机箱的各种线再检查遍有没有插错

1、这里只介绍动态存储器(DRAM)的工作原理。动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。 使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。 2、当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。 接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。 当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。 3、由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。 首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。

1、这里只介绍动态存储器(DRAM)的工作原理。动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。 使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。 2、当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。 接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。 当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。 3、由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。 首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。

先说RAM吧！！由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM都可以统称RAM，random access memory的缩写，只是前面加了几个修饰词而已。SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。DRAM：动态随机存储器，SDRAM只是其中的一种吧，没用过，不怎么清楚。ROM：只读存储器的总称。PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。EPRM：没见过，不知道什么东西。网上也找不到相关的东西。是EPROM吧？EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高，我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗？用户的应用程序呢！其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。我知道的都说了，忘采纳

主存：一般指内存辅存：狭义的指硬盘，U盘等其他的，http://baike.baidu.com/，你可以把你那几个关键字输到百度百科里，都有解释的

按大小来看，一共需要16块DRAM芯片，将每四块分为一组，形成32位的数据宽度，根据该储存容量大小一共需要16位地址线（可以根据储存容量除以数据宽度来确定）。将地址线的低14位作为全部DRAM芯片的地址，然后将高2位作为组片选信号，即选择各组输出的32位数据。

DRAM功耗大